JPH03276625A

JPH03276625A - 半導体装置の製造装置

Info

Publication number: JPH03276625A
Application number: JP7347090A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Furukawa; 古川　章彦; Kensaku Yano; 健作矢野; Yoshinori Iida; 義典飯田; Hisashi Sakuma; 尚志佐久間
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-03-26
Filing date: 1990-03-26
Publication date: 1991-12-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は光励起を利用して基板上へｏＨ膜堆積基板のエ
ツチング等の加工を行う半導体装置の製造装置に関する
。

（従来の技＃）近年、半導体集積回路の進展に伴い、デバイスＯ微細化
、高集積化が要求されている。その実現のための一つの
方法として、低温かつイオンダメージのない半導体プロ
セスである光励起プロセスが注目されている。

この光励起プロセスには、例えば光励起を用いた化学気
相成長法（光ＣＶＤ法）がある。この光ＣＶＤ法は、光
のエネルギーによシ反応ガス中の分子等を活性化し、所
定温度に加熱された基板上（、薄膜を堆積させる方法で
ある。薄膜の堆積速度は光のエネルギーすなわち光の強
度と関係しており、一般和光の強度が強いと薄ｇ堆積速
度は大きくなる。このような関係は光励起プロセス全般
についても言え、一般に光の強度が強いとその速＆は大
きくなる。

一方、近年、半導体プロセスに用いる基板の大口径化あ
るいは大面積デバイスの開発が進んでおシ、これらの上
に薄膜を堆積させたりこれらを加工する場合、その加工
速度の基板表面内均−性の向上が必要となってきている
。前述した光ＣＶＤ法等の光励起プロセスの場合このプ
ロセスの加工速度の基板表面内均−性向上を達成するに
は、基板表面に照射される光の強度の面内均一性の向上
を図らなければならない。

例えば、従来の光ＣＶＤ装置の構成を示す断面図を第９
図（船に示す０図の１は膜堆積室でこの膜堆積室１内に
は基板２を載置した基板ホルダ３及びこれを支える試料
台４が収容されており、前記基板ホルダ３はチャック５
により前記試料台４に機械的に載置される。前記試料台
４の内部にはヒーター６が設けられている。また、前記
膜堆積室ｌ内には、ガス供給部７から原料ガスが導入さ
れ、この膜堆積室ｌ内のガスは排気ポンプ８により排気
されるようになりている。

一方、前記膜堆積室１上部には例えば低圧水銀ランプか
らなる光ｆｌ１）３を収容する光源収容室１４がありこ
の光源１３かもの光を反射する反射＠１５がこの光源１
３の後部に設けられている。

前記膜堆積室ｌと前記光源収容室１４との間は例えば合
成石英板からなる光導入窓９１で仕切られている。１７
はパージガスであるＮ、を導入、排気するためのパイプ
である。

ここで、光源として用いられている低圧水銀ランプ１３
の上面概略図を纂９図（ｂ）に示す。前記基板２に対す
る照射面積を大きくするため、通常１本の低圧水銀ラン
プを連続したコの字状に折り曲けるか、あるいは複数本
の低圧水銀ランプを並列に並べることによって構成され
る。このように、光１）［１３が配設され九場合の膜堆
積の行われる基板２表面内の光強度の分布を第１０図に
示す。この図に示すように、低圧水銀ランプ１３−１〜
１３−５の直下１０１−１〜１０１−５　　では光強度
は強く、これらのランプの間に相当する位置１０２−１
〜１０２−４では相対的に弱くなる。

このように膜堆積を行う基板２表面内において照射光の
強度が基板位置により不均一になるので前記基板２上へ
の膜堆積速度も不均一となる。従ってこの基板２表面に
堆積する膜の膜厚は面内で不均一となってしまうという
問題があった。

上述した光強度の基板表面内での不均一性の問題は光Ｃ
ＶＤのみならず光励起プロセス全般に対して存在し、基
板への照射光の強度が前記基板表面内で不均一であるこ
とによりプロセスの加工速度が該面内で不均一となって
しまう問題があった。

