JPH06166597A - ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法 - Google Patents
ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法Info
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- JPH06166597A JPH06166597A JP3042986A JP4298691A JPH06166597A JP H06166597 A JPH06166597 A JP H06166597A JP 3042986 A JP3042986 A JP 3042986A JP 4298691 A JP4298691 A JP 4298691A JP H06166597 A JPH06166597 A JP H06166597A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温で基板上にペロブスカイト構造のＢｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超電導体薄膜を形成する。 【構成】 ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、カ
ルシウム化合物、銅化合物、の各原料ガスと、高純度の
酸化二窒素と、白金族有機化合物と、を反応室内に導入
する。この反応室内には例えば６５０℃以下に設定した
基板を設置してある。この白金は、上記各原料ガスと酸
化二窒素との反応を促進する結果、基板と超電導体とが
化学反応することなく、この基板上にはペロブスカイト
構造のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超電導体薄膜が堆積、
被着される。
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超電導体薄膜を形成する。 【構成】 ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、カ
ルシウム化合物、銅化合物、の各原料ガスと、高純度の
酸化二窒素と、白金族有機化合物と、を反応室内に導入
する。この反応室内には例えば６５０℃以下に設定した
基板を設置してある。この白金は、上記各原料ガスと酸
化二窒素との反応を促進する結果、基板と超電導体とが
化学反応することなく、この基板上にはペロブスカイト
構造のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系超電導体薄膜が堆積、
被着される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスマス−ストロンチウ
ム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法
に関する。
ム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の化学的蒸着装置を示す系統
図である。この図において、２０１は反応室２０３を有
する槽体である。反応室２０３は、高純度（例えば、純
度９９．９９９％）の酸素供給源２０５と、ビスマス化
合物供給源２０７と、ストロンチウム化合物供給源２０
９と、カルシウム化合物供給源２１１と、銅化合物供給
源２１３と、に連通している。これらのビスマス化合物
供給源２０７、ストロンチウム化合物供給源２０９、カ
ルシウム化合物供給源２１１、および、銅化合物供給源
２１３は、更にアルゴンガス供給源に連通されており、
これらのビスマス化合物等はキャリヤガスとしてのアル
ゴンガスにより反応室２０３内に運ばれる。
図である。この図において、２０１は反応室２０３を有
する槽体である。反応室２０３は、高純度（例えば、純
度９９．９９９％）の酸素供給源２０５と、ビスマス化
合物供給源２０７と、ストロンチウム化合物供給源２０
９と、カルシウム化合物供給源２１１と、銅化合物供給
源２１３と、に連通している。これらのビスマス化合物
供給源２０７、ストロンチウム化合物供給源２０９、カ
ルシウム化合物供給源２１１、および、銅化合物供給源
２１３は、更にアルゴンガス供給源に連通されており、
これらのビスマス化合物等はキャリヤガスとしてのアル
ゴンガスにより反応室２０３内に運ばれる。
【０００３】ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、
