JPH1171675A - 酸化セラミックから成る薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化セラミックから成る薄膜の製造方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い蒸着温度での酸化セラミックからなる薄
膜の製造方法の提供 【解決手段】 本発明は、表面への金属酸化物の蒸着に
よって、酸化セラミックから成る方法に関する。その際
に、有機金属前駆体の酸化開始のために促進剤が添加さ
れる。
膜の製造方法の提供 【解決手段】 本発明は、表面への金属酸化物の蒸着に
よって、酸化セラミックから成る方法に関する。その際
に、有機金属前駆体の酸化開始のために促進剤が添加さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属酸化物を表面
に蒸着することによって、酸化セラミックから成る薄膜
を製造する方法に関する
に蒸着することによって、酸化セラミックから成る薄膜
を製造する方法に関する
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法（化学蒸着）は、酸化セラミッ
クから成る薄膜を蒸着するためにますます広く用いられ
ている。その際に、原料としては有機金属前駆体が使用
される。この前駆体は、高温の基板表面すなわちウェー
ハ表面上で３００〜８００℃の温度範囲において分解
し、それに応じた酸化物に変わる。有機金属前駆体の酸
化には、前駆体の有機成分を燃焼させる酸化作用ガス、
例えばＯ2 が使用される。この種の酸化プロセスは、た
いていの場合にラジカルを伴って進行する。その結果、
しばしばラジカル連鎖反応が形成される。
クから成る薄膜を蒸着するためにますます広く用いられ
ている。その際に、原料としては有機金属前駆体が使用
される。この前駆体は、高温の基板表面すなわちウェー
ハ表面上で３００〜８００℃の温度範囲において分解
し、それに応じた酸化物に変わる。有機金属前駆体の酸
化には、前駆体の有機成分を燃焼させる酸化作用ガス、
例えばＯ2 が使用される。この種の酸化プロセスは、た
いていの場合にラジカルを伴って進行する。その結果、
しばしばラジカル連鎖反応が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来はもっぱら酸化ガ
ス、例えば、Ｏ2 又はその混合物（例えば、Ｏ2／Ｎ
2Ｏ）が用いられた。例えばＢＳＴ（（Ｂａ、Ｓｒ）Ｔ
ｉＯ3）製造時には、前駆体Ｓｒ（ｔｈｄ）2（テトラグ
リム）、Ｂａ（ｔｈｄ）2（テトラグリム）及びＴｉ
（ＯｉＰｒ）2（ｔｈｄ）2 が、４５０〜６５０℃の温
度範囲で酸化剤としてのＯ2／Ｎ2Ｏによって変換され
た。それでも有機金属前駆体の炭素の不完全燃焼に基づ
いて、蒸着されるＢＳＴ層は、やっと５００℃で、許容
可能な電気的データが測定できるような純度になる。
ス、例えば、Ｏ2 又はその混合物（例えば、Ｏ2／Ｎ
2Ｏ）が用いられた。例えばＢＳＴ（（Ｂａ、Ｓｒ）Ｔ
ｉＯ3）製造時には、前駆体Ｓｒ（ｔｈｄ）2（テトラグ
リム）、Ｂａ（ｔｈｄ）2（テトラグリム）及びＴｉ
（ＯｉＰｒ）2（ｔｈｄ）2 が、４５０〜６５０℃の温
度範囲で酸化剤としてのＯ2／Ｎ2Ｏによって変換され
た。それでも有機金属前駆体の炭素の不完全燃焼に基づ
いて、蒸着されるＢＳＴ層は、やっと５００℃で、許容
可能な電気的データが測定できるような純度になる。
【０００４】ＢＳＴの場合には、さらに低い温度、すな
わち５００℃未満の温度での蒸着時に良好な蒸着順応性
の得られることが示された。その理由として、蒸着が特
に動的に制御されて進行することが挙げられる。これに
対して、５００℃を超える温度では、蒸着が次第に移送
的に制御される。これによって、図２の概略図からも明
らかなように順応性が低下する。
わち５００℃未満の温度での蒸着時に良好な蒸着順応性
の得られることが示された。その理由として、蒸着が特
に動的に制御されて進行することが挙げられる。これに
対して、５００℃を超える温度では、蒸着が次第に移送
的に制御される。これによって、図２の概略図からも明
らかなように順応性が低下する。
【０００５】マイクロエレクトロニクスにおける半導体
要素類の製造時には、酸化セラミックから成る薄膜が次
第に使用されるようになっている。ＤＲＡＭ（動的ラン
ダムアクセスメモリ・チップすなわちＤＲＡＭチップ）
及びＦＲＡＭ（強誘電性ランダムアクセスメモリ・チッ
プすなわちＦＲＡＭチップ）の製造時には、例えば、常
誘電性ＢＳＴ及び強誘電性ＳＢＴ（ＳｒＢｉ2Ｔａ
2Ｏ9）が誘電体として記憶コンデンサに組み込み可能で
ある。記憶コンデンサの構成は、積重ね原理に従って行
われ、その際に下側電極（Ｐｔ電極）とプラグとの間の
遮断層が必要である。遮断層は、双方向への拡散を防止
するものである。すなわち、酸素又は誘電体（例えば、
ＢｉＯｘ（ｘ＝０〜２．５））の可動成分のプラグ方向
での拡散並びにプラグ材料から白金を通っての誘電体へ
の拡散を防止する。そのほかに遮断層は、白金層に対す
る接着促進剤として用いることができる。スタックコン
デンサは、例えば図３に示すように、接触プラグ上に配
置された下側Ｐｔ電極と、その上に配置された誘電体層
と、さらにその上に配置された上側Ｐｔ電極とを有して
いるような構造であってもよい。
要素類の製造時には、酸化セラミックから成る薄膜が次
第に使用されるようになっている。ＤＲＡＭ（動的ラン
ダムアクセスメモリ・チップすなわちＤＲＡＭチップ）
及びＦＲＡＭ（強誘電性ランダムアクセスメモリ・チッ
プすなわちＦＲＡＭチップ）の製造時には、例えば、常
誘電性ＢＳＴ及び強誘電性ＳＢＴ（ＳｒＢｉ2Ｔａ
2Ｏ9）が誘電体として記憶コンデンサに組み込み可能で
ある。記憶コンデンサの構成は、積重ね原理に従って行
われ、その際に下側電極（Ｐｔ電極）とプラグとの間の
遮断層が必要である。遮断層は、双方向への拡散を防止
するものである。すなわち、酸素又は誘電体（例えば、
ＢｉＯｘ（ｘ＝０〜２．５））の可動成分のプラグ方向
での拡散並びにプラグ材料から白金を通っての誘電体へ
の拡散を防止する。そのほかに遮断層は、白金層に対す
る接着促進剤として用いることができる。スタックコン
デンサは、例えば図３に示すように、接触プラグ上に配
