JP3032416B2

JP3032416B2 - Ｃｖｄ薄膜形成方法

Info

Publication number: JP3032416B2
Application number: JP5330674A
Authority: JP
Inventors: 直樹井上; 春雪中岡; 秀樹東; 徹柳澤; 茂森川; 小林　　孝; 登佐伯; 久坂井
Original assignee: Osaka Gas Co Ltd
Current assignee: Osaka Gas Co Ltd
Priority date: 1993-01-25
Filing date: 1993-12-27
Publication date: 2000-04-17
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JPH06275548A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長法による
ペロブスカイト型酸化物からなる金属酸化物薄膜の製造
方法に関し、さらに詳細には、複数種の金属化合物ガス
と酸化性ガスとを薄膜形成室内に供給し、薄膜形成室内
に配設された基板上に金属酸化物薄膜を形成するＣＶＤ
薄膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の薄膜形成においては、薄
膜形成室に原料ガスとしての金属化合物ガスと酸化性ガ
スとを同時に供給して、薄膜形成室内に配設された基板
上に所望の金属酸化物薄膜を形成していた。この場合、
従来、成膜のためのエネルギーの供給は、加熱によるも
のであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな成膜過程において、成膜初期段階から金属化合物ガ
スのみならず酸化性ガスを供給すると、基板を構成する
材料が拡散し、また酸化性ガスの酸素と反応し、酸化物
を形成することがあった。例えば基板がシリコン基板で
あり酸化性ガスが酸素である場合は、シリコン基板上に
白金（Ｐｔ）電極が形成されている場合においても、白
金上にシリコンが拡散溶出（酸素が拡散浸透）し、酸化
シリコン（ＳｉＯ₂）を生成することがあった。このよ
うな生成物が形成されると、薄膜としてペロブスカイト
型構造をしたＰＺＴ薄膜等を成長させる場合に、大きな
問題となった。また、成膜を加熱のみで行う場合、加熱
の時間的空間的制御が不可能なため、複合金属酸化物で
あるペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ₃，ＡＢＣＯ₃ただ
しＡ，Ｂ，Ｃは金属元素、Ｏは酸素）の酸素原子の欠落
あるいは蒸気圧の高い金属並びに金属酸化物の拡散・脱
離等により、非化学量論組成のものが得られたり、ペロ
ブスカイト型の結晶構造にならない問題があった。従っ
て、本発明の目的は、基板面上に基板を構成する元素の
酸化物を形成せず、ペロブスカイト型の薄膜を得ること
が可能なＣＶＤ薄膜形成方法を得ることにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
のＣＶＤ薄膜形成方法の特徴手段は、これが酸素を分子
内に有する金属化合物ガスのみを薄膜形成室内に供給し
て、基板と金属化合物ガスとを馴染ませる第一工程と、
第一工程にひき続いて薄膜形成室内に、複数種の金属化
合物ガスと酸化性ガスを供給して薄膜を形成する第二工
程を備えたことにある。さらに第一行程において、高融
点金属を含有する前記金属化合物ガスを先に供給して基
板の表面上に熱拡散防止層を形成した後、前記複数種の
金属化合物ガスのみを供給して、結晶成長のための初期
核を形成することが好ましい。そして、その作用・効果
は以下のとおりである。

【０００５】

【作用】この方法においては、成膜工程は第一工程と第
二工程に分割され、第一工程においては酸化性ガスの供
給はおこなわれない。一方、第二工程が従来おこなわれ
て来ている通常の成膜工程とされる。さて、第一工程に
おいては、金属化合物ガスが分解されながら金属化合物
ガス自らが含有する酸素とその金属成分とで金属酸化物
が構成され、基板上に所定の金属酸化物の層が数原子層
形成される。そして、この形成過程の後、第二工程にお
いて、酸化性ガスの供給状態において所望の金属酸化物
を形成することが可能となる。ここで、第一工程におい
て供給する金属酸化物ガスの種類を、前述のようにその
初期と後期とに分けておくと、第一工程初期においては
基板を構成する材料元素の拡散あるいは酸化を起こさな
いで熱拡散防止層を形勢することができ、この工程以降
において、複数の金属酸化物薄膜を構成する蒸気圧の高
い金属及び金属酸化物の基板への拡散を起こさないで成
膜を進めることができる。そして、第一工程後期におい
て、第二工程で形成する所望の金属酸化物を形成するた
めの結晶の初期核を得て、所定の結晶構造の膜を形成す
ることができる。

