JPH0417300A - 放射線取り出し窓 - Google Patents
放射線取り出し窓Info
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- JPH0417300A JPH0417300A JP2120934A JP12093490A JPH0417300A JP H0417300 A JPH0417300 A JP H0417300A JP 2120934 A JP2120934 A JP 2120934A JP 12093490 A JP12093490 A JP 12093490A JP H0417300 A JPH0417300 A JP H0417300A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線装置に係り、特に、半導体装置等の製
造に用いられるリソグラフィ技術や光反応技術、分析技
術、医療関係等における放射線装置の放射線取り出し窓
に関する。
造に用いられるリソグラフィ技術や光反応技術、分析技
術、医療関係等における放射線装置の放射線取り出し窓
に関する。
近年、半導体装置の高集積化・高密度化に伴い、リング
ラフィ技術や光反応技術において用いられる放射線装置
が注目されている。以下、かかる放射線装置のうち典型
例であるX線露光装置を用いて説明する。
ラフィ技術や光反応技術において用いられる放射線装置
が注目されている。以下、かかる放射線装置のうち典型
例であるX線露光装置を用いて説明する。
例えば、超LSIのリングラフィにおいては、リングラ
フィ工程におけるパターン転写を高精度で行なう必要が
ある。ここに、光露光における光より回折、干渉が少な
く、原理的に分解能に優れるX線露光がパターン転写に
用いられる。X線露光においては電子線励起のX線源よ
りもシンクロトン放射線(以下、SR光という。)等が
利用される。これは、電子線励起のX線源が有限の大き
さをもち、発散ビームであるため転写パターンの精度に
影響を与えるからである。
フィ工程におけるパターン転写を高精度で行なう必要が
ある。ここに、光露光における光より回折、干渉が少な
く、原理的に分解能に優れるX線露光がパターン転写に
用いられる。X線露光においては電子線励起のX線源よ
りもシンクロトン放射線(以下、SR光という。)等が
利用される。これは、電子線励起のX線源が有限の大き
さをもち、発散ビームであるため転写パターンの精度に
影響を与えるからである。
SR光とは、電子シンクロトンの中で磁場中を光速に近
い速度で運動している電子が放出する電磁波に含まれる
高強度の光をいう。光は赤外線からX線にまでわたり、
平行性・輝度・強度において、他のX線源に比べ格段に
優れている。そして、かかるSR露光においては、光強
度の減衰を抑える放射線取り出し窓が要求される。
い速度で運動している電子が放出する電磁波に含まれる
高強度の光をいう。光は赤外線からX線にまでわたり、
平行性・輝度・強度において、他のX線源に比べ格段に
優れている。そして、かかるSR露光においては、光強
度の減衰を抑える放射線取り出し窓が要求される。
第2図(a)に従来技術の一例である放射線装置50の
要部構成図を示す。
要部構成図を示す。
電子蓄積リング51より出力されるSR光52はビーム
ダクト53を経由して試料64に到達する。ビームダク
ト53では、SR光52はゲートバルブ54を介して平
行ミラー55.56で反射し、ゲートバルブ57を通る
。ここで、SR光は各波長の光線を含むが、かかる平行
ミラー55.56において波長0.5nm以下の光は殆
ど吸収される。
ダクト53を経由して試料64に到達する。ビームダク
ト53では、SR光52はゲートバルブ54を介して平
行ミラー55.56で反射し、ゲートバルブ57を通る
。ここで、SR光は各波長の光線を含むが、かかる平行
ミラー55.56において波長0.5nm以下の光は殆
ど吸収される。
ゲートバルブ57を通ったSR光52は放射線取り出し
窓58よりヘリウムチャンバ59に入り、チャンバ窓6
0より試料54に到達する。ここで、61.62はビー
ムダクト53を高真空状態にするための真空ポンプであ
り、63.64はヘリウムガスパイプである。また、ビ
ームダクト53とは、ゲートバルブ54から真空チャン
バ65までの領域をいう。
窓58よりヘリウムチャンバ59に入り、チャンバ窓6
0より試料54に到達する。ここで、61.62はビー
ムダクト53を高真空状態にするための真空ポンプであ
り、63.64はヘリウムガスパイプである。また、ビ
ームダクト53とは、ゲートバルブ54から真空チャン
バ65までの領域をいう。
このような、放射線装置50においては、光速に近い速
度で運動する電子の電子蓄積リング51の内部は少なく
とも10−’Torr位の高真空状態を保っていること
