JPH07235517A - ドライエッチング装置及び半導体の製造方法 - Google Patents
ドライエッチング装置及び半導体の製造方法Info
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- JPH07235517A JPH07235517A JP2576394A JP2576394A JPH07235517A JP H07235517 A JPH07235517 A JP H07235517A JP 2576394 A JP2576394 A JP 2576394A JP 2576394 A JP2576394 A JP 2576394A JP H07235517 A JPH07235517 A JP H07235517A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチング装置に関し、ウエーハ表面
に付着する塵埃を減少することを目的とする。 【構成】 チャンバ４内でウエーハ１表面をエッチング
するドライエッチング装置において，ウエーハ１の表面
近傍にウエーハ１表面に平行な帯状光ビーム２を照射す
る光ビーム発生源３を有し，帯状光ビーム２に照射され
た塵埃を気化することを特徴として構成する。
に付着する塵埃を減少することを目的とする。 【構成】 チャンバ４内でウエーハ１表面をエッチング
するドライエッチング装置において，ウエーハ１の表面
近傍にウエーハ１表面に平行な帯状光ビーム２を照射す
る光ビーム発生源３を有し，帯状光ビーム２に照射され
た塵埃を気化することを特徴として構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエーハ表面の塵埃を減
少したドライエッチング装置に関する。集積度の高い半
導体装置の製造においては，配線又は素子作製等のため
にウエーハ表面の微細なエッチング加工が必要となるた
め，微細加工に適するドライエッチングが多用されてい
る。
少したドライエッチング装置に関する。集積度の高い半
導体装置の製造においては，配線又は素子作製等のため
にウエーハ表面の微細なエッチング加工が必要となるた
め，微細加工に適するドライエッチングが多用されてい
る。
【０００２】しかし，かかるドライエッチングでは，加
工すべきウエーハ表面に塵埃が付着すると加工の欠陥を
生じ，半導体装置の不良を招く。このため，ウエーハ表
面に付着する塵埃が少ないドライエッチング装置が求め
られている。
工すべきウエーハ表面に塵埃が付着すると加工の欠陥を
生じ，半導体装置の不良を招く。このため，ウエーハ表
面に付着する塵埃が少ないドライエッチング装置が求め
られている。
【０００３】
【従来の技術】ウエーハ，例えば半導体ウエーハのエッ
チングには，ドライエッチング装置，例えば反応性イオ
ンエッチング装置又は電子サイクロトロン共鳴を用いた
イオンエッチング装置が一般に使用されている。
チングには，ドライエッチング装置，例えば反応性イオ
ンエッチング装置又は電子サイクロトロン共鳴を用いた
イオンエッチング装置が一般に使用されている。
【０００４】これらのドライエッチング装置では，スパ
ッタされたウエーハ材料又はウエーハ材料と雰囲気ガス
との反応生成物（以下「反応生成物等」という。）がウ
エーハ表面から飛散し，その一部は固化又は液化して塵
埃となり再びウエーハ表面に付着する。また，ウエーハ
表面から飛散してエッチング装置のチャンバ内壁面に付
着した上記反応生成物等が，壁面から剥がれて塵埃とな
り，ウエーハ表面に付着する。さらには，反応ガスから
直接塵埃となる微粒子が生成され，ウエーハ表面に付着
することもある。
ッタされたウエーハ材料又はウエーハ材料と雰囲気ガス
との反応生成物（以下「反応生成物等」という。）がウ
エーハ表面から飛散し，その一部は固化又は液化して塵
埃となり再びウエーハ表面に付着する。また，ウエーハ
表面から飛散してエッチング装置のチャンバ内壁面に付
着した上記反応生成物等が，壁面から剥がれて塵埃とな
り，ウエーハ表面に付着する。さらには，反応ガスから
直接塵埃となる微粒子が生成され，ウエーハ表面に付着
