JPS5961122A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS5961122A
JPS5961122A JP17202082A JP17202082A JPS5961122A JP S5961122 A JPS5961122 A JP S5961122A JP 17202082 A JP17202082 A JP 17202082A JP 17202082 A JP17202082 A JP 17202082A JP S5961122 A JPS5961122 A JP S5961122A
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JP
Japan
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light
gas
phase
laser light
semiconductor substrate
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JP17202082A
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Takashi Ito
隆司 伊藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、気相中に於ＬＪる反応を利用して被膜を形成
或いはそれ等をエツチングする工程が含まれる半導体装
置の製造方法に関する。
従来技術と問題点 一般に、半導体装置の製造」１程に於いて、薄膜形成及
びそれ等のエツチングは極めて重要な技術である。
（ｊ（Ｈ来、薄膜の形成には、スパッタ法など物理的エ
ネルギを使用するものと真空蒸着法、気相成長法、熱酸
化法など熱エネルギを使用するものが多い。薄膜等のエ
ツチングには、溶液或いはガス中での化学反応を利用す
るもの或いはスパッタ法やイオン・ミリング法など物理
的エネルギを利用するものが知られている。
通常、熱エネルギを使用する場合は、半導体基板を高温
に加熱する必要がある為、半導体基板に結晶欠陥をもた
らしたり、大口径基板であると熱歪が発生したり反りが
出たりする欠点があり、また、スパッタ法など物理的エ
ネルギを利用する場合には、半導体基板或いは成長する
薄膜に損傷を生ずる問題がある。
これ等の問題を解決し、低塩工程で、しかも、コスト高
になることなく半導体装置を製造する為、従来の熱エネ
ルギ或いは物理的エネルギに代えて光エネルギを利用す
ることが期待されている。
これは、気相中の半導体基板なと反応系に反応の活性化
エネルギを越えるフォトン・エネルギを有する光ビーム
を照射し、光化学的に反応を進行させるものである。
然し乍ら、従来のＰ（シ的或いは物理的エネルギを利用
する反応系に於いて光ビームの照射を行なった場合は実
用的な速度で薄膜を成長させたりそれ等のエツチングを
行なったりすることは什しい。
勿論、光ビームの強度を増大させたり、補助的な加熱源
を設りたりすれば実用的な速度を得ることも可能ではあ
るが、装置が著しく高価になったり、取り扱いが複雑に
なったりして実用化の上で新たな問題が生ずる。
発明の目的 本発明は、半導体装置の製造方法に於いて、気相中での
反応を利用する被膜の形成或いはそれ等のエツチングを
行なうに際し、光ビームを照射して光化学的に反応を進
行する技法を利用し、しかも、その反応速度を特殊な装
置や複Ｓ′１（な工稈を採ることなく向」−するもので
ある。
発明の構成 本発明は、気相反応系に光ビームを照射して反応を促進
させる場合、実用的な速度が得られないのば該気相反応
系の光エネルギの吸収が少ないことに起因していること
を確認し、斯かる知見を基に、気相雰囲気を大気圧以上
に加圧した状態となし、その中に固相基体を配置して光
ビーム照射を行なうことで、光の吸収を増大せしめ、気
相の反応或いは気相と前記固相基体との反応を進行させ
るものである。従って、本発明は、従来の気相成長法、
気相エピタキシャル成長法、気相エツチング法等に応用
できる。
発明の実施例 図は本発明を実施する装置の一実施例を表わすものであ
り、次に、この図を参照しつつ本発明の一実施例を説明
する。尚、本実施例は非晶質シリコンの成長を行なう場
合である。
図に於いて、■は反応室、２はガス送入コック、３はガ
ス排出コック、４は基体支持台、５はシリコン半導体基
板、６は光透過窓、７ばレーザ光源、８はミラーをそれ
ぞれ示す。
この装置に於いて、コック２を開き、アルゴン（Ａｒ）
ガスで希釈したモノシラン（ＳｉＨ＋）ガスを導入する
。反応室１の内部は１０（気圧〕程度が適当であるが、
装置に対応して気圧を上下させることは任意である。
レーザ光源７からは波長１９３（ｎｍ）の光ビームが放
射され、その光ビームはミラー８を用いた機構でンリコ
ジ半導体基板５の表面を一様に走査するよう偏向される
。面、光透過窓６は紫外光を通過させなければならない
ので石英を用いることが好ましい。
Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスに於ける５ｔ−Ｈ結合の平均的エネル
ギは３．６　（ｅＶ）であり、波長にすると４０４（ｎ
ｍ）に相当するので、１９３（ｎｍ）のレーザ光で容易
に解離することができる。
このような状態に於いて、反応室１の内部は高濃度のＳ
ｉＨ４が充満しているので入射するレーザ光は効率良く
吸収され、シリコン半導体基板５の表面に非晶質のシリ
コンを成長さ−ヒることができる。
本実施例に於いては特に基板加熱はせずに従来の熱的な
方法と変らない速度で薄膜を成長させることができる。
因に、従来の方法に依ると基板温度は５００（℃）程度
にしている。
また、前記実施例では、光ビームとしてレーザ光を使用
したが、これに限定されることなく、例えば、干渉性ラ
ンプ光でもフ、ｒ　）ン・エネルギが充分高ければ使用
することができる。
更にまた、フォトン・エネルギとしてガス分子の結合エ
ネルギ以上の値のエネルギを適用しているが、マルチ・
フォトン吸収に依って結合の解離或いは反応を進めるこ
とも可能である。
発明の効果 本発明に依れば、半導体装置を製造するに際し、固相基
体が配置された反応室内に大気圧より高く加圧された気
相を生成し、該気相及び固相基体に光を照射し気相反応
或いは気相と固相との反応で被膜の成長或いは固相基体
のエツチングを行なうものであり、気相を大気圧より高
くすることに依り、光エネルギを充分に吸収させ、反応
速度を向上させることができるので、この種の技法を使
用する半導体装置の製造方法を実用化することができる
。
【図面の簡単な説明】
図は本発明を実施する装置の一実施例を表わす要部説明
図である。 図に於いて、】は反応室、２はガス送入コック、３はガ
ス排出コック、４は基体支持台、５はシリコン半導体基
板、６は光透過窓、７はレーザ光源１．８はミラーであ
る。 特許出願人　　　富士通株式会社 代理人弁理士　　工具　久五部 （外３名）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 面相基体が配置された反応室内に大気圧より高く加圧さ
    れた気相を生成し、該気相及び固相基体に光を照射し気
    相反応或いは気相と固相との反応で被膜の成長或いは固
    相基体のエツチングを行な・う工程が含まれてなること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP17202082A 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置の製造方法 Pending JPS5961122A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60216549A (ja) * 1984-04-12 1985-10-30 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61196525A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Toshiba Corp 半導体エピタキシヤル成長装置
CN107887778A (zh) * 2012-05-22 2018-04-06 科磊股份有限公司 使用193nm激光器的固态激光器及检验系统

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