KR19990013831A - 산화물 세라믹 박막 제조 방법 - Google Patents

산화물 세라믹 박막 제조 방법 Download PDF

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프란크 힌터마이어
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빌헬름 에핑, 디터 라인하르트
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Abstract

본 발명은 표면 상에 금속 산화물의 증착에 의해 산화물 세라믹 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 촉진제가 유기금속 전구체의 산화를 개시하기 위해 첨가된다.

Description

산화물 세라믹 박막 제조 방법
본 발명은 산화물 세라믹 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
산화물 세라믹 박막을 증착하는 방법으로는 점진적으로 화학증착법(CVD)이 사용되고 있다. 이러한 방법에서, 사용되는 개시 재료는 유기금속 전구체이며, 이러한 유기금속 전구체는 300 내지 800℃의 온도에서 분해되어 대응하는 산화물로 변환된다. 유기금속 전구체를 산화시키기 위해 산화가스, 즉 전구체의 유기 성분을 연소시키는 산소가 사용된다. 이러한 산화 공정은 통상적으로 자유 라디칼(free-radical)과 함께 수행된다. 자유 라디칼 체인 반응이 빈번하게 일어난다.
현재까지는 산화 가스 즉 산소, 또는 그의 혼합물 즉 O2/N2O 만이 사용되어 왔다. 예컨대, BST{(Ba,Sr)TiO3}를 준비하기 위해, 전구체 Sr(thd)2(테트라글륨), Ba(thd)2(테트라글륨), 및 (Ti(OiPr)2(thd)2이 산화제로서 O2/N2O 와 함께 450 내지 650℃ 의 온도에서 반응한다. 그렇지만, 유기금속 전구체에서 탄소가 불완전하게 연소되기 때문에, 증착된 BST층은 단지 500℃에서 측정될 수용가능한 전기적 데이에 대해 충분히 순수하다.
BST의 경우에, 증착이 저온, 즉 500℃ 아래의 온도에서 수행되는 경우에는 증착이 운동학적 조절하에서 주로 진행되기 때문에, 증착이 양호한 균일성을 갖게 된다. 반대로, 약 500℃ 위의 온도에서의 증착은 점진적으로 확산 조절된다. 이는 도 2에 개략적으로 도시한 바와 같이 균일성을 감소시킨다.
마이크로 전자공학에서 반도체 성분을 제조할 때, 산화물 세라믹 박막이 사용된다. 디램(DRAMs, dynamic random access memory chips 또는 DRAM chips) 및 에프램(FRAMs, ferroelectric random access memory chips 또는 FRAM chips)를 제조하기 위해, 저장 캐패시터에서 유전체로서 예컨대 상전류 BST 및 강전류 SBT(SrBi2Ta2O9)를 일체화시킬 수 있다. 저장 캐패시터는 스택 원리(stack principle)를 따라 제조되는데, 스택 원리에서는 하부 전극(Pt 전극)과 플러그 사이에 베리어가 필수적이다. 베리어는 양 방향으로의 확산을 방지하는 역할을 하는데, 즉 플러그로의 산소 또는 유전체의 이동성 성분의 확산 및 플러그로의 플라티늄을 통한 플러그 재료의 확산을 방지한다. 게다가, 베리어는 플라티늄층에 대한 연결제로서 역할을 할 수 있다. 스택 캐패시터는 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이 구성될 수 있는데, 즉 접촉 플러그 위에 위치한 하부 Pt 전극, 그 위에 포개된 유전체층, 및 유전체층 위에 놓인 상부 Pt 전극으로 구성될 수 있다.
예컨대 화학증착법에서 이전에 사용되었던 증착 온도(BST:500 내지 600℃ ; SBT:500 내지 700℃) 보다 낮은 증착 온도는 다음과 같은 장점을 제공한다.
a) 운동학적으로 조절된 증착은 세라믹층의 균일성을 보다 우수하게 하여 보다 높은 균일성을 보장한다.
b) 스택 캐패시터에서 산소 베리어의 낮은 응력은 베리어의 선택을 보다 단순하게 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 산화물 금속의 증착온도가 충분히 감소된 산화물 세라믹 박막 제조 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 수행하는 화학증착장치의 개략도.