【０００６】

【発明の効果】従って、本願の方法を採用する場合は、
成膜初期工程（第一工程）において酸化性ガスが単独に
供給されないため、基板面上に基板を構成する元素の酸
化物を形成することなく、所望の金属酸化物層を形成す
ることができ、これが拡散防止の熱拡散防止層として働
き、蒸気圧の高い元素及びその酸化物の拡散を抑制しな
がら、複合酸化物の初期核を形成することができ、その
結果、例えば強誘電体として好ましい性能を示すペロブ
スカイト型構造のＰＺＴ薄膜等を形成することが可能と
なった。

【０００７】以上に説明した成膜においては、成膜エネ
ルギーの供給方法を特に問うものではないが、成膜段階
においてレーザー光を利用する場合には、以下のよう
な、作用・効果を得ることができる。即ち、成膜時に基
板の加熱と共にレーザー光を用いた場合、基板近傍の上
部に拡散供給される金属化合物ガスが基板加熱台からの
熱エネルギーとレーザーからの光エネルギーによって、
原料ガスである金属酸化物ガスは励起分解され薄膜を形
成する。成膜にあたっては、レーザーからのエネルギー
供給によって成膜温度を従来より大幅に低下することが
可能であり、蒸気圧の高い金属及び金属酸化物の膜から
の脱離、基板を構成する材料元素の拡散が抑制され、組
成の均一な安定した成膜が行える。結果、ＣＶＤ法によ
る薄膜形成のエネルギー源をレーザー光にした場合、レ
ーザーの有する単色性、高密度、コヒーレント指向性等
の特徴が生かされ、熱エネルギーを補助的に使用して成
膜を実行することができる。よって、成膜を熱エネルギ
ーのみで行うＣＶＤ法では熱エネルギーの時間的、空間
的制御が不可能なため複合金属酸化物であるペロブスカ
イト型構造（ＡＢＯ₃，ＡＢＣＯ₃ただしＡ，Ｂ，Ｃは金
属元素、Ｏは酸素）の酸素原子の不足を招くことが多
く、非化学量論組成となりデバイス上の機能薄膜として
採用できない組成となり易いが、このような手法を採る
場合は、成膜を比較的低温で酸素の不足を招くことなく
行うことが可能となり、蒸気圧の異なる複数の金属酸化
物薄膜の組成、構造の安定化をもたらし、従来比較的高
い成膜温度を要求されたペロブスカイト型構造の薄膜を
低温で安定して得られるようになる（図５に、レーザー
光を利用する本願の場合図５（イ）の結晶構造（ペロブ
スカイト単一相となっている）と従来の熱エネルギーの
みによる場合図５（ロ）の結晶構造（パイロクロア構造
となっている）とのＸ線回折パターンの相違を示してい
る）。

【０００８】

【実施例】本願の実施例を図面に基づいて説明する。図
１にＣＶＤ薄膜形成装置１の構成が示されている。この
ＣＶＤ薄膜形成装置１は、所謂レーザーＣＶＤ薄膜形成
装置であり、加熱体により供給される熱エネルギーと、
レーザー光２によって供給されるエネルギーにより金属
化合物ガスの分解・励起・膜形成をおこなうものであ
る。このレーザーＣＶＤ薄膜形成装置１は、従来の単純
なＣＶＤ薄膜形成装置より低温で薄膜形成をおこなうこ
とが可能であるため、基板３等に熱的ダメージを与える
ことが少なく、良好な薄膜４形成が行える利点を備えて
いる。以下に、半導体（ＩＣ、ＬＳＩ等）基板３上に、
薄膜４を形成する場合を、例に採って説明する。ここ
で、基板３は表面に白金（Ｐｔ）薄膜３ｂを形成したシ
リコン基板３ａを例にとるものとし、この基板３上に絶
縁膜あるいは強誘電体膜であるＰＺＴ薄膜５（ＰｂＺｒ
_xＴｉ_1-xＯ₃（０≦ｘ≦１））を形成するものとする。

