KR100497926B1 - 강유전성박막의제조방법및유기금속화학기상증착용원료 - Google Patents

강유전성박막의제조방법및유기금속화학기상증착용원료 Download PDF

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Abstract

유기 금속 화학 기상 증착법에 의해서 장기간에 걸쳐 항상 동일한 구성을 가지는 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막이 만들어진다는 것을 확실하게 하기 위해서, BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, 0≤z≤1, w=9±d, 0≤d≤1.0)은 유기 용매 내에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나(여기서 Ph=C6H5, O-iPr=i-OC3H7, 및 DPM은 디피발로일 메타나토)를 미리 용해하고, 이 혼합 용액을 기화시키고, 상기 기화된 혼합 용액 가스를 산화 가스와 혼합함으로써 준비된 원료 가스를 사용하는 유기 금속 화학 기상 증착법에 의해 만들어진다.

Description

강유전성 박막의 제조 방법 및 유기 금속 화학 기상 증착용 원료{METHOD FOR MANUFACTURING A FERROELECTRIC THIN FILM AND SOURCE MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
본 발명은, 특히, 강유전성 메모리의 제조 공정에서 사용하기에 적합한 유기 금속 화학 기상 증착법을 위한 강유전성 박막 및 원료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
강유전성 메모리는 강유전성 박막에서의 빠른 분극 반전과 잔류 분극을 사용함으로써 고속으로 재기입 가능한 비-휘발성 메모리이다. 이중 층 구조 페로브스카이트(perovskite) 강유전성 물질들, BixSry(TazNbl-z)2Ow는 최근에 강유전성 메모리의 강유전성 박막 물질로 주목받는다.
유기 금속 화학 기상 증착법(MOCVD)은 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 만들기 위한 한 방법으로 사용된다. 지금까지, MOCVD에 의한 BixSry(TazNbl-z)2Ow는 이하 설명된 방법으로 만들어져 왔다.
한 방법으로는, Bi, Sr, Ta 및 Nb를 포함하는 유기 금속의 적당한 농도를 함유하는 유기 용액인 4 종류의 액체 소스들을 준비하고, 그 다음에 기화기 바로 앞에서 임의의 비율로 개별 소스 병들로부터 공급된 용액들을 혼합하고, 그 후에 혼합 용액으로부터 기화된 가스를 산화 가스와 혼합함으로써 원료 가스를 만들도록 되어 있다. 그러나 이 방법은 혼합 용액의 몰분율이 전자기 밸브의 정확성 또는 임의의 비율로 액체 소스를 혼합하기 위한 액체 유량 제어기에 따라 변화한다는 문제를 가지고 있다.
또다른 방법은, 아르곤(Ar)과 같은 캐리어 가스가 고체 또는 기체 유기 금속을 함유하는 소스 병들을 통해 진행하게 하고, 가스 혼합기에 의해서 각 소스 병들로부터의 가스들을 혼합하도록 되어있다. 그러나 이 방법에서는, 가스에서의 몰분율이 캐리어 가스의 유량을 제어함으로써 제어된다고 해도, 각 유기 금속들의 기화 정도는 소스 병들에서 원료들의 잔류량과 함께 변화하고, 혼합 후 가스에서의 몰분율은 크게 변화하게 된다.
몰분율의 변동은 Bi, Sr, Ta 및 Nb를 포함하는 유기 금속들이 소정의 몰분율로 혼합되어 있는 원료 용액들을 미리 준비함으로써 극복될 수 있다. 이러한 경우에, 그러나, 일반 용액에 용해된 일종의 유기 금속들, 그들의 농도 및 몰분율이 최적화되지 않는다면, 용액 내의 유기 금속들 사이에서의 반응은 몰분율의 변화 원인이 된다. 따라서, 장기간에 걸쳐 동일한 몰분율을 일정하게 가지는 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 만드는 것은 어렵고, 이것은 대량 생산의 관점에서 심각한 불이익이다.
