JPS60211074A - 導電膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
導電膜パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60211074A JPS60211074A JP6795184A JP6795184A JPS60211074A JP S60211074 A JPS60211074 A JP S60211074A JP 6795184 A JP6795184 A JP 6795184A JP 6795184 A JP6795184 A JP 6795184A JP S60211074 A JPS60211074 A JP S60211074A
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- JP
- Japan
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- light
- substrate
- mask
- pattern
- conductive film
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は１．基体上の所定の領域に導電膜を被着して導
電膜パターンを形成する方法に関する。
電膜パターンを形成する方法に関する。
基体上に金属導電膜を形成するには、従来一般に蒸着法
やスパッタリング法が用いられていた。
やスパッタリング法が用いられていた。
しかしスパッタリング法はもちろん、蒸着法でさえも導
電膜の構成原子が、かなり大きな運動エネルギーをもっ
て基体に衝突するため基体に損傷を与えるという現象が
ある＠特に半導体基板にこのような方法を実施した場合
、既に半導体基板中に作シ込まれたデバイスの特性を損
なう問題が生ずる。そのため蒸着あるいはスパッタリン
グ工程後に別の装置を用いて４００℃前後のアニール工
程を施さねばならなかった。さらに半導体基板上の導電
膜として多結晶半導体膜を利用することが行われる。こ
の場合従来は熱ＣＶＤ法により形成されるが、例えば多
結晶シリコンの場合成長温度は５５０〜６００℃と高い
ので室温に冷却されたときの膜中の内部応力が基板に影
醤を与えるという問題を有する。さらにこれらの方法に
よりパターンを形成することは、膜形成時にマスクを使
用しても、堆積粒子のマスク下側へのＭＤ込みのために
μｍ程度の微細なパターンを堆積工程と同時に形成する
とと蝶不可能でちゃ、−面に堆積した稜すソグラフイエ
程によってパターンを形成しなければならなかった。
電膜の構成原子が、かなり大きな運動エネルギーをもっ
て基体に衝突するため基体に損傷を与えるという現象が
ある＠特に半導体基板にこのような方法を実施した場合
、既に半導体基板中に作シ込まれたデバイスの特性を損
なう問題が生ずる。そのため蒸着あるいはスパッタリン
グ工程後に別の装置を用いて４００℃前後のアニール工
程を施さねばならなかった。さらに半導体基板上の導電
膜として多結晶半導体膜を利用することが行われる。こ
の場合従来は熱ＣＶＤ法により形成されるが、例えば多
結晶シリコンの場合成長温度は５５０〜６００℃と高い
ので室温に冷却されたときの膜中の内部応力が基板に影
醤を与えるという問題を有する。さらにこれらの方法に
よりパターンを形成することは、膜形成時にマスクを使
用しても、堆積粒子のマスク下側へのＭＤ込みのために
μｍ程度の微細なパターンを堆積工程と同時に形成する
とと蝶不可能でちゃ、−面に堆積した稜すソグラフイエ
程によってパターンを形成しなければならなかった。
本発明は、これらの問題を解決し、基体に機械的あるい
は熱的に影響を及ばずことなく、連続した工程で基体に
対して密着性の良好な導電膜パターンを形成する方法を
提供することを目的とする。
は熱的に影響を及ばずことなく、連続した工程で基体に
対して密着性の良好な導電膜パターンを形成する方法を
提供することを目的とする。
本発明によれば、基体を反応ガスを含むふん囲気に接触
させ、基体表面近傍に配置され所望の導電膜パターンと
同一の透光パターンを有するマスクを通して光を照射す
ることによシ反応エネルギーを与えて反応ガスよシ導電
膜パターンを気相成長させ、次いで導電膜に可視ないし
赤外領域の光を照射して熱エネルギーを与えるととＫよ
って上記の目的が達成される。反応エネルギーを与える
光としてはエネルギー値に対応する波長より短波長の光
を用い、吸収が著しくなるほど短い波長を避けて通常１
０００ないし６０００Ａの紫外ないし可視光が用いられ
る。
させ、基体表面近傍に配置され所望の導電膜パターンと
同一の透光パターンを有するマスクを通して光を照射す
ることによシ反応エネルギーを与えて反応ガスよシ導電
膜パターンを気相成長させ、次いで導電膜に可視ないし
赤外領域の光を照射して熱エネルギーを与えるととＫよ
