JPH0677196A

JPH0677196A - 割り型バッチ式熱処理装置

Info

Publication number: JPH0677196A
Application number: JP22379292A
Authority: JP
Inventors: Shigeyuki Sugino; 林志杉野
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-08-24
Filing date: 1992-08-24
Publication date: 1994-03-18

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置等の製造工程で用いる洗浄装置等
の割り型バッチ式熱処理装置に関し、反応ガスの供給と
温度分布を均一化することによって、半導体基板のドラ
イ洗浄等の熱処理を均一化する割り型バッチ式熱処理装
置を提供する。【構成】一軸方向に延びる形状の胴体と、この胴体に
その軸方向に沿って間隔をおいて形成された複数のガス
導入口４と、単数または複数のガス排出口９を有する反
応室本体１と、この反応室本体１を収容する形状を有
し、軸方向に沿って複数の部分に分割され、分割された
部分の各々が加熱体１５，１６を有する加熱装置本体１
０，１１を具える割り型バッチ式熱処理装置において、
この加熱装置本体１０，１１が反応室本体１を覆って収
容した状態で、加熱装置本体の分割された各部分に設け
られた加熱体１５，１６の端部が、加熱装置本体の各部
分が接合される縁部において交互に噛み合うように配置
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造工
程で用いる洗浄装置等の割り型バッチ式熱処理装置に関
する。素子の微細化が進むにつれて、半導体装置の製造
工程等における洗浄後の半導体表面やそこに形成された
薄膜表面の清浄度はますます高度のものを要求されるに
至っている。

【０００２】そのような要求に応えて、洗浄工程をこれ
までの酸、アルカリ、超純水等を用いる湿式（ウェッ
ト）法から、ガスを用いる乾式（ドライ）法へ転換する
ことが試みられ、そのための装置がいくつか提案されて
いる。

【０００３】

【従来の技術】従来の半導体基板のドライ洗浄装置、中
でも特に表面に付着した鉄（Ｆｅ）、ナトリウム（Ｎ
ａ）等の無機系不純物を除去するためのドライ洗浄装置
としては塩素、塩化水素、フッ素、フッ化水素等のハロ
ゲン系ガスを洗浄ガスとし、被洗浄基板は枚葉式（一枚
毎）で加熱し、さらにその場合、被洗浄基板表面に対し
てその洗浄基板表面に対してその洗浄ガスを活性化する
紫外線等の電磁波を照射する方法がある（例えば、特開
昭６２−４２５３０号公報、特開平４−３３３３７号公
報等参照）。

【０００４】これらの場合は、枚葉式であるため、次に
続く工程が一括処理である場合には、ドライ洗浄の最初
と最後で放置時間に差が生じるため、表面状態にばらつ
きが生じ、表面状態の信頼性という観点から問題があっ
た。

【０００５】また、前述の枚葉式に対して複数の半導体
基板を一括氏て処理するバッチ処理を実現する洗浄装置
も提案されている（例えば、特開平３−５２２２４号公
報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来のバッチ式ドライ
洗浄装置においては、複数の被洗浄半導体基板を、一つ
の軸に沿って延びる形状の胴体をもつドライ洗浄装置内
に装填し、軸方向に洗浄ガスを流下させて同時に洗浄す
る方法を採っていたため、被洗浄半導体基板あるいは被
洗浄半導体基板の表面に形成された被膜がドライ洗浄さ
れて反応ガスを放出することが原因して、洗浄ガスが流
下するに従ってその組成を変化し、そのために上流と下
流に装填された被洗浄半導体基板の間で洗浄が不均一に
なることが避けられなかった。

【０００７】このように洗浄ガスの上流と下流で被洗浄
半導体基板の洗浄が不均一になるのを防ぐために、従
来、一軸方向に延びる形状の胴体を有し、その軸方向に
沿って複数のガス導入口が形成された反応室本体内に複
数の被洗浄半導体基板を間隔を保って平行に立て、この
軸方向に沿って形成された複数のガス導入口から、被洗
浄半導体基板の側面方向から洗浄ガスを導入することに
よって、被洗浄半導体基板に接触する洗浄ガスの組成を
均一化することが考えられた。