그러므로 본 발명의 목적은 유기 금속 화학 기상 증착법에 의해 장기간에 걸쳐 항상 동일한 몰분율을 가지는 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 제조할 수 있고, 그러므로 대량 생산면에서 우수한 강유전성 박막의 제조 방법을 제공하고, 이 방법에 사용되는 유기 금속 화학 기상 증착법을 위한 원료를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 발명에 따라서, BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, 0≤z≤1, w=9±d, 0≤d≤1.0)을 만들기 위해서 유기 금속 화학 기상 증착법을 사용하고, 유기 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림(tetraglyme) 및 Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나(여기서 Ph=C6H5, O-iPr=i-OC3H7, 및 DPM은 디피발로일 메타나토(DiPivaloyl Methanato))를 용해하여 혼합 용액을 만들고, 그 다음에 이 혼합 용액을 기화시키고, 기화된 혼합 용액 가스를 산화 가스와 혼합하여 준비한 원료 가스를 사용하여 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 만드는 단계를 포함하는 강유전성 박막의 제조 방법이 제공된다.
BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막은 전형적으로 Bi, Sr, Ta 및 Nb의 원자 구성비(a, b, c 및 d)가 1.8≤2a/(c+d)≤2.8 및 0.6≤2b/(c+d)≤1.2의 조건을 만족시킨다.
유기 용매에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수에 대한 BiPh3의 몰수 비는 X(%)이고, 총 몰수에 대한 Sr(DPM)2 테트라글림의 몰수 비는 Y(%), 총 몰수에 대한 Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 비는 Z(%)인 경우에, X, Y, Z는 30≤X≤80, 15≤Y≤45, 5≤Z≤30 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 것이 바람직하고, 45≤X≤65, 20≤Y≤40, 10≤Z≤25 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 것이 보다 더 바람직하다.
혼합 용액을 기화시키기 위한 기화기의 온도는 전형적으로 180 내지 240℃의 범위 내에 있다. 반응 챔버에서 원료 가스의 압력은 전형적으로 0.1 내지 50 토르의 범위 내에 있다.
통상, BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막은 기판 온도를 600 내지 800℃까지 설정하여 만들어진다. 대안으로, BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막은 기판 온도를 350 내지 650℃까지 설정한 후, 600 내지 900℃까지의 산화 분위기에서 어닐링된다.
본 발명의 제2 양상에 따라서, BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, 0≤z≤1, w=9±d, 0≤d≤1.0)을 만들기 위해서 유기 금속 화학 기상 증착법을 사용하고, 유기 용매에 Bi 원료, Sr 원료, 및 Ta 원료와 Nb 원료 중 적어도 하나를 용해하여 혼합 용액을 만들고, 그 다음에 이 혼합 용액을 기화시키고, 기화된 혼합 용액 가스를 산화 가스와 혼합하여 준비한 원료 가스를 사용하여 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 만드는 단계를 포함하 는 강유전성 박막의 제조 방법이 제공된다.
제2 발명에서, 전형적으로, Bi 원료는 BiPh3, Sr 원료는 Sr(DPM)2 테트라글림, Ta 원료는 Ta(O-iPr)4DPM, 그리고 Nb 원료는 Nb(O-iPr)4DPM이다.
본 발명의 제3 발명에 따라서, 유기 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나(여기서 Ph=C6H5, O-iPr=i-OC3H7, 및 DPM은 디피발로일 메타나토)를, 30≤X≤80, 15≤Y≤45, 5≤Z≤30 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 비율로 용해하는 혼합 용액의 형태로 유기 금속 화학 기상 증착법을 위한 원료가 제공되는데, 여기서 X(%)는 유기 용매에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수에 대한 BiPh3의 몰수 비이고, Y(%)는 총 몰수에 대한 Sr(DPM)2, 테트라글림의 몰수 비, 그리고 Z(%)는 총 몰수에 대한 Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 비이다.
X, Y, 및 Z는 45≤X≤65, 20≤Y≤40, 10≤Z≤25 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 유기 용매는 전형적으로 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran; THF)을 주성분으로 포함하고, 필요한 경우에 안정제를 포함할 수 있다. 유기 용매에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수는 0.02 mol/L 이상 2 mol/L 이하가 바람직하고, 0.05 mol/L 이상 0.5 mol/L 이하가 보다 더 바람직하다.
상기 요약된 발명에 따라서, BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 유기 금속들, Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나가 최적의 구성비 및 농도로 미리 용해되어 있는 단일 소스의 혼합 용액을 사용함으로써, 혼합 용액에서의 유기 금속 사이의 반응이 방지될 수 있고, 혼합 용액에서의 몰분율의 변화들이 장기간에 걸쳐 방지될 수 있다.