カルシウム化合物、銅化合物は、組成式Ｂｉ（ｐ
ｈ）3、Ｓｒ（ＤＰＭ）2、Ｃａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（Ｄ
ＰＭ）2でそれぞれ表されており、上記組成式中の（ｐ
ｈ）3と（ＤＰＭ）2はトリフェニールと２−２−６−６
テトラメチル３−５ヘプタンジオネートとをそれぞれ示
している。これらトリフェニールと２−２−６−６テト
ラメチル３−５ヘプタンジオネートは蒸気圧を調整する
配位子として機能している。
カルシウム化合物、銅化合物は、組成式Ｂｉ（ｐ
ｈ）3、Ｓｒ（ＤＰＭ）2、Ｃａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（Ｄ
ＰＭ）2でそれぞれ表されており、上記組成式中の（ｐ
ｈ）3と（ＤＰＭ）2はトリフェニールと２−２−６−６
テトラメチル３−５ヘプタンジオネートとをそれぞれ示
している。これらトリフェニールと２−２−６−６テト
ラメチル３−５ヘプタンジオネートは蒸気圧を調整する
配位子として機能している。
【０００４】反応室２０３は、更に排気装置２１５に連
通されており、この排気装置２１５は上記酸素供給源２
０５および各化合物供給源２０７、２０９、２１１、２
１３から反応室２０３に供給されるガスを反応後に反応
室外に排気する。
通されており、この排気装置２１５は上記酸素供給源２
０５および各化合物供給源２０７、２０９、２１１、２
１３から反応室２０３に供給されるガスを反応後に反応
室外に排気する。
【０００５】そして、反応室２０３内には、基板保持機
構２１７が設けられており、この基板保持機構２１７は
加熱装置２１９から熱の供給を受けて基板２２１を所定
温度に維持する。
構２１７が設けられており、この基板保持機構２１７は
加熱装置２１９から熱の供給を受けて基板２２１を所定
温度に維持する。
【０００６】上記構成に係る化学的蒸着装置を使用して
基板２２１上に超電導薄膜を被着させるには、まず、基
板２２１を摂氏８００度程度に維持した状態で、酸素供
給源２０５から高純度の酸素を、各化合物供給源２０７
〜２１３からアルゴンガスで運ばれる各原料化合物を反
応室２０３に供給する。そして、反応後のガスを排気装
置２１５で反応室外に排除しつつ配位子を解離し、基板
２２１上にビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅
酸化物の超電導体薄膜を被着させる。
基板２２１上に超電導薄膜を被着させるには、まず、基
板２２１を摂氏８００度程度に維持した状態で、酸素供
給源２０５から高純度の酸素を、各化合物供給源２０７
〜２１３からアルゴンガスで運ばれる各原料化合物を反
応室２０３に供給する。そして、反応後のガスを排気装
置２１５で反応室外に排除しつつ配位子を解離し、基板
２２１上にビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅
酸化物の超電導体薄膜を被着させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
化学的蒸着法では、基板を摂氏８００度程度に加熱しな
いと酸素が活性化されず、ペロブスカイト構造の結晶が
成長しにくい。したがって、従来の化学的成長法では、
基板を高温に維持することは、超電導体薄膜を結晶化さ
せるために不可欠であった。
化学的蒸着法では、基板を摂氏８００度程度に加熱しな
いと酸素が活性化されず、ペロブスカイト構造の結晶が
成長しにくい。したがって、従来の化学的成長法では、
基板を高温に維持することは、超電導体薄膜を結晶化さ
せるために不可欠であった。
【０００８】ところが、基板温度を高温に維持した状態
でビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物を
被着させると、該酸化物が基板の材質に依っては基板と
化学反応をし、不所望の反応生成物が発生し、良好な超
電導状態の発現を阻害しがちであるという課題が発生し
た。
でビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物を
被着させると、該酸化物が基板の材質に依っては基板と
化学反応をし、不所望の反応生成物が発生し、良好な超
電導状態の発現を阻害しがちであるという課題が発生し
た。
【０００９】また、集積回路上に超電導体薄膜の配線層
を形成する場合は、半導体基板を高温に加熱すると、半
導体基板中に形成された不純物領域の拡散プロファイル
が変化し、不良品が多発するという課題もあった。
を形成する場合は、半導体基板を高温に加熱すると、半