置された下側Ｐｔ電極と、その上に配置された誘電体層
と、さらにその上に配置された上側Ｐｔ電極とを有して
いるような構造であってもよい。
【０００６】例えばＣＶＤ法におけるように、従来使用
された蒸着温度よりも低い蒸着温度（ＢＳＴ：５００〜
６００℃；ＳＢＴ：５００〜７００℃）は以下のような
利点をもたらす。 ａ）動的制御蒸着によって、セラミック層の一層良好な
順応性が得られるので、より高い集積度が保証される。 ｂ）スタックコンデンサでの酸素遮断層の一層わずかな
負荷によって、より簡単な遮断層選択が可能となる。
された蒸着温度よりも低い蒸着温度（ＢＳＴ：５００〜
６００℃；ＳＢＴ：５００〜７００℃）は以下のような
利点をもたらす。 ａ）動的制御蒸着によって、セラミック層の一層良好な
順応性が得られるので、より高い集積度が保証される。 ｂ）スタックコンデンサでの酸素遮断層の一層わずかな
負荷によって、より簡単な遮断層選択が可能となる。
【０００７】従って、本発明の課題は金属酸化物の蒸着
温度が明らかに低下される、酸化セラミックからなる薄
膜の製造方法を提供することにある。
温度が明らかに低下される、酸化セラミックからなる薄
膜の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するた
め、請求項１に係る発明は、表面への金属酸化物の蒸着
によって、酸体セラミックからなる薄膜を製造する方法
において、ガス状前駆体を形成するための有機金属前駆
体を蒸発させる工程と、該前駆体の酸化を開始するため
の促進剤を添加する工程と、金属酸化物を形成するため
の前駆体を酸化する工程と、表面へ金属酸化物を蒸着す
る工程とからなることを要旨とする。
め、請求項１に係る発明は、表面への金属酸化物の蒸着
によって、酸体セラミックからなる薄膜を製造する方法
において、ガス状前駆体を形成するための有機金属前駆
体を蒸発させる工程と、該前駆体の酸化を開始するため
の促進剤を添加する工程と、金属酸化物を形成するため
の前駆体を酸化する工程と、表面へ金属酸化物を蒸着す
る工程とからなることを要旨とする。
【０００９】請求項２に係る発明はすでにラジカルであ
る分子が促進剤として添加されることを要旨とする。請
求項３に係る発明はＮＯ、ＮＯ2及びＣｌＯ2、又はこれ
らからなる混合物が分子として使用されることを要旨と
する。
る分子が促進剤として添加されることを要旨とする。請
求項３に係る発明はＮＯ、ＮＯ2及びＣｌＯ2、又はこれ
らからなる混合物が分子として使用されることを要旨と
する。
【００１０】請求項４に係る発明はラジカル重合のため
の開始剤が促進剤として添加されることを要旨とする。
請求項５に係る発明はそれぞれ過酸化カルボニル、過酸
及びそれらのエステル、過酸化ジアルキル、過酸化ジア
リル並びに有機アゾ化合物が開始剤として使用されるこ
とを要旨とする。
の開始剤が促進剤として添加されることを要旨とする。
請求項５に係る発明はそれぞれ過酸化カルボニル、過酸
及びそれらのエステル、過酸化ジアルキル、過酸化ジア
リル並びに有機アゾ化合物が開始剤として使用されるこ
とを要旨とする。
【００１１】請求項６に係る発明は３００℃を超える温
度でラジカルへと解離する分子が促進剤として添加され
ることを要旨とする。請求項７に係る発明はニトロアル
カン、芳香族ニトロ化合物、ニトロソアルカン及び芳香
族ニトロソ化合物が分子として使用されることを要旨と
する。
度でラジカルへと解離する分子が促進剤として添加され
ることを要旨とする。請求項７に係る発明はニトロアル
カン、芳香族ニトロ化合物、ニトロソアルカン及び芳香
族ニトロソ化合物が分子として使用されることを要旨と
する。
【００１２】請求項８に係る発明は物理的活性化によっ
て生成されるラジカルが促進剤として添加されることを
要旨とする。請求項９に係る発明はラジカルが酸素、Ｎ
2Ｏ、ＮＯ又はＮＯ2の紫外線光照射によって生成される
酸素ラジカルであることを要旨とする。
て生成されるラジカルが促進剤として添加されることを
要旨とする。請求項９に係る発明はラジカルが酸素、Ｎ
2Ｏ、ＮＯ又はＮＯ2の紫外線光照射によって生成される
酸素ラジカルであることを要旨とする。
【００１３】請求項１０に係る発明は、促進剤は前駆体
に対する促進剤のモル比が１：１〜１：１０００の範囲
内で使用されることを要旨とする。請求項１１に係る発
明は反応種が促進剤として添加されることを要旨とす
る。
に対する促進剤のモル比が１：１〜１：１０００の範囲
内で使用されることを要旨とする。請求項１１に係る発
明は反応種が促進剤として添加されることを要旨とす
る。
【００１４】請求項１２に係る発明は有機エステルのカ
ルボカチオン又はジアゾ化合物のカルベンが反応種とし
て使用されることを要旨とする。請求項１３に係る発明
は、反応種は前駆体に対する促進剤のモル比が１：５〜
１：０．１の範囲内で使用されることを要旨とする。
ルボカチオン又はジアゾ化合物のカルベンが反応種とし
て使用されることを要旨とする。請求項１３に係る発明
は、反応種は前駆体に対する促進剤のモル比が１：５〜
１：０．１の範囲内で使用されることを要旨とする。
【００１５】請求項１４に係る発明は、それぞれＢｉＰ
ｈ3、Ｂｉ（ｔｈｄ）3、Ｂｉ−ピバレート、トリスペン
トキシラートビスマス、Ｂｉ−ｔｒｉｓ（ジメチルアミ
ド）、Ｔａ（ＯＥｔ）5、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰ
ｒ）4、Ｓｒ（ｔｈｄ）2、Ｂａ（ｔｈｄ）2、Ｔｉ（ｔ
ｈｄ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4、Ｚｒ（ｔ
ｈｄ）4、及びＰｂ（ｔｈｄ）2 又はそれらの混合物が
有機金属前駆体として使用されることを要旨とする。
ｈ3、Ｂｉ（ｔｈｄ）3、Ｂｉ−ピバレート、トリスペン
トキシラートビスマス、Ｂｉ−ｔｒｉｓ（ジメチルアミ
ド）、Ｔａ（ＯＥｔ）5、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰ
ｒ）4、Ｓｒ（ｔｈｄ）2、Ｂａ（ｔｈｄ）2、Ｔｉ（ｔ
ｈｄ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4、Ｚｒ（ｔ
ｈｄ）4、及びＰｂ（ｔｈｄ）2 又はそれらの混合物が
