JPH0419998A - 放射線取り出し窓 - Google Patents

放射線取り出し窓

Info

Publication number
JPH0419998A
JPH0419998A JP2123489A JP12348990A JPH0419998A JP H0419998 A JPH0419998 A JP H0419998A JP 2123489 A JP2123489 A JP 2123489A JP 12348990 A JP12348990 A JP 12348990A JP H0419998 A JPH0419998 A JP H0419998A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
window
radiation
extraction window
radiation extraction
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2123489A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimi Yamashita
良美 山下
Fumiaki Kumasaka
文明 熊坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2123489A priority Critical patent/JPH0419998A/ja
Publication of JPH0419998A publication Critical patent/JPH0419998A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、放射線装置の放射線取り出し窓に関し、 赤外線による放射線取り出し窓の温度上昇に起因する窓
膜の劣化・破損の防止することを目的とし、 高真空側と減圧側との間に設けられ、高真空側にある光
源からの放射線を透過する薄膜構造の放射線取り出し窓
において、該減圧側への減圧ガスの導入パイプを該放射
線取り出し窓へ向けることにより該放射線取り出し窓を
冷却するよう構成した。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線装置に係り、特に、半導体装置等の製
造に用いられるリソグラフィ技術や光反応技術、分析技
術、医療関係等における放射線装置の放射線取り出し窓
に関する。
近年、半導体装置の高集積化・高密度化に伴い、リソグ
ラフィ技術や光反応技術において用いられる放射線装置
が注目されている。以下、かかる放射線装置のうち典型
例であるX線露光装置を用いて説明する。
例えば、超LSIのりソグラフイにおいては、リソグラ
フィ工程におけるパターン転写を高精度で行なう必要が
ある。ここに、光露光における光より回折、干渉が少な
く、原理的に分解能に優れるX線露光がパターン転写に
用いられる。X線露光においては電子線励起のX線源よ
りもシンクロトン放射線(以下、SR光という。)等が
利用される。これは、電子線励起のX線源が有限の大き
さをもち、発散ビームであるため転写パターンの精度に
影響を与えるからである。
SR光とは、電子シンクロトンの中で磁場中を光速に近
い速度で運動している電子が放出する電磁波に含まれる
強度の光をいう。光は赤外線からX線にまでわたり、平
行性・輝度・強度において、他のX線源に比べ格段に優
れている。そして、かかるSR露光においては、光強度
の減衰を抑える放射線取り出し窓か要求される。
〔従来の技術〕
第2図(a)に従来技術の一例である放射線装置50の
要部構成図を示す。
電子蓄積リング51より出力されるSR光52はビーム
ダクト53を経由して試料64に到達する。ビームダク
ト53ては、SR光52はゲートバルブ54を介して平
行ミラー55.56で反射し、ゲートバルブ57を通る
。ここで、SR光は各波長の光線を含むが、かかる平行
ミラー55.56においてパターン転写に必要な軟X線
(波長が0.1〜5nmのX線)より短い波長は殆と吸
収される。
ゲートバルブ57を通ったSR光52は放射線取り出し
窓58よりヘリウムチャンバ59に入り、チャンバ窓6
0より試料66に到達する。ここで、61.62はビー
ムダクト53を高真空状態にするための真空ポンプであ
り、63.64はへりラムガスバイブである。また、ビ
ームダクト53とは、ゲートバルブ54から真空チャン
バ65まての領域をいう。