본 발명의 상기, 및 다른 목적들, 특징들 및 이점은 첨부한 도면들과 다음의 상세한 설명을 통해 보다 명확해질 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
<실시예>
본 발명의 실시예에서 사용되는 MOCVD 장치가 먼저 설명되어진다. MOCVD의 구조는 도 1에서 개략적으로 보여진다.
도 1에서 도시된 바와 같이, MOCVD 장치에 있어서, 원료 용액 병(1)은 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나가 최적의 구성비와 농도로 THF 용매에 미리 용해되어 있는 혼합 용액(2)을 담고 있다. 예를 들어, 아르곤 가스는 상기 병(1) 위에 준비된 파이프(3)로부터 원료 용액 병(1) 내로 공급된다. 더욱이 상기 원료 용액 병(1) 위에는 혼합 용액(2) 내로 연장된 파이프(4)가 준비되어 있다. 파이프(4)는 원료 용액 병(1)의 바깥쪽 위치에 액체 펌프(5)와 액체 펌프(5)의 하류측에 기화기(6)를 갖는다. 기화기(6)는 캐리어 가스로, 예를 들어, 아르곤 가스가 공급된다. 파이프(4)는 기화기(6)의 하류측에서 반응 챔버(7) 위에 위치된 가스 혼합기(8)에 연결된다. 또한 파이프(9)가 산소를 공급하기 위해서 가스 혼합기(8)에 연결된다. 혼합 용액(2)으로부터 기화되어 파이프(4)를 통해 공급되는 가스와 파이프(9)를 통해 공급되는 산소 가스가 가스 혼합기(8)에서 혼합되어, 반응 챔버(7)로 공급된다. 반응 챔버(7)에서, 막을 만들기 위한 기판(11)은 가열기(10) 상에 지지된다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예, 즉, 강유전성 메모리에서 사용되는 유전체 커패시터의 제조 방법을 나타낸다.
제1 실시예에서는, 도 2에서 도시된 바와 같이, 예를 들어, 열산화에 의해서Si 기판(21)의 표면에 SiO2 막(22)이 300㎚ 두께로 먼저 형성된다. 그 후, Ti 막(23) 및 Pt 막(24)은, 예를 들어, 스퍼터링에 의해서 30㎚ 두께까지 SiO2 막(22) 상에 연속적으로 적층된다. Ti 막(23)은 본딩 층으로 사용되고, Pt 막(24)은 하부 전극으로 사용된다.
다음에, 도 1에 도시된 MOCVD 장치를 사용하여, 기판 온도 350 내지 650℃에서 MOCVD에 의해 Pt 막(24) 상에 BixSryTa2Ow 박막(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, w=9±d, 0≤d≤1.0)을 형성한다. 보다 특히, THF 용매에서 모든 유기 금속들, BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM의 농도가 0.1mol/L이고, 각각의 유기 금속들의 몰분율이, 55%의 BiPh3, 25%의 Sr(DPM)2 테트라글림 및 20%의 Ta(O-iPr)4DPM으로 최적화되기 위해서, TFT 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM을 용해함으로써 미리 준비된 혼합 용액(2)이 도 1에서 보여진 MOCVD 장치의 원료 용액 병(1)에 포함된다. 혼합 용액(2)은 액체 펌프(5)에 의해 분당 0.2ml 비율로 파이프(4)를 통해서 200℃로 유지된 기화기(6)에 공급되고, 거기서 가스로 변화된다. 이 가스는 1000 SCCM의 유량(flow rate)의 아르곤 캐리어 가스와 함께, 예를 들어, 가스 혼합기(8)로 보내지고, 거기서, 예를 들어, 1000 SCCM의 유량의 산소 가스와 함께 혼합된다. 이 혼합 가스는 원료 가스로서 반응 챔버(7)로 도입된다. 반응 챔버(7) 안에 있는 원료 가스의 압력은, 예를 들어, 5 내지 10 토르까지로 조정된다.
이 방법으로 만들어진 BixSryTa2Ow 박막(25)은 다음에, 예를 들어, 700 내지 800℃까지, 예를 들어, 한 시간동안 산소 분위기에서 어닐링된다.
