JP2004156143A - 遠隔の励起源を用いる堆積チャンバーのクリーニング技術 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバーのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバーのクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバーに、前駆体ガスを供給する；遠隔チャンバー内で該前駆体ガスを活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバーから堆積チャンバーへ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバーから堆積チャンバーへ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバーの内部をクリーニングする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子デバイスの加工に用いられる堆積チャンバーのクリーニング技
術に関する。
半導体およびフラットパネル・ディスプレイ産業においては、プラズマ支援型
（plasma-assisted ）の化学反応が広く使われてきた。１つの例はプラズマ増強
型（plasma-enhanced ）の化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）であり、これはアクティ
ブマトリックス（active-matrix ）液晶式ディスプレイ（ＡＭＬＣＤｓ）用の薄
膜トランジスター（ＴＦＴ）の製造において使われるプロセスである。ＰＥＣＶ
Ｄに従って、基板は、１対の平行プレート電極が装着された真空堆積チャンバー
中に置かれる。該電極の一方、例えば、より下位の電極（lower electrode ；一
般にサセプターと称される）が、該基板を保持する（hold）。他方の電極、すな
わち上位の電極（upper electrode ）は、ガス入口マニホールドまたはシャワ−
・ヘッドとして機能する。堆積の間、反応ガス（reactant gas）が、該上位電極
を通してチャンバー内に流れ込み、高周波（radio frequency ；ＲＦ）が該電極
間に印加されて、反応ガス中にプラズマを生成させる。該プラズマは反応ガスを
分解させて、基板の表面の上へ材料の層を堆積させる。
このようなシステムは、該材料を基板の表面の上へ優先的に堆積させるように
設計されているが、該システムはチャンバーの範囲内で他の内部表面の上にも、
いくらかの材料を堆積させる。したがって、繰り返し使用の後には、これらのシ
ステムは、該チャンバー内で増加した（built up）材料の堆積層を除去するため
に、クリーニングする（clean ）必要がある。チャンバーおよび該チャンバー内
の露出された構成要素（components）をクリーニングするために、インシチュウ
（in-situ ）乾式（dry ）クリーニング・プロセスが一般に用いられる。このイ
ンシチュウ技術によれば、前駆体（precursor ）ガスが、該チャンバーに供給さ
れる。次いで、該チャンバー内でグロー放電プラズマを局部的に（locally ）前
駆体ガスに印加することによって、反応性の化学種（reactive species）が生成
される。該反応性の化学種は、それら表面上のプロセス堆積物と揮発性の化合物
（volatile compounds）を形成することによって、チャンバー表面をクリーニン
グする。
このインシチュウ・クリーニング技術には、いくつかの不利な点もある。第１
に、反応性の化学種を生成するためにチャンバー内でプラズマを使うことは、能
率が悪い（inefficient ）ことである。したがって、許容可能なクリーニング速
度を達成するために、比較的高い電力を使うことが必要となる。しかしながら、
この高いパワーレベルは、チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生
じさせ、これにより有意に（significantly ）耐用年数を短くする傾向がある。