（発明が解決しようとするｌ！題）このように、従来の光励起を用いた半導体装置の製造装
置では、基板への照射光の強度が光源の位置と相関して
、この基板表面内で不均一となシ従って光励起を用い九
プロセスの加工速Ｆｊｔ４に該面内で、不均一となって
しまう問題があった。本発明は上記実情を鑑みてなされ
たもので、前述した問題を解決した半導体装置の製造装
置を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）前述した問題を解決すべく、本発明は内部に反応性ガス
が導入される反応室と、この反応室内に設けられた基板
を載置する試料台と、前記基板表面に光を照射せしめる
光源と、この光源と前記基板間あるいは前記光源の後部
に配置され、前記光源からの光を均一に前記基板表面に
照射せしめる光均−化手段とからなる半導体装置の製造
装置を提供する。

（作用）本発明の半導体装置の製造装置であれば、光源４しからの不均一な光が、光均−手段により補正され反応室
内の試料台に載置された基板の表面に、均一に照射され
るのでこの基板の表面で行う光励起プロセスの加工速度
は、誼面内で均一となる。

（実＊例）以下、本発明の実施例の詳細を図面を用いて説明する。

謳１０実施例第１図は本発明による纂１の実施例に係わる半導体装置
の製造装置の概略図である。同図において、第９図と同
一の部分には同一の符号を付して示し、詳細な説明は省
略する。この装置は光ＣＶＤ装置でありｌ１ｃ９図と異
なるのは光導入窓Ｉ６の形状と反射板１５の形状である
。

前記光導入窓１６は第９図（ｂ）に示したような低圧氷
像ランプの線状光源１３−１〜１３−ｎ直下のそれぞれ
の位置に対応して、それらと同じ数の棒状凸レンズ１６
−１〜１６−ｎが一体的に成型されたものとなっている
。前記凸レンズの凸側は光源と対向して配置され、その
裏側は平面でおる。すなわている。

前記凸レンズ１６−１〜１６−ｎは合成石英から形成さ
れる。

一方、前記反射板１５は前記線状光１）１３−１〜１３
〜ｎのそれぞれの位置に対応して、それと同数の凹面を
有する凹面鏡１５−１〜１５−ロの連続集合体で出来て
いる。ここでこれらの凹面鏡の反射面の断面形状は円弧
であり、前記光１）１３−１〜１３−ｎはそれぞれに対
応した前記凹面鏡１５−１〜１５−ｎの曲率半径の中心
に位置して匹る。

次に、このような光導入窓１６と反射板１５により、線
状光５１）３−１〜１３−ｎから、照射された光がどの
ように進むかを図面を用いて説明する。

第２図はその説明図である。同図では簡便のため、それ
ぞれ対応した１つのランプ１３−ｊｌ、光導入窓の１つ
凸レンズ部１６−１．反射板の１つの凹面鏡部１５−１
）．そしてこれらによって光照射される基板の部分２ａ
のみに着目して示している。

ランプ１３−１より前方（基板２方向）に放射された？
２５−１〜２５−ｆｌは、このランプ１３−１が光導入
窓の凸レンズ１６−ａの物体焦点にあるので、この凸レ
ンズ１６−ａ通過後は屈折して平行光線２６−１〜２６
−ｎとなって基板２表面に照射される。また前記ランプ
１３−息より後方（反射板方向）に放射された光２７−
１〜２７−ｎは、このランプ１３−ａが反射板の凹面鏡
１５−暑の曲率半径中心にあるので、この凹面鏡１５−
ａで反射されて同じ光路を逆進し、このランプ１３−ａ
ｔ通過して、先に示した光２５−１〜２５−ｎと同じ光
路を通って基板２１表面に照射される。