도 2는 운동학적으로 조절된 균일한 증착막과 확산 조절된 불균일한 증착막을 도시한 도면.
도 3은 스택 캐패시터의 구성을 개략적으로 도시한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 촉진제가 반응실로 도입되는 부분
2 : 촉진제가 샤워헤드로 도입되는 부분
3 : 촉진제가 산화 가스/캐리어 가스 혼합물에 첨가되는 부분
4 : 촉진제가 전구체 가스/캐리어 가스 혼합물에 첨가되는 부분
5 : 캐리어 가스가 도입되는 부분
6 : 전구체 도입 시스템
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 방법은 표면에 금속 산화물의 증착시킴으로써 산화물 세라믹 박막을 제조하는 방법으로서,
가스성 전구체를 형성하기 위해 유기금속 전구체를 증발시키는 단계와,
상기 전구체의 산화를 개시하기 위해 촉진제를 첨가하는 단계와,
금속 산화물을 형성하기 위해 상기 전구체를 산화시키는 단계와, 그리고
표면 상에 금속 산화물을 증착시키는 단계를 포함한다.
이하에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
도 1은 화학증착장치의 개략적인 구조를 도시하고 있다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 유기금속 전구체의 통상적인 자유-라디칼 산화 공정은 비교적 저온에서 촉진제를 첨가함으로서 인위적으로 개시된다. 따라서 산화 공정이 스스로 고온에서 일어나기 까지 기다릴 필요가 없다. 촉진제에 의한 개시는 소모되거나 산화될 유기금속 전구체와 함께 자유-라디칼에 의해 자유-라디칼 체인 반응을 일으키거나 또는 유기금속 전구체와 함께 촉진제 자유 라디칼을 형성한다. 이러한 체인 반응을 개시할 수 있는 분자들은 이미 자유 라디칼이 되었거나 약간의 가열로 자유 라디칼로 분해된다.
또한, 본 발명의 방법에서는 비교적 저온에서 증착 속도가 증가되고 잔류하는 탄소를 보다 효율적으로 연소시킨다.
사용되는 촉진제는 저분자량 화합물 또는 분자이다. 이러한 분자는 산화 체인을 개시하는 역할만을 한다. 그 자체의 산화에 대해서는, 산화 가스 또는 산화 가스 혼합물이 유용하다. 산화 가스 또는 산화 혼합물로는 플라즈마, 즉 산소 플라즈마를 사용할 수 있다.
자유 라디칼 공정은 가스상(gas phase) 또는 기판 표면 상에서 진행될 수 있다. 기판 표면 상에서는 부가적인 활성화 메카니즘이 발생된다. 첨가된 촉진제는 기판에서 존재할 때 상승된 온도에서 분해 또는 반응될 수 있으며, 따라서 자유 라디칼 성질을 가질 필요가 없는 반응종(reactive species)을 형성한다. 촉진제 또는 그들의 반응종은 유기금속 전구체를 활성화시킬 수 있으며, 산화를 촉진시킬 수 있다. 이러한 반응종의 대표적인 예로는 유기 에스테르의 카보케이션(carbocation) 또는 디아조화합물 카벤(carbene)이 있다.
상기한 바와 같이, 유기금속 전구체의 산화는 촉진제 자유 라디칼에 의해 또는 촉진제 자유 라디칼의 형성에 의해 개시될 수 있다. 촉진제의 성질에 따라, 유기금속 전구체는 이미 통상적인 조건(25℃, 1atm)에서 이미 자유 라디칼에 형성되어 있거나, 고온의 기판 표면으로 향하는 도중에 반응기에서 자유 라디칼로 분해된다. 그렇지만, 유기금속 전구체는 또한 고온의 기판 표면의 후속하는 경계층에서 또는 고온의 기판 표면 그 자체에서 자유 라디칼로 분해될 수 있다. 다음과 같은 촉진제 분자를 사용하는 것이 바람직하다.
1. 이미 자유 라디칼인 분자.
이들은 예컨대 NO, NO2, 및 ClO2를 포함한다. 이러한 자유 라디칼의 혼합물을 사용할 수 있다.