ダメージを受けたハードウェアの置き換えは非常にコストがかかるため、これは
、堆積システムを使用して処理される製品の基板当たりのコスト（per substrat
e cost）を有意に上昇させる。基板当たりのコストがコスト意識の高い購買者に
とって重大な（critical）な、現在の非常に競争的な半導体製作産業においては
、クリーニング・プロセス中にダメージを受けた部分を定期的に置き換えなけれ
ばならないことから生ずる増大した操業コストは、極めて好ましくない。
従来のインシチュウ乾式クリーニング・プロセスにまつわる他の問題は、許容
可能なクリーニング速度を達成するために要求される高いパワーレベルは、他の
システム構成要素に損害を与える可能性があるか、あるいは物理的に該チャンバ
ーの内部表面を拭き取る（wiping off）ことによる以外には除去できない残留物
（residue ）、ないし副生成物（byproducts）を生成する傾向をも有することで
ある。例えば、ＮＦ3 をクリーニングに用いるＳｉ3 Ｎ4 堆積システムにおいて
は、Ｎx Ｂy Ｆz 化合物が生成される傾向がある。これらのアンモニウム化合物
は真空ポンプ内に堆積し、そこでそれらは該ポンプの信頼性にネガティブな影響
を及ぼす可能性がある。他の例としては、チャンバーまたはプロセス・キット構
成要素（例えば、ヒータ、シャワ−ヘッド、クランプ環、等）がアルミニウムか
ら作られている堆積システムの中は、ＮＦ3 プラズマが、しばしばその内部表面
をクリーニングするために使われる。該クリーニング・プロセス中で、ある量の
Ａｌx Ｆy が形成される。この形成される量は、高いプラズマ・エネルギーレベ
ルから生じるイオン衝撃（ion bombardment ）によって、著しく増大される。し
たがって、Ａｌx Ｆy のかなりの量が、該システムの中で形成される可能性があ
る。不利なことに、どのような既知の化学プロセスによっても、この材料はエッ
チングにより除去することができず、したがってそれは物理的に表面を拭くこと
により除去されなければならない。
本発明によれば、遠隔（remote）励起源は、プロセス・チャンバー外部で、反
応性の化学種を生成するために用いられ、次いでこれはプロセス・チャンバー内
に供給されて特定のプロセス、例えば該チャンバーの乾式クリーニング、の実行
を支援する。乾式クリーニング・プロセスの場合、遠隔励起源は、フィード・ガ
ス（例えば、塩素か弗素の化合物）を分解（break down）し、長寿命のハロゲン
化学種を形成する。そして、第２のローカルな励起源は、チャンバーの内で長寿
命の化学種（long lived species）を維持するか、および／又は該ガスを更に分
解して反応性の化学種を形成するために、必要に応じて用いられてもよい。遠隔
励起源は反応性の化学種を生成するために依存される（relied upon ）ため、ロ
ーカルな励起源は、従来のシステムの中で必要とされたものにくらべ、遥かに低
いパワーレベルで動作されてもよい。このようにして、チャンバー外部の励起源
を移動させることによって、許容可能なクリーニング速度を達成するための高い
プラズマ・パワーレベルは、該チャンバーの内側では、もはや必要とされない。
むしろ、該チャンバー内での如何なるローカルな励起源（例えばプラズマ）の使
用さえ、必須でなくなる場合があり得る。
１つの側面（aspect）において、本発明は一般に、電子デバイスを作製する際
に用いられる堆積チャンバーをクリーニングする方法である。該方法は、次のス
テップを含む：堆積チャンバーと離れている遠隔チャンバー内に前駆体ガスを供
給（deliver ）する；該遠隔チャンバー内で前駆体ガスを活性化して反応性化学
種を形成する；遠隔チャンバーから堆積チャンバー内に該反応性の化学種を流し
込む；そして、遠隔チャンバーから堆積チャンバー内に流し込まれた反応性の化
学種を用いて、堆積チャンバー内部をクリーニングする。
他の側面において本発明は、一般に、プロセス・チャンバー内で電子デバイス
を作製するためのプロセスを実行する方法である。該方法は、次のステップを含
む：プロセスチャンバーと離れている遠隔チャンバー内に前駆体ガスを供給する