って上記の目的が達成される。反応エネルギーを与える
光としてはエネルギー値に対応する波長より短波長の光
を用い、吸収が著しくなるほど短い波長を避けて通常１
０００ないし６０００Ａの紫外ないし可視光が用いられ
る。
シリコン基板上にｎ型多結晶シリコン展からなる配線パ
ターンを形成するための装置を示す第１図を引用して本
発明の実施例について説明する０１μｍの厚さの酸化シ
リコン膜を有するシリコン基板１を反応室２内の底板上
に載置し、ヒータ３によシ約２５０℃に加熱する。先ず
、反応室２内にマス７０−メータ４に流量制御された３
００ ｍｌ／ａｈのＳｉＨ，ガスをボンベ５よシ、１
０ ｍｌ／”のＰＨａＨｅガスンベ６よＦ） 、２００
０ ｍｌ／”のＨｅガスをボンベ７よシ導入し、真空ポ
ンプ８によシ排気して反応室２内を１０Ｔｏｒｒ前後の
圧力に保つ・そこえＡｒ＋レーザの波長５１４４Ａの発
振光９を、鏡ｌＯ、レンズ１１ならびに石英板に遮光パ
ターンをクロムで形成したマスク１２を介して基板１上
にパワー密度１０ｍ１安−で焦点を結ぶように入射させ
る。マスク１２は、基板上１■の位置に設置されており
、マスク位置でのパワー密度は、基板上でのパワー密度
に比べて’Ａｏ以上低いため多結晶シリコンはマスク１
２の上には堆積せず、シリコン基板１の上にのみマスク
パターン通シのｎ型多結晶シリコンの配線パターンが形
成される。次いで、反応室２内をボンベ１３からのＮ２
ガスふん囲気に切シ換えてから、鏡１０を回転させてＣ
Ｏ２ガスレーザの１０．６μｍの発振光１４を基板１に
照射し、基板温度の上昇を押えつつ、堆積多結晶シリコ
ン膜を熱処理して膜質、基板との密着性などを向上させ
ることができる。
ターンを形成するための装置を示す第１図を引用して本
発明の実施例について説明する０１μｍの厚さの酸化シ
リコン膜を有するシリコン基板１を反応室２内の底板上
に載置し、ヒータ３によシ約２５０℃に加熱する。先ず
、反応室２内にマス７０−メータ４に流量制御された３
００ ｍｌ／ａｈのＳｉＨ，ガスをボンベ５よシ、１
０ ｍｌ／”のＰＨａＨｅガスンベ６よＦ） 、２００
０ ｍｌ／”のＨｅガスをボンベ７よシ導入し、真空ポ
ンプ８によシ排気して反応室２内を１０Ｔｏｒｒ前後の
圧力に保つ・そこえＡｒ＋レーザの波長５１４４Ａの発
振光９を、鏡ｌＯ、レンズ１１ならびに石英板に遮光パ
ターンをクロムで形成したマスク１２を介して基板１上
にパワー密度１０ｍ１安−で焦点を結ぶように入射させ
る。マスク１２は、基板上１■の位置に設置されており
、マスク位置でのパワー密度は、基板上でのパワー密度
に比べて’Ａｏ以上低いため多結晶シリコンはマスク１
２の上には堆積せず、シリコン基板１の上にのみマスク
パターン通シのｎ型多結晶シリコンの配線パターンが形
成される。次いで、反応室２内をボンベ１３からのＮ２
ガスふん囲気に切シ換えてから、鏡１０を回転させてＣ
Ｏ２ガスレーザの１０．６μｍの発振光１４を基板１に
照射し、基板温度の上昇を押えつつ、堆積多結晶シリコ
ン膜を熱処理して膜質、基板との密着性などを向上させ
ることができる。
本発明は、上記の実施例にとどまらず、使用ガス、使用
光源を変えることによシ各種導電膜パターンを堆積し、
熱処理することができる０例えばＡＪ （ＣＨ３）３ガ
スを１０ ｍ１７ａｈ、 Ｈｅガスを２５００ ｍｌ／
”の流量で反応室内に導入し、反応室内を１００Ｔｏｒ
ｒ前後、シリコン基板温度を２５０℃前後に保ちながら
逓倍されたＡｒ＋レーザの２５７２Ｘの波長の光をマス
クを通して０．５ Ｍ９７／−のパワー密度で照射する
仁とによシ２０分間に厚さ１触アルミニウム膜のパター
ンを堆積させ、１０．６μｍ ＯＣＯ２ガスレーザ先ニ
よりアニールしてアルミニウム配線パターンを形成でき
る〇 〔発明の効果〕 本発明は、所望のパターンを透光領域とするマスクを通
る光を励起光とする光Ｃ■法と、光のエネルギーによる
アニールとを組み合わせて基体温度を高める必要なく微
細なパターンを形成、膜質および基体との密着性を向上
させることができる。
光源を変えることによシ各種導電膜パターンを堆積し、
熱処理することができる０例えばＡＪ （ＣＨ３）３ガ
スを１０ ｍ１７ａｈ、 Ｈｅガスを２５００ ｍｌ／
”の流量で反応室内に導入し、反応室内を１００Ｔｏｒ
ｒ前後、シリコン基板温度を２５０℃前後に保ちながら
逓倍されたＡｒ＋レーザの２５７２Ｘの波長の光をマス
クを通して０．５ Ｍ９７／−のパワー密度で照射する
仁とによシ２０分間に厚さ１触アルミニウム膜のパター
ンを堆積させ、１０．６μｍ ＯＣＯ２ガスレーザ先ニ
よりアニールしてアルミニウム配線パターンを形成でき
る〇 〔発明の効果〕 本発明は、所望のパターンを透光領域とするマスクを通
る光を励起光とする光Ｃ■法と、光のエネルギーによる
アニールとを組み合わせて基体温度を高める必要なく微
細なパターンを形成、膜質および基体との密着性を向上
させることができる。