することもある。
【０００５】かかるウエーハ表面に付着した塵埃は，エ
ッチングの障害物となり，加工不良を生ずる。さらに，
塵埃に含まれる元素が素子を汚染し，特性を劣化する場
合もある。
ッチングの障害物となり，加工不良を生ずる。さらに，
塵埃に含まれる元素が素子を汚染し，特性を劣化する場
合もある。
【０００６】そこで，チャンバ内壁面に反応生成物等が
付着しないように，チャンバ内壁面を加熱する方法が考
案された。しかし，チャンバ内壁の全てを反応生成物等
が付着しない温度に保持することは困難であり，内壁面
からの付着反応生成物の剥離に起因する塵埃を完全にな
くすことは難しい。また，内壁面の付着反応生成物を少
なくしても，雰囲気中で発生する塵埃を減少することは
できない。このため，ウエーハ表面への塵埃の付着を防
止することができない。
付着しないように，チャンバ内壁面を加熱する方法が考
案された。しかし，チャンバ内壁の全てを反応生成物等
が付着しない温度に保持することは困難であり，内壁面
からの付着反応生成物の剥離に起因する塵埃を完全にな
くすことは難しい。また，内壁面の付着反応生成物を少
なくしても，雰囲気中で発生する塵埃を減少することは
できない。このため，ウエーハ表面への塵埃の付着を防
止することができない。
【０００７】また，チャンバ内壁面への反応生成物等の
付着を防止するため，さらに，内壁面の付着反応生成物
から発生する塵埃がウエーハ表面まで到達することを阻
止するために，チャンバ内壁に沿ってチャンバ内壁とウ
エーハ間に隔壁となるインナーチューブを設けることが
一般的に行われている。しかし，インナーチューブへの
反応生成物の付着，又は雰囲気中で発生する塵埃の発生
を阻止することは難しく，ウエーハ表面への塵埃の付着
を防止することは困難であった。
付着を防止するため，さらに，内壁面の付着反応生成物
から発生する塵埃がウエーハ表面まで到達することを阻
止するために，チャンバ内壁に沿ってチャンバ内壁とウ
エーハ間に隔壁となるインナーチューブを設けることが
一般的に行われている。しかし，インナーチューブへの
反応生成物の付着，又は雰囲気中で発生する塵埃の発生
を阻止することは難しく，ウエーハ表面への塵埃の付着
を防止することは困難であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来のド
ライエッチング装置では，チャンバ内壁面に付着した反
応生成物等から塵埃が発生し，又は反応性生成物等若し
くは反応ガスの固化若しくは液化により雰囲気中に塵埃
が発生し，これらの塵埃がウエーハ表面に付着するた
め，エッチングの障害となるという問題があった。
ライエッチング装置では，チャンバ内壁面に付着した反
応生成物等から塵埃が発生し，又は反応性生成物等若し
くは反応ガスの固化若しくは液化により雰囲気中に塵埃
が発生し，これらの塵埃がウエーハ表面に付着するた
め，エッチングの障害となるという問題があった。
【０００９】本発明は，ウエーハ表面の近傍に光ビーム
を照射し，ウエーハ表面近くに浮遊する塵埃を気化する
ことにより，ウエーハ表面への塵埃の付着を減少して精
密な加工をすることができるドライエッチング装置，及
びエッチング不良が少なく製造歩留りの高い半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
を照射し，ウエーハ表面近くに浮遊する塵埃を気化する
ことにより，ウエーハ表面への塵埃の付着を減少して精
密な加工をすることができるドライエッチング装置，及
びエッチング不良が少なく製造歩留りの高い半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例縦
断面図であり，ドライエッチング装置の断面を表してい
る。図２は本発明の実施例水平断面図であり，図１のＡ
Ａ’断面を表している。
断面図であり，ドライエッチング装置の断面を表してい
る。図２は本発明の実施例水平断面図であり，図１のＡ
Ａ’断面を表している。
【００１１】上記課題を解決するために，図１及び図２
を参照して，本発明の第一の構成は，チャンバ４内でウ