【０００８】ところが、一軸方向に延びる形状の胴体を
有し、その軸方向に沿って複数のガス導入口が形成され
た反応室本体を用いるため、この反応室本体を覆って形
成される加熱装置本体に、この枝管がある形状の反応室
本体を加熱装置本体に収容し、あるいは、取り出すに
は、加熱装置本体を該軸方向に沿って複数の部分に分割
することが必要になるが、分割された加熱装置本体の各
部分の接合部には加熱体が設けられていなかったため、
この部分での加熱が不充分になり、またこの部分を通っ
て外部に熱が逃げるため、あるいは、反応室本体の胴体
の軸方向に沿って設けた複数のガス導入口を通って熱が
外部に逃げるため、反応室本体の温度分布が不均一にな
り、結果的に、被洗浄半導体基板の洗浄が不均一になる
という問題があった。

【０００９】本発明は、反応ガスの供給と温度分布を均
一化することによって、半導体基板のドライ洗浄等の熱
処理を均一化する割り型バッチ式熱処理装置を提供する
ことを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる割り型バ
ッチ式熱処理装置においては、前記の課題を達成するた
め、一軸方向に延びる形状の胴体と、該胴体にその軸方
向に沿って間隔をおいて形成された複数のガス導入口
と、単数または複数のガス排出口を有する反応室本体
と、該反応室本体を収容する形状を有し、該軸方向に沿
って複数の部分に分割され、分割された部分の各々が加
熱体を有する加熱装置本体を具える割り型バッチ式熱処
理装置において、該加熱装置本体が反応室本体を覆って
収容した状態で、該加熱装置本体の分割された各部分に
設けられた加熱体の端部が、該加熱装置本体の各部分が
接合される縁部において交互に噛み合うように配置され
た構成を採用した。

【００１１】この場合、耐加熱装置本体の分割された各
部分に設けられた加熱体の端部が、該加熱装置本体の各
部分が接合される縁部において交互に噛み合うように、
該加熱装置本体の各部分が接合される縁部に、互いに相
手の加熱装置本体の各部分の加熱体の端部を受け入れる
ための凹部が形成された構成を採用できる。

【００１２】この場合、加熱装置本体の各部分が接合さ
れる縁部に、接合する相手の加熱装置本体の各部分の縁
部が互いに嵌合する肉厚方向の凹凸構造を採用できる。

【００１３】この場合、反応室本体の胴体にその軸方向
に沿って間隔をおいて形成された複数のガス導入口にそ
れぞれ加熱装置あるいは流量調節装置が設けられ、各加
熱装置、あるいは、流量調節装置が互いに他と独立して
制御可能である構成を採用できる。

【００１４】この場合、反応室本体の胴体にその軸方向
に沿って間隔をおいて形成された複数のガス導入口の上
流に紫外線等の電磁波を照射する手段を設け、導入ガス
をラジカル化して反応室本体に導入するようにした構成
を採用できる。

【００１５】この場合、反応室本体の胴体にその軸方向
に沿って間隔をおいて形成された複数のガス導入口の上
流に高周波電界を印加する手段を設け、導入ガスをプラ
ズマ化して反応室本体に導入するようにした構成を採用
できる。

【００１６】これらの場合、複数のガス導入口の上流に
これらをまとめた一つのガス導入前室が設置され、該ガ
ス導入前室に、電磁波を照射する手段あるいは高周波電
界を印加する手段を設け、ラジカル化したガスあるいは
プラズマ化したガスを反応室本体に導入するようにした
構成を採用できる。

【００１７】この場合、複数のガス導入口の上流にこれ
らをまとめた一つのガス導入前室が設置され、該ガス導
入前室に導入ガスの組成を調製する物質を装填するよう
にした構成を採用できる。

【００１８】

【作用】本発明のように、一軸方向に延びる形状の胴体
と、胴体にその軸方向に沿って間隔をおいて形成された
複数のガス導入口と、単数または複数のガス排出口を有
する反応室本体と、反応室本体を収容する形状を有し、
軸方向に沿って複数の部分に分割され、分割された部分
の各々が加熱体を有する加熱装置本体を具える割り型バ
ッチ式熱処理装置において、加熱装置本体が反応室本体
を覆って収容した状態で、加熱装置本体の分割された各
部分に設けられた加熱体の端部が、加熱装置本体の各部
分が接合される縁部において交互に噛み合うようにする
と、分割された加熱装置本体の各部分の接合部にも加熱
体が配置されることになるため、この部分での加熱が充
分になり、またこの部分を通って外部に熱が逃げるのを
防ぐことができるため、反応室本体の温度分布が均一に
なり、被洗浄半導体基板の洗浄を均一化することができ
る。