；該遠隔チャンバー内で前駆体ガスを活性化して反応性化学種を形成する；遠隔
チャンバーから堆積チャンバー内に該反応性の化学種を流し込む；遠隔励起源を
用いて、遠隔チャンバーからプロセスチャンバー内に流し込まれた反応性の化学
種を更に活性化させる；そして、遠隔励起源により更に活性化された反応性の化
学種を、プロセス・チャンバー内での製作プロセス実行に用いる。
更に他の側面において、本発明は一般に、クリーニングのための前駆体ガスの
源に接続可能な堆積装置である。該装置は、堆積チャンバーと；該堆積チャンバ
ーにエネルギーを供給するために適合された第１の活性化源と；堆積チャンバー
と離れている遠隔チャンバーと；前記第１の活性化源と分離し、且つ遠隔チャン
バーにエネルギーを供給するために適合された第２の活性化源と；遠隔ガス源
（remote gas supply ）から遠隔チャンバーへ前駆体ガスを流し、そこで該ガス
が第２の活性化源によって活性化されて反応性の化学種を形成するための第１の
導管（conduit ）と；遠隔チャンバーから堆積チャンバー内に反応性の化学種を
流すための第２の導管とを含む。
技術的には、遠隔プラズマは、反応性の化学種を生成するために用いられる。
反応性の化学種がチャンバーへ流れる間に失活ないし消滅する（quenching ）と
いう問題の解決を助けるために、プロセス・チャンバー内に温和な（mild）プラ
ズマを印加して該クリーニングを支援してもよい。組み合わされたプラズマ源の
使用は、ローカルなまたは遠隔プラズマの単独での使用に伴って得られるであろ
うものに比べ、より良好なクリーニング速度を達成する。加えて、本発明は、堆
積チャンバー内での低エネルギー・プラズマの使用を（ないしは、プラズマ無し
をも）許容するため、クリーニング・プロセスの結果としてのチャンバー内部の
構成要素へのダメージを遥かに小さくし、しかも、前述した不利益を有するＡｌ
x Ｆy 等の粒状物（particulates）ないしは好ましくない副生成物の形成を遥か
に少なくする。加えて、遠隔およびローカルな励起源を共に使用する態様におい
ては、各源は、最適な結果を達成するために独立に調節可能である。更に、シス
テムにおいてローカルなプラズマが利用可能でない場合には、他の活性化技術
（熱励起、等）が適用されてもよい。
本発明の更なる長所は、反応性の化学種を活性化させた際に形成される望まし
くない副生成物が、堆積チャンバーに入る前に、容易にろ過により除去（filter
ed out）可能なことである。加えて、活性化学種を維持するためのローカルな源
の使用が、遠隔活性化チャンバーの配置（placement ）について存在することが
ある制約を低減させる。すなわち、遠隔活性化チャンバーは、堆積チャンバーか
ら更なる距離にあっても、遠隔チャンバーから堆積チャンバーへ移動する際の活
性化学種の失活について懸念をより小さくしつつ、都合がよいように（convenie
ntly）置かれることができる。このことは、このような特性により、既存のシス
テムを改造（retrofit）することが、比較的容易であることを意味する。
遠隔およびローカルな励起源の組合せを使用することは、それが同様の利点を
もって、多種多用の応用ないしシステムに適用可能であるという更なる利点を有
する。例えば、それは、ＰＶＤないしＣＶＤシステム、プラズマエッチングシス
テム、基板クリーニング、イオン・ドーピングないしフォトレジストの剥がし
（stripping ）のためのシステムにおいても使用可能である。
記述された態様においては、アプライド・コマツ・テクノロジー社により製造
されたＡＫＴ−１６００型ＰＥＣＶＤシステムを、本明細書中で記述したように
改造して用いた。ＡＫＴ−１６００ＰＥＣＶＤは、アクティブマトリックス液晶
式ディスプレイ（ＡＭＬＣＤｓ）の生産用に設計されている。それは、多重（mu
ltiple）プロセス・チャンバーを有するモジュラーシステムであって、アモルフ
ァスシリコン、窒化珪素、酸化珪素、および酸窒化物（oxynitride）膜を堆積す
るために使用可能である。しかしながら、本発明は商業的に入手し得る（commer
cially available）どのような堆積システムで使われてもよい。
