JPS59194427A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS59194427A JPS59194427A JP6855583A JP6855583A JPS59194427A JP S59194427 A JPS59194427 A JP S59194427A JP 6855583 A JP6855583 A JP 6855583A JP 6855583 A JP6855583 A JP 6855583A JP S59194427 A JPS59194427 A JP S59194427A
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- Japan
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- window
- nozzle
- reaction
- substrate
- gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光照射による反応ガスの光化学反応ｔＪｌ用
して基板上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜
などの絶縁膜やその他の薄膜を成長きせる光ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）装置に関し、特に成長時に反応室の入射窓へ反応生成
物が付着するのを防止するようにした光ＣＶＤ装置に関
するものである。
して基板上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜
などの絶縁膜やその他の薄膜を成長きせる光ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）装置に関し、特に成長時に反応室の入射窓へ反応生成
物が付着するのを防止するようにした光ＣＶＤ装置に関
するものである。
従来の光ＣＶＤ装置としてアモルファスシリコンを成長
させる場合を例にとって第１図に示して説明する。この
装置は、第１図に示すように、光を発生する光源として
の低圧水銀ランプ（１）と、この水銀ランプ（１）よシ
の光（２）が入射窓（４）を通して照射でれる反応室（
３）とを備え、反応室（３）内の基板支持台（５）に支
持された基板αＱ上に反応ガスとしてモノシラン（８ｉ
Ｈ＋）を配管用ノズル（６）から流し、排気管（７）を
通して真空ポンプにて排気してその反応室（３）内を０
．５〜１．ＱＴｏｒｒの圧力に保つ。この状態で低圧水
銀ランプ（１）よ多発生する光（２）を入射窓（４）を
通して反応室（３）内の基板ＱＯＩ上に照射することに
よシ、その光エネルギーによって上記反応ガスが分解し
て基板Ｑ（ｌ上にアモルファスシリコンを成長させるよ
うに構成されている。なお、このとき、入射窓（４）は
、水銀ランプ（１）からの波長λ−２５３７Ａ、光子エ
ネルギーｈシー ４．９ ｅＶの光を通すために石英で
作られ、光源室（８）との仕切り部を兼ねている。第１
図中、矢印（イ）は反応ガスの吹出し方向を、同じく矢
印Ｑυは排気方向を示している。
させる場合を例にとって第１図に示して説明する。この
装置は、第１図に示すように、光を発生する光源として
の低圧水銀ランプ（１）と、この水銀ランプ（１）よシ
の光（２）が入射窓（４）を通して照射でれる反応室（
３）とを備え、反応室（３）内の基板支持台（５）に支
持された基板αＱ上に反応ガスとしてモノシラン（８ｉ
Ｈ＋）を配管用ノズル（６）から流し、排気管（７）を
通して真空ポンプにて排気してその反応室（３）内を０
．５〜１．ＱＴｏｒｒの圧力に保つ。この状態で低圧水
銀ランプ（１）よ多発生する光（２）を入射窓（４）を
通して反応室（３）内の基板ＱＯＩ上に照射することに
よシ、その光エネルギーによって上記反応ガスが分解し
て基板Ｑ（ｌ上にアモルファスシリコンを成長させるよ
うに構成されている。なお、このとき、入射窓（４）は
、水銀ランプ（１）からの波長λ−２５３７Ａ、光子エ
ネルギーｈシー ４．９ ｅＶの光を通すために石英で
作られ、光源室（８）との仕切り部を兼ねている。第１
図中、矢印（イ）は反応ガスの吹出し方向を、同じく矢
印Ｑυは排気方向を示している。
しかしながら、このような従来の光ＣＶＤ装置において
は、反応室（３）内に置かれた基板Ｑｌ上に光を照射し
てアモルファスシリコンを成長させる場合、一定時間後
に、反応室（３）内で生成される反応生成物（９）が入
射窓（４）の面上に付着し１光の通過を妨げてしまうた
め、成長が停止してしまう問題があった。
は、反応室（３）内に置かれた基板Ｑｌ上に光を照射し
てアモルファスシリコンを成長させる場合、一定時間後
に、反応室（３）内で生成される反応生成物（９）が入
射窓（４）の面上に付着し１光の通過を妨げてしまうた