【００１９】この場合、加熱装置本体の各部分が接合さ
れる縁部に、互いに相手の加熱装置本体の各部分の加熱
体の端部を受け入れる凹部を形成すると、加熱装置本体
の分割された各部分に設けられた加熱体の端部を密接し
て交互に噛み合せることができる。

【００２０】この場合、加熱装置本体の各部分が接合さ
れる縁部に、接合する相手の加熱装置本体の各部分の縁
部が互いに嵌合する肉厚方向の凹凸構造を形成すると、
この部分の密閉性を高めて熱の漏出を低減することがで
きる。

【００２１】この場合、反応室本体の胴体にその軸方向
に沿って間隔をおいて形成された複数のガス導入口にそ
れぞれ加熱装置を設け、各加熱装置を独立して制御可能
にすると、この部分を通って熱が外部に逃げるのを防
ぎ、さらに反応室本体の軸方向の温度分布を調節するこ
とができる。また、反応室本体の胴体にその軸方向に沿
って間隔をおいて形成された複数のガス導入口にそれぞ
れ流量調節装置を設け、各流量調節装置が互いに他と独
立して制御可能にすると、反応室本体内のガス流の分布
を調節することができる。

【００２２】この場合、反応室本体の胴体にその軸方向
に沿って間隔をおいて形成された複数のガス導入口の上
流に紫外線等の電磁波を照射する手段、あるいは、高周
波電界を印加する手段を設けると、導入ガスをラジカル
化、あるいは、プラズマ化することができる。

【００２３】この場合、複数のガス導入口の上流にこれ
らをまとめた一つのガス導入前室を設置し、このガス導
入前室に導入ガスの組成を調製する物質を装填するよう
にすると、ドライ洗浄効果を向上させる等反応を制御す
ることができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。（第１実施例）図１は、第１実施例の割り型バッチ式熱
処理装置の全体構成説明図である。この図において、１
は反応室本体、２はフランジ、３は蓋体、４はガス導入
口、５はガス導入前室、６はフランジ、７は蓋体、８は
ガス供給管、９はガス排出口、１０，１１は加熱装置本
体、１２は蝶番、１３，１４は溝、１５，１６は加熱体
を示している。

【００２５】この図を用いて、本発明の第１実施例の割
り型バッチ式熱処理装置の全体構成を説明する。ドライ
洗浄装置等の反応室本体１は、２５０〜３００ｍｍの内
径を有する円筒状石英容器によって形成され、その一端
は半球状に塞がれており、他端にはフランジ２によって
Ｏリングを介して石英製蓋体３が取り付けられ塞がれて
いる。

【００２６】この石英製蓋体３には、図示されていない
が、石英製のアームが固着され、このアームは、例え
ば、５０枚の８インチの半導体基板を装填できる石英製
キャリアを支持している。石英製蓋体３のアームに半導
体基板を装填した石英製キャリアを取付け、この石英製
蓋体３を石英製ドライ洗浄装置本体１のフランジ２に組
み付けると、この半導体基板が、円筒状の石英製ドライ
洗浄装置本体１の中の適正な位置に配置されるようにな
っている。

【００２７】そして、この反応室本体１の側面には、縦
方向に一列に内径１０〜２０ｍｍの複数のガス導入口４
が２０〜３０ｍｍ間隔で設置され、その上流側は円筒状
の石英製ガス導入前室５に結合されており、その一端は
フランジ６によって石英製蓋体７によって塞がれ、他端
にはガス供給管８が設けられ、流量計とマスフローコン
トローラを具えたガスラインに接続されている。また、
ガス導入口４とは反対側の反応室本体１のフランジ３の
近傍に、内径６０ｍｍ程度の排気口９が設けられてい
る。