【０００９】先ずこの装置１の構成について説明する。
装置１は、その内圧を調節可能な薄膜形成室６を備えた
ものであり、金属化合物ガスｇ１が各別に供給される予
混合室７と、薄膜形成室６に酸化性ガスｇ２である酸素
もしくはオゾンを供給する酸化性ガス供給手段としての
酸化性ガス供給路８と、成膜を終えたガスｇ３が排出さ
れるガス排出路９を備えている。さらに、薄膜形成室６
の中央部に、薄膜形成の対象となる基板３が載置される
基板保持台１０が備えられている。この基板保持台１０
は、本体部を構成するセラミックヒータ１０ａとこのセ
ラミックヒータ１０ａの外面部を被覆する絶縁皮膜層と
してのＴｉＮのＣＶＤ皮膜層１０ｂとから構成されてい
る。また、基板３上の混合ガスｇ４を励起するレーザー
光２が薄膜形成室内に導入されるレーザー光照射用窓１
１が設けられるとともに、このレーザー光２を発振する
レーザー光照射手段としてのエキシマレーザー１２が装
置１の側部に備えられている。また、希釈ガスｇ５を供
給する希釈ガス供給系が設けられるとともに、所定箇所
にマスフローコントローラが備えられている。さらに、
レーザー光２が、薄膜形成室６外へ導出されるレーザー
光出口窓１３が設けられている。

【００１０】装置構成の概略を箇条書きする。成膜対象となる基板寸法８インチ以下基板加熱最大７００℃ 到達圧力１０^-7Ｔｏｒｒ金属化合物ガス供給３系統光源エキシマレーザー

【００１１】以下、さらに詳細に原料ガスとしての金属
化合物ガスの供給系と酸化性ガスの供給系について説明
する。先ず金属化合物ガス供給系について説明すると、
これは、金属化合物ガスであるビス−ジピバロイルメタ
ネート鉛（Ｐｂ（ＤＰＭ）₂）、ジルコニウムテトラ
−ｔ−ブトキシド（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ₄Ｈ₉）₄）及びチ
タウムテトラ−ｉ−プロポキシド（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ
₃Ｈ₇）₄）を夫々貯蔵するタンク１４を備えるととも
に、気化操作に必要な加熱装置１５を夫々のタンク１４
に備えて構成されている。例えば、気化温度は記載順
に、１３５℃、３０℃、３０℃に設定されて、金属化合
物ガスｇ１が生成される。これらの有機金属化合物は常
温において、液相もしくは固相を呈するとともに、分子
内に酸素を有し、さらに、金属と酸素の結合を有してい
る。この金属化合物ガスｇ１の搬送には不活性ガスであ
る窒素ガスＮ₂が使用される。さて、前述の予混合室７
には、保温手段１６が備えられており、この室７を金属
化合物ガス夫々の気化温度よりも高く、酸素非共存下で
の金属化合物ガスの熱分解温度よりも低い温度（上記の
金属化合物ガスの場合は、１５０℃前後）に維持する。
一方、酸化性ガスとしては、酸素あるいはオゾン等が使
用される。酸化性ガスは酸化性ガス供給路１７を介して
直接薄膜形成室６に導入される。そして、予混合室７と
酸化性ガス供給路１７の出口側で、薄膜形成室内に円錐
形の分散板７０が備えられている。