め、成長が停止してしまう問題があった。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、反応ガス
を吹出すノズルを反応室内の基板近くまで近づける一方
、別のノズルを基板から遠ざけて入射窓の近くに設け、
そのノズルから不活性ガスを入射窓の面上に吹付けるこ
とによシ、その入射窓の面上において反応生成物が付着
するのを防止するようにした光ＣＶＤ装置を提供するこ
とを目的としている。以下、本発明の実施例を図に基い
て説明する。
を吹出すノズルを反応室内の基板近くまで近づける一方
、別のノズルを基板から遠ざけて入射窓の近くに設け、
そのノズルから不活性ガスを入射窓の面上に吹付けるこ
とによシ、その入射窓の面上において反応生成物が付着
するのを防止するようにした光ＣＶＤ装置を提供するこ
とを目的としている。以下、本発明の実施例を図に基い
て説明する。
第２図は本発明の一実施例による光ＣＶＤ装置を示す概
略構成図であシ、同図におＧ′）て第１図と同一または
相当部分は同一符号を付しである。第１図との異なる点
は、反応／ＪスとしてＳｉＨ４を流す配管用ノズル（６
）を反応室（２）内に置かれる基板（１（１の近くまで
近づけて配設し、基板ａりから遠く離して入射窓（４）
の面上に不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ ）ガスを吹
出すように設けられた配管用ノズル（ＩＤを配設して、
基板αＱを支持する基板支持台（５）の下方から・排気
を行うようにしたことにある。なお、第２図中、ａっは
各々のノズル（６１およびａＱを保持する保持体であシ
、矢印（２３は各ノズル（ｔυよシ吹出される不活性ガ
スの方向を示している。
略構成図であシ、同図におＧ′）て第１図と同一または
相当部分は同一符号を付しである。第１図との異なる点
は、反応／ＪスとしてＳｉＨ４を流す配管用ノズル（６
）を反応室（２）内に置かれる基板（１（１の近くまで
近づけて配設し、基板ａりから遠く離して入射窓（４）
の面上に不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ ）ガスを吹
出すように設けられた配管用ノズル（ＩＤを配設して、
基板αＱを支持する基板支持台（５）の下方から・排気
を行うようにしたことにある。なお、第２図中、ａっは
各々のノズル（６１およびａＱを保持する保持体であシ
、矢印（２３は各ノズル（ｔυよシ吹出される不活性ガ
スの方向を示している。
このように、上記実施例の構成によると、従来と同様の
条件下で基板支持台（５）上に置かれた基板Ｑ（ｌの面
上にアモルファスシリコンを成長させる場合、各ノズル
α〃よシ吹出されるＡｒガスがたえず入射窓（４）の面
上を覆っておシ、排気管（７）側へ流れるため、反応生
成物は入射窓（４）の面上には付着しなくなる。そのた
め、低圧水銀ランプ（１）から発生した光（２）は常に
反応室（３）内に供給され、アモルファスシリコンの成
長速度を一定に保つことができる。
条件下で基板支持台（５）上に置かれた基板Ｑ（ｌの面
上にアモルファスシリコンを成長させる場合、各ノズル
α〃よシ吹出されるＡｒガスがたえず入射窓（４）の面
上を覆っておシ、排気管（７）側へ流れるため、反応生
成物は入射窓（４）の面上には付着しなくなる。そのた
め、低圧水銀ランプ（１）から発生した光（２）は常に
反応室（３）内に供給され、アモルファスシリコンの成
長速度を一定に保つことができる。
なお、上記した実施例では光源として低圧水銀ランプ（
１）のみを用いる場合について示したが、第３図に示す
ように、２個の低圧水銀ランプ（１）とレーザ発生器α
２とを組合わせた場合や、反応室（３）内に流す反応ガ
スを５ｉＨａと組合せた場合、あるいはシリコン窒化膜
生成の場合のように、 ＳｉＨ４とＮ２０の２種のガス
を流す際には、同様のノズル（６）、 （６ａ）、（６
ｂ）と各ノズル（ＩＩＪを上、下に別の箇所にて設定し
てもよい。
１）のみを用いる場合について示したが、第３図に示す
ように、２個の低圧水銀ランプ（１）とレーザ発生器α
２とを組合わせた場合や、反応室（３）内に流す反応ガ
スを５ｉＨａと組合せた場合、あるいはシリコン窒化膜
生成の場合のように、 ＳｉＨ４とＮ２０の２種のガス
を流す際には、同様のノズル（６）、 （６ａ）、（６
ｂ）と各ノズル（ＩＩＪを上、下に別の箇所にて設定し
てもよい。
また、第４図の如く、基板（１０１を垂直に立てて大量
処理を行うように基板支持台（５）をその長手方向へ長
くした場合、それに対応させて各ノズル（６）およびα
υを上述と同様に配設してもよい。さらに、上述ではア
モルファスシリコンまたはシリコン窒化膜を成長きせる
場合を例にとって示したが、それ以外の膜を反応ガスの
光化学反応を利用して成長させる場合にも同様に適用し
得ることは勿論である。