エーハ１表面をエッチングするドライエッチング装置に
おいて，該ウエーハ１の表面近傍に，照射された塵埃が
気化する光強度を有し，該ウエーハ１表面に平行な帯状
光ビーム２を発生する光ビーム発生源３を有することを
特徴として構成し，及び，第二の構成は，第一の構成の
ドライエッチング装置において，該帯状光ビーム２を該
チャンバ４内に入射する該チャンバ４壁面に設けられた
入射窓６と，該チャンバ４内に導入された該帯状光ビー
ム２を該チャンバ４外に出射する該チャンバ４壁面に設
けられた出射窓７と，該出射窓７から該チャンバ４外へ
出射する該帯状光ビーム２を反射し，該帯状光ビーム２
の反射光を該帯状光ビーム２の入射光路に沿って該出射
窓７から該チャンバ４内へ再入射させる反射鏡８と，該
光ビーム発生源３と該入射窓６との間に設けられ，該ビ
ーム発生源３から照射される該帯状光ビーム２を透過
し，且つ，該入射窓６から該チャンバ４外へ出射する該
反射光を反射して該帯状光ビーム２の入射光路に沿って
該入射窓（６）から該チャンバ４内へ再入射させるハー
フミラー９とを有することを特徴として構成し，及び，
第三の構成は，ウエーハ１のドライエッチング工程を有
する半導体装置の製造方法において，該ドライエッチン
グ工程中，該ウエーハ１の表面近傍に，該ウエーハ１表
面に平行な帯状光ビーム２を照射し，該帯状光ビーム２
に照射された塵埃を気化することを特徴として構成す
る。
を参照して，本発明の第一の構成は，チャンバ４内でウ
エーハ１表面をエッチングするドライエッチング装置に
おいて，該ウエーハ１の表面近傍に，照射された塵埃が
気化する光強度を有し，該ウエーハ１表面に平行な帯状
光ビーム２を発生する光ビーム発生源３を有することを
特徴として構成し，及び，第二の構成は，第一の構成の
ドライエッチング装置において，該帯状光ビーム２を該
チャンバ４内に入射する該チャンバ４壁面に設けられた
入射窓６と，該チャンバ４内に導入された該帯状光ビー
ム２を該チャンバ４外に出射する該チャンバ４壁面に設
けられた出射窓７と，該出射窓７から該チャンバ４外へ
出射する該帯状光ビーム２を反射し，該帯状光ビーム２
の反射光を該帯状光ビーム２の入射光路に沿って該出射
窓７から該チャンバ４内へ再入射させる反射鏡８と，該
光ビーム発生源３と該入射窓６との間に設けられ，該ビ
ーム発生源３から照射される該帯状光ビーム２を透過
し，且つ，該入射窓６から該チャンバ４外へ出射する該
反射光を反射して該帯状光ビーム２の入射光路に沿って
該入射窓（６）から該チャンバ４内へ再入射させるハー
フミラー９とを有することを特徴として構成し，及び，
第三の構成は，ウエーハ１のドライエッチング工程を有
する半導体装置の製造方法において，該ドライエッチン
グ工程中，該ウエーハ１の表面近傍に，該ウエーハ１表
面に平行な帯状光ビーム２を照射し，該帯状光ビーム２
に照射された塵埃を気化することを特徴として構成す
る。
【００１２】
【作用】本発明の第一の構成では，図１及び図２を参照
して，ウエーハ１表面に近い位置に，線状のビーム断面
を有する帯状光ビーム２がウエーハ１表面に平行に照射
される。この帯状光ビーム２中に落下した塵埃は，加熱
され気化して消滅する。従って，帯状光ビーム２直下の
ウエーハ１表面に落下する塵埃は少なく，ウエーハ表面
への塵埃の付着が減少する。
して，ウエーハ１表面に近い位置に，線状のビーム断面
を有する帯状光ビーム２がウエーハ１表面に平行に照射
される。この帯状光ビーム２中に落下した塵埃は，加熱
され気化して消滅する。従って，帯状光ビーム２直下の
ウエーハ１表面に落下する塵埃は少なく，ウエーハ表面
への塵埃の付着が減少する。
【００１３】また，帯状光ビーム２をウエーハ１表面に
近接して照射するから，チャンバ４又はインナーチュー
ブ５の壁面から発生する塵埃のみならず，チャンバ４内
部で発生する塵埃に対しても，塵埃がウエーハ１表面に
到達することを阻止することができる。即ち，ウエーハ
１表面に付着する塵埃は，帯状光ビーム２とウエーハ１
表面との僅かな間隙中で発生するものに限られるから，
欠陥の少ないエッチングを実現できる。
近接して照射するから，チャンバ４又はインナーチュー