図１を参照して、発明に従って改造されたＰＥＣＶＤシステムは、その内部が
、堆積ガス（deposition gases）を導入するためのガス入口マニホールド（ある
いは、シャワ−ヘッド）１２である堆積チャンバー１０と、その上に材料を堆積
するための基板１６を保持するためのサセプター１４とを含む。ガス入口マニホ
ールド１２およびサセプター入口１４は、両者とも平行のプレートの形状であり
、それぞれ上位および下位電極としても機能する。下位電極およびチャンバー本
体は、接地（ground）に接続されている。ＲＦ発生器３８は、整合（matching）
ネットワーク４０を通して、ＲＦ電力を上位電極に供給する。ＲＦ発生器３８は
、該上位および下位電極の間にプラズマを生成させるために用いられる。
サセプター１４は、堆積の間、該基板を加熱するための抵抗ヒータ１８を含む
。外部ヒータ制御モジュール２０は、該ヒータにパワーを供給して、該システム
内において実行されるプロセスが必要とする（dictated by ）ような適切な温度
レベルに、サセプターを到達させ（achieved）且つ維持する。
上記サセプターは、該チャンバーの底を通して垂直に延びる移動可能なシャフ
ト２２の頂部（top ）に取り付けられている。モーター式リフト機構２４は、上
記シャフトを垂直方向に動かして、堆積操作のため入口マニホールドの近くの位
置までサセプターを上げ、且つ、該堆積操作の終了後には該サセプターを下げる
。上位および下位電極の間の分離は、反応動力学（reaction kinetics ）および
実行されるべき特定の堆積プロセスのための膜特性を最大化するために、調整可
能である。該サセプターの下には（below ）、一組の垂直ピン２８を有するリフ
トオフ・プレート２６がある。ピン２８は、サセプター１４内の対応する穴３０
と整合（aligned with）している。処理操作の後サセプターが下げられるとき、
該ピンは、該穴を通過して、基板の背面と接触し、そして該基板をサセプターか
ら持ち上げて（lift off）、機械的移送メカニズム（図示せず）によって、より
容易にチャンバーから取り除く。
チャンバー１０の外側には、堆積の間に使用されるガスを含むガス源３２があ
る。材料に依存して使用される特定のガスは、基板上へ堆積される。プロセス・
ガスは、入口ポートを通ってガス・マニホールドに、そして、次いでシャワ−ヘ
ッドを通ってチャンバー内へと流れる。電気的に作動されるバルブ・流れ制御機
構３４は、ガス源からチャンバー内へのガスの流れを制御する。チャンバーを排
気するために使用される真空ポンプ３６も、出口ポートを通って該チャンバーに
接続されている。
本発明によれば、第２のガス供給システムも、入口ポート３３を通って該チャ
ンバーに接続されている。第２のガス供給システムは、堆積操作のシーケンスの
後に該チャンバーの内部をクリーニングするために用いられるガスを供給する。
クリーニングによって、堆積された材料が、チャンバーの内部の表面から除去さ
れる。
第２ガス供給システムは、前駆体ガス４４の源と；堆積チャンバーからある間
隔をおいて該チャンバーの外側に配置された遠隔活性化チャンバー４６と；遠隔
活性化チャンバー内で前駆体ガスを活性化するための電源４８と；電気的に作動
するバルブ・流れ制御機構５０と；前記遠隔チャンバーを堆積チャンバーに接続
するステンレス・スティール導管ないしパイプ５７とを含む。バルブ・流れ制御
機構５０は、前駆体ガス源４４から遠隔活性化チャンバー４６内へ、使用者が選
択する流量でガスを供給する。電源４８は、前駆体ガスを活性化して反応性の化
学種を形成し、これは次いで、導管５７を通って堆積チャンバーに入口ポート３
３経由で流される。換言すれば、上位電極ないしシャワ−ヘッド１２は、堆積チ
ャンバー内に反応性のガスを供給するために用いられる。上記態様において、遠
隔チャンバーは石英チューブであり、電源は該石英チューブでのその出力で、２
. ５４ＧＨｚのマイクロ波発振器である。
必要に応じて、他のバルブ・流れ制御機構５３を通って、遠隔活性化チャンバ
ーに接続されているマイナーなキャリヤーガス５２の源があってもよい。このマ
