JP3815843B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、各種半導体デバイス等の製作に使用されるスパッタリング装置に関し、特に、高アスペクト比のホール内に成膜するのに適したスパッタリング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各種メモリやロジック等の半導体デバイスでは、各種配線膜の作成や異種層の相互拡散を防止するバリア膜の作成等の際にスパッタリングプロセスを用いており、スパッタリング装置が多用されている。このようなスパッタリング装置に要求される特性は色々あるが、基板に形成されたホールの内面にカバレッジ性よく被覆できることが、最近強く求められている。
【0003】
具体的に説明すると、例えばDRAMで多用されているCMOS−FET(電界効果トランジスタ)では、拡散層の上に設けたコンタクトホールの内面にバリア膜を設けてコンタクト配線層と拡散層とのクロスコンタミネーションを防止する構造が採用される。また、各モメリセルの配線を行う多層配線構造では、下層配線と上層配線とをつなぐため、層間絶縁膜にスルーホールを設けこのスルーホール内を層間配線で埋め込むことが行われるが、この際にも、スルーホール内にバリア膜を作成して、クロスコンタミネーションを防止した構造が採られる。
【0004】
このようなホールは、集積度の増加を背景として、そのアスペクト比(ホールの開口の大きさに対するホールの深さの比)が年々高くなってきている。例えば、64メガビットDRAMでは、アスペクト比は4程度であるが、256メガビットでは、アスペクト比は5〜6程度になる。
【0005】
バリア膜の場合、ホールの周囲の面への堆積量に対して10から15%の量の薄膜をホールの底面に堆積させる必要があるが、高アスペクト比のホールについては、ボトムカバレッジ率(ホールの周囲の面への成膜速度に対するホール底面への堆積速度の比)を高くして成膜を行うことが困難である。ボトムカバレッジ率が低下すると、ホールの底面でバリア膜が薄くなり、ジャンクションリーク等のデバイス特性に致命的な欠陥を与える恐れがある。
【0006】
ボトムカバレッジ率を向上させるスパッタリングの手法として、コリメートスパッタや低圧遠隔スパッタ等の手法がこれまで開発されてきた。コリメートスパッタは、ターゲッットと基板との間に基板に垂直な方向の穴を多数開けた板(コリメーター)を設け、基板にほぼ垂直に飛行するスパッタ粒子のみを選択的に基板に到達させる手法である。また、低圧遠隔スパッタは、ターゲットと基板との距離を長くして(通常の約3倍から5倍)基板にほぼ垂直に飛行するスパッタ粒子を相対的に多く基板に入射させるようにするとともに、通常より圧力を低くして(0.8mTorr程度以下)平均自由行程を長くすることでこれらのスパッタ粒子が散乱されないようにする手法である。
【0007】
しかしながら、コリメートスパッタではコリメーターの部分にスパッタ粒子が堆積して損失になるために成膜速度が低下する問題があり、また、低圧遠隔スパッタでは、圧力を低くしターゲットと基板との距離を長くするため本質的に成膜速度が低下する問題がある。このような問題のため、コリメートスパッタは、アスペクト比が3程度までの16メガビットのクラスの量産品に使用されるのみであり、低圧遠隔スパッタでもアスペクト比4程度までのデバイスが限界とされている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本願の発明は、上述のような従来の状況をふまえ、アスペクト比4を越えるホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにすることを解決課題としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載の発明は、排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
ターゲットから基板へのスパッタ粒子の飛行経路に設定されたイオン化空間に所定のレーザーを照射してスパッタ粒子をイオン化させるレーザー発振器を備えており、
スパッタチャンバーには、レーザーを透過させてスパッタチャンバー内に入射させる入射窓と、レーザーを透過させてスパッタチャンバー外に出射させる出射窓が気密に設けられており、