導体基板中に形成された不純物領域の拡散プロファイル
が変化し、不良品が多発するという課題もあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願発明者は低温の基板
上に超電導体薄膜を被着する方法を研究し、酸化二窒素
を酸素供給源として利用すると基板を高温にしなくても
ペロブスカイト構造の結晶に必要な酸素を供給できる可
能性を発見した。ところが、単に高純度酸素に代えて酸
化二窒素を供給しても、迅速な超電導体酸化物の結晶化
を図れず、本願発明者は更に研究を進めた結果、白金族
有機化合物を反応助剤として供給すると、良好な超電導
体酸化物が迅速に結晶化できることを発見した。
上に超電導体薄膜を被着する方法を研究し、酸化二窒素
を酸素供給源として利用すると基板を高温にしなくても
ペロブスカイト構造の結晶に必要な酸素を供給できる可
能性を発見した。ところが、単に高純度酸素に代えて酸
化二窒素を供給しても、迅速な超電導体酸化物の結晶化
を図れず、本願発明者は更に研究を進めた結果、白金族
有機化合物を反応助剤として供給すると、良好な超電導
体酸化物が迅速に結晶化できることを発見した。
【００１１】したがって、本願発明の要旨は、ビスマス
化合物とストロンチウム化合物とカルシウム化合物と銅
化合物とを含む原料ガスと、酸素供給物質と、上記原料
ガスと上記酸素供給物質との反応を促進する反応助剤と
を準備する工程と、反応室に置かれた基板を所定温度以
下に設定する工程と、上記ビスマス化合物と、ストロン
チウム化合物と、カルシウム化合物と、銅化合物と、酸
素供給物質と、反応助剤とを反応室に導入し、上記反応
助剤で酸化を促進しつつ、ビスマス−ストロンチウム−
カルシウム−銅酸化物系超電導体を基板上に被着させる
工程とを含み、上記酸素供給物質として高純度の酸化二
窒素を、上記反応助剤として白金族有機化合物をそれぞ
れ選択したことである。
化合物とストロンチウム化合物とカルシウム化合物と銅
化合物とを含む原料ガスと、酸素供給物質と、上記原料
ガスと上記酸素供給物質との反応を促進する反応助剤と
を準備する工程と、反応室に置かれた基板を所定温度以
下に設定する工程と、上記ビスマス化合物と、ストロン
チウム化合物と、カルシウム化合物と、銅化合物と、酸
素供給物質と、反応助剤とを反応室に導入し、上記反応
助剤で酸化を促進しつつ、ビスマス−ストロンチウム−
カルシウム−銅酸化物系超電導体を基板上に被着させる
工程とを含み、上記酸素供給物質として高純度の酸化二
窒素を、上記反応助剤として白金族有機化合物をそれぞ
れ選択したことである。
【００１２】
【発明の作用および効果】上記化学的蒸着方法に依れ
ば、ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、カルシウ
ム化合物、銅化合物、白金族有機化合物は反応室内でそ
れぞれ分解し、ビスマス、ストロンチウム、カルシウ
ム、銅、白金となって酸化二窒素と共に基板上に堆積す
る。これら基板上に堆積したビスマス、ストロンチウ
ム、カルシウム、銅は、基板が比較的低温であっても白
金の存在下で酸化二窒素中の酸素原子と速やかに結合
し、ペロブスカイト構造の超電導体となる。
ば、ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、カルシウ
ム化合物、銅化合物、白金族有機化合物は反応室内でそ
れぞれ分解し、ビスマス、ストロンチウム、カルシウ
ム、銅、白金となって酸化二窒素と共に基板上に堆積す
る。これら基板上に堆積したビスマス、ストロンチウ
ム、カルシウム、銅は、基板が比較的低温であっても白
金の存在下で酸化二窒素中の酸素原子と速やかに結合
し、ペロブスカイト構造の超電導体となる。
【００１３】このように、基板は比較的低温でもペロブ
スカイト構造の超電導体が結晶化するので、基板と超電
導体との化学反応は抑制され、基板の材質を広く選択す
ることができる。また、基板の低温化が図れるので、基
板を半導体で形成しても、該半導体基板中に形成された
不純物領域の拡散プロファイルに変化が生ぜず、不良品
の発生を抑制することができる。
スカイト構造の超電導体が結晶化するので、基板と超電
導体との化学反応は抑制され、基板の材質を広く選択す
ることができる。また、基板の低温化が図れるので、基
板を半導体で形成しても、該半導体基板中に形成された
不純物領域の拡散プロファイルに変化が生ぜず、不良品
の発生を抑制することができる。
【００１４】
【実施例】図１は本願発明の一実施例で使用する化学的
蒸着装置の系統図である。図において、１０１は反応室