が要求される。一方、試料54は大気圧若しくは低真空
状態である。従って、ビームダクト53は単にSR光5
2を通すだけでな(、高真空状態を保つ機能を備えてい
ることが要求される。ビームダクト53も高真空状態と
したのは、パターン転写に必要な軟X線の乱反射、吸収
を防ぐためである。
度で運動する電子の電子蓄積リング51の内部は少なく
とも10−’Torr位の高真空状態を保っていること
が要求される。一方、試料54は大気圧若しくは低真空
状態である。従って、ビームダクト53は単にSR光5
2を通すだけでな(、高真空状態を保つ機能を備えてい
ることが要求される。ビームダクト53も高真空状態と
したのは、パターン転写に必要な軟X線の乱反射、吸収
を防ぐためである。
次に、高真空チャンバ65及びヘリウムチャンバ59の
部分を拡大して第2図(b)に示す。
部分を拡大して第2図(b)に示す。
高真空チャンバ65からヘリウムチャンバ59に向かう
SR光52は放射線取り出し窓58を通る。ここに、ヘ
リウムチャンバ59は従来、低真空(大気圧に近い)状
態であった。従って、耐圧性から放射線取り出し窓58
はその窓膜を厚(しなければならず、200μm程度必
要であった。
SR光52は放射線取り出し窓58を通る。ここに、ヘ
リウムチャンバ59は従来、低真空(大気圧に近い)状
態であった。従って、耐圧性から放射線取り出し窓58
はその窓膜を厚(しなければならず、200μm程度必
要であった。
しかし、窓膜を厚(するとSR光の軟X線が犬きく減衰
してしまうという問題があり、窓膜を数μm程度と薄(
する代わりにヘリウムチャンバ59を減圧するという方
法が提案された。
してしまうという問題があり、窓膜を数μm程度と薄(
する代わりにヘリウムチャンバ59を減圧するという方
法が提案された。
ところが、SR光は軟X線が中心であるものの赤外線も
多く含まれる。かかる赤外線は放射線取り出し窓58の
窓膜が厚い場合は、当該窓に吸収されるが、上記のよう
に窓膜が薄いと、放射線取り出し窓58の発熱の原因に
なる。また、赤外線はへリウムチャンバ59を抜け、試
料に至り、温度上昇を招く。
多く含まれる。かかる赤外線は放射線取り出し窓58の
窓膜が厚い場合は、当該窓に吸収されるが、上記のよう
に窓膜が薄いと、放射線取り出し窓58の発熱の原因に
なる。また、赤外線はへリウムチャンバ59を抜け、試
料に至り、温度上昇を招く。
上記のように赤外線により、放射線取り出し窓2が発熱
した場合は、窓膜自体が劣化、破損するという課題があ
った・ また、破損せずとも高温下における放射線取り出し窓の
温度歪みはパターン転写の精度を低下させるという課題
があった。
した場合は、窓膜自体が劣化、破損するという課題があ
った・ また、破損せずとも高温下における放射線取り出し窓の
温度歪みはパターン転写の精度を低下させるという課題
があった。
更に、窓の薄膜化に伴う赤外線の透過は、試料、マスク
等の温度上昇を招き、パターン転写の精度に影響すると
いう課題もあった。本発明は上記課題に鑑み、赤外線に
よる放射線取り出し窓の窓膜の劣化・破損を防止し、併
せて、赤外線による試料、マスク等の温度上昇を防止す
ることを目的として、以下の手段を設けた。
等の温度上昇を招き、パターン転写の精度に影響すると
いう課題もあった。本発明は上記課題に鑑み、赤外線に
よる放射線取り出し窓の窓膜の劣化・破損を防止し、併
せて、赤外線による試料、マスク等の温度上昇を防止す
ることを目的として、以下の手段を設けた。
上記課題を解決すべく、本発明では、高真空側と減圧側
との間に設けられ、高真空側にある光源からの放射線を
透過する薄膜構造の放射線取り出し窓において、高真空
側に面し、赤外線を遮断する第一の部材と、減圧側に面
し、前記放射線を透過する第二の部材とを接合して窓膜
を構成した。
との間に設けられ、高真空側にある光源からの放射線を
透過する薄膜構造の放射線取り出し窓において、高真空
側に面し、赤外線を遮断する第一の部材と、減圧側に面
し、前記放射線を透過する第二の部材とを接合して窓膜
を構成した。
放射線取り出し窓2を構成する第一の部材により赤外線
を遮断することで、試料、マスク等の発熱を防ぐことが
でき、また、第一の部材を高真空側に配設すれば、減圧
側にある第二の部材を赤外線から保護することができる
。
を遮断することで、試料、マスク等の発熱を防ぐことが
でき、また、第一の部材を高真空側に配設すれば、減圧
側にある第二の部材を赤外線から保護することができる
。
更に、かかる赤外線の遮断により放射線取り出し窓2の
発熱を抑えることができるので、放射線取り出し窓2の
窓膜を薄膜構造とし、放射線lの透過率を高めることが
できる。
発熱を抑えることができるので、放射線取り出し窓2の
窓膜を薄膜構造とし、放射線lの透過率を高めることが
できる。
〔実施例)
第1図に本発明の実施例である放射線取り出し窓及び高