レーザー発振器は、スパッタチャンバーの外であって、入射窓からスパッタチャンバー内にレーザーが入射する位置に設けられており、
前記入射窓と前記出射窓は別々に設けられたものであって、前記スパッタチャンバーは、前記入射窓が気密に填め込まれる開口と、前記出射窓が気密に填め込まれる別の開口を有するという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項2記載の発明は、上記請求項1の構成において、前記スパッタチャンバーの外には、レーザーを吸収するビームアブソーバーが設けられており、ビームアブソーバーは、出射窓を透過して出射したレーザーが達する位置に設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項3記載の発明は、上記請求項1又は2の構成において、イオン化したスパッタ粒子を前記イオン化空間から引き出して基板に到達させるための引き出し用電界を設定する手段が設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項4記載の発明は、上記請求項3の構成において、引き出し用電界を設定する手段は、基板ホルダーに高周波電圧を印加して基板にバイアス電圧を与えるものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項5記載の発明は、上記請求項1、2、3又は4の構成において、レーザー発振器は、エキシマレーザー発振器であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項6記載の発明は、上記請求項1、2、3、4又は5の構成において、レーザー発振器から発振されたレーザーをイオン化空間に走査する走査機構が設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項7記載の発明は、上記請求項6の構成において、前記走査機構は、前記スパッタチャンバーの外に設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項8記載の発明は、上記請求項1、2、3、4又は5の構成において、レーザー発振器から発振されたレーザーが前記イオン化空間を所定の複数回通過するようにするリフレクタが設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項9記載の発明は、上記請求項6又は7の構成において、前記レーザー発振器から発振されたレーザーが前記イオン化空間を所定の複数回通過するようにするリフレクタが設けられており、このリフレクタは、前記走査機構によりある幅に走査されたレーザーを反射させて前記イオン化空間を所定の複数回通過するようにするものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項10記載の発明は、上記請求項1、2、3、4、5、6、7、8又は9の構成において、スパッタ粒子の不必要な場所への付着を防止する防着シールドが前記スパッタチャンバー内に設けられており、
防着シールドは、前記ターゲットと前記基板ホルダーとの間の空間を取り囲む形状であって、前記レーザー発振器から発振されたレーザーの通過を阻害しない構成となっているという構成を有する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。図1は、本願発明の実施形態のスパッタリング装置の構成を説明する正面概略図である。
本実施形態のスパッタリング装置は、排気系11を備えたスパッタチャンバー1と、このスパッタチャンバー1内に設けられたターゲット2と、このターゲット2をスパッタするスパッタ電源3と、スパッタチャンバー1内に所定のガスを導入するガス導入手段4と、ターゲット2から放出されたスパッタ粒子が入射する位置に基板50を保持する基板ホルダー5とを備えている。
【0011】
まず、スパッタチャンバー1は、不図示のゲートバルブを備えた気密な容器である。このスパッタチャンバー1は、ステンレス等の金属製であり、電気的には接地されている。
排気系11は、ターボ分子ポンプや拡散ポンプ等を備えた多段の真空排気システムで構成されており、スパッタチャンバー1内を10-8Torr程度まで排気可能になっている。また、排気系11は、バリアブルオリフィス等の不図示の排気速度調整器を備え、排気速度を調整することが可能になっている。