그 후, 금속 마스크를 사용하여, 예를 들어, Pt 막(26)은 BixSryTa2Ow 박막(25) 상에 스퍼터링에 의해 형성된다. Pt 막(26)은 상부 전극으로 사용된다.
이 방법으로 만들어진 유전체 커패시터의 Pt 막(24) 및 Pt 막(26) 사이에 전압을 인가함으로써, 전하 축적량이 측정되었다. 이 결과, 강유전성 메모리에 대한 중요한 인자인 유전체 분극 값(잔류 분극 값)은 2Pr=10~25 μC/㎠였다. 여기서 얻어진 유전체 분극 값은 BixSryTa2Ow 박막(25)으로서 알맞은 값이다.
상기 설명된 바와 같이, 제1 실시예는 최적의 구성비 및 농도로 THF 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM을 미리 용해한 혼합 용액(2)을 사용하기 때문에, 혼합 용액(2)내 유기 금속들 사이에서의 반응은 방지될 수 있고, 혼합 용액(2)의 구성에서의 변화들도 장기간에 걸쳐 방지될 수 있다. 그러므로, 기화된 혼합 용액(2)과 산소 가스를 혼합한 원료 가스를 사용하는 MOCVD에 의해 만들어진 BixSryTa2Ow 박막(25)은 원료 가스의 구성에서의 변화없이 만들어질 수 있다. 따라서, 이 방법은 장기간에 걸쳐 일정하게 동일한 구성을 갖는 BixSryTa2Ow 박막(25)을 만들 수 있고, 대량-생산에 뛰어나다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예, 즉, 강유전성 메모리에 사용되는 유전체 커패시터의 제조 방법을 나타낸다.
제2 실시예에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 먼저 Si 기판(31)의 표면상에 IrO2 막(32)이 100㎚ 두께로, 대략, 그리고 Ir 막(33)이 두께 200㎚로 스퍼터링에 의해 순차적으로 형성된다. Ir 막(33)은 하부 전극으로 사용된다.
다음으로 도 1에서 보여진 MOCVD 장치를 사용하여, 기판 온도 350 내지 650℃에서 MOCVD에 의해 Ir 막(33) 상에 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(34)(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, 0≤z≤1, w=9±d, 0≤d≤1.0)이 형성된다. 보다 특히, THF 용매에서 모든 유기 금속들, BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM의 농도가 0.1mol/L이고, 각각의 유기 금속들의 몰분율이, 55%의 BiPh3, 25%의 Sr(DPM)2 테트라글림, 10%의 Ta(O-iPr)4DPM 및 10%의 Nb(O-iPr)4DPM으로 최적화되기 위해서, TFT 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM을 용해함으로써 미리 준비된 혼합 용액(2)이 도 1에서 보여진 MOCVD 장치의 원료 용액 병(1)에 포함된다. 혼합 용액(2)은 액체 펌프(5)에 의해 분당 0.2ml 비율로 파이프(4)를 통해서 200℃로 유지된 기화기(6)에 공급되고, 거기서 가스로 변화된다. 이 가스는 1000 SCCM의 유량의 아르곤 캐리어 가스와 함께, 예를 들어, 가스 혼합기(8)로 보내지고, 거기서, 예를 들어, 1000 SCCM의 유량의 산소 가스와 함께 혼합된다. 이 혼합 가스는 원료 가스로서 반응 챔버(7)로 도입된다. 반응 챔버(7) 안에 있는 원료 가스의 압력은, 예를 들어, 5 내지 10 토르까지로 조정된다.
이 방법으로 만들어진 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(34)은 다음에, 예를 들어, 700 내지 800℃까지, 예를 들어, 한 시간동안 산소 분위기에서 어닐링된다.
그 후, 금속 마스크를 사용하여, 예를 들어, Ir 막(35)은 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(35) 상에 스퍼터링함으로써 형성된다. Ir 막(35)은 상부 전극으로 사용된다.
이 방법으로 만들어진 유전체 커패시터의 Ir 막(33) 및 Ir 막(35) 사이에 전압을 인가함으로써, 전하 축적량이 측정되었다. 이 결과, 강유전성 메모리에 대해 중요한 인자인 유전체 분극 값(잔류 분극 값)은 2Pr=10~30 μC/㎠였다. 여기서 얻어진 유전체 분극 값은 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(34)으로서 알맞은 값이다.
