JPS59194427A - 光cvd装置 - Google Patents

光cvd装置

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JPS59194427A
JPS59194427A JP6855583A JP6855583A JPS59194427A JP S59194427 A JPS59194427 A JP S59194427A JP 6855583 A JP6855583 A JP 6855583A JP 6855583 A JP6855583 A JP 6855583A JP S59194427 A JPS59194427 A JP S59194427A
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JP
Japan
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window
nozzle
reaction
substrate
gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP6855583A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Sato
真一 佐藤
Kenji Takayama
健司 高山
Keiji Fujiwara
啓司 藤原
Hideaki Itakura
秀明 板倉
Masahiro Hatanaka
畑中 正宏
Kuniaki Miyake
邦明 三宅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS59194427A publication Critical patent/JPS59194427A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/02373Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381Silicon, silicon germanium, germanium
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、光照射による反応ガスの光化学反応tJl用
して基板上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜
などの絶縁膜やその他の薄膜を成長きせる光CVD(C
hemical Vapour Deposition
)装置に関し、特に成長時に反応室の入射窓へ反応生成
物が付着するのを防止するようにした光CVD装置に関
するものである。
〔従来技術〕
従来の光CVD装置としてアモルファスシリコンを成長
させる場合を例にとって第1図に示して説明する。この
装置は、第1図に示すように、光を発生する光源として
の低圧水銀ランプ(1)と、この水銀ランプ(1)よシ
の光(2)が入射窓(4)を通して照射でれる反応室(
3)とを備え、反応室(3)内の基板支持台(5)に支
持された基板αQ上に反応ガスとしてモノシラン(8i
H+)を配管用ノズル(6)から流し、排気管(7)を
通して真空ポンプにて排気してその反応室(3)内を0
.5〜1.QTorrの圧力に保つ。この状態で低圧水
銀ランプ(1)よ多発生する光(2)を入射窓(4)を
通して反応室(3)内の基板QOI上に照射することに
よシ、その光エネルギーによって上記反応ガスが分解し
て基板Q(l上にアモルファスシリコンを成長させるよ
うに構成されている。なお、このとき、入射窓(4)は
、水銀ランプ(1)からの波長λ−2537A、光子エ
ネルギーhシー 4.9 eVの光を通すために石英で
作られ、光源室(8)との仕切り部を兼ねている。第1
図中、矢印(イ)は反応ガスの吹出し方向を、同じく矢
印Qυは排気方向を示している。
しかしながら、このような従来の光CVD装置において
は、反応室(3)内に置かれた基板Ql上に光を照射し
てアモルファスシリコンを成長させる場合、一定時間後
に、反応室(3)内で生成される反応生成物(9)が入
射窓(4)の面上に付着し1光の通過を妨げてしまうた
め、成長が停止してしまう問題があった。
〔発明の概要〕
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、反応ガス
を吹出すノズルを反応室内の基板近くまで近づける一方
、別のノズルを基板から遠ざけて入射窓の近くに設け、
そのノズルから不活性ガスを入射窓の面上に吹付けるこ
とによシ、その入射窓の面上において反応生成物が付着
するのを防止するようにした光CVD装置を提供するこ
とを目的としている。以下、本発明の実施例を図に基い
て説明する。
〔発明の実施例〕
第2図は本発明の一実施例による光CVD装置を示す概
略構成図であシ、同図におG′)て第1図と同一または
相当部分は同一符号を付しである。第1図との異なる点
は、反応/JスとしてSiH4を流す配管用ノズル(6
)を反応室(2)内に置かれる基板(1(1の近くまで
近づけて配設し、基板aりから遠く離して入射窓(4)
の面上に不活性ガスとしてアルゴン(Ar )ガスを吹
出すように設けられた配管用ノズル(IDを配設して、
基板αQを支持する基板支持台(5)の下方から・排気
を行うようにしたことにある。なお、第2図中、aっは
各々のノズル(61およびaQを保持する保持体であシ
、矢印(23は各ノズル(tυよシ吹出される不活性ガ
スの方向を示している。
このように、上記実施例の構成によると、従来と同様の
条件下で基板支持台(5)上に置かれた基板Q(lの面
上にアモルファスシリコンを成長させる場合、各ノズル
α〃よシ吹出されるArガスがたえず入射窓(4)の面
上を覆っておシ、排気管(7)側へ流れるため、反応生