このような、放射線装置50においては、光速に近い速
度で運動する電子の電子蓄積リング51の内部は少なく
とも10−’Torr位の高真空状態を保っていること
が要求される。電子を発生させる陰極の酸化防止等のた
めである。一方、試料54は大気圧若しくは低真空状態
である。従って、ビームダクト53は単にSR光52を
通すだけでなく、高真空状態を保つ機能を備えているこ
とか要求される。ビームダクト53も高真空状態とした
のは、軟X線の乱反射、吸収を防ぐためである。
次に、高真空チャンバ65及びヘリウムチャンバ59の
部分を拡大して第2図(b)に示す。
高真空チャンバ65からヘリウムチャンバ59に向かう
SR光52は放射線取り出し窓58を通る。ここに、ヘ
リウムチャンバ59は従来、低真空(大気圧に近い)状
態であった。従って、耐圧性から放射線取り出し窓58
はその窓厚を厚くしなければならず、200μm程度必
要てあった。
しかし、窓厚を厚くするとSR光の軟X線か多く吸収さ
れてしまうという問題かあり、窓厚を数μm程度と薄く
する代わりにヘリウムチャンバ59を減圧するという方
法か提案された。
ところか、SR光は軟X線か中心であるものの赤外線も
多く含まれる。かかる赤外線は放射線取り出し窓58の
窓厚か厚い場合は、当該窓に吸収されるか、上記のよう
に窓厚か薄いと、放射線取り出し窓58の発熱の原因に
なる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のように赤外線により、放射線取り出し窓2が発熱
した場合は、窓膜自体か劣化、破損するという課題かあ
った。
また、破損せずども高温下における温度歪みはパターン
転写の精度に影響するという課題もあった。
そこで、本発明は上記課題に鑑み、赤外線による放射線
取り出し窓の窓膜の温度上昇による劣化・破損を防止す
ることを目的とし、以下のような手段を設けた。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決すへく、本発明では、高真空側と減圧側
との間に設けられ、高真空側にある光源からの放射線を
透過する薄膜構造の放射線取り出し窓において、該減圧
側への減圧ガスの導入パイプを該放射線取り出し窓へ向
けることにより該放射線取り出し窓を冷却するよう構成
した。
〔作用〕
減圧側への減圧ガスの導入パイプを放射線取り出し窓(
2)に向けることにより放射線取り出し窓か減圧ガスに
より冷却され、放射線取り出し窓(2)に赤外線か透過
しても、放射線取り出し窓(2)の発熱を抑えることか
てきる。
また、かかる冷却機構により、放射線取り出し窓(2)
の発熱を抑えることかできるので、放射線取り出し窓(
2)の窓膜を薄膜構造とてき、放射線(1)の透過率を
高めることかできる。
更に、従来から用いられている減圧ガスの導入パイプを
用いることにより、簡易に放射線取り出し窓(2)の発
熱を抑えることてき、経済上の面からも便宜である。
〔実施例〕
第1図に本発明の実施例である放射線取り出し窓及び高
真空チャンバ、ヘリウムチャンバを示す。
放射線1は赤外線を含み、高真空チャンバ12から放射
線取り出し窓2ヘリウムチャンバ13に透過する。
放射線取り出し窓2の窓膜は、ノズル状ガス導入バイブ
7からヘリウムガスを減圧側より吹きつけられて冷却さ
れる構造となっている。放射線取り出し窓2は、第2図
(b)の放射線取り出し窓58の窓膜を薄くしたもので
ある。高真空チャンバ12は10−”Torr程度の高
真空状態であり、ヘリウムチャンバ13は高真空チャン
バ12に近い真空度、具体的には、放射線取り出し窓2
の窓膜を2μm程度とするために50To r r以下
としている。この時の放射線取り出し窓2のサイズは、
25画×25市程度で、ヘリウムガスは常温で放射線取
り出し窓2に吹きつけられ、吹きつけ速度は10100
c/minである。かかる吹きつけにより、放射線取り
出し窓2の温度を冷却前の200〜300°Cから40
°C程度に抑えることかてきる。なお、ヘリウムチャン
バ13の真空度をあまり高めると、ヘリウムガスか注入
てきないため、高真空チャンバ12の真空度とは若干の
差かある。かかるヘリウムガスは放射線取り出し窓2の
腐食及び劣化を防止する役割を担う。
放射線取り比し窓2はオーリング4と窓押さえ5によっ
て真空隔壁を形成している。即ち、放射線取り出し窓2
は放射線1の透過という役割と共に真空隔壁という役割
も担っている。放射線1の透過という面から、放射線取
り出し窓2はBe。