従って、これらの凸レンズを＠１図に示すように配置す
れば、基板２に対して均一な光が照射される。この場合
、凹面鏡はなくてもよい。

次に本発明による第１の実施例に係わる半導体装置の製
造装置を用い、基板上に薄膜を堆積させる場合の一例を
第１図を用いて説明する。

まず、基板２を基板ホルダ３に装着し膜堆積室（反応室
）１内をＮ３ガスによりパージする。次いでガス供給部
７から原料ガスとして水銀を含んだ５ｒＨ４ｉｘをＪｌ
［積重ＩＰ３に各々ｉ　量１００（ＳＣＧＩＩ［〕圧力
αｌ［Ｔｏｒｒ］で導入し、前記基板２を抵抗加熱等の
ヒーター６により２５０［］に加熱する。低圧水銀ラン
プ１３を点灯し波長２５４［：ｎｍ］（Ｄ紫外光を前記
基板２の表面に照射することにより膜堆積を行なう、こ
の時、前述したように前記低圧水銀ランプ１３から照射
された光は光導入窓１６において屈折し、平行光線とな
って前記基板２に照射される。このため前記基板２表面
内の光強度分布はＩＥ９図に示される従来型の光ＣＶＤ
装置に比べて大幅に均一化され、これによってこの基板
２表面内の膜堆積速度の均一化をはかることができる。

＠２の実施例次に、本発明による第２の実施例に係わる半導体装置の
製造装置の概略図をＷＮ２図に示す、譲３図において第
１図と同一の部分には同一の符号を付して示し、詳細な
説明は省略する。

この実施例装置も光ＣＶＤ装置であシ、この図に示すよ
うに線状光源１３−１〜１３−ｎ間に光吸収性のしきり
３１−１〜３ｌ−（ｎ−１）が設けられており、このし
きシ３１−１〜３ｌ−（ｎ−１）により前記光源１３−
１〜１３−１の各々から若干わずかに近隣のレンズに照
射される光は、遮断されそれぞれの光源はそれと対応し
て形成されている凸レンズ１６−１〜１６−ｎ及び凹面
＠１５−１〜１５−ｎ以外には照射しないようにしたの
が特徴である。すなわち、第１の実施例で述べた光ＣＶ
Ｄ装置と比べると隣接した光源からの光が遮断されるの
で、同実施例よりも隣接する光源からの光の影響を受け
ないより均一な基板表面内光強度分布が得られる。

従って、該面内でより均一な膜堆積速度を得ることがで
きる。

前述した第１．第２の実ｍＮにおいて光導入窓１６は凸
レンズ１３−１〜１３−０から構成されているが、これ
らの形状は前記実施例に示したものに限らず、両面が凸
状の凸レンズを用いてもよい。

この場合４、凸レンズの光軸上の物体焦点に光源を配置
すればよい。さらに、レンズの形状はその光軸上に焦点
を結ぶものであれば何でもよく、複数のレンズを用いて
焦点を結ばせる方法をとってもよい、ｉた、光吸収性の
しきりも光ｔ−鉄吸収る材料であればどのようなものを
用いてもよい。

第３の実施例第４図に、本発明による第３の実施例に係わる半導体装
置の製造装置の概略構成図を示す。この図において第３
図と同一の部分には同一の符号を付して示し、詳細な説
明は省略する。この図に示すように第３図と異なるのは
反射板４１の形状と光導入窓４２Ｃ）形状である。

前記反射板４１ｊｉ線状光源１３−１〜１３−ｎ（Ｄそ
れぞれの位置に対応して、それぞれと同数の凹面を有す
る凹面鏡４１−１〜４１−ｎの連続集合体で出来ている
。また、前記光導入窓４２は両面が平らな合成石英製平
板からなっている。

次にこのような反射板４１ｔ−用いた場合、線状光源１
３−１〜１３−ｎから照射された光が基板２０表面をど
のように照射するかを第５図（ａ）　、　（ｂ）を用い
て説明する。

第５図（ａ）は、本発明による第３の実施例の光ＣＶＤ
装置において光源から照射される光が前記基板２０表面
に照射される際の光の経路を示す概略図である。この図
では簡便のため、それぞれ対応した１つのランプ１３−
１、反射板の１つの凹面鏡部４１−ａ、光導入窓４２−
８．光吸収性のしき、９３１−１，３１−ｂ及び基板の
部分２ａのみを抽出した形で示している。