成物は入射窓(4)の面上には付着しなくなる。そのた
め、低圧水銀ランプ(1)から発生した光(2)は常に
反応室(3)内に供給され、アモルファスシリコンの成
長速度を一定に保つことができる。
なお、上記した実施例では光源として低圧水銀ランプ(
1)のみを用いる場合について示したが、第3図に示す
ように、2個の低圧水銀ランプ(1)とレーザ発生器α
2とを組合わせた場合や、反応室(3)内に流す反応ガ
スを5iHaと組合せた場合、あるいはシリコン窒化膜
生成の場合のように、 SiH4とN20の2種のガス
を流す際には、同様のノズル(6)、 (6a)、(6
b)と各ノズル(IIJを上、下に別の箇所にて設定し
てもよい。
また、第4図の如く、基板(101を垂直に立てて大量
処理を行うように基板支持台(5)をその長手方向へ長
くした場合、それに対応させて各ノズル(6)およびα
υを上述と同様に配設してもよい。さらに、上述ではア
モルファスシリコンまたはシリコン窒化膜を成長きせる
場合を例にとって示したが、それ以外の膜を反応ガスの
光化学反応を利用して成長させる場合にも同様に適用し
得ることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の光CVD装置によれば、
反応ガス用のノズルと不活性ガス用のノズルを反対方向
に離して別々に設け、そのノズルより不活性ガスを入射
窓の面上に吹付けるようにしたので、反応生成物が入射
窓へ付着を防止でき、したがって、アモルファスシリコ
ンなどの膜の成長速度を一定に保つことができる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光CV D装置の一例を示す概略断面図
、第2図は本発明の一実施例による光CVD装置の概略
断面図、嬉3図および第4図は本発明の他の実施例によ
る光CVD装置の概略断面図である。 (1)・・・・低圧水銀ランプ、(3)・・・・反応室
、(4)・・・・入射窓、(5)・・・・基板支゛持台
、(6)。 (6a)、(6b)φΦ拳・反応ガス用ノズル、(7)
・・・・排気管、aQ・−・・基板、αυ・・・・不活
性ガス用ノズル、(1り・・・・レーザ発生器。 代理人 大岩増雄 +%:HX1叩 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 反応室内に基板を配置し、その基板上に光源からの光を
    反応室の入射窓を通して照射することによシ、反応ガス
    の光化学反応を利用して基板上に膜を成長させる光CV
    D装置において、反応室内に不活性ガスを前記入射窓の
    面上に吹付けるためのノズルを設け、膜の成長時に前記
    ノズルから不活性ガスを入射窓に吹付けることによシ、
    その面上への反応生成物の付着するのを防止するように
    したことを特徴とする光CVD装置。
JP6855583A 1983-04-18 1983-04-18 光cvd装置 Pending JPS59194427A (ja)

Priority Applications (1)

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JP6855583A JPS59194427A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 光cvd装置

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JP6855583A JPS59194427A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 光cvd装置

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Publication Number Publication Date
JPS59194427A true JPS59194427A (ja) 1984-11-05

Family

ID=13377119

Family Applications (1)

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JP6855583A Pending JPS59194427A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 光cvd装置

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JP (1) JPS59194427A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61183920A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd レ−ザまたは光による半導体、金属の加工装置
US6064800A (en) * 1996-02-02 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61183920A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd レ−ザまたは光による半導体、金属の加工装置
US6064800A (en) * 1996-02-02 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
US6232580B1 (en) 1996-02-02 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes

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