処理を行うように基板支持台（５）をその長手方向へ長
くした場合、それに対応させて各ノズル（６）およびα
υを上述と同様に配設してもよい。さらに、上述ではア
モルファスシリコンまたはシリコン窒化膜を成長きせる
場合を例にとって示したが、それ以外の膜を反応ガスの
光化学反応を利用して成長させる場合にも同様に適用し
得ることは勿論である。
以上説明したように、本発明の光ＣＶＤ装置によれば、
反応ガス用のノズルと不活性ガス用のノズルを反対方向
に離して別々に設け、そのノズルより不活性ガスを入射
窓の面上に吹付けるようにしたので、反応生成物が入射
窓へ付着を防止でき、したがって、アモルファスシリコ
ンなどの膜の成長速度を一定に保つことができる効果が
ある。
反応ガス用のノズルと不活性ガス用のノズルを反対方向
に離して別々に設け、そのノズルより不活性ガスを入射
窓の面上に吹付けるようにしたので、反応生成物が入射
窓へ付着を防止でき、したがって、アモルファスシリコ
ンなどの膜の成長速度を一定に保つことができる効果が
ある。
第１図は従来の光ＣＶ Ｄ装置の一例を示す概略断面図
、第２図は本発明の一実施例による光ＣＶＤ装置の概略
断面図、嬉３図および第４図は本発明の他の実施例によ
る光ＣＶＤ装置の概略断面図である。 （１）・・・・低圧水銀ランプ、（３）・・・・反応室
、（４）・・・・入射窓、（５）・・・・基板支゛持台
、（６）。 （６ａ）、（６ｂ）φΦ拳・反応ガス用ノズル、（７）
・・・・排気管、ａＱ・−・・基板、αυ・・・・不活
性ガス用ノズル、（１り・・・・レーザ発生器。 代理人 大岩増雄 ＋％：ＨＸ１叩 第２図
、第２図は本発明の一実施例による光ＣＶＤ装置の概略
断面図、嬉３図および第４図は本発明の他の実施例によ
る光ＣＶＤ装置の概略断面図である。 （１）・・・・低圧水銀ランプ、（３）・・・・反応室
、（４）・・・・入射窓、（５）・・・・基板支゛持台
、（６）。 （６ａ）、（６ｂ）φΦ拳・反応ガス用ノズル、（７）
・・・・排気管、ａＱ・−・・基板、αυ・・・・不活
性ガス用ノズル、（１り・・・・レーザ発生器。 代理人 大岩増雄 ＋％：ＨＸ１叩 第２図
Claims (1)
- 反応室内に基板を配置し、その基板上に光源からの光を
反応室の入射窓を通して照射することによシ、反応ガス
の光化学反応を利用して基板上に膜を成長させる光ＣＶ
Ｄ装置において、反応室内に不活性ガスを前記入射窓の
面上に吹付けるためのノズルを設け、膜の成長時に前記
ノズルから不活性ガスを入射窓に吹付けることによシ、
その面上への反応生成物の付着するのを防止するように
したことを特徴とする光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6855583A JPS59194427A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6855583A JPS59194427A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194427A true JPS59194427A (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13377119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6855583A Pending JPS59194427A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183920A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レ−ザまたは光による半導体、金属の加工装置 |
| US6064800A (en) * | 1996-02-02 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP6855583A patent/JPS59194427A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183920A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レ−ザまたは光による半導体、金属の加工装置 |
| US6064800A (en) * | 1996-02-02 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes |
| US6232580B1 (en) | 1996-02-02 | 2001-05-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes |
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