상기 설명된 바와 같이, 제2 실시예는 최적의 구성비 및 농도로 THF 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM을 미리 용해한 혼합 용액(2)을 사용하기 때문에, 혼합 용액(2)내의 유기 금속들 사이의 반응이 방지될 수 있고, 혼합 용액(2)의 구성에서의 변화들도 장기간에 걸쳐 방지될 수 있다. 그러므로, 기화된 혼합 용액(2)과 산소 가스를 혼합한 원료 가스를 사용하는 MOCVD에 의해 만들어진 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(34)은 원료 가스의 구성에서의 변화없이 만들어질 수 있다. 따라서, 이 방법은 장기간에 걸쳐 항상 동일한 구성을 갖는 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(34)을 만들 수 있고, 대량 생산에 뛰어나다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 특정한 바람직한 실시예들을 설명하였지만, 본 발명은 이러한 실시예들에 국한되지 않는다는 점과 첨부된 청구항들로 정의된 본 발명의 범위 또는 정신에 벗어나지 않는 다양한 변화들 및 변경 실시가 당업자에 의해 행해질 수도 있을 것이다.
예를 들어, 제1 및 제2 실시예들에 언급된 수치들, 구조들, 전극 물질들 및 방법들은 단지 예들이고, 적당한 다른 수치들, 구조들, 전극 물질들 및 방법들이 필요한 곳에서 사용될 수 있다.
특히, 예를 들어, RF 파는 MOCVD 장치의 반응 챔버(7)로 도입되어 생성되는 플라즈마로 막을 만들 수 있다.
또한 도 1에서 보여진 MOCVD 장치는 일예로서, 어떤 다른 적절하게 구성된 MOCVD 장치도 사용될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 강유전성 박막의 제조 방법은 혼합 용액내 유기 금속들 사이의 반응을 방지할 수 있어, 혼합 용액의 조성에서의 변화들을 방지할 수 있고, 따라서 장기간에 걸쳐 항상 동일한 구성을 가지는 강유전성 막을 제조할 수 있다.
부가적으로, 본 발명에 따른 유기 금속 화학 기상 증착법을 위한 원료는 혼합 용액내 유기 금속들 사이의 반응을 방지할 수 있고, 그러므로 혼합 용액의 조성에서의 변화들을 방지할 수 있고, 그 결과 장기간에 걸쳐 항상 동일한 구성을 가지는 강유전성 막의 제조 공정을 확실하게 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 사용되는 MOCVD 장치를 보여주는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 유전체 커패시터의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 유전체 커패시터의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 원료 용액 병
2 : 혼합 용액
3, 4, 9 : 파이프
5 : 액체 펌프
6 : 기화기
7 : 반응 챔버
8 : 혼합기
10 : 가열기
11 : 기판

Claims (17)

  1. BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, 0≤z≤1, w=9±d, 0≤d≤1.0)을 만들기 위해서 유기 금속 화학 기상 증착법을 사용하는 강유전성 박막의 제조 방법에 있어서,
    유기 용매에 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나(여기서 Ph=C6H5, O-iPr=i-OC3H7, 및 DPM은 디피발로일 메타나토)를 용해하여 혼합 용액을 만들고, 그 다음에 상기 혼합 용액을 기화시키고, 상기 기화된 혼합 용액 가스를 산화 가스와 혼합하여 준비한 원료 가스(source material gas)를 사용하여 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 만드는 단계를 포함하는 강유전성 박막의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기 용매는 주성분으로 테트라히드로푸란을 포함하는 강유전성 박막의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기 용매 내에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰농도는 0.02 mol/L 이상 2 mol/L이하인 강유전성 박막의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기 용매 내에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰농도는 0.05 mol/L 이상 0.5 mol/L이하인 강유전성 박막의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용매 내에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수에 대한 BiPh3의 몰수 비가 X(%)이고, 상기 총 몰수에 대한 Sr(DPM)2 테트라글림의 몰수 비가 Y(%)이고, 그리고 상기 총 몰수에 대한 Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 비가 Z(%)인 경우에, X, Y 및 Z가 30≤X≤80, 15≤Y≤45, 5≤Z≤30 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 범위 내에 있는 강유전성 박막의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용매 내에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수에 대한 BiPh3의 몰수 비가 X(%)이고, 상기 총 몰수에 대한 Sr(DPM)2 테트라글림의 몰수 비가 Y(%)이며, 상기 총 몰수에 대한 Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 비가 Z(%)인 경우에, X, Y 및 Z가 45≤X≤65, 20≤Y≤40, 10≤Z≤25 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 범위에 있는 강유전성 박막의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 혼합 용액을 기화시키기 위한 기화기의 온도는 180 내지 240℃의 범위로 설정되는 강유전성 박막의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 반응 챔버 내에 있는 상기 원료 가스의 압력은 0.1 내지 50토르인 강유전성 박막의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막은 600 내지 800℃ 범위의 기판 온도 하에서 형성되는 강유전성 박막의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막은 350 내지 650℃ 범위의 기판 온도 하에서 형성되고, 그 후에 600 내지 900℃ 범위의 온도 조건 하에서 산화 분위기 중에서 어닐링되는 강유전성 박막의 제조 방법.