예컨대, 촉진제로서 NO2를, 산화제로서 O2를, 그리고 탄화수소 RH(유기금속 전구체의 유기부분)을 사용하는 경우, 다음과 같은 자유-라디칼 체인 반응이 발생된다. RH + NO2˙ → R˙+ HNO2, R˙+ O2→ ROO˙, ROO˙ + RH → ROOH + R˙, ROOH → RO˙+ HO˙(이들 자유 라디칼은 신규한 것이며, 번갈아서 또다른 트리거 체인을 형성한다)
이러한 분자들은 반응기 내로 도입되는 즉시 자유 라디칼 체인 반응을 개시한다.
2. 예컨대 약 100℃ 이상의 상승된 온도에서 자유 라디칼로 분해되는 분자.
이들 분자들은 고온의 기판 표면으로 진행하는 도중에 반응기에서 전구체 가스를 가열하는 동안 자유 라디칼로 분해된다. 이들 분자들은 반응기 내로 도입되는 즉시 자유 라디칼로서 존재한다.
이러한 형태의 촉진제 분자들은 모두 플라스틱 및 복합물의 자유-라디칼 중합 반응을 위한 개시제로서 적절한 분자들이다. 이들은 디벤조일 과산화물과 같은 카르복실 과산화물, 과산 및 그의 에스테르, 디알킬 과산화물, 디아릴 과산화물, 및 α,α´-아조비스-(이소부티로니트릴) 및 아조벤젠과 같은 유기 아조 화합물을 포함한다.
3. 70 내지 200℃에서 자유 라디칼로 분해되는 분자.
이러한 분자로는 유기 알코올의 나이트레이트 에스테르(nitrate ester)(즉, CH3ONO2, CH3CH2ONO2) 또는 유기 알코올의 나이트라이트 에스테르(nitrite ester){즉, 이소아밀 나이트라이트(CH3)CHCH2CH2ONO} 등이 있다. 또한 H2O2를 사용할 수 있다.
4. 300℃ 이상의 온도에서 분해되는 분자.
예컨대, 니트로알칸(즉, CH3NO2), 니트로아로마틱스(즉, C6H5NO2), 니트로소알칸(즉, CH3NO), 및 니트로소아로마틱스(C6H5NO)를 사용할 수 있다. 이러한 경우에, 자유 라디칼은 가열된 기판 표면 바로 전에만 발생된다.
5. 물리적 활성화에 의해 발생된 자유 라디칼.
예컨대, 사용될 수 있는 자유 라디칼은 산소 또는 N2O, NO 또는 NO2의 자외선 방사에 의해 발생된 산소 자유 라디칼이다.
예컨대, 상기 1 내지 4에서 언급된 다른 분자들은 자외선 방사에 의해 자극을 받아 대응하는 자유 라디칼로 분해될 수 있다. 상기한 분자들을 자유 라디칼로 분해시키는데 영향을 줄 수 있는 다른 방법은 교류 전기장에서 플라즈마(즉, 산소 플라즈마)를 발생시키는 것이다.
촉진제 분자는 바람직하게는 촉진제 대 전구체의 몰비를 1:1 내지 1:1000으로 하여 사용된다. ......의 몰비는 매우 특히 바람직하다. 촉진제와 같은 반응종의 경우, 촉진제 대 전구체의 몰비는 1:5 내지 1:0.1 이다.
유기금속 전구체로는, 표면에 금속 산화물을 증착시킴으로써 산화물 세라믹 박막을 제조하는데 적절한 모든 유기금속 화합물을 사용할 수 있다. 사용될 수 있는 유기금속 전구체의 예로는 BiPh3, Bi(thd)3, 비스무스 비발레이트(bismuth pivalate), 트리스펜토실라토비스무스, 비스무스 트리스(디메틸라미드), Ta(OEt)2, Ta(thd)(OiPr)4, Sr(thd)2, Ba(thd)2, Ti(thd)2(OiPr)2, Ti(OiPr)4, Zr(thd)4, Pb(thd)2, 및/또는 그의 혼합물 등이 있다.
유기금속 전구체는 종래의 증발 시스템에 의해 증발될 수 있다.
전구체의 산화에 있어서는 통상적인 가스 또는 가스 혼합물인 산화제가 사용된다. 바람직하게는 산소 가스가 사용된다.
적용될 기판은 다른 적절한 기판 재료일 수 있다. 이들은 실험 전극, 유전체의 집적용 전극 재료, 귀금속 전극, 산화 전극, 및 비도전성 기판 등을 포함한다.