【0012】
ターゲット2は、例えば厚さ6mm、直径300mm程度の円板状であり、金属製のターゲットホルダー21及び絶縁体22を介してスパッタチャンバー1に取付けられている。
ターゲット2の背後には、磁石機構30が設けられており、マグネトロンスパッタを行うようになっている。磁石機構30は、中心磁石31と、この中心磁石31を取り囲む周辺磁石32と、中心磁石31及び周辺磁石32とを繋ぐ円板状のヨーク33とから構成されている。尚、各磁石31,32は、いずれも永久磁石であるが、電磁石でこれらを構成することも可能である。
【0013】
スパッタ電源3は、所定の負の高電圧をターゲット2に印加するよう構成される。例えばチタンのスパッタの場合、500V程度の負の直流電圧を印加するよう構成されることが多い。
【0014】
ガス導入手段4は、アルゴン等のスパッタ放電用のガスを溜めたガスボンベ41と、ガスボンベ41とスパッタチャンバー1とをつなぐ配管42と、配管42に設けられたバルブ43や流量調整器44とから主に構成されており、ターゲット2の下方の空間に所定のプロセスガスを導入するようになっている。
【0015】
基板ホルダー5は、絶縁体53を介してスパッタチャンバー1に気密に設けられており、ターゲット2に対して平行に基板50を保持するようになっている。基板ホルダー5には、基板50を静電気によって吸着する不図示の静電吸着機構が設けられる。静電吸着機構は、基板ホルダー5内に設けられた吸着電極と吸着電極に直流電圧を印加する吸着電源とから構成される。尚、成膜中に基板50を加熱して成膜を効率的にする不図示の加熱機構等が基板ホルダー5内に設けられる場合がある。
【0016】
さて、本実施形態の装置の大きな特徴点は、ターゲット2から基板50へのスパッタ粒子の飛行経路に設定されたイオン化空間に所定のレーザーを照射してスパッタ粒子をイオン化させるレーザー発振器6を備えている点である。
レーザー発振器6には、本実施形態ではエキシマレーザー発振器が使用されている。エキシマレーザー発振器6は、例えばAr+Fガス励起の発振波長193nmのものが使用されている。発振はパルスであり、1パルスのエネルギーは10mJ程度である。
【0017】
このレーザー発振器6は、図1に示すようにスパッタチャンバー1の外に設けられており、スパッタチャンバー1はレーザーを透過させる入射窓12を備えている。入射窓12は、石英ガラス又はサファイアのようなレーザーの波長の光を充分に透過させることが可能な材料から形成されている。
【0018】
スパッタチャンバー1は、この入射窓12を填め込む開口を有し、この開口部分はOリング等のシール部材によって真空シールされている。尚、スパッタチャンバー1の外にレーザー発振器6を配置する構成は、スパッタチャンバー1をいたずらに大型化させることなく装置全体をコンパクトにする効果があり、また、レーザー発振器6を構成する部材によってスパッタチャンバー1内の雰囲気が汚損されるのを防止する効果もある。
【0019】
また、レーザー発振器6と入射窓12との間の光路上には、走査機構61が設けられている。走査機構61は、入射窓12へのレーザーの入射方向を周期的に変化させることで、イオン化空間のより広い領域にレーザーが照射されるようにするものである。レーザーは、多くの場合細いビームの形で発振されるので、イオン化空間に走査させることは効率の良いイオン化に極めて有効である。
【0020】
具体的には、走査機構61は、入射窓12へのレーザーの入射方向を水平面内で変化させ、レーザーがイオン化空間に走査されるようにする。走査機構61としては、正多角柱状のミラーを回転させる機構、又は、ガルバノメーターを使用して平面鏡を所定角度範囲で回転させる機構等が採用される。
【0021】
一方、図1に示すように、スパッタチャンバー1は、入射窓12と反対側の位置に出射窓13を有している。そして、出射窓13の外側には、ビームアブソーバー62が配置されている。ビームアブソーバー62は、レーザー発振器6が発振する波長のレーザーを反射させずに効率よく吸収することが可能な材質例えばMg0とAuとMoの合金などで形成されている。
【0022】