ブ５の壁面から発生する塵埃のみならず，チャンバ４内
部で発生する塵埃に対しても，塵埃がウエーハ１表面に
到達することを阻止することができる。即ち，ウエーハ
１表面に付着する塵埃は，帯状光ビーム２とウエーハ１
表面との僅かな間隙中で発生するものに限られるから，
欠陥の少ないエッチングを実現できる。
【００１４】なお，本構成では光ビームを帯状とする。
これにより，ウエーハ１表面を広範囲に覆うことができ
ると同時に，塵埃の気化に必要な光ビームのエネルギ密
度を容易に大きくすることができる。
これにより，ウエーハ１表面を広範囲に覆うことができ
ると同時に，塵埃の気化に必要な光ビームのエネルギ密
度を容易に大きくすることができる。
【００１５】本発明の第二の構成では，図１及び図２を
参照して，塵埃を気化するための帯状光ビーム２を，反
射鏡８及びハーフミラー９間で多重反射させる。このた
め，帯状光ビームは，往復反射して，ウエーハ１表面近
傍を多数回通過するから，ウエーハ近傍のエネルギ密度
を高くする。従って，低出力の光ビーム発生源３を使用
することができる。
参照して，塵埃を気化するための帯状光ビーム２を，反
射鏡８及びハーフミラー９間で多重反射させる。このた
め，帯状光ビームは，往復反射して，ウエーハ１表面近
傍を多数回通過するから，ウエーハ近傍のエネルギ密度
を高くする。従って，低出力の光ビーム発生源３を使用
することができる。
【００１６】また，本構成では，反射鏡８及びハーフミ
ラー９を，それらの表面の汚染，損傷を防ぐため，チャ
ンバ４の外部に設ける。従って，反射鏡８及びハーフミ
ラー９の設置場所として，エッチング装置のチャンバの
外部の他，反応ガス，反応生成物等，又はプラズマによ
る汚染，損傷を生じないように，実質的なチャンバ壁に
より隔離された場所をも含まれる。
ラー９を，それらの表面の汚染，損傷を防ぐため，チャ
ンバ４の外部に設ける。従って，反射鏡８及びハーフミ
ラー９の設置場所として，エッチング装置のチャンバの
外部の他，反応ガス，反応生成物等，又はプラズマによ
る汚染，損傷を生じないように，実質的なチャンバ壁に
より隔離された場所をも含まれる。
【００１７】本発明の第三の構成では，図１及び図２を
参照して，帯状光ビーム２を第一実施例と同様の構成で
ウエーハ１表面近傍に照射しつつ，ドライエッチング，
例えば反応性イオンエッチング，イオンミリング，スパ
ッタエッチングを行う。
参照して，帯状光ビーム２を第一実施例と同様の構成で
ウエーハ１表面近傍に照射しつつ，ドライエッチング，
例えば反応性イオンエッチング，イオンミリング，スパ
ッタエッチングを行う。
【００１８】この帯状光ビーム２は，エッチングにより
発生した又はエッチング装置内部から発生した浮遊する
塵埃を，ビーム内を通過する際に加熱し，分解又は蒸発
する。このため，ウエーハのエッチング面への塵埃の付
着を防止することができる。なお，帯状光ビーム２の照
射は，エッチングの一時期でもよい。またエッチング工
程にはその準備工程及び後工程，例えばウエーハの真空
内での設置及び取外し工程をも含む。
発生した又はエッチング装置内部から発生した浮遊する
塵埃を，ビーム内を通過する際に加熱し，分解又は蒸発
する。このため，ウエーハのエッチング面への塵埃の付
着を防止することができる。なお，帯状光ビーム２の照
射は，エッチングの一時期でもよい。またエッチング工
程にはその準備工程及び後工程，例えばウエーハの真空
内での設置及び取外し工程をも含む。
【００１９】
【実施例】本発明を，半導体装置の製造に用いる反応性
イオンエッチング装置に適用した実施例を参照して説明
する。
イオンエッチング装置に適用した実施例を参照して説明
する。
【００２０】本実施例のドライエッチング装置は，図１
及び図２を参照して，通常半導体製造装置として用いら
れる反応性イオンエッチング装置を改造したものであ
る。即ち，円筒形のチャンバ４内に同心円状に設けられ
たウエーハホルダ１２上に水平に半導体ウエーハ１を保
持し，ウエーハ１の上面をエッチングする。なお，ウエ
ーハホルダ１２は回転機構１０により回転され，反応ガ