금속 산화물은 바람직하게는 화학증착법에 의해 증착된다.
화학증착법에서, 화학적 화합물, 즉 용이하게 증발되거나 이미 가스 상태가 된 유기금속 화합물은 특별한 성질을 갖는 막, 즉 금속 산화물 박막을 제조하기 위해 고온의 기판 표면 상에서 반응된다.
촉진제 분자들은 그들의 적합성 및 안정성에 따라 화학증착 반응실 내로 도입될 수 있다.
만일 촉진제들이 용이하게 증발될 수 있는 분자 또는 가스성 분자 또는 자유 라디칼로 구성된다면, 이들은 간단하게 가스 혼합물로 혼합될 수 있다. 이는 도 1에 도시된 바와 같이 여러 위치에서 수행될 수 있다.
도 1은 전구체 가스가 증발기에서 가스로 변환되는 전구체 용액으로부터 제조되는 것을 도시하고 있다. 증발기는 예컨대 플래시(flash) 증발기일 수 있다. 캐리어 가스, 즉 아르곤 또는 질소가 증발물을 샤워헤드(showerhead)로 이송한다. 여기서 증발물은 산화 가스 및 캐리어 가스와 혼합된다. 샤워헤드는 반응기에서 균일한 엷은층의 가스 흐름을 보장하기 위해 필수적으로 사용된다. 샤워헤드를 떠난 후, 전구체 가스의 가스 혼합물은, 산화 가스, 및 캐리어 가스는 고온의 기판으로 흐르게 되며, 여기서 대응하는 금속 산화물이 증착된다.
가스성 또는 용이하게 증발할 수 있는 촉진제는 여러 위치에서 가스 혼합물에 첨가될 수 있다. 즉, 상기 촉진제는 부분(3)에서 산화 가스/캐리어 가스 혼합물에 첨가되거나, 또는 부분(4)에서 전구체 가스/캐리어 가스 혼합물에 첨가되거나, 또는 소량의 캐리어 가스와 함께 부분(2)에서 샤워헤드 내로 개별적으로 도입될 수 있다. 만일 촉진제가 매우 반응성이라면, 촉진제는 부분(1)에서 기판을 향하고 있는 홀을 갖는 링을 통해 완전히 독립적으로 반응실 내로 도입될 수 있다.
최종적으로, 촉진제는 또한 전구체 도입 시스템, 즉 도 1의 피스톤(6)을 통해 도입될 수 있다. 이는 예컨대 액체 이송 시스템(LDS, liquid delivery system)에 연결되어 있는 플래시 증발 시스템을 사용하여 달성된다. 만일 상기 액체 이송 시스템이 사용되면, 소량의 분자들이 미리 전구체 용액에 혼합될 것이며, 이후 전구체들과 함께 증발될 것이다. 이러한 경우, 사용되는 분자가 전구체 도입 시스템의 온도에서 여전히 안정하고 전구체 또는 용매와 반응하지 않아야 한다는 점이 중요하다.
화학증착방법에 따라, 증착 온도는 50 내지 200℃까지 저하될 수 있다.
본 발명의 방법을 다음의 실시예를 통해 설명한다.
실시예 1
화학증착방법에 의해 SBT 박막을 제조하기 위해, 유기금속 전구체 Sr(thd)2(테트라글륨)(비스(2,2,6,6,-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토(테트라글륨)스트로티늄), Ta(thd)(OiPr)4(2,2,6,6,-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토탄탈륨 테트라이소프로프옥사이드), 및 BiPh3(트리페닐비스무스)가 THF/iPrOH/테트라글륨(8:2:1)의 용매 혼합물로 사용된다. 이러한 용액은 0.15 ml/분의 속도로 200℃ 온동의 플래시 증발기 내로 도입된다. 200㎤의 아르곤이 캐리어 가스로서 역할을 한다. 산출된 가스 혼합물이 샤워헤드내로 도입된다. 샤워헤드에 연결된 다른 연결부에서 600㎤의 아르곤과 400㎤의 산소가 도입된다. 10㎤의 No2가 이러한 가스에 혼합된다. 상기 가스들은 샤워헤드에서 혼합되고, 이후 반응실로 배출된다. 여기서 가스들은 Pt/Ti/SiO2로 코팅된 6˝실리콘 기판 상에 충돌한다. 플라티늄은 200nm의 층두께를 가지며, 티타늄은 30nm의 층두께, 그리고 SiO2는 625nm의 두께를 가진다. 웨이퍼의 온도는 500℃(또는 이보다 더 높다)이며, 반응실 전체 압력은 3torr이다. 산소의 비율은 25 내지 80%이다.