【００１２】以上が、装置１の概要であるが、以下装置
１の使用状態について説明する。基板近傍部は基板保持
台１０に備えられているセラミックヒータ１０ａにより
加熱されて約５００℃程度の温度域に保持され、各金属
化合物ガスｇ１が収納されているタンク１４より、予混
合室７に金属化合物ガスｇ１が供給されて作業が進めら
れる。この時、セラミックヒータ１０ａとエキシマレー
ザー１２は常時、作動している。ここで、金属化合物ガ
スｇ１の供給は、以下に詳述する工程を経て順次おこな
われるが、レーザーＣＶＤ薄膜形成装置１による膜形成
の概略を先ず説明する。供給された混合ガスｇ４は基板
上部域に拡散供給される。一方基板保持台１０からは、
遠赤外線Ｌが前述の混合ガスｇ４に向けて発っせられ
る。即ち、混合ガスｇ４は、この遠赤外線Ｌ及び前述の
レーザー光２よりエネルギーを受けて、分解・励起さ
れ、基板３上にＰＺＴ膜５となって成長する。このと
き、レーザー光２は活性酸素の形成に大きく寄与する。
このようにして基板３上における膜生成をおこなうこと
が可能となる。

【００１３】さて、本願が対象としているＰＺＴ膜５に
対しては、その結晶構造がペロブスカイト型のものとパ
イロクロア型のものがあることが知られている。強誘電
性薄膜としては前者のもののほうが好ましい。一般に前
者の型の膜を得るためには、熱ＣＶＤのみでおこなう場
合は、比較的高温の温度域で成膜を実行する必要がある
が、上述のようにレーザーＣＶＤ方式を採用する場合
は、レーザーにより成膜エネルギーが供給される点、活
性酸素が生成されやすい等の点から成膜を５００℃以下
でおこなうことが可能となる。これは、基板３上に形成
されているＡｌ回路への熱的影響、蒸気圧の異なる複数
の金属酸化物を含む薄膜における、組成の安定（蒸気圧
の高い特定の元素が気相中に脱離して、不安定な組成と
ならない。）等の観点から非常に好ましい。

【００１４】さて、図２にも示すように、本願で得られ
る膜は４層構造に形成される。即ち基板表面側から、熱
拡散防止層としての酸化チタン層（ＴｉＯ_a、ａ＝１．
０〜２．０）５１を備えるとともに、この層５１の上部
側に、鉛とチタンの複合酸化物（Ｐｂ_xＴｉ_yＯ_z、ｘ＝
０〜１．０、ｙ＝０〜１．０、ｚ＝１．０〜３．０）で
ある初期核を有する初期核層５２を備えるとともに、こ
の層５２の上部側に結晶構造がペロブスカイト型のＰＺ
Ｔ膜５を備えている。さらに、薄膜の表面に酸化チタン
層（ＴｉＯ_a、ａ＝１．０〜２．０）からなる保護膜４
０を備えている。