１０３を有する槽体である。反応室１０３は、高純度
（例えば、純度９９．９９９５％）の酸化二窒素供給源
１０５と、ビスマス化合物供給源１０７と、ストロンチ
ウム化合物供給源１０９と、カルシウム化合物供給源１
１１と、銅化合物供給源１１３と、白金族有機化合物供
給源１１４と、に各々接続、連通している。ビスマス化
合物供給源１０７と、ストロンチウム化合物供給源１０
９と、カルシウム化合物供給源１１１と、銅化合物供給
源１１３と、白金族有機化合物供給源１１４は、更にア
ルゴンガス供給源に各々接続、連通されており、これら
のビスマス化合物等はキャリヤガスとしてのアルゴンガ
スにより反応室１０３に運ばれる。各化合物供給源１０
７、１０９、１１１、１１３、１１４に供給されるアル
ゴンガスは、それぞれ５０ＣＣＭ、５０ＣＣＭ、５０Ｃ
ＣＭ、５０ＣＣＭ、０〜３０ＣＣＭである。
蒸着装置の系統図である。図において、１０１は反応室
１０３を有する槽体である。反応室１０３は、高純度
（例えば、純度９９．９９９５％）の酸化二窒素供給源
１０５と、ビスマス化合物供給源１０７と、ストロンチ
ウム化合物供給源１０９と、カルシウム化合物供給源１
１１と、銅化合物供給源１１３と、白金族有機化合物供
給源１１４と、に各々接続、連通している。ビスマス化
合物供給源１０７と、ストロンチウム化合物供給源１０
９と、カルシウム化合物供給源１１１と、銅化合物供給
源１１３と、白金族有機化合物供給源１１４は、更にア
ルゴンガス供給源に各々接続、連通されており、これら
のビスマス化合物等はキャリヤガスとしてのアルゴンガ
スにより反応室１０３に運ばれる。各化合物供給源１０
７、１０９、１１１、１１３、１１４に供給されるアル
ゴンガスは、それぞれ５０ＣＣＭ、５０ＣＣＭ、５０Ｃ
ＣＭ、５０ＣＣＭ、０〜３０ＣＣＭである。
【００１５】ビスマス化合物、ストロンチウム化合物、
カルシウム化合物、銅化合物は、組成式Ｂｉ（ｐ
ｈ）3、Ｓｒ（ＤＰＭ）2、Ｃａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（Ｄ
ＰＭ）2でそれぞれ表されている。これらの組成式中の
（ｐｈ）3と（ＤＰＭ）2は、トリフェニールと２−２−
６−６テトラメチル３−５ヘプタンジオネートとをそれ
ぞれ示している。これらトリフェニールと２−２−６−
６テトラメチル３−５ヘプタンジオネートは蒸気圧を調
整する配位子として機能している。ビスマス化合物（Ｂ
ｉ（ｐｈ）3）、ストロンチウム化合物（Ｓｒ（ＤＰ
Ｍ）2）、カルシウム化合物（Ｃａ（ＤＰＭ）2）、銅化
合物（Ｃｕ（ＤＰＭ）2）の気化温度は、それぞれ摂氏
９８度〜１１５度、摂氏２１５度〜２３０度、摂氏１８
０度〜２００度、摂氏１００度〜１０５度である。
カルシウム化合物、銅化合物は、組成式Ｂｉ（ｐ
ｈ）3、Ｓｒ（ＤＰＭ）2、Ｃａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（Ｄ
ＰＭ）2でそれぞれ表されている。これらの組成式中の
（ｐｈ）3と（ＤＰＭ）2は、トリフェニールと２−２−
６−６テトラメチル３−５ヘプタンジオネートとをそれ
ぞれ示している。これらトリフェニールと２−２−６−
６テトラメチル３−５ヘプタンジオネートは蒸気圧を調
整する配位子として機能している。ビスマス化合物（Ｂ
ｉ（ｐｈ）3）、ストロンチウム化合物（Ｓｒ（ＤＰ
Ｍ）2）、カルシウム化合物（Ｃａ（ＤＰＭ）2）、銅化
合物（Ｃｕ（ＤＰＭ）2）の気化温度は、それぞれ摂氏
９８度〜１１５度、摂氏２１５度〜２３０度、摂氏１８
０度〜２００度、摂氏１００度〜１０５度である。
【００１６】ビスマスの配位子としてＤＰＭではなくｐ
ｈを選択したのはトリフェニールビスマスの蒸気圧が他
の化合物に近いからである。
ｈを選択したのはトリフェニールビスマスの蒸気圧が他
の化合物に近いからである。
【００１７】また、白金族有機化合物としては、白金に
配位子としてのアセチルアセトン（一般式｛Ｍ（ＡｃＡ
ｃ）ｘ｝で表される）を結合させた化合物（Ｐｔ（Ａｃ
Ａｃ）2）、あるいは、Ｐｔ（ＨＦＡ）2、Ａｇ（ＨＦ
Ａ）等を使用することができ、かかる化合物は摂氏８０
度〜２００度で気化し、化学的蒸着法に有効である。
配位子としてのアセチルアセトン（一般式｛Ｍ（ＡｃＡ
ｃ）ｘ｝で表される）を結合させた化合物（Ｐｔ（Ａｃ
Ａｃ）2）、あるいは、Ｐｔ（ＨＦＡ）2、Ａｇ（ＨＦ
Ａ）等を使用することができ、かかる化合物は摂氏８０
度〜２００度で気化し、化学的蒸着法に有効である。
【００１８】反応室１０３は更に排気装置１１５と接
続、連通されており、排気装置１１５は酸化二窒素供給