이와 같이 하여, 양호한 에지 커버링을 갖는 거울형 SBT 코팅이 얻어진다.
실시예 2
BST 증착을 위해, 유기금속 전구체 Sr(thd)2(테트라글륨)(비스(2,2,6,6,-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토(테트라글륨)스트로티늄), Ba(thd)2(테트라글륨)(비스92,2,6,6,-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토)(테트라글륨)바륨), 및 Ti(thd)2(OiPr)2(비스(2,2,6,6,-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토)티타늄 디이소프로프옥사이드)가 THF/iPrOH/테트라글륨(8:2:1)의 용매 혼합물로 사용된다. 이러한 용액은 0.15 ml/분의 속도로 240℃ 온동의 플래시 증발기 내로 도입된다. 200㎤의 아르곤이 캐리어 가스로서 역할을 한다. 산출된 가스 혼합물이 샤워헤드 내로 도입된다. 샤워헤드에 연결된 다른 연결부에서 200㎤의 아르곤, 500㎤의 산소, 및 500㎤의 No2가 도입된다. 상기 가스들은 샤워헤드에서 혼합되고, 이후 반응실로 배출된다. 여기서 가스들은 Pt/Ti/SiO2로 코팅된 6˝실리콘 기판 상에 충돌한다. 플라티늄은 200nm의 층두께를 가지며, 티타늄은 30nm의 층두께, 그리고 SiO2는 625nm의 두께를 가진다. 웨이퍼의 온도는 400℃이며, 반응실 전체 압력은 1torr이다.
이와 같이 하여, 양호한 에지 커버링을 갖는 거울형 BST 코팅이 얻어진다.
실시예 3
실시예 1 또는 2에서 사용된 10ml의 NO2를 대신하여 촉진제로서 10ml의 NO가 사용된다. 양호한 에지 커버링을 갖는 거울형 SBT 또는 BST 코팅이 양호한 증착률로 얻어진다.
실시예 4
실시예 1 또는 2에서 사용된 10ml의 NO2를 대신하여 50㎤의 캐리어 가스 내에 0.02 mmol/분의 니트로메탄이 산화 가스/캐리어 가스와 함께 도입된다. 101℃(760torr)의 끓는점을 갖는 니트로메탄이 버블러(bibbler)에서 캐리어 가스가 통과함에 의해 증발된다. 버블러는 증발에 의해 발생된 냉각을 보상하고 증발속도를 조절하기 위해 가열될 수 있다. 선택적으로, 또한 니트로에탄(증발 온도 115℃/760torr)이 사용될 수도 있다. 상기 두 니트로 화합물은 약 350℃ 이상에서 분해되며, 자유 라디칼 체인 반응을 개시한다.
본 실시예에서도 마찬가지로 우수한 에지 커버링을 갖는 SBT 및 BST 코팅이 양호한 증착률로 얻어진다.
실시예 5
THF의 페로시아세트산 수용액이 플래시 증발기에서 약 60℃에서 증발된다. 100㎤의 아르곤이 캐리어 가스로서 역할을 한다. 증발기 내부의 가스는 산화 가스/캐리어 가스 관으로 공급된다. 증발기에서 압력은 샤워헤드에서의 압력과 동일하게 되고, 반응실의 압력과 거의 동일하게 된다. 마찬가지로, 본 실시예의 공정은 실시예 1 및 2와 동일하다. 약 0.02 mmol/분의 페로시아세트산이 증발된다. 페로시아세트산을 대신하여, 또한 메틸 또는 에틸 에스테르가 사용될 수 있다.
실시예 6
본 실시예의 공정은 THF의 디벤조일 과산화물이 약 60℃의 온도에서 증발되는 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하다.
실시예 7
본 실시예의 공정은 THF의 니트로벤젠이 150℃의 온도에서 증발되는 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하다. 니트로소벤젠이 니트로벤젠을 대신하여 사용될 수 있다.