第５図（ｂ）は上記光ＣＶＤ装置において、基板２の表
面の光強度分布を示す説明図である。光源１３−ａから
基板の部分２ａ表面には直接光４３−１〜４３−ｎが照
射される。この光４３−１〜４３−ｎのみを考えた場合
第５図（ｂ）■に示すように基Ｐ板の部分２３表面の中心−で光強度が最大となる。

一方、前記光源１３−ａから凹面鏡部４１−ａに照射さ
れる光４４−１〜４４−ｎは、この凹面鏡部４１−ａ表
面で反射され、反射光４５−１〜４５−ｎは前記基板の
部分２２表面に照射される。この場合、前記反射光４５
−１〜４５−ｎは、第５図（ａｌに示すように基板の部
分２ａの端部に向けて照射され地るように前記凹面蛛部４１−ａ表面は加工されている。

この光４５−１〜４５−ｎのみを考えた場合、第５図（
ｂ）■に示すように基板の部分２８表面の端部で光強度
が最大となる。従って、前記基板の部分２１表面での全
体としての光強度分布は、■と■を合成した■のように
均一となり、基板２０表面において、光強度分布の均一
性は向上する。このため該面内でより均一な膜堆積を得
ることができる。

なお、凹面鏡部４ト」の表面形状は、光源の大きさ、光
源とｊの凹面鏡部４１−ａ間の距離、光源と基板間の距
離、基板表面の照射面積、凹面鏝部の加工精度及び基板
表面上の光強度分布の許容できる誤差等のパラメーター
の値から決定される。これらのパラメーターの値が変わ
っても、それに応じて最適に決められた表面形状を有す
る凹面鏡部を設計すれば基板表面上で所望の均一な光−
（ｎ−１）を設けたが、このしきシは設けなくてもよく
、この場合には、前記光源１３−１〜１３−ｎのそれぞ
れは、基板２の表面全体を照射すると考えて凹面鏡部４
ト４０表面形状を決定すればよい、また、この場合にお
いて光吸収性のしきりは光を吸収する材料であればどの
よりな４のを用いてもよい。

第６図は本発明による第４の実施例に係わる半導体装置
の製造装置（光ＣＶＤ装置）の構成を示した図である。

この図において第１図と同一の部分には同一の符号を付
して示し詳細な説明は省略する。

この図に示すように第１図と異なるのは光導入窓をすり
ガラス６１で構成した点である。

この実施例のように光導入窓をすりガラス６１で構成す
ると線状光源１３−１〜１３−ｎから照射された光はす
りガラス６１を通過する際に一様に散乱されることとな
り、前記光はすりガラス６１ｆ：通過した後、基板２表
面上に均一に照射される。

この時の光強度はナシガラス６１を通過する際、低下す
るので堆積速度は若干低下するが同面内における照射光
の強度分布は均一となり、前述した実施例と同様基板面
内で均一な堆積速度を得るという効果が得られる。

この実施例では前記すりガラス６１は両面屯しくけ片面
が研磨された状態の合成石英ガラスを用いたが光を一様
に散乱させるものであれば何でもよい。

第７図は本発明による第５の実施例に係わる光ＣＶＤ装
置の構成を示した概略断面図である。この図において１
ｇ１図と同一の部分には同一の符号を付して示し、詳細
な説明は省略する。光導入窓１６及び反射板１５として
第１図に示した光導入窓１６（凸し／ズ１６−１〜１６
−１）　）と反射板１５（凹面鏡１５−１〜１５−ｒｌ
）を用いることで、膜堆積速度の均一化をはかることが
できるという点は第１の実施例と同様である。

この実施例装置の特徴は、光ＣＶＤ装置に予備排気室を
設けた点である。すなわち、図中９は基板搬送用の予備
排気室でおりゲートパルプ１０にの予備排気室９内は基
板２を搬送する時Ｋ、前もって排気ポンプ１２により排
気されるようになっている。

本実施例によれば前記膜堆積室１内が大気にさらされる
ことなく基板２を基板ホルダー３とともに、試料台４に
着脱することが可能であり、したがって大気中の酸素・
窒素・水分等が前記膜堆積室１の内壁等に吸着し、堆積
膜中に不純物として混入するという問題点が解決され、
また前記吸着分子の影響による前記膜堆積室１内排気の
長時間化の問題も解決される。