【００１５】以下、ガスの供給に関する作業手順を図３
のフローチャートに基づいて、工程順に説明する。＃１ＣＶＤ薄膜形成装置１の所定部位を減圧操作するととも
に、供給配管、予混合室７、原料ガスの加熱装置１５、
基板保持台１０を所定温度に昇温し、装置の立ち上げを
おこなう。＃２ＣＶＤ薄膜形成装置１の所定部位を常圧に回復させ、基
板保持台１０に基板３を設置する。ここで、基板３とし
ては、図３及び表１に示すようにＳｉ基板の表面にＳｉ
Ｏ₂層（図外）を設けたもの、さらには表面にＰｔスパ
ッタ蒸着表面層（図外）を設けたものを採用した。Ｐｔ
（１００）、Ｐｔ（１１１）は夫々結晶構造の異なるも
のを示している。＃３基板３を載置した後、ＣＶＤ薄膜形成装置１の所定部位
を減圧するとともに、反応圧力を所定圧に維持する。＃４成膜種に従って、キャリアガス流量、希釈ガス流量、酸
化性ガスである酸素流量を設定する。ここで、希釈ガス
とは、Ｎ₂（窒素）ガスであり、図１のｇ５で示すもの
である。＃５予混合室７を介して、チタニウムテトライソプロポキシ
ド（Ｔｉ(Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇)₄)のみを供給し、基板上にチ
タンの酸化膜（ＴｉＯ_a、ａ＝１．０〜２．０）５１を
酸化性ガスのない状態で成膜する。＃６次いでヒス−ジピバロイルメタネート鉛（Ｐｂ(ＤＰＭ)
₂) を供給し、鉛とチタンの複合酸化物（Ｐｂ_xＴｉ
_yＯ_z、ｘ＝０〜１．０、ｙ＝０〜１．０、ｚ＝１．０〜
３．０）を結晶の初期核を備えた初期核層５２を酸化性
ガスのない状態で形成する。（＃５、６工程を第一工程
と呼ぶ。）＃７引き続いて、上述の２種のガスとともに酸化性ガス（Ｏ
₂）を同時に供給し、通常の金属酸化物薄膜形成をおこ
なう。＃８この後、ジルコニウムテトラターシャルブトキシド（Ｚ
ｒ(Ｏ−ｔ−Ｃ₄Ｈ₉)₄)の供給を開始して、、三種の金属
化合物ガス〔ヒス−ジピバロイルメタネート鉛（Ｐｂ
(ＤＰＭ)₂) 、チタニウムテトライソプロポキシド（Ｔ
ｉ(Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇)₄)〕、ジルコニウムテトラターシャ
ルブトキシド（Ｚｒ(Ｏ−ｔ−Ｃ₄Ｈ₉)₄)と酸化性ガス
（Ｏ₂）を同時に供給し、所望の膜厚に応じて通常のＰ
ＺＴ膜５の成膜を実行する。この場合に成膜される膜厚
は２５０〜３００ｎｍ程度である。（＃８工程を第二工
程と呼ぶ。）＃９そして、成膜の最終段階において、チタニウムテトライ
ソプロポキシド（Ｔｉ(Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇)₄)と酸素のみを
供給して最表面に保護膜４０（ＴｉＯ_a、ａ＝１．０〜
２．０）を形成する。＃１０成膜を終了し、原料の供給を停止する。

【００１６】典型的なＭＯＣＶＤの実施条件を表１に示
した。

【００１７】

【表１】

【００１８】さらに、成膜時の各金属元素及び酸化性ガ
スの供給状況を図４に示した。本願の成膜においては、
レーザ光が成膜エネルギーの供給に使用される。従っ
て、膜組成が安全で、均一性の優れた良質の膜が得られ
る。さらに、表面に保護層を形成する場合においても、
レーザー光を利用することにより、安定で、均一性の良
好な膜が得られる。この時、熱エネルギーの供給を停止
し、レーザー光のみで保護層を形成してもよい。

【００１９】図５に、本願の方法で製作されるＰＺＴ薄
膜と従来の方法による薄膜のＸ線回折図が示されてい
る。図５（イ）が本願のものを、図５（ロ）が従来の熱
ＣＶＤによるもののＸ線回折図である。図５（イ）に示
すものはＰｔ／ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板上に、上述の方法で
基板温度４５０℃にてＰＺＴ薄膜を形成したものであ
り、得られた膜はペロブスカイト単一相となっており、
比誘電率も５００〜１０００と高い値を示した。一方、
図５（ロ）に示すものは、所謂熱ＣＶＤ手法を採用する
ものであり、基板温度を４５０℃に設定して得られるＰ
ＺＴ薄膜は、回折パターンより、低温で準安定相のパイ
ロクロア構造となっていることがわかる。さらに、比誘
電率も５０〜１００と低い値であった。

【００２０】〔別実施例〕本願の別実施例について以下
に箇条書きする。（イ）上記の実施例においては、酸化性ガス供給路１７
を予混合室７の周部に形成し、酸化性ガスが予混合ガス
をその周部より囲むようにして薄膜形成室６に供給した
が、図６に示すように、予混合室７を薄膜形成室６に直
結し、酸化性ガスを別部位より供給するものとしてもよ
い。（ロ）さらに、図７に示すように、基板３上に予混合ガ
スと酸化性ガスを均等に供給するために、供給路の先端
部にメッシュ等を張り巡らした均等分散装置１８を備え
てもよい。（ハ）さらに上記の実施例においては、レーザー光２を
金属化合物ガスの分解・励起手段として使用するレーザ
ーＣＶＤ装置に、本願の発明の構成を採用する例を示し
たが、本願の発明は、熱エネルギーを金属化合物ガス等
に供給して薄膜を形成するものに対しては、いかなるも
のに対しても適応することができる。こういったものの
例としては、単なる熱ＣＶＤ装置がある。（ニ）さらに上記の実施例においては、Ｓｉ基板上にＰ
ＺＴ膜を形成する例について説明したが、成膜できる対
象物としては、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃系の他、タンタ
ルを含む有機化合物等を原料とするもの等任意のものが
対象になるが、要するに金属化合物ガス中に、分子内に
酸素を有するものがある複数の原料を混合して成膜をお
こなう場合に、本願のＣＶＤ薄膜形成装置が良好に適応
できる。