イナーなキャリヤーガス５２は、活性化学種の堆積チャンバーへの移送（transp
ort ）を支援する。それは、それが使われている特定のクリーニング・プロセス
と両立できる（compatible）非反応性のガスであることができる。例えば、該マ
イナーなキャリヤーガスは、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素または酸素、その
他であってもよい。活性化された化学種の堆積チャンバーへの移送を支援するこ
とに加えて、また、該キャリヤーガスは、クリーニング・プロセスを支援しても
よく、また、堆積チャンバー内のプラズマを開始させ、および／又は安定させる
のを支援してもよい。
上記態様において、堆積チャンバーに入る前に、活性化された化学種が通過す
る導管ないしパイプ中に、フィルター５６がある。該フィルターは、反応性の化
学種の活性化の間に形成される可能性のある粒状物質（particulate matter）を
除去する。上記態様において、該フィルターは、約０. ０１〜０. ０３ミクロン
のポアサイズ（pore size ）を有するセラミック材料から形成されている。もち
ろん、他の材料、例えばテフロン、を用いることも可能である。
また、該フィルターは、反応の副生成物として遠隔チャンバー内で生成された
可能性がある望ましくない材料を除去するために、用いられることも可能である
ことに留意すべきである。例えば、反応性のガスがＣＦ4 、ＳＦ6 ないし他の、
炭素かイオウのいずれかを含むハロゲン化合物である場合、活性化された炭素ま
たは硫黄の化学種は、活性化プロセスの副生成物として存在するだろう。しかし
ながら、堆積チャンバー内においては、一般に、炭素または硫黄は存在しないこ
とが望ましい。この理由は、活性化が全体的に（entirely）堆積チャンバー内で
起こるような従来の乾式クリーニング・プロセスにおいては、これらの化合物は
一般的に使われないからである。しかしながら、本明細書で記述されるように、
該活性化が遠隔的に実行されるときは、適当なフィルター材料を使用することに
よって、これらの材料を容易に除去することができる。このようなフィルター材
料は、商業的な市場において容易に入手可能であり、且つ当該技術分野における
当業者にとって周知である。
記述された態様において、前駆体はＮＦ3 である。活性化された化学種の流量
は、約２リッター／分で、チャンバー圧力は０. ５Ｔｏｒｒである。前駆体ガス
を活性化するために、マイクロ波源は、活性化チャンバーに約５００〜１５００
ワットを供給する。堆積チャンバー内で、ＲＦ源はプラズマへ約１００〜２００
ワットを供給する。ＡＫＴ−１６００ＰＥＣＶＤシステムにとって、これは上位
および下位電極の間の電圧で約１５〜２０ボルトを意味する。もちろん、精密な
電圧および電流は、圧力に依存する。すなわち、電流は、与えられた一定の電圧
において、圧力に比例する。いずれにしても、チャンバー内で温和な（gentle）
プラズマを誘導することのみが必要とされ、これは、遠隔源からチャンバー内へ
流される活性化された化学種を維持するために充分な程度に強ければよい。
フィード・ガスとしてＮＦ3 を使用することによって、シリコン（Ｓｉ）、ド
ープされたシリコン、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、および酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が
堆積されたチャンバーをクリーニングすることができた。堆積されたままの（as
-deposited）膜に対するクリーニング速度は、窒化珪素について２ミクロン／分
、および、シリコン、ドープされたシリコン、および酸化珪素について１ミクロ
ン／分に達した。これらのクリーニング速度は、約２キロワットのパワーレベル
で１３. ５６ＭＨｚＲＦでローカルなプラズマのみを用いる従来のクリーニング
・プロセスより２〜４倍速い速度である。
上記態様においては前駆体ガスを活性化するためにマイクロ波発振器（microw
ave generator ）が使われたが、前駆体ガスを活性化することができるパワー源