レーザー発振器6から発振されたレーザーLは、入射窓12からスパッタチャンバー1内に入射してイオン化空間に照射され、イオン化空間に存在する中性スパッタ粒子200にエネルギーを与えてイオン化させ、イオンしたスパッタ粒子(以下、イオン化スパッタ粒子)201を生成するようになっている。この際、走査機構61によってレーザーLがイオン化空間で走査されるので、効率良くイオン化スパッタ粒子201が生成されるようになっている。
【0023】
図2は、イオン化スパッタ粒子の作用について説明する図であり、成膜される基板の断面概略図である。基板50にはコンタクトホールのようなホール501が形成されており、バリア膜のようにこのホール501の内面に薄膜500を作成する場合について説明する。
【0024】
図2(a)に示すように、ホール501の内面に成膜する場合、従来のスパッタリング装置では、ホール501の開口の縁の部分に盛り上がって薄膜500が堆積する傾向がある。この部分への膜堆積502はオーバーハングと呼ばれるが、オーバーハング502が生ずるとホール501の開口が小さくなり、ホール501のアスペクト比が見かけ上さらに高くなってしまう。この結果、ボトムカバレッジ率の低い成膜になってしまう。
【0025】
しかし、図2(b)に示すようにイオン化スパッタ粒子201を基板50に入射させると、イオン化スパッタ粒子201がオーバーハング502の部分を再スパッタして崩し、ホール501内に落とし込むようにすることができる。このため、ホール501の開口が小さくならずに、中性スパッタ粒子200やイオン化スパッタ粒子201によってボトムカバレッジ率の高い成膜を行うことができる。
【0026】
また一方、本実施形態の装置では、イオン化スパッタ粒子201をイオン化空間から引き出して基板50に到達させるための引き出し用電界を設定する手段が設けられている。この手段は、図1に示すように、基板ホルダー5に高周波電圧を印加して基板50にバイアス電圧を与える高周波電源7によって構成されている。高周波電源7は、例えば周波数13.56MHzで出力200W程度のものが使用され、不図示の整合器を介して基板ホルダー5に高周波電力を供給する。尚、高周波電源7は、60〜100MHz程度の周波数でもよい。
【0027】
スパッタ電源3によってスパッタ放電が生ずると、ターゲット2の下方に放電によるプラズマPが生成されるが、高周波電源7によって基板50に高周波電圧が印加されると、基板50の上方の空間にも弱いプラズマP’が生成される。このうち、基板50の表面にはこのプラズマP’中の荷電粒子が周期的に引き寄せられる。このうち、移動度の高い電子は正イオンに比べて多くが基板50の表面に引き寄せられ、その結果、基板50の表面は負の電位にバイアスされたのと同じ状態になる。具体的には、上述した例の高周波電源7の場合、平均値で−100V程度のバイアス電圧を基板50に与えることができる。
【0028】
上記基板バイアス電圧が与えられた状態は、直流二極放電でプラズマを形成した場合の陰極シース領域と同様であり、プラズマP’と基板50との間に基板50に向かって下がる電位傾度を有する電界(以下、引き出し用電界)が設定された状態となる。この引き出し用電界によって、イオン化スパッタ粒子201は、プラズマP’から引き出されて基板50に効率良く到達するようになっている。このため、上記イオン化スパッタ粒子201の効果がさらに高く得られるようになっている。
【0029】
また、上記引き出し用電界は基板50に対して垂直な向きの電界であり、基板50に対して垂直にイオン化スパッタ粒子201を加速するよう作用する。このため、基板50に形成されたホール501の底面まで効率よくイオン化スパッタ粒子201を到達させることができるようになっており、この点でもボトムカバレッジ率の高い成膜が可能になっている。
【0030】
尚、本実施形態の装置は、スパッタ粒子200,201の不必要な場所への付着を防止する防着シールド8がスパッタチャンバー1内に設けられている。防着シールド8はほぼ円筒状の部材であり、ターゲット2と基板ホルダー5との間の空間を取り囲むようにして設けられている。
【0031】
スパッタ粒子がスパッタチャンバー1の器壁等の不必要な場所に付着すると、経時的に薄膜を堆積する。この薄膜がある程度の量に達すると内部ストレス等によって剥離し、スパッタチャンバー1内をパーティクルとなって浮遊する。このパーティクルが基板50に達すると、局部的な膜厚異常等の不良を発生させる。このため、本実施形態の装置は、ターゲット2と基板ホルダー5との間の空間を防着シールド8で取り囲み、不要な場所へのスパッタ粒子200,201の付着を防止している。尚、防着シールド8は、レーザーLの通過を阻害しないよう、イオン化空間の上側と下側とに分離した構成となっている。