有機金属前駆体として使用されることを要旨とする。
【００１６】請求項１５に係る発明は、前駆体の酸化の
場合に、酸化剤が使用されることを要旨とする。請求項
１６に係る発明はガス又は混合ガスが酸化剤として使用
されることを要旨とする。
場合に、酸化剤が使用されることを要旨とする。請求項
１６に係る発明はガス又は混合ガスが酸化剤として使用
されることを要旨とする。
【００１７】請求項１７に係る発明は酸素ガスが使用さ
れることを要旨とする。請求項１８に係る発明はＣＶＤ
法に従って金属酸化物が蒸着されることを要旨とする。
れることを要旨とする。請求項１８に係る発明はＣＶＤ
法に従って金属酸化物が蒸着されることを要旨とする。
【００１８】請求項１９に係る発明は、促進剤がキャリ
ヤガス及び活性ガスからなる混合ガスと一緒に反応器内
へと導入されることを要旨とする。請求項２０に係る発
明は、促進剤が別のガス吸入部を介して導入されること
を要旨とする。
ヤガス及び活性ガスからなる混合ガスと一緒に反応器内
へと導入されることを要旨とする。請求項２０に係る発
明は、促進剤が別のガス吸入部を介して導入されること
を要旨とする。
【００１９】請求項２１に係る発明は、促進剤が前駆体
吸入システムを介して導入されることを要旨とする。
吸入システムを介して導入されることを要旨とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１はＣＶＤ装置の概略構造を示
す。本発明に従った方法によって、殆どラジカルで進行
する有機金属前駆体の酸化プロセスは、促進剤の添加に
よってすでに比較的低温でも人工的に開始される。従っ
て、酸化プロセスが比較的高温のもとで自然に行われる
まで待つ必要はない。促進剤を用いた開始は、ラジカル
もしくは促進剤ラジカルの形成によるラジカル連鎖反応
を引き起こす。その際に有機金属前駆体は分解され、酸
化される。よって、すでにラジカルであるか、又はすで
にわずか加熱されてラジカルへと解離する分子は、その
ような連鎖反応の開始能力を有している。
す。本発明に従った方法によって、殆どラジカルで進行
する有機金属前駆体の酸化プロセスは、促進剤の添加に
よってすでに比較的低温でも人工的に開始される。従っ
て、酸化プロセスが比較的高温のもとで自然に行われる
まで待つ必要はない。促進剤を用いた開始は、ラジカル
もしくは促進剤ラジカルの形成によるラジカル連鎖反応
を引き起こす。その際に有機金属前駆体は分解され、酸
化される。よって、すでにラジカルであるか、又はすで
にわずか加熱されてラジカルへと解離する分子は、その
ような連鎖反応の開始能力を有している。
【００２１】さらに、本発明に従った方法においては、
比較的低温での蒸着率の上昇及び残留炭素の燃焼の改善
が行われる。促進剤としては、低モル化合物すなわち分
子が使用される。分子は、酸化連鎖を開始させるためだ
けに用いられる。酸化自体のためには、酸化ガスもしく
は混合酸化ガスを用いることができる。酸化ガスもしく
は混合酸化ガスとしては、プラズマも、例えば酸素プラ
ズマも使用可能である。
比較的低温での蒸着率の上昇及び残留炭素の燃焼の改善
が行われる。促進剤としては、低モル化合物すなわち分
子が使用される。分子は、酸化連鎖を開始させるためだ
けに用いられる。酸化自体のためには、酸化ガスもしく
は混合酸化ガスを用いることができる。酸化ガスもしく
は混合酸化ガスとしては、プラズマも、例えば酸素プラ
ズマも使用可能である。
【００２２】開始されたラジカルプロセスは、ガス相に
おいてもまた基板表面においても進行することができ
る。また、基板においては、他の活性化メカニズムの進
行することが指摘される。添加された促進剤は、比較的
高温でかつ基板の影響下で分解、すなわち反応するた
め、非ラジカル性質を有していてもよい反応種を形成す
る。促進剤又はその反応種は、有機金属前駆体を活性化
し、その酸化を促進する。そのような反応種の代表的な
例は、有機エステルのカルボカチオン又はジアゾ化合物
のカルベンである。
おいてもまた基板表面においても進行することができ
る。また、基板においては、他の活性化メカニズムの進
行することが指摘される。添加された促進剤は、比較的
高温でかつ基板の影響下で分解、すなわち反応するた
め、非ラジカル性質を有していてもよい反応種を形成す
る。促進剤又はその反応種は、有機金属前駆体を活性化
し、その酸化を促進する。そのような反応種の代表的な
例は、有機エステルのカルボカチオン又はジアゾ化合物
のカルベンである。
【００２３】すでに上述したように、有機金属前駆体の
酸化開始は、促進剤ラジカルによって又は促進剤ラジカ
ルの形成によって行われる。促進剤の性質に従って、促
進剤は、すでに通常条件（２５℃、１気圧）のもとでラ
ジカルであるか、又は反応器内で高温基板表面への途中
でラジカルへと解離する。しかし促進剤は、高温基板表
面への境界層でも又は高温基板表面自体の上でもラジカ
ルへと解離することができる。好ましくは以下の促進分
子が使用される： １．すでにラジカルである分子。これには、例えばＮ
Ｏ、ＮＯ2 及びＣｌＯ2 がある。同様にそれらのラジカ
ルの混合物も使用可能である。
酸化開始は、促進剤ラジカルによって又は促進剤ラジカ
ルの形成によって行われる。促進剤の性質に従って、促
進剤は、すでに通常条件（２５℃、１気圧）のもとでラ
ジカルであるか、又は反応器内で高温基板表面への途中
でラジカルへと解離する。しかし促進剤は、高温基板表
面への境界層でも又は高温基板表面自体の上でもラジカ
ルへと解離することができる。好ましくは以下の促進分
子が使用される： １．すでにラジカルである分子。これには、例えばＮ
Ｏ、ＮＯ2 及びＣｌＯ2 がある。同様にそれらのラジカ
ルの混合物も使用可能である。
【００２４】例えば、促進剤としてのＮＯ2 、酸化剤と
してのＯ2 及び炭化水素ＲＨ（有機金属前駆体の有機部
分）によって、次のラジカル連鎖反応が生じる：ＲＨ＋
ＮＯ2・→Ｒ・＋ＨＮＯ2 、Ｒ・＋Ｏ2 →ＲＯＯ・、Ｒ
ＯＯ・＋ＲＨ→ＲＯＯＨ＋Ｒ・、ＲＯＯＨ→ＲＯ・＋Ｈ
Ｏ・（これら双方のラジカルは新たなもので、それらの
側で再び連鎖を引き起こす。） ラジカル連鎖反応は、すでに反応器への吸い込み後にこ
れらの分子によって始まる。 ２．すでに比較的高温で、例えば１００℃以上でラジカ