【００２１】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願のＣＶＤ薄膜形成装置の構成を示す図

【図２】薄膜形成状態の断面図

【図３】成膜行程の行程図

【図４】膜を形成する金属及び酸素の供給状態のタイム
チャート

【図５】膜のＸ線回折図

【図６】ＣＶＤ薄膜形成装置の別実施構成を示す図

【図７】均等分配手段を備えた装置構成を示す図

【符号の説明】

２レーザー光３基板４薄膜６薄膜形成室１２レーザー光照射手段５１熱拡散防止層５２初期核層ｇ１金属化合物ガスｇ２酸化性ガス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者柳澤徹大阪府大阪市中央区平野町四丁目１番２号大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者森川茂京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会社関西新技術研究所内 (72)発明者小林孝京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会社関西新技術研究所内 (72)発明者佐伯登京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会社関西新技術研究所内 (72)発明者坂井久京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式会社関西新技術研究所内 (56)参考文献特開昭62−29131（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−71218（ＪＰ，Ａ) 特開平４−221078（ＪＰ，Ａ) 特開平５−136120（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/316 H01L 21/205

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数種の金属化合物ガス（ｇ１）と酸化
性ガス（ｇ２）とを薄膜形成室（６）内に供給し、前記
薄膜形成室（６）内に配設された基板（３）上に金属酸
化物薄膜（４）を形成するＣＶＤ薄膜形成方法であっ
て、酸素を分子内に有する金属化合物ガス（ｇ１）のみを前
記薄膜形成室（６）内に供給して、前記基板（３）と前
記金属化合物ガス（ｇ１）とを馴染ませる第一工程と、前記第一工程にひき続いて前記薄膜形成室（６）内に、
前記複数種の金属化合物ガス（ｇ１）と前記酸化性ガス
（ｇ２）を供給して薄膜を形成する第二工程を備えたＣ
ＶＤ薄膜形成方法。
【請求項２】前記第一行程において、高融点金属を含
有する前記金属化合物ガスを先に供給して前記基板表面
上に熱拡散防止層（５１）を形成した後、前記複数種の
金属化合物ガスのみを供給して、結晶成長のための初期
核層（５２）を形成する請求項１記載のＣＶＤ薄膜形成
方法。
【請求項３】前記熱拡散防止層（５１）が酸化チタン
（ＴｉＯ_a、ａ＝１．０〜２．０）層であるととも
に、前記初期核層（５２）が鉛とチタンの複合酸化物
（Ｐｂ_xＴｉ_yＯ_z、ｘ＝０〜１．０、ｙ＝０〜１．０、
ｚ＝１．０〜３．０）である請求項２記載のＣＶＤ薄膜
形成方法。
【請求項４】前記複数種の金属化合物ガス（ｇ１）
が、金属元素として鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ス
トロンチウム（Ｓｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔ
ｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる一種以上の金
属元素を含む有機金属化合物ガスで、前記酸化性ガスが
酸素又はオゾンであり、前記金属酸化物薄膜がペロブス
カイト構造を有する強誘電体薄膜である請求項１記載の
ＣＶＤ薄膜形成方法。
【請求項５】前記薄膜形成室（６）に、前記薄膜形成
対象の基板上方の空間にレーザー光（２）を照射するレ
ーザー光照射手段（１２）を備え、薄膜形成用のエネル
ギーが前記レーザー光（２）からも供給される請求項１
記載のＣＶＤ薄膜形成方法。