源１０５および各化合物供給源１０７〜１１４から反応
室１０３に供給されるガスを反応後に反応室外に排気す
る。
続、連通されており、排気装置１１５は酸化二窒素供給
源１０５および各化合物供給源１０７〜１１４から反応
室１０３に供給されるガスを反応後に反応室外に排気す
る。
【００１９】反応室１０３内には、基板保持機構１１７
が設けられており、この基板保持機構１１７は加熱装置
１１９から熱の供給を受けて基板１２１を所定温度に維
持する。
が設けられており、この基板保持機構１１７は加熱装置
１１９から熱の供給を受けて基板１２１を所定温度に維
持する。
【００２０】上記構成に係る化学的蒸着装置を使用して
基板１２１上に超電導薄膜を被着させるには、まず、基
板１２１を摂氏６５０度以下に維持した状態で、酸化二
窒素給源１０５から高純度の酸化二窒素を供給するとと
もに、各化合物供給源１０７、１０９、１１１、１１
３、１１４からアルゴンガスで運ばれる各原料化合物を
反応室１０３に供給する。そして、この反応後のガスを
排気装置１１５で反応室外に排除しつつ配位子を解離
し、基板１２１上にビスマス−ストロンチウム−カルシ
ウム−銅酸化物の超電導体薄膜を被着させる。反応室１
０３は１５ｔｏｒｒに維持される。この際、白金も薄膜
中に取り込まれ、ペロブスカイト構造の結晶化に寄与す
るが、薄膜中に含まれる白金元素は約０．１重量％〜約
５重量％に制限されている。かかる範囲内の白金元素は
ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物の超
電導性の発現を阻害しない。
基板１２１上に超電導薄膜を被着させるには、まず、基
板１２１を摂氏６５０度以下に維持した状態で、酸化二
窒素給源１０５から高純度の酸化二窒素を供給するとと
もに、各化合物供給源１０７、１０９、１１１、１１
３、１１４からアルゴンガスで運ばれる各原料化合物を
反応室１０３に供給する。そして、この反応後のガスを
排気装置１１５で反応室外に排除しつつ配位子を解離
し、基板１２１上にビスマス−ストロンチウム−カルシ
ウム−銅酸化物の超電導体薄膜を被着させる。反応室１
０３は１５ｔｏｒｒに維持される。この際、白金も薄膜
中に取り込まれ、ペロブスカイト構造の結晶化に寄与す
るが、薄膜中に含まれる白金元素は約０．１重量％〜約
５重量％に制限されている。かかる範囲内の白金元素は
ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物の超
電導性の発現を阻害しない。
【００２１】上記化学的蒸着法で種々のビスマス−スト
ロンチウム−カルシウム−銅酸化物を成膜し、その臨界
温度（Ｔｃ：［Ｋ］）、臨界電流密度（Ｊｃ：［Ａ／ｃ
ｍ2］）を測定し、Ｘ．Ｒ．Ｄ分析により結晶構造を判
別した。蒸着条件を表１−１〜表１−２に、測定結果を
表２−１〜表２−２にそれぞれ示す。なお、表中、Ｂｉ
はビスマス化合物を、Ｓｒはストロンチウム化合物を、
Ｃａはカルシウム化合物を、Ｃｕは銅化合物を、Ｎは酸
化二窒素を示し、それぞれ上述の配位子と結合したもの
である。
ロンチウム−カルシウム−銅酸化物を成膜し、その臨界
温度（Ｔｃ：［Ｋ］）、臨界電流密度（Ｊｃ：［Ａ／ｃ
ｍ2］）を測定し、Ｘ．Ｒ．Ｄ分析により結晶構造を判
別した。蒸着条件を表１−１〜表１−２に、測定結果を
表２−１〜表２−２にそれぞれ示す。なお、表中、Ｂｉ
はビスマス化合物を、Ｓｒはストロンチウム化合物を、
Ｃａはカルシウム化合物を、Ｃｕは銅化合物を、Ｎは酸
化二窒素を示し、それぞれ上述の配位子と結合したもの
である。
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】比較のため、従来の蒸着方法で基板温度を
摂氏８００度に維持し、蒸着した超電導薄膜は、本願発
明の範囲内の薄膜とほぼ同等の臨界温度であるものの、
その臨界電流密度は約１／１０であった。
摂氏８００度に維持し、蒸着した超電導薄膜は、本願発
明の範囲内の薄膜とほぼ同等の臨界温度であるものの、
その臨界電流密度は約１／１０であった。
【００２６】上記実施例では、基板の加熱により化学反
応に必要なエネルギを得たが、プラズマあるいは光等に
より化学反応を促進するなら、更に基板の低温化を図る
ことができる。
応に必要なエネルギを得たが、プラズマあるいは光等に
より化学反応を促進するなら、更に基板の低温化を図る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例で使用する化学的蒸着装置を
示す概略系統図である。
示す概略系統図である。
【図２】従来の化学的蒸着装置を示す概略系統図であ