【0032】
次に、本願発明の別の実施形態の構成について説明する。図3は、本願発明の別の実施形態の構成を説明する平面概略図である。
この実施形態の装置では、レーザー発振器6から発振されたレーザーがイオン化空間を複数回通過するようにするリフレクタ63が設けられている。より具体的には、図3に示すように、スパッタチャンバー1には、入射窓12と同じ高さの位置に四つのリフレクタ63と一つの出射窓13が設けられている。
【0033】
リフレクタ63は、アルミ等の鏡面膜を有する板又は表面研磨したアルミ等の板で構成され、レーザーを効率よく反射するよう構成される。尚、各リフレクタ63は、スパッタチャンバー1の中心軸と同軸円筒面を形成するよう構成されている。また、各リフレクタ63は、スパッタチャンバー1に設けられた開口に気密に取付けられている。
【0034】
上記四つのリフレクタ63を、レーザーが入射する順に第一リフレクタ63A、第二リフレクタ63B、第三リフレクタ63C、第四リフレクタ63Dとする。図3に示すように、走査機構61を経てスパッタチャンバー1内に導入されるレーザーLは、イオン化空間を通過した後、第一リフレクタ63Aに達し、第一リフレクタ63Aに反射した後、再びイオン化空間を通過して第二リフレクタ63Bに達する。そして、第二リフレクタ63Bに反射した後、再びイオン化空間を通過し、さらに第三リフレクタ63C、第四リフレクタ63Dに反射しながらイオン化空間を通過し、最終的に出射窓13に達する。そして、出射窓13を透過してビームアブソーバー62に達し、ビームアブソーバー62で吸収されるようになっている。
【0035】
つまり、ビームアブソーバー62に達するまでに5回イオン化空間を通過するようになっている。このため、イオン化空間に存在する中性スパッタ粒子にレーザーからエネルギーが供給される効率が高くなり、より高い効率でイオン化させることができる。この結果、上記イオン化スパッタ粒子の効果がより高く得られることになる。尚、この実施形態でも、走査機構61がレーザーを走査し、イオン化空間にまんべんなくレーザーが照射されるようになっている。
【0036】
次に、上記各実施形態のスパッタリング装置の全体の動作について説明する。
基板50が不図示のゲートバルブを通してスパッタチャンバー1内に搬入され、基板ホルダー5上に載置される。スパッタチャンバー1内は予め10-8Torr程度まで排気されおり、基板50の載置後にガス導入手段4が動作して、アルゴン等のプロセスガスが所定の流量で導入される。
【0037】
排気系11の排気速度調整器を制御してスパッタチャンバー1内を例えば0.2〜10mTorr程度に維持し、この状態でスパッタ放電を始動させる。即ち、スパッタ電源3によってターゲット2に所定の電圧を与え、イオン化したプロセスガス40がターゲット2を叩くことによってマグネトロンスパッタ放電を生じさせる。これによって、ターゲット2の下方にプラズマPが形成される。同時に、レーザー発振器6も動作させ、イオン化空間にレーザーLを照射する。また、高周波電源7も動作させ、イオン化空間に引き出し用電界を設定する。
【0038】
スパッタ放電によってターゲット2から放出された中性スパッタ粒子200は、基板50に向けて飛行する。その飛行の途中、イオン化空間を通過する際にレーザーLが照射されてイオン化し、イオン化スパッタ粒子201となる。イオン化スパッタ粒子201は、引き出し用電界によってプラズマPから効率良く引き出され、基板50に入射する。基板50に入射したスパッタ粒子200,201は、基板50に形成されたホール501の底面や側面に達して膜を堆積し、効率良くホール501内を被覆する。
所定の厚さで薄膜が作成されると、レーザー発振器6、スパッタ電源3、及び、ガス導入手段4の動作をそれぞれ停止させ、基板50をスパッタチャンバー1から搬出する。
【0039】
尚、バリア膜を作成する場合、チタン製のターゲットを使用し、最初にプロセスガスとしてアルゴンを導入してチタン薄膜を成膜する。そして、その後プロセスガスとして窒素ガスを導入してチタンと窒素との反応を補助的に利用しながら窒化チタン薄膜を成膜する。これによって、チタン薄膜の上に窒化チタン薄膜を積層したバリア膜が得られる。
