JPS59194426A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS59194426A JPS59194426A JP6855383A JP6855383A JPS59194426A JP S59194426 A JPS59194426 A JP S59194426A JP 6855383 A JP6855383 A JP 6855383A JP 6855383 A JP6855383 A JP 6855383A JP S59194426 A JPS59194426 A JP S59194426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- window
- mirror
- transmission window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光照射による反応ガスの光化学反応を利用し
て基板上に絶縁膜などの薄膜を堆積する光ＣＶＤ （Ｃ
ｈｅｍ ｔｅａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ ）装置に関するものである。
て基板上に絶縁膜などの薄膜を堆積する光ＣＶＤ （Ｃ
ｈｅｍ ｔｅａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ ）装置に関するものである。
近年、ＬＳＩなどの半導体装置の高集積、微細化に伴っ
て半導体製造工程における処理温度の低温化が要望され
、その薄膜形成技術として光ＣＶＤ装置が研究開発され
ている。
て半導体製造工程における処理温度の低温化が要望され
、その薄膜形成技術として光ＣＶＤ装置が研究開発され
ている。
従来よシ知られている光ＣＶＤ装置の概略構造を第１図
に示してその概要を説明する。同図において、（１）は
光源としての水銀ランプ、（２）は水銀ランプ（１）か
らの光の透過によシ反応ガスを反応させるための石英管
などからなる反応室、（３）は水銀ランプ（１）からの
特定波長の光を透過させるための透過窓、（４）は反応
ガスを反応室（２）内に導入するガス導入口、（５）は
反応室（２）内の圧力を下けるだめの排気口、（６）は
反応室（２）内に配置される基板支持台、（７）はこの
支持台（６）上に支持されるウェハとしての基板である
。なお、（８）は水銀ランプ（１）よシ放射される光線
である。
に示してその概要を説明する。同図において、（１）は
光源としての水銀ランプ、（２）は水銀ランプ（１）か
らの光の透過によシ反応ガスを反応させるための石英管
などからなる反応室、（３）は水銀ランプ（１）からの
特定波長の光を透過させるための透過窓、（４）は反応
ガスを反応室（２）内に導入するガス導入口、（５）は
反応室（２）内の圧力を下けるだめの排気口、（６）は
反応室（２）内に配置される基板支持台、（７）はこの
支持台（６）上に支持されるウェハとしての基板である
。なお、（８）は水銀ランプ（１）よシ放射される光線
である。
かかる光ＣＶＤ装置において膜を堆積させるには、反応
室（２）内を排出口（５）よシ真空ポンプで排気して低
圧化にし、その反応室（２）内にガス導入口（４）から
モノシラン（Ｓ Ｉｎ２ ）などの反応ガスを入れ、反
応室（２）内をそのガス雰囲気にする。そとへ水銀ラン
プ（１）から放射される光を透過窓（３）を通して基板
（７）上に照射させると、上記ガスが水銀ランプ（１）
よシ放射してくる特定波長の光のエネルギーを吸収して
ガスの分解反応、つまシ光化学反応が起こる。
室（２）内を排出口（５）よシ真空ポンプで排気して低
圧化にし、その反応室（２）内にガス導入口（４）から
モノシラン（Ｓ Ｉｎ２ ）などの反応ガスを入れ、反
応室（２）内をそのガス雰囲気にする。そとへ水銀ラン
プ（１）から放射される光を透過窓（３）を通して基板
（７）上に照射させると、上記ガスが水銀ランプ（１）
よシ放射してくる特定波長の光のエネルギーを吸収して
ガスの分解反応、つまシ光化学反応が起こる。
このとき、その反応によシ反応室（２）内に置かれた基
板（力士に膜が堆積し、反応ガスの種類に応じて酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜などの薄膜を所定の膜厚で形
成することができる。
板（力士に膜が堆積し、反応ガスの種類に応じて酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜などの薄膜を所定の膜厚で形
成することができる。
しかしながら、このような従来の光ＣＶＤ装置では、膜
を堆積させる際、透過窓（３）が直接、反応ガス雰囲気
中に置かれているためにその面に反応生成物が付着した
シして透過窓（３）が曇ってしまい、その結果、交換、
洗浄の頻度が高くなったシ、また膜厚を厚くすることが
困難になるなどの欠点があった。
を堆積させる際、透過窓（３）が直接、反応ガス雰囲気
中に置かれているためにその面に反応生成物が付着した
シして透過窓（３）が曇ってしまい、その結果、交換、
洗浄の頻度が高くなったシ、また膜厚を厚くすることが
困難になるなどの欠点があった。
本発明は、以上の点に鑑み、このような従来の欠点を除
去するためになされたもので、光源から放射されてくる
光をレンズ、ミラーなどからなる反射光学系を用いて反