ルへと解離している分子。これらの分子は、反応器内の
前駆体ガスの加熱中に高温基板表面への途中でラジカル
へと解離する。これらの分子は、すでに反応器への吸い
込み後、直ちにラジカルとして存在する。
してのＯ2 及び炭化水素ＲＨ（有機金属前駆体の有機部
分）によって、次のラジカル連鎖反応が生じる：ＲＨ＋
ＮＯ2・→Ｒ・＋ＨＮＯ2 、Ｒ・＋Ｏ2 →ＲＯＯ・、Ｒ
ＯＯ・＋ＲＨ→ＲＯＯＨ＋Ｒ・、ＲＯＯＨ→ＲＯ・＋Ｈ
Ｏ・（これら双方のラジカルは新たなもので、それらの
側で再び連鎖を引き起こす。） ラジカル連鎖反応は、すでに反応器への吸い込み後にこ
れらの分子によって始まる。 ２．すでに比較的高温で、例えば１００℃以上でラジカ
ルへと解離している分子。これらの分子は、反応器内の
前駆体ガスの加熱中に高温基板表面への途中でラジカル
へと解離する。これらの分子は、すでに反応器への吸い
込み後、直ちにラジカルとして存在する。
【００２５】これに関して促進分子としては、開始剤と
してプラスチック及び複合材料のラジカル重合に適切で
あるすべての分子が考慮の対象となる。これに数えられ
るのは、過酸化ジベンゾイルと同様に過酸化カルボニ
ル；過酸及びそのエステル；過酸化ジアルキル及び過酸
化ジアリル、並びに例えばａ，ａ’−アゾビス（イソブ
チロニトリル）やアゾベンゼンのような有機アゾ化合物
である。 ３．７０〜２００℃の間でラジカルへと解離する分子。
これには、有機アルコール（例えば、ＣＨ3ＯＮＯ2、Ｃ
Ｈ3ＣＨ2ＯＮＯ2）の硝酸エステル又は有機アルコール
（例えば、亜硝酸イソアミル（（ＣＨ3）3ＣＨＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＯＮＯ）の硝酸エステルを挙げることができる。Ｈ2
Ｏ2も使用可能である。 ４．３００℃を超える温度で解離する分子。例として
は、ニトロアルカン（例えばＣＨ3ＮＯ2）、芳香族ニト
ロ化合物（例えば、Ｃ6Ｈ5ＮＯ2）、ニトロソアルカン
（例えばＣＨ3ＮＯ）及び芳香族ニトロソ化合物（例え
ばＣ6Ｈ5ＮＯ）が使用可能である。この場合にラジカル
は、高温基板表面のすぐ前になって初めて生成される。 ５．物理的活性化によって生成されるラジカル。例え
ば、ラジカルとしては、酸素（Ｏ2）又はＮ2Ｏ、ＮＯも
しくはＮＯ2の紫外線光照射によって生成される 酸素ラジカルが使用可能である。
してプラスチック及び複合材料のラジカル重合に適切で
あるすべての分子が考慮の対象となる。これに数えられ
るのは、過酸化ジベンゾイルと同様に過酸化カルボニ
ル；過酸及びそのエステル；過酸化ジアルキル及び過酸
化ジアリル、並びに例えばａ，ａ’−アゾビス（イソブ
チロニトリル）やアゾベンゼンのような有機アゾ化合物
である。 ３．７０〜２００℃の間でラジカルへと解離する分子。
これには、有機アルコール（例えば、ＣＨ3ＯＮＯ2、Ｃ
Ｈ3ＣＨ2ＯＮＯ2）の硝酸エステル又は有機アルコール
（例えば、亜硝酸イソアミル（（ＣＨ3）3ＣＨＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＯＮＯ）の硝酸エステルを挙げることができる。Ｈ2
Ｏ2も使用可能である。 ４．３００℃を超える温度で解離する分子。例として
は、ニトロアルカン（例えばＣＨ3ＮＯ2）、芳香族ニト
ロ化合物（例えば、Ｃ6Ｈ5ＮＯ2）、ニトロソアルカン
（例えばＣＨ3ＮＯ）及び芳香族ニトロソ化合物（例え
ばＣ6Ｈ5ＮＯ）が使用可能である。この場合にラジカル
は、高温基板表面のすぐ前になって初めて生成される。 ５．物理的活性化によって生成されるラジカル。例え
ば、ラジカルとしては、酸素（Ｏ2）又はＮ2Ｏ、ＮＯも
しくはＮＯ2の紫外線光照射によって生成される 酸素ラジカルが使用可能である。
【００２６】例えば、１〜４に挙げた分子の他の分子
は、紫外線照射によってそれぞれ対応するラジカルへの
解離のために励起され得る。上記分子のラジカルへの解
離を引き起こす他の方法は、例えば交番電界におけるプ
ラズマの生成である（例えば、酸素プラズマ）。
は、紫外線照射によってそれぞれ対応するラジカルへの
解離のために励起され得る。上記分子のラジカルへの解
離を引き起こす他の方法は、例えば交番電界におけるプ
ラズマの生成である（例えば、酸素プラズマ）。
【００２７】促進分子は、好適には、前駆体に対する促
進剤のモル比が１：１〜１：１０００の範囲内で使用さ
れる。モル比は特に好適である。促進剤としての反応種
においては、前駆体に対する促進剤のモル比が１：５〜
１：０．１の範囲である。
進剤のモル比が１：１〜１：１０００の範囲内で使用さ
れる。モル比は特に好適である。促進剤としての反応種
においては、前駆体に対する促進剤のモル比が１：５〜
１：０．１の範囲である。
【００２８】有機金属前駆体としては、表面への金属酸
化物の蒸着によって酸化セラミックから成る薄膜を製造
するのに適しているすべての有機金属化合物が使用可能
である。例えば、有機金属前駆体として使用可能なの
は、次のものである：ＢｉＰｈ3、Ｂｉ（ｔｈｄ）3、Ｂ
ｉ−ピバレート、トリスペントキシラートビスマス、Ｂ
ｉ−ｔｒｉｓ（ジメチルアミド）、Ｔａ（ＯＥｔ）5、
Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）、Ｓｒ（ｔｈｄ）2、Ｂａ
（ｔｈｄ）2、Ｔｉ（ｔｈｄ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ
（ＯｉＰｒ）4、Ｚｒ（ｔｈｄ）4、Ｐｂ（ｔｈｄ）2 及
びそれらの混合物、あるいは少なくともそれらのいずれ
か１つ。
化物の蒸着によって酸化セラミックから成る薄膜を製造
するのに適しているすべての有機金属化合物が使用可能
である。例えば、有機金属前駆体として使用可能なの
は、次のものである：ＢｉＰｈ3、Ｂｉ（ｔｈｄ）3、Ｂ
ｉ−ピバレート、トリスペントキシラートビスマス、Ｂ
ｉ−ｔｒｉｓ（ジメチルアミド）、Ｔａ（ＯＥｔ）5、
Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）、Ｓｒ（ｔｈｄ）2、Ｂａ
（ｔｈｄ）2、Ｔｉ（ｔｈｄ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ
（ＯｉＰｒ）4、Ｚｒ（ｔｈｄ）4、Ｐｂ（ｔｈｄ）2 及