であれば、どのようなものでも使用可能である。例えば、遠隔ないしローカルな
プラズマは、共に、直流（ＤＣ）、高周波（ＲＦ）、マイクロ波（ＭＷ）ベース
の放電技術を用いることができる。加えて、ＲＦ電源が用いられるならば、それ
は容量的に（capacitively）あるいは誘導的に（inductively ）チャンバーの内
部に結合される（coupled ）ことができる。また、活性化は、ほんの２、３を例
示するならば（to name just a few）、熱的ベースのガス破壊（gas break-down
）技術；高強度の光源；または、Ｘ線源によっても、行うことができる。
一般に、反応性のガスは、通常用いられるハロゲンおよびハロゲン化合物を含
む、広範囲のオプションから選択することげできる。例えば、該反応性のガスは
、塩素、弗素、それらの化合物、例えば、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＳＦ6 、Ｃ2 Ｆ6 、
ＣＣｌ4 、Ｃ2 Ｃｌ6 、であってもよい。もちろん、用いられる特定のガスは、
除去されるべき堆積された材料に依存する。例えば、タングステン堆積システム
においては、堆積されたタングステンをエッチングするか、および／又は除去・
クリーニングするために、典型的には、弗素化合物ガスが用いられる。
遠隔プラズマとの組合せで（in conjunction with ）ローカルなプラズマを使
用するため、遠隔活性化チャンバーは、チャンバーと更に遠く離れて配置するこ
とが可能となる。したがって、２つの遠隔源をローカルな源に接続するためには
、管材料（tubing）が必要とされるのみである。活性化された化学種のいくらか
の失活（すなわち、活性化された化学種の不活性化（deactivation））は、該移
送の間に起こるかもしれない。しかしながら、ローカルな源が、起こる可能性の
あるこのような失活のいずれをも補償する（compensates ）。実際は、いくらか
の長寿命の活性化された化学種（例えばＦ* ）は、失活した際には、典型的には
その基底状態へ戻らず、むしろ中間的な状態（intermediate state）に遷移する
（transition）。したがって、失活した化学種を再活性化するために必要とさ
れるエネルギー量は、遠隔活性化チャンバー内で該ガスを活性化するために必要
とされるそれに比べて、遥かに小さい。したがって、ローカルな活性化源（例え
ば、プラズマ）は、高いエネルギー源である必要はない。
また、堆積チャンバーからある距離をおいて遠隔源を配置することによって、
活性化プロセス中で生成される短寿命のラジカルが、長寿命のラジカルと比べて
、この両者が堆積チャンバーに移送される際に、より完全に失活されるであろう
ことにも、注意すべきである。したがって、堆積チャンバーに流れ込む反応性の
ガスは、移送を生き抜いた（survived）、主に長寿命のラジカルを含むこととな
る。例えば、もしＮＦ3 が反応性のガスであるならば、２つのラジカル、すなわ
ちＮ* およびＦ* 、が遠隔活性化チャンバー内で生成される。該窒素ラジカルは
短寿命であり、弗素ラジカルは、長寿命である。窒素ラジカルは、典型的には、
遠隔チャンバーから堆積チャンバーに至る長い移送を生き抜くことはできないだ
ろう。一方、弗素ラジカルは、その大きい割合が生き抜くだろう。これは、シス
テム内で起こる自然のフィルタリングの形であり、これは非常に望ましい。例え
ば、窒素ラジカルの場合、それらの存在がＮx Ｈy Ｆz 化合物の形成をもたらす
可能性があるため、それらは堆積チャンバー内に存在しないことが、時には好ま
しい。該化合物の形成は、前述したようにポンプを害する可能性がある。しかし
ながら、従来のクリーニング技術におけるように、活性化が堆積チャンバー内で
実行される場合には、生成される窒素ラジカルを除去する簡単な方法はない。
乾式クリーニング・プロセスにおいては、性能（performance ）に重要な影響
を与えることなく、チャンバー圧力は、かなり幅広い範囲内のどこに位置しても
よいように、選択することが可能である。この好ましい圧力範囲は、この範囲外
の圧力を用いることも可能であるが、約０. １〜約２Ｔｏｒｒである。加えて、