射光にすることによシ、透過窓が反応ガス雰囲気下に置
かれないようにしたことで、透過窓の曇υを少なくする
ことのできる光ＣＶＤ装置を提供することを目的として
いる。以概略構造を示す断面図である。第２図において
第１図と同一または相当部分は同一符号を付してあり、
（９）は水銀ランプ（１）の光線を収束させるための収
束レンズ、Ｃｌ０）は反応室（２）の透過窓（２）と基
板（７）との間に設けられた球面ミラーであって、その
中央には収束レンズ（９）からの収束光を入射させる入
射穴Ｉがあけである。そして球面ミラーαＱの底部が反
応室（２）の側壁に取付けられている。また、（１２１
は入射光を球面ミラー顛に反射させ基板（力士に照射さ
せるだめの凸面ミラーである。なお、凸面ミラーａりか
らの反射光はすべて球面ミラー（１０）に到達し、その
球面ミラーＱＯでのあらゆる反射光は基板（７）の全面
を完全に照射することのできるように、水銀ランプ（１
）の光線に対し収束レンズ（９）と球面ミラーＱＯ）お
よび凸面ミラーαりの位置関係が設定されている０ 次に上記実施例の動作について説明する。ここで、膜を
堆積させる基本原理は従来と同様である。
去するためになされたもので、光源から放射されてくる
光をレンズ、ミラーなどからなる反射光学系を用いて反
射光にすることによシ、透過窓が反応ガス雰囲気下に置
かれないようにしたことで、透過窓の曇υを少なくする
ことのできる光ＣＶＤ装置を提供することを目的として
いる。以概略構造を示す断面図である。第２図において
第１図と同一または相当部分は同一符号を付してあり、
（９）は水銀ランプ（１）の光線を収束させるための収
束レンズ、Ｃｌ０）は反応室（２）の透過窓（２）と基
板（７）との間に設けられた球面ミラーであって、その
中央には収束レンズ（９）からの収束光を入射させる入
射穴Ｉがあけである。そして球面ミラーαＱの底部が反
応室（２）の側壁に取付けられている。また、（１２１
は入射光を球面ミラー顛に反射させ基板（力士に照射さ
せるだめの凸面ミラーである。なお、凸面ミラーａりか
らの反射光はすべて球面ミラー（１０）に到達し、その
球面ミラーＱＯでのあらゆる反射光は基板（７）の全面
を完全に照射することのできるように、水銀ランプ（１
）の光線に対し収束レンズ（９）と球面ミラーＱＯ）お
よび凸面ミラーαりの位置関係が設定されている０ 次に上記実施例の動作について説明する。ここで、膜を
堆積させる基本原理は従来と同様である。
しかして、上記実施例の構成によると、水銀ランプ（１
）から放射される光線（８）は収束レンズ（９）によシ
収束して透過窓（３）を通過し、その収束光の焦点が球
面ミラー鵠の入射穴Ｉあたりに結ぶ。そして、この穴Ｉ
を通過した光はすぐ下にある凸面ミラーα２で反射する
。この凸面ミラーαりからの反射光はすべて球面ミラー
００）に達し、さらに球面ミラーα０）で反射して、球
面ミラーＧＯ）からの反射光にて基板（力士の全面が照
射される。これによって、反応ガス雰囲気のガスがその
光エネルギーを吸収して分解反応を起こし、従来と同様
の方法で基板（７）上に膜を形成できる。
）から放射される光線（８）は収束レンズ（９）によシ
収束して透過窓（３）を通過し、その収束光の焦点が球
面ミラー鵠の入射穴Ｉあたりに結ぶ。そして、この穴Ｉ
を通過した光はすぐ下にある凸面ミラーα２で反射する
。この凸面ミラーαりからの反射光はすべて球面ミラー
００）に達し、さらに球面ミラーα０）で反射して、球
面ミラーＧＯ）からの反射光にて基板（力士の全面が照
射される。これによって、反応ガス雰囲気のガスがその
光エネルギーを吸収して分解反応を起こし、従来と同様
の方法で基板（７）上に膜を形成できる。
このように、水銀ランプ（１）の光を、収束レンズ（９
）と球面ミラー０１および凸面ミラーＱ２＋からなる反
射光学系を用いて反射光にし、その反射光にて基板（７
）への照射を行うととにより、透過窓（３）が直接反応
ガス雰囲気にさらされることがなくなる。そのため、透
過窓（３）が曇ることなく、安定して照射することがで
きる。また、球面ミラーＧＯ＋および凸面ミラーａ４の
反射面へ反応生成物が付着してその反射面での曇シが考
えられるが、これらの曇シは球面ミラーａ０の反射率を
上ける方向にあるため、問題なく長時間にわたシ光照射
を行うことができる。
）と球面ミラー０１および凸面ミラーＱ２＋からなる反
射光学系を用いて反射光にし、その反射光にて基板（７
）への照射を行うととにより、透過窓（３）が直接反応
ガス雰囲気にさらされることがなくなる。そのため、透
過窓（３）が曇ることなく、安定して照射することがで
きる。また、球面ミラーＧＯ＋および凸面ミラーａ４の
反射面へ反応生成物が付着してその反射面での曇シが考
えられるが、これらの曇シは球面ミラーａ０の反射率を
上ける方向にあるため、問題なく長時間にわたシ光照射
を行うことができる。
なお、上記した実施例では透過窓と球面ミラーとの間の
スペースを単なる空間として置く場合であったがζ本発
明はこれに限定されるものではなく、前記スペースにア
ルゴン（Ａｒ）などの不活性ガースを流しながら膜を堆
積することによシ、透過窓の曇シをさらに低減し得る利
点を奏する。
スペースを単なる空間として置く場合であったがζ本発
明はこれに限定されるものではなく、前記スペースにア
ルゴン（Ａｒ）などの不活性ガースを流しながら膜を堆