第８図は、本発明による第６の実施例に係わる光ＣＶＤ
装置の構成を示す概略断面図である。この図において、
第７図と同一の部分には同一の符号を付して示し、祥細
な説明は省略する。光導入窓１６及び反射板１５として
第１図に示した光導入窓１６（凸レンズ１６−１〜ｌ６
−ｎ）と反射板１５（凹面鏡１５−１〜１５−ｆｔ　）
を用いることで、膜堆積速度の均一化をはかることがで
きるという点は第１の実施例と同様である。

本実施例においては基板２を含む基板ホルダー３の搬送
機構１）の他に堆積室１と光源収容室１４を分離してい
る光導入窓１６も窓搬送機構８５によりゲートバルブ８
４を通じて搬送可能とざ１なっており、チャック罵により所定の位置にチャックさ
れる。この場合前記光導入窓１６はレール８２．８６上
に載置されて搬送される。

光源収容室１４や予備排気室９，８３ｔｉ前記基板２、
前記光導入窓１６を搬送する時、前もって排気ポンプ１
２によシ真空排気されるようになっており、前記光導入
窓１６がチャックされていない場合、前記光源収容室１
４は前記膜堆積室１とともに排気ポンプ８により５　ｘ
　１０　　（：Ｔｏｒｒ〕以下に排気されている。

本実ｍ例によれば前記ＩＫ６の実施例と同じ効果を得る
他に、前記膜形成室１を大気揉さらすことなく前記光導
入窓１６の着脱が可能となる。アモルファスシリコン膜
等の低圧水銀ランプ１３からの紫外光を吸収する膜を形
成する場合、前記１板２上に膜堆積が行なわれると同時
に前記光導入窓１６の膜堆積室１側にも膜堆積が行なわ
れ、堆積膜厚が増加するにともない前記基板２上での光
照度が低下し膜形成速度が低下するという問題がある。

この問題を解決するための一手法として光導入窓１６の
膜堆積室１儒にたとえば７オンプリンオイルを塗布する
ことで前記光導入窓１６への膜堆積を防止するという方
法がある。しかし、この方法によれば膜堆積を行なうた
びに前記光導入窓１６をはずし再度、７オンプリンオイ
ルを塗布し直さなければならず、その５ＦｒＬ前記膜堆
積室１を大気にさらすことになり前述した第５の実施例
における問題と同様の問題が生ずる。

本実施例によれば前述したように、前記堆積室１を大気
にさらすことなく前記光導入窓１６の着脱が可能となる
ため、上記の問題は解決される。

なお、この実施例では、第１の実施例による装置に改良
を加えたものを示したがこれに限らず第２乃至第４の実
施例による装置、さらに本発明による光ＣＶＤ装置で、
膜堆積室内に光導入窓を設は九もの全般に対して改良を
加えてもよい。

第１乃至第６の実施例において、光源は低圧水銀ランプ
を用いた例を示したが、これらに限られるものではなく
、重水素ランプ、エキシマレーザ等でもよく、基板表面
上で光の強度分布が不均一となるものであればよい。ま
た原料ガスはモノシラン（８ｉＨ４）に限るものではな
く、高次シラン！（例えばジシラン（Ｓｉ、Ｈ＠）、ト
リシラン（ＳｉｓＨａ）、（ＧｅＨ，）　　）でもよい
。混合ガスとしては、ジボラン（Ｂ、Ｈ，）　、フォス
フイン（ＰＨａ　）　、　　アセチレン（Ｃ５Ｈｓ　）
等を含んでもよい。更に堆積する薄膜はアモルファスシ
リコンに限るものではなく、シリコン醗化膜やシリコン
窒化膜や化合物半導体（例え１ｊＧａＡｓ、Ｚｎ５ｅ　
）等でもよい。また実施例では触媒として水銀を用いた
が、水銀を含まない直接励起でもよい。