る。
る。
１０１ 槽体 １０３ 反応室 １０５ 酸化二窒素源（酸素供給物質） １０７ ビスマス化合物供給源 １０９ ストロンチウム化合物供給源 １１１ カルシウム化合物供給源 １１３ 銅酸化物供給源 １１４ 白金族有機化合物供給源 １１７ 基板保持機構 １２１ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 9276−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 ビスマス化合物とストロンチウム化合物
とカルシウム化合物と銅化合物とを含む原料ガスと、酸
素供給物質と、上記原料ガスと上記酸素供給物質との反
応を促進する反応助剤とを準備する工程と、 反応室に置かれた基板を所定温度以下に設定する工程
と、 上記ビスマス化合物と、ストロンチウム化合物と、カル
シウム化合物と、銅化合物と、酸素供給物質と、反応助
剤とを反応室に導入し、上記反応助剤で酸化を促進しつ
つ、ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物
系超電導体を基板上に被着させる工程とを含み、 上記酸素供給物質として高純度の酸化二窒素を、上記反
応助剤として白金族有機化合物をそれぞれ選択したこと
を特徴とするビスマス−ストロンチウム−カルシウム−
銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3042986A JPH06166597A (ja) | 1990-10-19 | 1991-02-15 | ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28070690 | 1990-10-19 | ||
| JP2-280706 | 1990-10-19 | ||
| JP3042986A JPH06166597A (ja) | 1990-10-19 | 1991-02-15 | ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06166597A true JPH06166597A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=26382722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3042986A Pending JPH06166597A (ja) | 1990-10-19 | 1991-02-15 | ビスマス−ストロンチウム−カルシウム−銅酸化物系超電導体の化学的蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06166597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892082A1 (de) * | 1997-07-14 | 1999-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik |
| KR20150027817A (ko) * | 2012-06-29 | 2015-03-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 알칼리 토금속들을 함유하는 막들을 증착시키는 방법 |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP3042986A patent/JPH06166597A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892082A1 (de) * | 1997-07-14 | 1999-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik |
| JPH1171675A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-03-16 | Siemens Ag | 酸化セラミックから成る薄膜の製造方法 |
| KR20150027817A (ko) * | 2012-06-29 | 2015-03-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 알칼리 토금속들을 함유하는 막들을 증착시키는 방법 |
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