【0040】
スパッタ粒子をイオン化する構成としては、ターゲット2から基板50へのスパッタ粒子の飛行経路に別途プラズマを形成してこのプラズマ中でスパッタ粒子をイオン化させる構成がある。しかしながら、この構成の場合、効率良くイオン化を行うためには、基板50に近い場所で強いプラズマを形成する必要があるため、プラズマ中の荷電粒子(主に電子)によって基板50が損傷を受ける場合がある。しかしながら、本実施形態のようにレーザーLによってスパッタ粒子200をイオン化させると、このようなプラズマ中の荷電粒子による基板50の損傷も問題は発生しない。
【0041】
【実施例】
上記各実施形態に属する実施例として、以下のような実施例が挙げられる。
プロセスガスの種類:アルゴン
プロセスガスの流量:10cc/分
成膜時の圧力:0.25mTorr
ターゲット2の大きさ:直径300mm,厚さ6mm
ターゲット2の材質:チタン
ターゲット2への印加電圧:−500V
ターゲット2への投入電力:9kW
レーザー発振器6の種類:エキシマレーザー発振器
レーザー発振器6の出力:100W
レーザー発振器6の発振周波数:193nm
レーザーのパルス幅:10ナノ秒
レーザーの繰り返し周波数:25Hz
レーザーの最大パルスエネルギー:10mJ
高周波電源7:周波数400kHz出力150W
【0042】
上記の条件により装置を動作させて各アスペクト比のホール内面への成膜を行った結果を、図4に示す。図4は、本願発明の実施例の装置の効果を確認した結果を示す図であり、参考のため、従来例の装置による成膜の結果が併せて示されている。尚、従来例は、低圧遠隔スパッタ方式の装置であり、ターゲット−基板間の距離が340mm、成膜時の圧力が0.3mTorrの条件で動作させた例である。
【0043】
図4に示すように、上記実施例の装置によれば、アスペクト比3のホールに対して約60%のボトムカバレッジ率、アスペクト比5のホールに対しては約30%のボトムカバレッジ率が得られており、従来例に比べて約3倍ものボトムカバレッジ率が得られる。このため、アスペクト比4を越える256メガビットや1ギガビットクラスの集積回路の製作に極めて有効な装置となり得る。
【0044】
上記各実施形態では、レーザー発振器6としてエキシマレーザー発振器を使用したが、YAGレーザー発振器や炭酸ガスレーザー発振器のようなエネルギーの高いレーザー(多くの場合紫外領域の波長)を発振できる他のレーザー発振器を使用することも可能である。
また、本願発明のイオン化スパッタリング装置は、各種半導体デバイスの他、液晶ディスプレイやその他の各種電子製品の製作に利用することができる。
【0045】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の各請求項の発明によれば、ターゲットからのスパッタ粒子がレーザーによってイオン化されるので、高アスペクト比のホールに対して充分なボトムカバレッジ率で成膜を行うことができる。また、レーザー発振器がスパッタチャンバーの外に設けられているので、スパッタチャンバーの大型化が避けられるとともに、レーザー発振器を構成する部材によってスパッタチャンバー内の雰囲気が汚損されるのが防止される。
また特に請求項3又は4の発明によれば、イオン化空間と基板との間に引き出し用電界が設定されるので、上記効果をより高く得ることができる。
また特に請求項6の発明によれば、走査機構によってレーザーが走査されるのでイオン化の効率が高くなり、さらにボトムカバレッジ率の高い成膜が行える。
また特に請求項8の発明によれば、レーザーがイオン化空間に所定の複数回照射されるので、イオン化効率がさらに高くなり、ボトムカバレッジ率がさらに高くなる。
また特に請求項9の発明によれば、走査機構によりある幅に走査されたレーザーがリフレクタに反射してイオン化空間を複数回通過するので、イオン化効率がさらに高くなり、ボトムカバレッジ率がさらに高くなる。
また特に請求項10の発明によれば、スパッタ粒子がスパッタチャンバー内の不必要な場所に付着することに起因した問題が防止される。その際にも、防着シールドによりレーザーの通過が阻害されないので、上記充分なボトムカバレッジ率で成膜できるという効果が確実に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の実施形態のスパッタリング装置の構成を説明する正面概略図である。