SiC,SiN、BN等放射線を透過できる材質でてき
ている。なお、オーリング4と窓押さえ5は従来の放射
線取り出し窓の窓膜か厚い場合と同様のものをそのまま
使用して構わない。
放射線取り出し窓2は窓膜か充分に厚く(例えば、20
0μm程度)、ヘリウムチャンバ13の領域か大気圧に
近い時は、たとえ赤外線等の影響により発熱しても、冷
却バイブロやヘリウムガスによって熱を逃がすことかで
きる。これは、放射線取り出し窓2は窓膜か充分に厚い
と当該窓の熱容量か大きくなるからである。また、ヘリ
ウムチャンバ13の領域か大気圧に近い状態でヘリウム
ガスか満たされていれば、ヘリウムガスが対流を起こし
やすく、放射線取り出し窓2の熱が逃げやすいからであ
る。しかし、窓膜が2μm程度と薄くなり、ヘリウムチ
ャンバ13が50T o r r以下の圧力になると放
射線取り出し窓2の中央部の熱が逃げにくくなるのであ
る。
本発明のように放射線取り出し窓の窓膜を薄くし、減圧
側からヘリウムガスを吹きつけることにより、放射線l
のうち赤外線か放射線取り出し窓2を透過しても窓の温
度上昇を抑えることができる。
なお、本実施例ては、ノズル状ガス導入パイプ7の方向
は放射線取り出し窓2の中央部をむいている。これは、
上述のように中央部の発熱か大きいからである。もっと
も、一般にノズル状ガス導入パイプ7は、放射線取り出
し窓2にヘリウムガスか吹きつけられる向きに配設され
ていれば冷却機能を発揮する。また、ヘリウムガスの吹
きつけ強さは10100c/1ninに限定されない。
ただし、強すぎると放射線取り出し窓2を破損し、弱す
ぎると冷却機能を発揮できない場合かある。更に、ヘリ
ウムガスを予め低温に保っておけば冷却機能はより高ま
ることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、減圧側への減圧
ガスの導入パイプを放射線取り出し窓へ向けることによ
り放射線取り出し窓を冷却する構成をしたので、赤外線
による放射線取り出し窓の発熱を抑えることかできる。
これにより、発熱による放射線取り出し窓の窓膜の破損
・劣化を防止できる。また、マスクや試料の温度歪みに
よるパターン転写等の精度の防止か図れる。
更に、減圧ガスの導入パイプは本来放射線装置の構成要
素てあり、冷却のための新たな部材を必要としない点て
簡易構造となっている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による放射線装置の放射線取り
出し窓付近の拡大図、 第2図(a)は従来の放射線装置の要部構成図、第2図
(b)は第2図(a)の放射線取り出し窓付近の拡大図
である。 図において、 は放射線、 は放射線取り出 は透過光、 はオーリング、 は窓押さえ、 は冷却パイプ、 し窓、 7はノズル状ガス導入ノくイブ、 8は冷却ガスの流れ、 9は環境ガスの流れ、 10は冷却水導入ノくイブ、 11はビームダクト、 12は高真空チャンノく、 13はへリウムチャンノく、 50は放射線装置、 51は電子蓄積リング、 52はSR光、 53はビームダクト、 54.57はゲートバルブ、 55.56は平行反射ミラー 58は放射線取り出し窓、 59はへリウムチャンノ(, 60はチャンバ窓、 61.62は真空ポンプ、 63.64はヘリウムガスノくイブ、 65は高真空チャンノく、 66は試料を示す。 本発明の中略−しc4或6−メ倉−柴れ情J=’l工L
Frf4之櫂砂:第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 〔1〕高真空側と減圧側との間に設けられ、高真空側に
    ある光源からの放射線(1)を透過する薄膜構造の放射
    線取り出し窓(2)において、該減圧側への減圧ガスの
    導入パイプを該放射線取り出し窓(2)へ向けることに
    より該放射線取り出し窓(2)を冷却するよう構成した
    ことを特徴とする放射線取り出し窓(2)。 〔2〕前記減圧ガスの導入パイプをノズル状(7)に構
    成したことを特徴とする請求項1記載の放射線取り出し
    窓(2)。
JP2123489A 1990-05-14 1990-05-14 放射線取り出し窓 Pending JPH0419998A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2123489A JPH0419998A (ja) 1990-05-14 1990-05-14 放射線取り出し窓