スはチャンバ内のウエーハ上に開口するガス導入管１３
から供給され，チャンバ４下部に開口する排気口１１か
ら排出される。また，チャンバ４内壁面に沿って，円筒
蓋状の石英製インナーチューブ５がウエーハ１上面を覆
うように設けられ，チャンバ４内壁面からプラズマ内に
塵埃が落下することを防止する。
及び図２を参照して，通常半導体製造装置として用いら
れる反応性イオンエッチング装置を改造したものであ
る。即ち，円筒形のチャンバ４内に同心円状に設けられ
たウエーハホルダ１２上に水平に半導体ウエーハ１を保
持し，ウエーハ１の上面をエッチングする。なお，ウエ
ーハホルダ１２は回転機構１０により回転され，反応ガ
スはチャンバ内のウエーハ上に開口するガス導入管１３
から供給され，チャンバ４下部に開口する排気口１１か
ら排出される。また，チャンバ４内壁面に沿って，円筒
蓋状の石英製インナーチューブ５がウエーハ１上面を覆
うように設けられ，チャンバ４内壁面からプラズマ内に
塵埃が落下することを防止する。
【００２１】この円筒形チャンバ４の側面には，帯状光
ビーム２を透過する入射窓６及び出射窓７が，その円筒
直径上に対峙して設けられる。さらに，入射窓６及び出
射窓７を挟んで，その外両側に，入射窓６及び出射窓７
にそれぞれ対向するハーフミラー９と反射鏡８とを設置
する。このハーフミラー９は，光ビーム発生源から照射
された帯状光ビーム２を透過し，一方では入射窓から反
対方向に向かう光を反射する。
ビーム２を透過する入射窓６及び出射窓７が，その円筒
直径上に対峙して設けられる。さらに，入射窓６及び出
射窓７を挟んで，その外両側に，入射窓６及び出射窓７
にそれぞれ対向するハーフミラー９と反射鏡８とを設置
する。このハーフミラー９は，光ビーム発生源から照射
された帯状光ビーム２を透過し，一方では入射窓から反
対方向に向かう光を反射する。
【００２２】光ビーム発生源３は，レーザ３ａ及びコリ
メートするためのレンズ群３ｂ，３ｃ，３ｄを含み構成
される。レーザ３ａは，出力光強度が大きく，かつ，入
射窓６及び反射窓７を容易に製作できる波長のものが好
ましい。かかるレーザには，例えば本実施例で使用した
波長４００nm〜６００nmのＡｒレーザがあり，窓材とし
て石英を使用できる。また，出力の大きな炭酸ガスレー
ザを使用することもでき，この場合の窓材には弗化カル
シウム，弗化マグネシウムを用いることができる。
メートするためのレンズ群３ｂ，３ｃ，３ｄを含み構成
される。レーザ３ａは，出力光強度が大きく，かつ，入
射窓６及び反射窓７を容易に製作できる波長のものが好
ましい。かかるレーザには，例えば本実施例で使用した
波長４００nm〜６００nmのＡｒレーザがあり，窓材とし
て石英を使用できる。また，出力の大きな炭酸ガスレー
ザを使用することもでき，この場合の窓材には弗化カル
シウム，弗化マグネシウムを用いることができる。
【００２３】レンズ群３ｂ，３ｃ，３ｄは，レーザ３ａ
の出力光を帯状の光ビームに形成する光学系であり，例
えばシリンドリカルレンズから構成することができる。
かかるレンズ群３ｂ，３ｃ，３ｄを通して出射される帯
状光ビームは，レーザ３ａの出力及びウエーハ１直径に
応じて，例えば厚さ１mm〜６mm，幅１００mm〜２００mm
とすることができる。なお，帯状光ビーム２は，ウエー
ハ上面に平行にするため，帯状光ビームの面が水平面内
に在り，かつ水平面内を進行するように照射される。
の出力光を帯状の光ビームに形成する光学系であり，例
えばシリンドリカルレンズから構成することができる。
かかるレンズ群３ｂ，３ｃ，３ｄを通して出射される帯
状光ビームは，レーザ３ａの出力及びウエーハ１直径に
応じて，例えば厚さ１mm〜６mm，幅１００mm〜２００mm
とすることができる。なお，帯状光ビーム２は，ウエー
ハ上面に平行にするため，帯状光ビームの面が水平面内
に在り，かつ水平面内を進行するように照射される。
【００２４】上記の光ビーム発生源３から照射された帯
状光ビームは，ハーフミラー９を透過し，入射窓６から
チャンバ４内に導入される。チャンバ４内に入った帯状
光ビームは，さらに石英製インナーチューブ５の円筒側