上記態様について選ばれた周波数は単なる実例に過ぎず、本発明で使用可能な周
波数は、上記態様において用いられたそれらに制限されない。例えば、ＲＦ電源
に関しては、広い周波数範囲（例えば、４００ＫＨｚ〜１３. ５６ＭＨｚ）のど
れもが典型的にプラズマを生成するために使用され、そしてそれらの周波数も本
発明において使用できる。しかしながら、一般的には、選ばれたパワーレベル、
流量、および圧力は、システムに特有（system specific ）であり、したがって
、該プロセスが実行されるべき特定のシステムについて最適化される必要がある
だろう。特定のシステムについて性能の最適化を達成するために、当該技術にお
ける当業者の能力の範囲内で、プロセス条件において適切な調整を行うことが好
ましい。
上記態様はＰＥＣＶＤシステムを包含しているが、本発明は、より広い適用可
能性を有している。例えば、ローカルな活性化源（すなわち、メインの真空チャ
ンバーの内側の）との組合せで使用される可能性のある、遠隔活性化源の概念
（すなわち、メインの真空チャンバーの外側の）は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、イオン・
ドーピング、フォトレジスト剥離（stripping ）、基板クリーニング、ないしプ
ラズマエッチングのいずれの目的で設計されたシステムにおいても使用可能であ
る。
他の態様も、本願のクレームの範囲内となる。
本発明を具体化するＰＥＣＶＤシステムのブロック図である。

Claims (13)

  1. 電子デバイスの作製において用いられる堆積チャンバーをクリーニングする方法であって、
    前記堆積チャンバー外部の遠隔チャンバーに弗素ガスを供給（delivering）し；
    遠隔エネルギー源を用いて前記遠隔チャンバー内で前記弗素ガスを活性化して反応性化学種を形成し；
    前記遠隔チャンバーから前記堆積チャンバー内に前記反応性化学種を流し；そして、
    前記遠隔チャンバーから供給された反応性化学種を用いて、前記堆積チャンバーの内側表面をクリーニングする；
    ことを含む前記方法。
  2. 前記遠隔チャンバーから前記堆積チャンバーに流された前記反応性化学種を更に励起するために、ローカルなエネルギー源を用いるステップを更に含む請求項１記載の方法。
  3. 前記遠隔エネルギー源が、マイクロ波エネルギー源である請求項１記載の方法。
  4. 前記ローカルなエネルギー源が、前記堆積チャンバー内でプラズマを発生させるためのＲＦエネルギー源である請求項３記載の方法。
  5. 前記遠隔チャンバー内にキャリヤーガスを流すステップを更に含む請求項１記載の方法。
  6. 前記キャリヤーガスが、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、および酸素からなるガスの群から選ばれる請求項５記載の方法。
  7. 電子デバイスの作製において用いられる堆積チャンバーをクリーニングする方法であって、
    遠隔プラズマチャンバーに弗素ガスを含む化合物を供給（delivering）し；
    前記遠隔プラズマチャンバー内で反応性弗素化学種を形成し；
    前記堆積チャンバー内に前記反応性弗素化学種を流し；そして、
    前記反応性弗素化学種を用いて、前記堆積チャンバーの内側表面をクリーニングする；
    ことを含む前記方法。
  8. 前記弗素ガスを含む化合物は弗素ガスである請求項７記載の方法。
  9. 前記弗素ガスを含む化合物はＣＦ4である請求項７記載の方法。
  10. 前記弗素ガスを含む化合物はＳＦ4である請求項７記載の方法。
  11. 前記弗素ガスを含む化合物はＣＣｌ4である請求項７記載の方法。
  12. 前記遠隔プラズマチャンバー内にキャリヤーガスを流すことをさらに含む請求項７記載の方法。
  13. 前記キャリヤーガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、および酸素からなるガスの群から選ばれる請求項１２記載の方法。
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