これｋよ）基体へ損傷を与えることなく、シかも段差被
覆性に富み、基体との密着性のよい導電膜パターンを形
成することができるので、半導体工業のみならず他の工
業にも有効に適用することが可能である。
覆性に富み、基体との密着性のよい導電膜パターンを形
成することができるので、半導体工業のみならず他の工
業にも有効に適用することが可能である。
第１図は本発明の一実施例のための装置の断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・反応室、
５・・・・・・ＳｉＨ４ボンベ、６・・・・・・ＰＨ３
ボンベ、７・・・・・・Ｈｅボンベ、９・・・・・・Ａ
ｒ＋レーザ光、１０・・・・・・鏡、１２・・・・・・
マスク、１３・・・・・・Ｎ２ボンベ、１４・・・・・
・ＣＯ２ガスレーサ光。
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・反応室、
５・・・・・・ＳｉＨ４ボンベ、６・・・・・・ＰＨ３
ボンベ、７・・・・・・Ｈｅボンベ、９・・・・・・Ａ
ｒ＋レーザ光、１０・・・・・・鏡、１２・・・・・・
マスク、１３・・・・・・Ｎ２ボンベ、１４・・・・・
・ＣＯ２ガスレーサ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基体を反応ガスを含むふん囲気に接触させ、基体表
面近傍に配置され所望の導電膜ノくターンと同一の透光
パターンを有するマスクを通して光を照射することによ
シ反応エネルギーを与えて反応ガスよシ導電膜パターン
を気相成長させ、次いで導電膜に可視ないし赤外領域の
光を照射して熱エネルギーを与えることを特徴とする導
電膜ノくターンの形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、反応エ
ネルギーを与える光として波長１０００ないし６０００
Ｘの紫外ないし可視光を用いることを特徴とする導電膜
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6795184A JPS60211074A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6795184A JPS60211074A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211074A true JPS60211074A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH0114313B2 JPH0114313B2 (ja) | 1989-03-10 |
Family
ID=13359760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6795184A Granted JPS60211074A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211074A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477890A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6795184A patent/JPS60211074A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477890A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
| EP0477890A3 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-18 | Canon Kk | Processing method and apparatus |
| EP0908782A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method |
| US5962194A (en) * | 1990-09-26 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method and apparatus |
| US6025115A (en) * | 1990-09-26 | 2000-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing method for etching a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0114313B2 (ja) | 1989-03-10 |
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