壁を透過してウエーハ１直上，例えばウエーハ１上面か
ら２mm上を，ウエーハ１上面の全面を覆いウエーハ１上
面に平行に進行する。その後，石英製インナーチューブ
５の入射側と反対側の円筒側壁，及び出射窓７を透過し
てチャンバ４の外に出射する。なお，インナーチューブ
５の光透過部分は，光学的窓を設ける，或いはスリット
とすることができる。
状光ビームは，ハーフミラー９を透過し，入射窓６から
チャンバ４内に導入される。チャンバ４内に入った帯状
光ビームは，さらに石英製インナーチューブ５の円筒側
壁を透過してウエーハ１直上，例えばウエーハ１上面か
ら２mm上を，ウエーハ１上面の全面を覆いウエーハ１上
面に平行に進行する。その後，石英製インナーチューブ
５の入射側と反対側の円筒側壁，及び出射窓７を透過し
てチャンバ４の外に出射する。なお，インナーチューブ
５の光透過部分は，光学的窓を設ける，或いはスリット
とすることができる。
【００２５】続いて，チャンバ４外に出射した帯状光ビ
ーム２は，反射鏡で反射され，入射光路上を反対側に進
行し，ハーフミラー９に到達する。ここで，反射光はハ
ーフミラー９により再び反射され，光ビーム発生源３か
らの帯状光ビームと一緒に同一光路を進行し，上記経路
を反復する。従って，ウエーハ１上の帯上光ビームの強
度は，光ビーム発生源３から照射されるものより強くな
るから，出力の小さいレーザ３ａを用いて，広い幅の帯
状光ビーム２を形成することができる。
ーム２は，反射鏡で反射され，入射光路上を反対側に進
行し，ハーフミラー９に到達する。ここで，反射光はハ
ーフミラー９により再び反射され，光ビーム発生源３か
らの帯状光ビームと一緒に同一光路を進行し，上記経路
を反復する。従って，ウエーハ１上の帯上光ビームの強
度は，光ビーム発生源３から照射されるものより強くな
るから，出力の小さいレーザ３ａを用いて，広い幅の帯
状光ビーム２を形成することができる。
【００２６】ウエーハ１のエッチングは，インナーチュ
ーブ５内にプラズマを発生させ，ウエーハ表面をエッチ
ングする，反応性イオンエッチングによりなされる。帯
状光ビーム２は，ウエーハ１をウエーハホルダ１２上に
設置した後から，真空排気，エッチング，真空リークに
至るまで連続して照射する。本実施例では，従来のエッ
チング特性を変動させることなく，エッチング不良を減
少することができる。
ーブ５内にプラズマを発生させ，ウエーハ表面をエッチ
ングする，反応性イオンエッチングによりなされる。帯
状光ビーム２は，ウエーハ１をウエーハホルダ１２上に
設置した後から，真空排気，エッチング，真空リークに
至るまで連続して照射する。本実施例では，従来のエッ
チング特性を変動させることなく，エッチング不良を減
少することができる。
【００２７】
【発明の効果】上述したように，本発明によれば，チャ
ンバ壁面から発生する塵埃の他，チャンバ内部で発生す
る塵埃をもウエーハ表面への付着を防止できるので，欠
陥の少ないエッチング加工をすることができるドライエ
ッチング装置を提供でき，また，歩留りの高い半導体装
置の製造方法を提供でき，電子装置の製造技術の向上に
寄与するところが大きい。
ンバ壁面から発生する塵埃の他，チャンバ内部で発生す
る塵埃をもウエーハ表面への付着を防止できるので，欠
陥の少ないエッチング加工をすることができるドライエ
ッチング装置を提供でき，また，歩留りの高い半導体装
置の製造方法を提供でき，電子装置の製造技術の向上に
寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の実施例縦断面図
【図２】 本発明の実施例水平断面図
１ ウエーハ ２ 帯状光ビーム ３ 光ビーム発生源 ３ａ レーザ ３ｂ〜３ｃ レンズ群 ４ チャンバ ５ インナーチューブ ６ 入射窓 ７ 出射窓 ８ 反射鏡 ９ ハーフミラー １０ 回転機構 １１ 排気口 １２ ウエーハホルダ １３ ガス導入管
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 21/304 ３４１ Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ Ｐ