積することによシ、透過窓の曇シをさらに低減し得る利
点を奏する。
また、上記実施例では基板（７）が単数処理の場合であ
ったが、これをボートなどを設けて複数処理にしてもよ
い。さらに光源は水銀ランプの他にレーザ光源を用いた
シ、収束レンズ（９）１球面ミラーａ０および凸面ミラ
ーａ４からなる反射光学系はこれらの組合せに限らず、
通常のレンズ、ミラーを組合せたものであってもよく、
幾多の榛更を行なえることは勿論である。
ったが、これをボートなどを設けて複数処理にしてもよ
い。さらに光源は水銀ランプの他にレーザ光源を用いた
シ、収束レンズ（９）１球面ミラーａ０および凸面ミラ
ーａ４からなる反射光学系はこれらの組合せに限らず、
通常のレンズ、ミラーを組合せたものであってもよく、
幾多の榛更を行なえることは勿論である。
以上説明したように、本発明の光ＣＶＤ装置によれば、
反応室の透過窓が直接、反応ガス雰囲気下に置かれるこ
とがないので、その透過窓の曇シを大幅に低減できると
ともに、安定にして堆積膜の形成が可能になるなどの効
果がある。
反応室の透過窓が直接、反応ガス雰囲気下に置かれるこ
とがないので、その透過窓の曇シを大幅に低減できると
ともに、安定にして堆積膜の形成が可能になるなどの効
果がある。
第１図は従来の光ＣＶＤ装置の概略構造を示す断面図、
第２図は本発明の一実施例による光ＣＶＤ装置の概略構
造を示す断面図である。 （１）・・・・水銀ランプ、（２）・・・・反応室、（
３）・・・・透過窓、（４）・・・・ガス導入口、（５
）・・・・排気口、（６）・・・・基板支持台、（７）
・・・・基板、（８）・・・・光線、（９）・・・・収
束レンズ、（１０）・・・・球面ミラー、ＱＹＪ・・・
・入射穴、＋１２１・・・・凸面ミラー。 代理人 大 岩 増 雄 籠１ｇ１ 第１頁の続き ０発 明 者 佐藤真− 伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電 機株式会社エル・ニス・アイ研 究所内
第２図は本発明の一実施例による光ＣＶＤ装置の概略構
造を示す断面図である。 （１）・・・・水銀ランプ、（２）・・・・反応室、（
３）・・・・透過窓、（４）・・・・ガス導入口、（５
）・・・・排気口、（６）・・・・基板支持台、（７）
・・・・基板、（８）・・・・光線、（９）・・・・収
束レンズ、（１０）・・・・球面ミラー、ＱＹＪ・・・
・入射穴、＋１２１・・・・凸面ミラー。 代理人 大 岩 増 雄 籠１ｇ１ 第１頁の続き ０発 明 者 佐藤真− 伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電 機株式会社エル・ニス・アイ研 究所内
Claims (1)
- 反応室の反応ガス雰囲気中に基板を配置し、その基板上
に光源からの光を反応室の透過窓を通して照射させるこ
とによシ、前記ガスの光化学反応を利用して基板上に膜
を堆積する光ＣＶＤ装皺において、前記透過窓と基板と
の間に、光源からの光を反射光にしてその基板上に照射
させるように反射光学系を構成することによシ、前記透
過窓の曇巾を低減するようにしたことを特徴とする光Ｃ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6855383A JPS59194426A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6855383A JPS59194426A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194426A true JPS59194426A (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13377063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6855383A Pending JPS59194426A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194426A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695561A (en) * | 1993-05-14 | 1997-12-09 | Sony Corporation | Disk tray used with an apparatus for forming a protective film on an optical disk |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP6855383A patent/JPS59194426A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695561A (en) * | 1993-05-14 | 1997-12-09 | Sony Corporation | Disk tray used with an apparatus for forming a protective film on an optical disk |
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