びそれらの混合物、あるいは少なくともそれらのいずれ
か１つ。
【００２９】有機金属前駆体の蒸発は、従来の蒸発シス
テムで行うことができる。前駆体の酸化時には、一般的
にガス又は混合ガスである酸化剤が使用される。好適に
は酸素ガス（Ｏ2）が使用される。
テムで行うことができる。前駆体の酸化時には、一般的
にガス又は混合ガスである酸化剤が使用される。好適に
は酸素ガス（Ｏ2）が使用される。
【００３０】基板としては、適切な各基板材料が使用可
能である。それに数えられるのは、実験用電極、誘電体
一体化用電極材料、貴金属電極、酸化電極及び非電導基
板である。
能である。それに数えられるのは、実験用電極、誘電体
一体化用電極材料、貴金属電極、酸化電極及び非電導基
板である。
【００３１】酸化金属の蒸着は、好適にはＣＶＤ法に従
って行われる。ＣＶＤ法では、化学化合物、例えば容易
に蒸発されるか又はすでにガスである有機金属化合物を
高温基板表面で反応させて、所定特性の薄膜を、例えば
金属酸化膜を生成する。
って行われる。ＣＶＤ法では、化学化合物、例えば容易
に蒸発されるか又はすでにガスである有機金属化合物を
高温基板表面で反応させて、所定特性の薄膜を、例えば
金属酸化膜を生成する。
【００３２】その一貫性及び安定性に応じて、促進分子
は、ＣＶＤ反応器内へと導入可能である。促進剤が容易
に蒸発する分子から又はガス状分子もしくはラジカルか
ら成っている場合には、促進剤は、混合ガスに容易に混
ぜられる。これは、例として図１に示すように様々な場
所で行うことができる。
は、ＣＶＤ反応器内へと導入可能である。促進剤が容易
に蒸発する分子から又はガス状分子もしくはラジカルか
ら成っている場合には、促進剤は、混合ガスに容易に混
ぜられる。これは、例として図１に示すように様々な場
所で行うことができる。
【００３３】図１は、前駆体ガスが前駆体溶液から生成
されることを示している。この前駆体溶液は、蒸発器で
ガスに変わる。蒸発器は、例えばいわゆるフラッシュエ
バポレータであってもよい。キャリヤガス、例えばＡｒ
又はＮ2 は、蒸気をシャワーヘッドへと移送する。そこ
で蒸気は、酸化ガス及び場合によっては他のキャリヤガ
スと混合される。シャワーヘッドの使用は、反応器内で
の均等な層状ガス流れを保証するために不可欠である。
前駆体ガス、酸化ガス及びキャリヤガスから成る混合ガ
スは、シャワーヘッドから出た後に高温基板へと流れ、
そこで金属酸化物が蒸着される。
されることを示している。この前駆体溶液は、蒸発器で
ガスに変わる。蒸発器は、例えばいわゆるフラッシュエ
バポレータであってもよい。キャリヤガス、例えばＡｒ
又はＮ2 は、蒸気をシャワーヘッドへと移送する。そこ
で蒸気は、酸化ガス及び場合によっては他のキャリヤガ
スと混合される。シャワーヘッドの使用は、反応器内で
の均等な層状ガス流れを保証するために不可欠である。
前駆体ガス、酸化ガス及びキャリヤガスから成る混合ガ
スは、シャワーヘッドから出た後に高温基板へと流れ、
そこで金属酸化物が蒸着される。
【００３４】容易に蒸発すべき促進剤又はガス状の促進
剤は、異なる場所で混合ガスに添加することができる：
促進剤は、酸化ガス／キャリヤガスの混合ガスに箇所３
で添加可能であるが、しかしまた前駆体ガス／キャリヤ
ガスの混合ガスに箇所４でも添加可能であり、又は別々
に幾らかのキャリヤガスと一緒にシャワーヘッドへと箇
所２でも導入可能である。促進剤が非常に活性であるよ
うな場合には、完全に分離して促進剤を反応室内へ箇所
１で、例えば、基板に向けられた複数の穴を備えたリン
グを介して導入することもできる。
剤は、異なる場所で混合ガスに添加することができる：
促進剤は、酸化ガス／キャリヤガスの混合ガスに箇所３
で添加可能であるが、しかしまた前駆体ガス／キャリヤ
ガスの混合ガスに箇所４でも添加可能であり、又は別々
に幾らかのキャリヤガスと一緒にシャワーヘッドへと箇
所２でも導入可能である。促進剤が非常に活性であるよ
うな場合には、完全に分離して促進剤を反応室内へ箇所
１で、例えば、基板に向けられた複数の穴を備えたリン
グを介して導入することもできる。
【００３５】また促進剤は、例えば図１の箇所６でのよ
うに、前駆体吸入システムを介しても取り入れられる。
これは、例えば、液体供給システム（ＬＤＳ）と連結さ
れているフラッシュエバポレータによって可能である。
ＬＤＳを使用する場合には、分子は、容易に比較的わず
かな量で事前に前駆体溶液に混ぜられ、次に前駆体とと
もに蒸発される。その際に重要なのは、加えられた分子
が、前駆体吸入システムの温度においてなお安定してお
り、前駆体又は溶媒と反応しないということである。
うに、前駆体吸入システムを介しても取り入れられる。
これは、例えば、液体供給システム（ＬＤＳ）と連結さ
れているフラッシュエバポレータによって可能である。
ＬＤＳを使用する場合には、分子は、容易に比較的わず
かな量で事前に前駆体溶液に混ぜられ、次に前駆体とと
もに蒸発される。その際に重要なのは、加えられた分子
が、前駆体吸入システムの温度においてなお安定してお
り、前駆体又は溶媒と反応しないということである。
【００３６】蒸着温度は、ＣＶＤ法に従って５０〜２０
０℃だけ低下される。下記の実施例によって、本発明に
従った方法を説明する。 （実施例１）ＳＢＴから成る薄膜をＣＶＤ法に従って製
造するには、有機金属前駆体（Ｓｒ（ｔｈｄ）2（テト
ラグリム）（Ｂｉｓ（２，２，６，６−テトラメチルヘ
プタン−３，５−ジオナト（テトラグリム）ストロンチ
ウム）、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）4（２，２，６，
６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト−タンタ
ルテトライソプロポキシド及びＢｉＰｈｅ3（トリフェ
ニルビスマス）が、ＴＨＦ／ｉＰｒＯＨ／テトラグリム
（８：２：１）から成る溶媒混合物に加えられる。この
溶液は、０．１５ｍｌ／分の速度で、２００℃の温度に
されたフラッシュエバポレータ内へ入れられる。キャリ
ヤガスとしては、２００ｃｍ3 のアルゴンが用いられ
る。こうして得られた混合ガスは、シャワーヘッドへと
導入される。シャワーヘッドの他の接続部では、６００
ｃｍ3 のアルゴン及び４００ｃｍ3のＯ2 が取り入れら