第７の実施例次に本発明による第７の実施例に係わる半導体装置の製
造装置を詳細に説明する。

この実施例装置は光励起エツチング載置であり、その構
成は前述し九実施例における光ＣＶＤ装置の構成とほぼ
同様なので、第１図を用いてこの実施例を詳細に説明す
る。

第１図に示した光ＣＶＤ装置と、異なる点は原料ガスと
して、基板上に堆積を起こすガスの代わりに、基板表面
をエツチングするガス（エツチングガス）を用いること
である。

まず、ポリシリコン膜が表面に形成された基板２を基板
ホルダ３に装着し、反応室１内にガス供給部７からエツ
チングガスとして、Ｃ４ガスを圧力ＩＱＴｏｒｒで導入
する。前記基板２は、抵抗加熱等のヒーター６により１
５０℃に加熱される。

次に、消費電力が２００ＷのＨｇ−Ｘｅランプ１３（光
源）を点灯し、前記基板２の表面に照射することによシ
、該表面に形成されたポリシリコン膜のエツチングを行
う。この時、第１の実施例大幅に均一化され、これによ
り該表面内のエッチング速度を均一化することができる
。なおこの実施例において、前記ポリシリコン膜は、単
結晶シリコンやアモルファスシリコンで構成されていて
もよい、光源として、前記Ｈｇ　−Ｘｅ　ランプの代わ
りに低圧水銀ランプのようなＵＶ（紫外線）ランプ、エ
キシマレーザ、Ａｒ　　レーザ等のものを用いてもよい
。さらに、基板２の表面にレジストパターンを形成し、
これをマスクとしてエツチングを行ってもよい。この場
合も均一にエツチングすることができる。

また、前述したアモルファスシリコン膜単結晶シリコン
膜、ポリシリコン膜のようなシリコン膜をエツチングす
るガスとしては、他のガスを用いてもよい０例えばＳＦ
、ガスを用いる場合は、ＣＯ。

レーザ、エキシマレーザ等の光源を用いればエツチング
を行える。ＸｅＦ、ガスを用いる場合は、人ｒ＋レーザ
等の光源を用いればよい、さらｒｃＨＣｌ　を用いる場
合はＡｒ　　レーザ等の光源を用いればよい。

さらにポリシリコン膜をエツチングするガスとしては他
に−Ｆ、ＣｏやＮＦ、等のガスを用いることができ、こ
の場合光源としてエキシマレーザを用いるとよい。

さらにまた、エツチングする薄膜がタングステン膜であ
る場合、エキシマレーザを光源に用い、ＮＦ、ガスをエ
ツチングガスに用いるとよい。

さらＫまた、８ｉ０！膜をエツチングする場合には、エ
キシマレーザを光源に用い、ＮＦ、ガスドルガスの混合
ガス、またＦｉ（ＣＦ、）、　ＣＯガスをエツチングガ
ス圧用いるとよい。

さらにまたＧ　ａ　Ａ　Ｓ膜をエツチングする場合には
人ｒ＋し′−ザを光源に用い、ＣＣｔ４ｆｉスをエツチ
ングガスに用いるとよい。

以上述べたようなエツチングされる膜、光源、エツチン
グガスはエツチングが行える範囲であれば、どのような
ものであってもかまわない。

さらに、以上述べた第１乃至第７の実施例において、光
導入窓に用いられる材料は光源からの光を透過させる材
料であれば何でもよいが光源に低圧水銀ランプを用いる
場合、合成石英や溶融石英、ＣｉＦ、等の材料が特に良
い。

さらにまた、反射板に用いる材料は、光源からの光を反
射させる材料であれば何でも良くアルミニウム等の金属
を特に用いると良い、その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。