실시예 8
본 실시예의 공정은 니트로벤젠이 촉진제로서 사용되는 것을 제외하고는 실시예 1 및 2의 공정이 반복된다. 니트로벤젠이 전구체 수용액에 첨가되고 전구체 증발기에서 전구체와 함께 증발된다. 선택적으로 또한 니트로소벤젠이 사용될 수도 있다.
실시예 9
본 실시예의 공정은 촉진제로서 H2O2가 사용되는 것을 제외하고는 실시예 1 및 실시예 2의 공정이 반복된다. 이러한 목적을 위해, 물의 30%의 H2O2수용액이 플래시 증발기에서 증발된다. 0.02mmol/분의 공급 속도가 다시 유지된다. 물/H2O2가스 혼합물이 고온의 기판 표면 전방부에 위치한 별도의 링을 통해 도입된다.
실시예 5 내지 9로부터 얻어진 SBT 또는 BST 코팅은 양호한 증착률로 양호한 에지 커버링을 갖는다.
상기한 본 발명에 의하면, 촉진제를 사용함으로써 산화물 금속의 증착온도를 충분히 저하시킬 수 있으며, 세라믹층의 보다 우수한 균일성을 보장하고, 스택 캐패시터에서 산소 베리어의 낮은 응력은 베리어의 선택을 간편하게 할 수 있는 장점이 있다.

Claims (21)

  1. 기판 표면에 금속 산화물의 증착시킴으로써 산화물 세라믹 박막을 제조하는 방법으로서,
    가스성 전구체를 형성하기 위해 유기금속 전구체를 증발시키는 단계와,
    상기 전구체의 산화를 개시하기 위해 촉진제를 첨가하는 단계와,
    금속 산화물을 형성하기 위해 상기 전구체를 산화시키는 단계와, 그리고
    상기 기판 표면 상에 상기 금속 산화물을 증착시키는 단계를 포함하는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 촉진제가 이미 자유-라디칼화된 분자인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 분자들이 각각의 경우에 NO, NO2, ClO2, 또는 이들의 혼합물인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 촉진제가 자유-라디칼 중합 반응용 개시제인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 개시제가 각각의 경우에 카르복실 과산화물, 과산과 그의 에스테르, 디알킬 과산화물, 디아릴 과산화물, 및 유기 아조 화합물을 포함하는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 촉진제가 300℃ 이상의 온도에서 자유 라디칼로 분해되는 분자인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 분자들이 각각의 경우에 니트로알칸, 니트로아로마틱스, 니트로소알칸, 및 니트로소아로마틱스인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 촉진제들이 물리적 활성화에 의해 발생된 자유 라디칼인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 자유 라디칼이 산소, N2O, NO, 또는 NO2의 자외선 방사에 의해 발생된 산소 자유 라디칼인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  10. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 촉진제는 1:1 내지 1:1000의 촉진제 대 전구체의 몰비로 사용되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 촉진제가 반응종인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 반응종은 유기 에스테르의 카보케이션 또는 디아조 화합물의 카벤인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 반응종은 1:5 내지 1:0.1의 촉진제 대 전구체의 몰비로 사용되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  14. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사용된 유기금속 전구체가 각각의 경우에 BiPh3, Bi(thd)3, 비스무스 비발레이트, 트리스펜토실라토비스무스, 비스무스 트리스(디메틸라미드), Ta(OEt)2, Ta(thd)(OiPr)4, Sr(thd)2, Ba(thd)2, Ti(thd)2(OiPr)2, Ti(OiPr)4, Zr(thd)4, Pb(thd)2, 또는 그의 혼합물을 포함하는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  15. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 산화제가 상기 전구체를 산화시키기 위해 사용되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 산화제가 가스 또는 가스 혼합물인 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 산소 가스가 사용되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  18. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 산화물이 상기 화학증착법에 의해 증착되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  19. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 촉진제가 캐리어 가스와 산화 가스의 가스 혼합물과 함께 상기 반응실로 도입되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 촉진제가 별도의 가스 도입부를 통해 도입되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
  21. 제 18항에 있어서, 상기 촉진제가 상기 전구체 도입 시스템을 통해 도입되는 산화물 세라믹 박막 제조 방법.
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