れる。このガスには、１０ｃｍ3 のＮＯ2が混ぜられ
る。これらのガスは、シャワーヘッド内で混合されてか
ら、次に反応室へと放出される。そこでガスは、Ｐｔ／
Ｔｉ／ＳｉＯ2によってコーティングされた６”−Ｓｉ
−ウェーハに当たる。白金は、２００ｎｍの層厚みを有
し、チタンは、３０ｎｍの層厚みを有し、ＳｉＯ2は６
２５ｎｍの厚みである。ウェーハの温度は、５００℃
（又はそれ以上）である；反応室の総圧は、３トルであ
る。酸素割合は、２５〜８０％である。
０℃だけ低下される。下記の実施例によって、本発明に
従った方法を説明する。 （実施例１）ＳＢＴから成る薄膜をＣＶＤ法に従って製
造するには、有機金属前駆体（Ｓｒ（ｔｈｄ）2（テト
ラグリム）（Ｂｉｓ（２，２，６，６−テトラメチルヘ
プタン−３，５−ジオナト（テトラグリム）ストロンチ
ウム）、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）4（２，２，６，
６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト−タンタ
ルテトライソプロポキシド及びＢｉＰｈｅ3（トリフェ
ニルビスマス）が、ＴＨＦ／ｉＰｒＯＨ／テトラグリム
（８：２：１）から成る溶媒混合物に加えられる。この
溶液は、０．１５ｍｌ／分の速度で、２００℃の温度に
されたフラッシュエバポレータ内へ入れられる。キャリ
ヤガスとしては、２００ｃｍ3 のアルゴンが用いられ
る。こうして得られた混合ガスは、シャワーヘッドへと
導入される。シャワーヘッドの他の接続部では、６００
ｃｍ3 のアルゴン及び４００ｃｍ3のＯ2 が取り入れら
れる。このガスには、１０ｃｍ3 のＮＯ2が混ぜられ
る。これらのガスは、シャワーヘッド内で混合されてか
ら、次に反応室へと放出される。そこでガスは、Ｐｔ／
Ｔｉ／ＳｉＯ2によってコーティングされた６”−Ｓｉ
−ウェーハに当たる。白金は、２００ｎｍの層厚みを有
し、チタンは、３０ｎｍの層厚みを有し、ＳｉＯ2は６
２５ｎｍの厚みである。ウェーハの温度は、５００℃
（又はそれ以上）である；反応室の総圧は、３トルであ
る。酸素割合は、２５〜８０％である。
【００３７】これによって、良好な角部被覆を備えた鏡
面ＳＢＴ層が得られる。 （実施例２）ＢＳＴを蒸着するためには、前駆体Ｓｒ
（ｔｈｄ）2（テトラグリム）（Ｂｉｓ（２，２，２，
６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト（テトラ
グリム）ストロンチウム）、Ｂａ（ｔｈｄ）2（テトラ
グリム）（Ｂｉｓ（２，２，６，６−テトラメチルヘプ
タン−３，５−ジオナト）（テトラグリム）バリウム）
及びＴｉ（ｔｈｄ）2（ＯｉＰｒ）2（Ｂｉｓ（２，２，
６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）−
チタンジイソプロポキシド）が、ＴＨＦ／ｉＰｒＯＨ／
テトラグリム（８：２：１）から成る溶媒混合物に加え
られる。この溶液は、０．１５ｍｌ／分の速度で、２４
０℃の温度にされたフラッシュエバポレータ内へ入れら
れる。キャリヤガスとしては、２００ｃｍ3 のアルゴン
が用いられる。こうして得られた混合ガスは、シャワー
ヘッドへと導入される。シャワーヘッドの他の接続部で
は、２００ｃｍ3 のアルゴン、５００ｃｍ3 のＯ2及び
５００ｃｍ3 のＮ2Ｏが導入される。このガスには、１
０ｃｍ3 のＮＯ2が促進剤として添加される。これらの
ガスは、シャワーヘッド内で混合され、次に反応室へと
放出される。そこでガスは、Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2によ
ってコーティングされた６”−Ｓｉ−ウェーハに当た
る。白金は、２００ｎｍの層厚みを有し、チタンは、３
０ｎｍの層厚みを有し、ＳｉＯ2は６２５ｎｍの厚みで
ある。ウェーハの温度は、４００℃である；反応室の総
圧は、１トルである。
面ＳＢＴ層が得られる。 （実施例２）ＢＳＴを蒸着するためには、前駆体Ｓｒ
（ｔｈｄ）2（テトラグリム）（Ｂｉｓ（２，２，２，
６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト（テトラ
グリム）ストロンチウム）、Ｂａ（ｔｈｄ）2（テトラ
グリム）（Ｂｉｓ（２，２，６，６−テトラメチルヘプ
タン−３，５−ジオナト）（テトラグリム）バリウム）
及びＴｉ（ｔｈｄ）2（ＯｉＰｒ）2（Ｂｉｓ（２，２，
６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）−
チタンジイソプロポキシド）が、ＴＨＦ／ｉＰｒＯＨ／
テトラグリム（８：２：１）から成る溶媒混合物に加え
られる。この溶液は、０．１５ｍｌ／分の速度で、２４
０℃の温度にされたフラッシュエバポレータ内へ入れら
れる。キャリヤガスとしては、２００ｃｍ3 のアルゴン
が用いられる。こうして得られた混合ガスは、シャワー
ヘッドへと導入される。シャワーヘッドの他の接続部で
は、２００ｃｍ3 のアルゴン、５００ｃｍ3 のＯ2及び
５００ｃｍ3 のＮ2Ｏが導入される。このガスには、１
０ｃｍ3 のＮＯ2が促進剤として添加される。これらの
ガスは、シャワーヘッド内で混合され、次に反応室へと
放出される。そこでガスは、Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2によ
ってコーティングされた６”−Ｓｉ−ウェーハに当た
る。白金は、２００ｎｍの層厚みを有し、チタンは、３
０ｎｍの層厚みを有し、ＳｉＯ2は６２５ｎｍの厚みで
ある。ウェーハの温度は、４００℃である；反応室の総
圧は、１トルである。
【００３８】これによって、良好な蒸着率かつ良好な角
部被覆を備えた鏡面ＢＳＴ層が得られる。 （実施例３）実施例１又は実施例２におけるような１０
ｍｌのＮＯ2の代わりに、１０ｍｌのＮＯが促進剤とし
て使用される。またここでも、良好な蒸着率かつ良好な
角部被覆を備えた鏡面ＢＳＴ層が得られる。 （実施例４）実施例１又は実施例２におけるような１０
ｍｌのＮＯ2の代わりに、５０ｃｍ3のキャリヤガスでの
０．０２ｍＭＯＬ／分のニトロメタンが、酸化ガス／キ
ャリヤガスと一緒に導入される。１０１℃の沸点（７６