【００２８】以下、本実施例の割り型バッチ式熱処理装
置の石英製反応室本体１を加熱する装置について詳細に
説明する。

【００２９】前記のように、この実施例においては、側
面に縦方向に一列に複数のガス導入口４が形成され、こ
のガス導入口４とは反対側にガス排出口９が設けられた
枝付き石英管からなる反応室本体１を用いるため、その
組み立て、点検等を行う上から、この反応室本体１を加
熱する装置は、軸方向に分割可能な構造にすることが必
要である。

【００３０】そのため、この実施例においては、ガス導
入口４とガス排出口９の部分で縦方向に２つに分割さ
れ、閉じたとき、円筒状の反応室本体１を覆う構造の加
熱装置本体１０，１１が用いられ、両者は蝶番１２によ
って回動できるように結合されている。

【００３１】この蝶番による回動機構に代えて、一方の
加熱装置本体１０を水平に置き、他方の加熱装置本体１
１を上昇下降させることもでき、この場合は、後述する
加熱装置本体１０と１１の縁部の嵌合機構を複雑にし
て、両者間の密閉性を向上することができる。

【００３２】そして、ガス導入口４は、加熱装置本体１
０の縁部の溝１３と、加熱装置本体１１の縁部の溝１４
によって挟まれて密閉されるようになっており、加熱装
置本体１０の縁部と加熱装置本体１１の縁部には、閉じ
られたときに互いに嵌合する凹条と凸条が形成され、こ
の嵌合構造によって外部への熱の逃げを抑えるようにな
っている。

【００３３】そしてまた、磁器等の耐熱製材料によって
形成された加熱装置本体１０，１１のそれぞれの内壁に
は、溝がジグザク状に形成され、この溝の中に加熱線１
５，１６が収容されているが、温度分布を均一化し、熱
の逃げを極力抑えるために、まず、加熱装置本体１０，
１１のそれぞれの加熱線１５，１６の折り返し屈曲部
が、加熱装置本体１０，１１が閉じられたときに、交互
に隣り合う形で配置されている。

【００３４】図２（Ａ），（Ｂ）は、第１実施例の加熱
装置本体の加熱線の構成説明図である。図２（Ａ）は加
熱装置本体１０，１１が開いている状態の斜視図であ
り、図２（Ｂ）は加熱装置本体１０，１１が閉じている
状態の側面図である。この図において、１０，１１は加
熱装置本体、１０ａ，１１ａは凹部、１５，１６は加熱
線、１５ａ，１６ａは加熱線の折り返し屈曲部、１７，
１８は加熱線を収容する溝を示している。

【００３５】この実施例においては、図２（Ａ）に見ら
れるように、加熱装置本体１０には、加熱線を収容する
溝１７が彫られ、その中に加熱線１５が収容されてお
り、他の加熱装置本体１１には、加熱線を収容する溝１
８が彫られ、その中に加熱線１６が収容されており、ま
た、加熱装置本体１１の加熱装置本体１０と接する縁部
に相手となる加熱装置本体１０の加熱線の折り返し屈曲
部１５ａを受け入れる凹部１１ａが形成され、加熱装置
本体１０の加熱装置本体１１と接する縁部には相手とな
る加熱装置本体１１の加熱線の折り返し屈曲部１６ａを
受け入れる凹部１０ａが形成されている。

【００３６】したがって、加熱装置本体１０，１１が閉
じている状態では、図２（Ｂ）にみられる見られるよう
に、加熱装置本体１０の加熱線の折り返し屈曲部１５ａ
が、相手となる加熱装置本体１１の凹部１１ａに受け入
れられ、加熱装置本体１１の加熱線の折り返し屈曲部１
６ａが加熱装置本体１０の凹部１０ａに受け入れられ
て、加熱線１５，１６が交互に隣り合う形で配置される
ため、この部分を通して熱が逃げるのを抑え、温度分布
を均一にすることができる。

【００３７】（第２実施例）この第２実施例において
は、石英製反応室本体１の側面に縦方向に一列に設置さ
れた複数のガス導入口４を通して熱が逃げ、温度分布が
不均一になるのを防いでいる。装置全体としては第１実
施例と同様であるため、この実施例の要部についてのみ
説明する。

【００３８】図３は、第２実施例のガス導入口部の加熱
装置の構成説明図である。この図において、４はガス導
入口、１０，１１は加熱装置本体、１９はガス導入口加
熱装置である。