【図2】イオン化スパッタ粒子の作用について説明する図であり、成膜される基板の断面概略図である。
【図3】本願発明の別の実施形態の構成を説明する平面概略図である。
【図4】本願発明の実施例の装置の効果を確認した結果を示す図であり、参考のため、従来例の装置による成膜の結果が併せて示されている。
【符号の説明】
1 スパッタチャンバー
11 排気系
2 ターゲット
200 中性スパッタ粒子
201 イオン化スパッタ粒子
3 スパッタ電源
30 磁石機構
4 ガス導入手段
5 基板ホルダー
50 基板
6 レーザー発振器
61 走査機構
62 ビームアブソーバー
63 リフレクタ
7 高周波電源
8 防着シールド
Claims (10)
- 排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
ターゲットから基板へのスパッタ粒子の飛行経路に設定されたイオン化空間に所定のレーザーを照射してスパッタ粒子をイオン化させるレーザー発振器を備えており、
スパッタチャンバーには、レーザーを透過させてスパッタチャンバー内に入射させる入射窓と、レーザーを透過させてスパッタチャンバー外に出射させる出射窓が気密に設けられており、
レーザー発振器は、スパッタチャンバーの外であって、入射窓からスパッタチャンバー内にレーザーが入射する位置に設けられており、
前記入射窓と前記出射窓は別々に設けられたものであって、前記スパッタチャンバーは、前記入射窓が気密に填め込まれる開口と、前記出射窓が気密に填め込まれる別の開口を有することを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記スパッタチャンバーの外には、レーザーを吸収するビームアブソーバーが設けられており、ビームアブソーバーは、出射窓を透過して出射したレーザーが達する位置に設けられていることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
- イオン化したスパッタ粒子を前記イオン化空間から引き出して基板に到達させるための引き出し用電界を設定する手段が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリング装置。
- 前記引き出し用電界を設定する手段は、基板ホルダーに高周波電圧を印加して基板にバイアス電圧を与えるものであることを特徴とする請求項3記載のスパッタリング装置。
- 前記レーザー発振器は、エキシマレーザー発振器であることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載のスパッタリング装置。
- 前記レーザー発振器から発振されたレーザーを前記イオン化空間に走査する走査機構が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5項記載のスパッタリング装置。
- 前記走査機構は、前記スパッタチャンバーの外に設けられていることを特徴とする請求項6記載のスパッタリング装置。
- 前記レーザー発振器から発振されたレーザーが前記イオン化空間を所定の複数回通過するようにするリフレクタが設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載のスパッタリング装置。
- 前記レーザー発振器から発振されたレーザーが前記イオン化空間を所定の複数回通過するようにするリフレクタが設けられており、このリフレクタは、前記走査機構によりある幅に走査されたレーザーを反射させてレーザーが前記イオン化空間を所定の複数回通過するようにするものであることを特徴とする請求項6又は7記載のスパッタリング装置。
- スパッタ粒子の不必要な場所への付着を防止する防着シールドが前記スパッタチャンバー内に設けられており、
防着シールドは、前記ターゲットと前記基板ホルダーとの間の空間を取り囲む形状であって、前記レーザー発振器から発振されたレーザーの通過を阻害しない構成となっていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8又は9記載のスパッタリング装置。
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