０トル）を有するニトロメタンは、噴水装置においてキ
ャリヤガスを通すことによって蒸発される。噴水装置
は、蒸発による冷却に対処して蒸発率を調整するために
加熱自在である。代替物質としては、ニトロエタンも使
用可能である（蒸発温度１１５℃／７６０トル）。双方
のニトロ化合物は、約２５０℃以上で解離し、その際に
ラジカル連鎖を開始した。
部被覆を備えた鏡面ＢＳＴ層が得られる。 （実施例３）実施例１又は実施例２におけるような１０
ｍｌのＮＯ2の代わりに、１０ｍｌのＮＯが促進剤とし
て使用される。またここでも、良好な蒸着率かつ良好な
角部被覆を備えた鏡面ＢＳＴ層が得られる。 （実施例４）実施例１又は実施例２におけるような１０
ｍｌのＮＯ2の代わりに、５０ｃｍ3のキャリヤガスでの
０．０２ｍＭＯＬ／分のニトロメタンが、酸化ガス／キ
ャリヤガスと一緒に導入される。１０１℃の沸点（７６
０トル）を有するニトロメタンは、噴水装置においてキ
ャリヤガスを通すことによって蒸発される。噴水装置
は、蒸発による冷却に対処して蒸発率を調整するために
加熱自在である。代替物質としては、ニトロエタンも使
用可能である（蒸発温度１１５℃／７６０トル）。双方
のニトロ化合物は、約２５０℃以上で解離し、その際に
ラジカル連鎖を開始した。
【００３９】ここでも、良好な蒸着率かつ良好な角部被
覆を備えたＳＢＴ層及びＢＳＴ層が得られる。 （実施例５）ＴＨＦでの過酢酸の溶液が、約６０℃のフ
ラッシュエバポレータ内で蒸発される。キャリヤガスと
しては、１００ｃｍ3 のアルゴンが用いられる。フラッ
シュエバポレータは、蒸発ガスを酸化ガス／キャリヤガ
ス導管に供給する。したがってエバポレータの圧力は、
シャワーヘッドでの圧力と同じであり、それによって反
応室での圧力とほぼ同じである。そのほかは、実施例１
又は実施例２と同様の方法で行われる。約０．０２ｍＭ
ＯＬ／分で過酢酸が蒸発される。過酢酸の代わりに、そ
のメチルエステル又はエチルエステルを使用してもよ
い。 （実施例６）実施例５と同じ方法であるが、但し、ＴＨ
Ｆでの過酸化ジベンゾイルが約６０℃の温度で蒸発され
る点で異なっている。 （実施例７）実施例５と同じ方法であるが、但し、ＴＨ
Ｆでのニトロベンゼンが１５０℃の温度で蒸発される点
で異なっている。ニトロベンゼンの代わりにニトロソベ
ンゼンを使用してもよい。 （実施例８）実施例１もしくは実施例２の方法が繰り返
されるが、但し、促進剤としてニトロベンゼンが使用さ
れる点で異なっている。ニトロベンゼンは、前駆体溶液
に添加され、前駆体エバポレータにおいて前駆体と一緒
に蒸発される。ニトロベンゼンの代わりにニトロソベン
ゼンを使用してもよい。 （実施例９）実施例１もしくは実施例２の方法が繰り返
されるが、但し、促進剤としてＨ2Ｏ2 が使用される点
で異なっている。そのために、水での３０％Ｈ2Ｏ2溶液
がフラッシュエバポレータ内で蒸発される。ここでも
０．０２ｍＭＯＬ／分の供給能力が保持される。水／Ｈ
2Ｏ2混合ガスは、高温基板表面の前に配置された別リン
グを介して導入される。
覆を備えたＳＢＴ層及びＢＳＴ層が得られる。 （実施例５）ＴＨＦでの過酢酸の溶液が、約６０℃のフ
ラッシュエバポレータ内で蒸発される。キャリヤガスと
しては、１００ｃｍ3 のアルゴンが用いられる。フラッ
シュエバポレータは、蒸発ガスを酸化ガス／キャリヤガ
ス導管に供給する。したがってエバポレータの圧力は、
シャワーヘッドでの圧力と同じであり、それによって反
応室での圧力とほぼ同じである。そのほかは、実施例１
又は実施例２と同様の方法で行われる。約０．０２ｍＭ
ＯＬ／分で過酢酸が蒸発される。過酢酸の代わりに、そ
のメチルエステル又はエチルエステルを使用してもよ
い。 （実施例６）実施例５と同じ方法であるが、但し、ＴＨ
Ｆでの過酸化ジベンゾイルが約６０℃の温度で蒸発され
る点で異なっている。 （実施例７）実施例５と同じ方法であるが、但し、ＴＨ
Ｆでのニトロベンゼンが１５０℃の温度で蒸発される点
で異なっている。ニトロベンゼンの代わりにニトロソベ
ンゼンを使用してもよい。 （実施例８）実施例１もしくは実施例２の方法が繰り返
されるが、但し、促進剤としてニトロベンゼンが使用さ
れる点で異なっている。ニトロベンゼンは、前駆体溶液
に添加され、前駆体エバポレータにおいて前駆体と一緒
に蒸発される。ニトロベンゼンの代わりにニトロソベン
ゼンを使用してもよい。 （実施例９）実施例１もしくは実施例２の方法が繰り返
されるが、但し、促進剤としてＨ2Ｏ2 が使用される点
で異なっている。そのために、水での３０％Ｈ2Ｏ2溶液
がフラッシュエバポレータ内で蒸発される。ここでも
０．０２ｍＭＯＬ／分の供給能力が保持される。水／Ｈ
2Ｏ2混合ガスは、高温基板表面の前に配置された別リン
グを介して導入される。
【００４０】実施例５〜実施例９から得られるＳＢＴ層
もしくはＢＳＴ層は、ここでも良好な角部被覆及び良好
な蒸着率を示している。
もしくはＢＳＴ層は、ここでも良好な角部被覆及び良好
な蒸着率を示している。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明は金属酸
化物の蒸着温度が明らかに低下されるという優れた効果
を発揮する。
化物の蒸着温度が明らかに低下されるという優れた効果
を発揮する。
【図１】 ＣＶＤ装置の構造を示す概略図。
【図２】（ａ）ＢＳＴの５００℃未満での動的に制御さ
れた良好な蒸着順応性を示す概略図。（ｂ）ＢＳＴの５
００℃以上での移送的に制御された低下した蒸着順応性
を示す概略図。
れた良好な蒸着順応性を示す概略図。（ｂ）ＢＳＴの５
００℃以上での移送的に制御された低下した蒸着順応性
を示す概略図。
【図３】 スタックコンデンサの一例の構造を示す概略
図。
図。
１，２，３，４，６…促進剤の添加可能箇所
Claims (21)
- 【請求項１】 表面への金属酸化物の蒸着によって、酸
体セラミックからなる薄膜を製造する方法において、 ガス状前駆体を形成するための有機金属前駆体を蒸発さ
せる工程と、 該前駆体の酸化を開始するための促進剤を添加する工程
と、 金属酸化物を形成するための前駆体を酸化する工程と、 表面へ金属酸化物を蒸着する工程とからなることを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 すでにラジカルである分子が促進剤とし