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2123489A JPH0419998A (ja) 1990-05-14 1990-05-14 放射線取り出し窓

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0419998A true JPH0419998A (ja) 1992-01-23

Family

ID=14861896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2123489A Pending JPH0419998A (ja) 1990-05-14 1990-05-14 放射線取り出し窓

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0419998A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100654091B1 (ko) * 2005-11-18 2006-12-06 코닉시스템 주식회사 윈도우의 오염을 방지할 수 있는 레이저 열처리 챔버의윈도우 모듈
JP2011134760A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2020521303A (ja) * 2017-05-19 2020-07-16 イマジン サイエンティフィック,インコーポレイテッド 単色x線撮像システム及び方法
US11744536B2 (en) 2018-02-09 2023-09-05 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray imaging systems and methods
US11903754B2 (en) 2009-04-16 2024-02-20 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic X-ray methods and apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100654091B1 (ko) * 2005-11-18 2006-12-06 코닉시스템 주식회사 윈도우의 오염을 방지할 수 있는 레이저 열처리 챔버의윈도우 모듈
US11903754B2 (en) 2009-04-16 2024-02-20 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic X-ray methods and apparatus
JP2011134760A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2020521303A (ja) * 2017-05-19 2020-07-16 イマジン サイエンティフィック,インコーポレイテッド 単色x線撮像システム及び方法
US11833369B2 (en) 2017-05-19 2023-12-05 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray imaging systems and methods
US11744536B2 (en) 2018-02-09 2023-09-05 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray imaging systems and methods

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108432349B (zh) 用于激光生成等离子体光源的液滴产生
JP3127511B2 (ja) 露光装置および半導体装置の製造方法
TWI267705B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006135286A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR20010102371A (ko) Euv 방사 생성 방법, euv 방사에 의한 장치 제조방법, euv 방사 소스 유닛, 리소그래피 투영 장치
JP5544663B2 (ja) Euvマスク検査装置、euvマスク検査方法
JP2012049305A (ja) 真空紫外光処理装置
JP2004095993A (ja) 光学部品冷却方法、光学部品冷却装置及びそれを有するeuv露光装置
JPH02210813A (ja) 露光装置
JPH0419998A (ja) 放射線取り出し窓
JP2691865B2 (ja) 極紫外線縮小投影露光装置
JP2002124453A (ja) 露光装置、及びそれを用いて作製された半導体素子
JP2000340502A (ja) 真空チャンバと共に使用する絶縁マウントおよびリソグラフ投影装置内での使用
JP2002252162A (ja) X線反射マスク、その保護方法、x線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JPH06151281A (ja) X線露光装置
JPH0855792A (ja) 素子製造方法
JPH0417300A (ja) 放射線取り出し窓
JP2000349023A (ja) 投影リソグラフィシステム用の透過マスク及びマスク露光システム
JPH08236425A (ja) 放射線取出窓およびこれを有する露光装置
JP2911864B2 (ja) 素子製造方法及び露光装置
JPH08250420A (ja) X線リソグラフィにおける複数フィールドの処理方法
JPH0587013B2 (ja)
JPH0426206B2 (ja)
JPS59181538A (ja) ドライエツチング装置
JPS62296516A (ja) X線露光装置