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ（４）内でウエーハ（１）表面
をエッチングするドライエッチング装置において，該ウ
エーハ（１）の表面近傍に，照射された塵埃が気化する
光強度を有し，該ウエーハ（１）表面に平行な帯状光ビ
ーム（２）を発生する光ビーム発生源（３）を有するこ
とを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のドライエッチング装置に
おいて，該帯状光ビーム（２）を該チャンバ（４）内に
入射する該チャンバ（４）壁面に設けられた入射窓
（６）と，該チャンバ（４）内に導入された該帯状光ビ
ーム（２）を該チャンバ（４）外に出射する該チャンバ
（４）壁面に設けられた出射窓（７）と，該出射窓
（７）から該チャンバ（４）外へ出射する該帯状光ビー
ム（２）を反射し，該帯状光ビーム（２）の反射光を該
帯状光ビーム（２）の入射光路に沿って該出射窓（７）
から該チャンバ（４）内へ再入射させる反射鏡（８）
と，該光ビーム発生源（３）と該入射窓（６）との間に
設けられ，該ビーム発生源（３）から照射される該帯状
光ビーム（２）を透過し，且つ，該入射窓（６）から該
チャンバ（４）外へ出射する該反射光を反射して該帯状
光ビーム（２）の入射光路に沿って該入射窓（６）から
該チャンバ（４）内へ再入射させるハーフミラー（９）
とを有することを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項３】 ウエーハ（１）のドライエッチング工程
を有する半導体装置の製造方法において，該ドライエッ
チング工程中，該ウエーハ（１）の表面近傍に，該ウエ
ーハ（１）表面に平行な帯状光ビーム（２）を照射し，
該帯状光ビーム（２）に照射された塵埃を気化すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2576394A JPH07235517A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | ドライエッチング装置及び半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2576394A JPH07235517A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | ドライエッチング装置及び半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235517A true JPH07235517A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12174882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2576394A Withdrawn JPH07235517A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | ドライエッチング装置及び半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015079877A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構 |
-
1994
- 1994-02-24 JP JP2576394A patent/JPH07235517A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015079877A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構 |
| WO2015056548A1 (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構 |
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