て添加されることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ＮＯ、ＮＯ2及びＣｌＯ2、又はこれらか
らなる混合物が分子として使用されることを特徴とする
請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 ラジカル重合のための開始剤が促進剤と
して添加されることを特徴とする請求項１に記載の方
法。 - 【請求項５】 それぞれ過酸化カルボニル、過酸及びそ
れらのエステル、過酸化ジアルキル、過酸化ジアリル並
びに有機アゾ化合物が開始剤として使用されることを特
徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 ３００℃を超える温度でラジカルへと解
離する分子が促進剤として添加されることを特徴とする
請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 ニトロアルカン、芳香族ニトロ化合物、
ニトロソアルカン及び芳香族ニトロソ化合物が分子とし
て使用されることを特徴とする請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 物理的活性化によって生成されるラジカ
ルが促進剤として添加されることを特徴とする請求項１
に記載の方法。 - 【請求項９】 ラジカルが酸素、Ｎ2Ｏ、ＮＯ又はＮＯ2
の紫外線光照射によって生成される酸素ラジカルである
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 促進剤は、前駆体に対する促進剤のモ
ル比が１：１〜１：１０００の範囲内で使用されること
を特徴とする請求項１〜９の少なくともいずれか１項に
記載の方法。 - 【請求項１１】 反応種が促進剤として添加されること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１２】有機エステルのカルボカチオン又はジア
ゾ化合物のカルベンが反応種として使用されることを特
徴とする請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 反応種は、前駆体に対する促進剤のモ
ル比が１：５〜１：０．１の範囲内で使用されることを
特徴とする請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１４】 それぞれＢｉＰｈ3、Ｂｉ（ｔｈ
ｄ）3、Ｂｉ−ピバレート、トリスペントキシラートビ
スマス、Ｂｉ−ｔｒｉｓ（ジメチルアミド）、Ｔａ（Ｏ
Ｅｔ）5、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）4、Ｓｒ（ｔｈ
ｄ）2、Ｂａ（ｔｈｄ）2、Ｔｉ（ｔｈｄ）2（ＯｉＰ
ｒ）2、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4、Ｚｒ（ｔｈｄ）4、及びＰ
ｂ（ｔｈｄ）2 又はそれらの混合物が有機金属前駆体と
して使用されることを特徴とする請求項１〜１３の少な
くともいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１５】 前駆体の酸化の場合に、酸化剤が使用
されることを特徴とする請求項１〜１４の少なくともい
ずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１６】 ガス又は混合ガスが酸化剤として使用
されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 酸素ガスが使用されることを特徴とす
る請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 ＣＶＤ法に従って金属酸化物が蒸着さ
れることを特徴とする請求項１〜１７の少なくともいず
れか１項に記載の方法。 - 【請求項１９】 促進剤が、キャリヤガス及び活性ガス
から成る混合ガスと一緒に反応器内へと導入されること
を特徴とする請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 促進剤が、別のガス吸入部を介して導
入されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２１】 促進剤が、前駆体吸入システムを介し
て導入されることを特徴とする請求項１８に記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19730119A DE19730119A1 (de) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik |
| DE19730119-3 | 1997-07-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1171675A true JPH1171675A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=7835654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192370A Pending JPH1171675A (ja) | 1997-07-14 | 1998-06-22 | 酸化セラミックから成る薄膜の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6037002A (ja) |
| EP (1) | EP0892082A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1171675A (ja) |
| KR (1) | KR19990013831A (ja) |
| DE (1) | DE19730119A1 (ja) |
| TW (1) | TW373032B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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