〔発明の効果〕

以上詳述した様に本発明によれば、半導体製造装置にお
ける基板表面内の光強縦分布の不均一性を改善すること
ができるため、前記基板表面内の光励起プロセスの加工
速度の均一化を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＷ、１−＆＝伊養蜂の実施例に係
わる光ＣＶＤ装置の構成を示す概略断面図、第２図は第
１図に示した装置における光源から照射される光の経路
を示す説明図、第３図は本発明（よる第２の実施例に係
わる光ＣＶＤ装置の構成を示す概略断面図、１４４図は
本発明による第３の実施例に・係わる光ＣｖＤ装置の構
成を示す概略断面図、１ｇ５図は婢４図に示した装置の
効果を説明するための説明図、菖６図は本発明による第
４の実施例に係わる光ＣＶＤ装置の構成を示す概略断面
図、纂７図は本発明による第５の実施例に係わる光ＣＶ
Ｄ装置の構成を示す概略断面図、纂８図は本発明による
第６の実施例に係わる光ＣＶＤ装置の構成を示す概略断
面図、第９図は従来の光ＣＶＤ装置の構成を示す概略断
面図、第１０図は従来の光ＣＶＤ装置における基板表面
内の光強度分布を示す特性図である。１・・・膜堆積室、２・・・基板、２ａ・・・光照射さ
れる基板の部分、３・・・基板ホルダー　４・・・試料
台、５．８１・・・チャック、６・・・ヒーター　７・
・・ガス供給部、８，１２・・・排気ポンプ、９．８３
・・・予備排気室、１０．８４・・・ゲートバルブ、１
）．８５・・・搬送機構、１３・・・光源（低圧水銀ラ
ンプ〕、１３−１〜１３−Ｉｎ、１３−ａ−・・ランプ
（低圧水銀ランプ）、１４・−・光源収容室、１５・−
・反射板、１５−１〜１５−ｆｌ　、　１５−ａ・・・
凹面鏡、１６・・・光導入窓、１６−１〜１６−ｎ　、
　１６−ａ−平凸レンズ、１７−Ｎ。ガスの導入、排気用パイプ、２５−１〜２５−ｆｌ　、
　２６−１〜２６−ｎ、２７−１〜２７−ｎ　、４３−
１〜４３−ｆｌ。４４−１〜４４−ｎ　、　４５−１〜４５−ｎ　、　５
１−１〜５１−ｎ　。５２−１〜５２−ｎ・・・光源から照射される光の経路
、き３１−１〜３１−（ｎ−１）・・・しブリ、４１・・・
反射板、４１−１〜４１−！１，４１−１−・・凹面鏡
、４２．４２ｍ・・・光導入窓、６１・・・すりガラス
（光導入窓）、８２゜８６・・・レール、９１・・・光
導入窓。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）内部に反応性ガスが導入される反応室と、この反
応室内に設けられた基板を載置する試料台と、前記基板
の表面に光を照射せしめる光源と、この光源と前記基板
間あるいは前記光源の後部に配置され、前記光源からの
光を均一に前記基板表面に照射せしめる光均一化手段と
からなる半導体装置の製造装置。
（２）前記光均一化手段は前記光源と前記基板との間に
設けられた光導入窓であり、前記光源から照射される光
を前記基板へ平行に照射させるレンズからなることを特
徴とする請求項（１）記載の半導体装置の製造装置。
（３）前記光源の後部に、この光源から照射される光を
、この光源自身に反射させる反射手段を具備してなるこ
とを特徴とする請求項（２）記載の半導体装置の製造装
置。
（４）前記光均一化手段は前記光源後部に設けられ、前
記光源の後方に照射される光をこの光により、前記光源
から前記基板へ直接照射される光が補われ、前記基板表
面内の光強度分布が均一になるように反射せしめる反射
手段であることを特徴とする請求項（１）記載の半導体
装置の製造装置。
（５）前記光均一化手段は、前記光源から照射される光
を一様に散乱させ、前記基板表面上では均一に光を照射
させる光散乱手段であることを特徴とする請求項（１）
記載の半導体装置の製造装置。
（６）前記光散乱手段は前記光源と前記試料台との間に
設けられたすりガラスからなる光導入窓であることを特
徴とする請求項（５）記載の半導体装置の製造装置。
（７）前記反応室内が大気にさらされることなく、前記
基板を試料台に着脱する基板着脱手段を具備してなるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の半導体装置の製造装
置。
（８）前記光導入窓は前記反応室の内部に設けられたも
のであり、前記反応室内が大気にさらされることなく、
前記光導入窓を前記反応室の内部で着脱する光導入窓着
脱手段を具備してなることを特徴とする請求項（２）及
び（６）記載の半導体装置の製造装置。