【００３９】この図は、加熱装置本体１０，１１を閉じ
た状態を示しており、ガス導入口４を覆うようにガス導
入口加熱装置１９が設けられ、ガス導入口４近傍の加熱
を補い、また、この部分を通して熱が逃げるのを極力防
いでいる。

【００４０】また、この石英製反応室本体１の側面に縦
方向に一列に設置された複数のガス導入口４に各々流量
制御装置を設けることによって、反応室本体中のガス流
の分布を微細に調製することができる。

【００４１】（第３実施例）この第３実施例は、ガス導
入前室において導入するガスのエネルギーを赤外線ある
いは紫外線によって制御している。図４は、第３実施例
のガス導入前室の構成説明図である。この図において、
４はガス導入口、５はガス導入前室、８はガス供給管、
２０は励起用ランプ、２１は反射板を示している。

【００４２】この実施例におけるガス導入前室において
は、図４に示されているように、複数のガス導入口４の
上流に、これらのガス導入口４をまとめて赤外線透過性
あるいは紫外線透過性の石英で構成されたガス導入前室
５が接続されている。そして、励起用ランプ２０から放
出される励起光を、円筒状の反射板２１によってガス供
給前室５内に集束し、ガス供給管８から供給されるガス
を励起するようにしている。

【００４３】この実施例においては、このガス導入前室
５は、この中で導入ガスを加熱したり、紫外線を照射し
てラジカルを生成させる場合に用いられる。導入ガスを
加熱する場合は、ハロゲンランプ等の赤外線放射ランプ
を用い、必要に応じて、その赤外線を反射体２１を用い
てガス導入前室５に集束して供給ガスを加熱することが
できる。

【００４４】また導入ガスに紫外線を照射する場合は、
単数または複数の水銀ランプ等の紫外線放射ランプを紫
外線を反する反射体２１で覆い、ガス導入口４の両端の
距離よりも長い範囲に紫外線が照射されるようにする。
これによってラジカルの生成寿命が延ばすことができ
る。

【００４５】（第４実施例）この第４実施例において
は、ガス導入前室において導入ガス中で高周波放電を生
起することによってプラズマ化して、イオンや中性活性
原子を生成させることを特徴とする。

【００４６】図５は、第４実施例のガス導入前室の構成
説明図である。この図において、４はガス導入口、５は
ガス導入前室、８はガス供給管、２２，２３は電極、２
４は高周波電源を示している。

【００４７】この実施例においては、ガス供給間８から
供給される導入ガスをプラズマ化する場合は、このガス
導入前室５の周囲にコイルを巻き付けて無電極放電を生
起したり、ガス導入前室５の端部に電極２２，２３を設
け、この電極２２，２３の間に高周波電源２４によって
例えば１２．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して放電を
生起する方法が採用される。この放電によるプラズマ化
によって生成されたイオンや活性な中性原子は、ガス導
入口４を通して反応室本体内部に導入される。

【００４８】（第５実施例）この第５実施例において
は、塩素、塩化水素、フッ素、フッ化水素等のハロゲン
系ガスを洗浄ガスに、Ｇａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ等のＩＩ
Ｉａ族、ＩＶ族、Ｖａ族元素のハロゲン化物を添加して
被洗浄基板表面の清浄度を向上することを特徴とする。

【００４９】この実施例においては、予めガス導入前室
中にＧａ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ等のＩＩＩａ族、ＩＶ族、
Ｖａ族元素を含む材料で構成されている物質を装填し、
ガス供給管から供給される洗浄ガスである塩素、塩化水
素、フッ素、フッ化水素等のハロゲンガスと反応させ
て、それらのハロゲン化物（ＧａＣｌ_x，ＳｉＣｌ_x，
ＧｅＣｌ_x，ＡｓＣｌ_x等）を生成させて、反応室本体
内に導入することによって被洗浄基板表面の清浄度を向
上する。