  11. X(%)는 유기 용매에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수에 대한 BiPh3의 몰수 비이고, Y(%)는 상기 총 몰수에 대한 Sr(DPM)2, 테트라글림의 몰수 비, 그리고 Z(%)는 상기 총 몰수에 대한 Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 비인 경우에, 30≤X≤80, 15≤Y≤45, 5≤Z≤30 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 비율로 유기 용매 내에서 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림 및 Ta(O-iPr)4DPM과 Nb(O-iPr)4DPM 중 적어도 하나(여기서 Ph=C6H5, O-iPr=i-OC3H7, 및 DPM은 디피발로일 메타나토)를 용해하는 혼합 용액의 형태인 유기 금속 화학 기상 증착을 위한 원료.
  12. 제11항에 있어서, X(%)가 상기 유기 용매에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰수에 대한 BiPh3의 몰수 비이고, Y(%)가 상기 총 몰수에 대한 Sr(DPM)2, 테트라글림의 몰수 비, 그리고 Z(%)가 상기 총 몰수에 대한 Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 비인 경우에, 상기 X, Y 및 Z는, 45≤X≤65, 20≤Y≤40, 10≤Z≤25 및 X+Y+Z=100을 만족시키는 범위 내에 있는 유기 금속 화학 기상 증착을 위한 원료.
  13. 제11항에 있어서, 상기 유기 용매 내에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰농도는 0.02 mol/L이상 2mol/L이하인 유기 금속 화학 기상 증착을 위한 원료.
  14. 제11항에 있어서, 상기 유기 용매 내에 용해된 BiPh3, Sr(DPM)2 테트라글림, Ta(O-iPr)4DPM 및 Nb(O-iPr)4DPM의 총 몰농도는 0.05 mol/L이상 0.5 mol/L이하인 유기 금속 화학 기상 증착을 위한 원료.
  15. 제11항에 있어서, 상기 용매는 주성분으로 테트라히드로푸란을 포함하는 유기 금속 화학 기상 증착을 위한 원료.
  16. 유기 금속 화학 기상 증착법을 사용하여 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막(여기서 1.70≤x≤2.50, 0.60≤y≤1.20, 0≤z≤1, w=9±d, 0≤d≤1.0)을 만들기 위한 강유전성 박막의 제조 방법에 있어서,
    유기 용매에 Bi 원료, Sr 원료 및 Ta 원료와 Nb 원료 중 적어도 하나를 용해하여 혼합 용액을 만들고, 그 다음에 상기 혼합 용액을 기화시키고, 상기 기화된 혼합 용액 가스를 산화 가스와 혼합하여 준비한 원료 가스를 사용하여 BixSry(TazNbl-z)2Ow 박막을 만드는 단계를 포함하는 강유전성 박막의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 Bi 원료는 BiPh3이고, 상기 Sr 원료는 Sr(DPM)2 테트라글림이고, 상기 Ta 원료는 Ta(O-iPr)4DPM이고, 상기 Nb 원료는 Nb(O-iPr)4DPM인 강유전성 박막의 제조 방법.
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