【００５０】この実施例に用いられる場合は、図１に示
されたガス導入前室５のフランジ６を外して、この中に
ポリシリコン棒、ガリウム砒素のインゴット等を装填し
た後に、フランジ６に蓋体を組み付けることによって密
閉し、ガス導入前室５の温度を制御して、ガス供給管８
を通して洗浄ガスを供給すれはよい。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
２５枚の８インチシリコンウェハを一括して１２分でド
ライ洗浄することが可能になり、ドライ洗浄完了後のシ
リコンウェハの清浄度を全反射蛍光Ｘ線によって評価し
たところ、各種重金属汚染濃度が検出限界以下という極
めて高い清浄度が得られ、ウェハ間の清浄度にばらつき
がないことがわかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の割り型バッチ式熱処理装置の全体
構成説明図である。

【図２】（Ａ），（Ｂ）は第１実施例の加熱装置本体の
加熱線の構成説明図である。

【図３】第２実施例のガス導入口部の加熱装置の構成説
明図である。

【図４】第３実施例のガス導入前室の構成説明図であ
る。

【図５】第４実施例のガス導入前室の構成説明図であ
る。

【符号の説明】

１反応室本体２フランジ３蓋体４ガス導入口５ガス導入前室６フランジ７蓋体８ガス供給管９ガス排出口１０，１１加熱装置本体１２蝶番１３，１４溝１５，１６加熱体１０ａ，１１ａ凹部１５ａ，１６ａ加熱線の折り返し屈曲部１７，１８加熱線を収容する溝１９ガス導入口加熱装置２０励起用ランプ２１反射板２２，２３電極２４高周波電源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一軸方向に延びる形状の胴体と、該胴体
にその軸方向に沿って間隔をおいて形成された複数のガ
ス導入口と、単数または複数のガス排出口を有する反応
室本体と、該反応室本体を収容する形状を有し、該軸方
向に沿って複数の部分に分割され、分割された部分の各
々が加熱体を有する加熱装置本体を具える割り型バッチ
式熱処理装置において、該加熱装置本体が反応室本体を
覆って収容した状態で、該加熱装置本体の分割された各
部分に設けられた加熱体の端部が、該加熱装置本体の各
部分が接合される縁部において交互に噛み合うように配
置されてなることを特徴とする割り型バッチ式熱処理装
置。
【請求項２】耐加熱装置本体の分割された各部分に設
けられた加熱体の端部が、該加熱装置本体の各部分が接
合される縁部において交互に噛み合うように、該加熱装
置本体の各部分が接合される縁部に、互いに相手の加熱
装置本体の各部分の加熱体の端部を受け入れるための凹
部が形成されてなることを特徴とする請求項１に記載さ
れた割り型バッチ式熱処理装置。
【請求項３】加熱装置本体の各部分が接合される縁部
に、接合する相手の加熱装置本体の各部分の縁部が互い
に嵌合する肉厚方向の凹凸構造を有することを特徴とす
る請求項１に記載された割り型バッチ式熱処理装置。
【請求項４】反応室本体の胴体にその軸方向に沿って
間隔をおいて形成された複数のガス導入口にそれぞれ加
熱装置あるいは流量調節装置が設けられ、各加熱装置あ
るいは流量調節装置が互いに他と独立して制御可能であ
ることを特徴とする請求項１に記載された割り型バッチ
式熱処理装置。
【請求項５】反応室本体の胴体にその軸方向に沿って
間隔をおいて形成された複数のガス導入口の上流に紫外
線等の電磁波を照射する手段を設け、導入ガスをラジカ
ル化して反応室本体に導入するようにしたことを特徴と
する請求項１に記載された割り型バッチ式熱処理装置。
【請求項６】反応室本体の胴体にその軸方向に沿って
間隔をおいて形成された複数のガス導入口の上流に高周
波電界を印加する手段を設け、導入ガスをプラズマ化し
て反応室本体に導入するようにしたことを特徴とする請
求項１に記載された割り型バッチ式熱処理装置。
【請求項７】複数のガス導入口の上流にこれらをまと
めた一つのガス導入前室が設置され、該ガス導入前室
に、電磁波を照射する手段あるいは高周波電界を印加す
る手段を設け、ラジカル化したガスあるいはプラズマ化
したガスを反応室本体に導入するようにしたことを特徴
とする請求項５または請求項６に記載された割り型バッ
チ式熱処理装置。
【請求項８】複数のガス導入口の上流にこれらをまと
めた一つのガス導入前室が設置され、該ガス導入前室に
導入ガスの組成を調製する物質を装填するようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載された割り型バッチ式熱
処理装置。