真空チャンバ、ヘリウムチャンバを示す。
真空チャンバ、ヘリウムチャンバを示す。
放射線lは赤外線を含み、高真空チャンバ11から放射
線取り出し窓2及び反射膜3を介してヘリウムチャンバ
12に透過する。
線取り出し窓2及び反射膜3を介してヘリウムチャンバ
12に透過する。
放射線取り出し窓2は、光源側に、赤外線を反射する金
属薄膜(反射膜3)を、鏡面となるようにコーティング
した構造となっている。金属薄膜は、例えば、AI、A
g、Pt、Au等をスパッタ法で蒸着することにより作
られる。そして、放射線取り出し窓2は、第2図(b)
の放射線取り出し窓58の窓膜を薄くしたものである。
属薄膜(反射膜3)を、鏡面となるようにコーティング
した構造となっている。金属薄膜は、例えば、AI、A
g、Pt、Au等をスパッタ法で蒸着することにより作
られる。そして、放射線取り出し窓2は、第2図(b)
の放射線取り出し窓58の窓膜を薄くしたものである。
高真空チャンバ11は10’Torr程度の高真空状態
であり、ヘリウムチャンバ12は低真空度、具体的には
、放射線取り出し窓2の窓膜を2μm程度とするために
50Torr以下としている。この時の放射線取り出し
窓2のサイズは25mm X 25mm程度で、金属薄
膜のコーティング厚は0.03μm程度である。金属を
薄膜にコーティングするのは放射線lの赤外線を反射さ
せるためである。かかる条件下では、反射膜3を備えて
いない場合で最高200〜300℃まで上昇する放射線
取り出し窓の温度を40℃程度に抑えることができる。
であり、ヘリウムチャンバ12は低真空度、具体的には
、放射線取り出し窓2の窓膜を2μm程度とするために
50Torr以下としている。この時の放射線取り出し
窓2のサイズは25mm X 25mm程度で、金属薄
膜のコーティング厚は0.03μm程度である。金属を
薄膜にコーティングするのは放射線lの赤外線を反射さ
せるためである。かかる条件下では、反射膜3を備えて
いない場合で最高200〜300℃まで上昇する放射線
取り出し窓の温度を40℃程度に抑えることができる。
なお、ヘリウムチャンバ12に入れるヘリウムガスは通
常、常温で噴射され、放射線取り出し窓2の腐食及び劣
化を防止する役割を担う。
常、常温で噴射され、放射線取り出し窓2の腐食及び劣
化を防止する役割を担う。
放射線取り出し窓2はオーリング4と窓押さえ5によっ
て真空隔壁を行なっている。即ち、放射線取り出し窓2
は放射線の透過という役割と共に隔壁という役割も担っ
ている。従って、放射線取り出し窓2はBe、SiC,
SiN、BN等放射線を透過できる材質でできている。
て真空隔壁を行なっている。即ち、放射線取り出し窓2
は放射線の透過という役割と共に隔壁という役割も担っ
ている。従って、放射線取り出し窓2はBe、SiC,
SiN、BN等放射線を透過できる材質でできている。
従来の放射線取り出し窓58は窓膜が充分に厚く(例え
ば、200μm程度)、ヘリウムチャンバ12の領域か
大気圧に近い時は、たとえ赤外線等の影響により発熱し
ても、冷却バイブロやヘリウムガスによって十分に熱を
逃がすことができる。
ば、200μm程度)、ヘリウムチャンバ12の領域か
大気圧に近い時は、たとえ赤外線等の影響により発熱し
ても、冷却バイブロやヘリウムガスによって十分に熱を
逃がすことができる。
これは、放射線取り出し窓58は窓膜が充分に厚いと当
該窓の熱容量が大きくなるからである。また、ヘリウム
チャンバ12の領域が大気圧に近い状態でヘリウムガ
スか満たされていれば、ヘリウムガスが対流を起こしや
すく、放射線取り出し窓58の熱が逃げやすいからであ
る。しかし、窓膜が2μm程度と薄くなり、ヘリウムチ
ャンバ12が50Torr以下の圧力になると放射線取
り出し窓2の中央部の熱が逃げにくくなるのである。
該窓の熱容量が大きくなるからである。また、ヘリウム
チャンバ12の領域が大気圧に近い状態でヘリウムガ
スか満たされていれば、ヘリウムガスが対流を起こしや
すく、放射線取り出し窓58の熱が逃げやすいからであ
る。しかし、窓膜が2μm程度と薄くなり、ヘリウムチ
ャンバ12が50Torr以下の圧力になると放射線取
り出し窓2の中央部の熱が逃げにくくなるのである。
本発明のように放射線取り出し窓の窓膜を薄くし、光源
側に赤外線の反射膜3をコーティングすると、放射線1
のうち赤外線以外は放射線取り出し窓2を透過し、かか
る透過光102が試料に到達することになる。また、赤
外線は反射膜3で反射光101となって、放射線取り出
し窓2、試料には到達しない。
側に赤外線の反射膜3をコーティングすると、放射線1
のうち赤外線以外は放射線取り出し窓2を透過し、かか
る透過光102が試料に到達することになる。また、赤
外線は反射膜3で反射光101となって、放射線取り出
し窓2、試料には到達しない。
なお、赤外線の反射光101によるビームダクトIOの
温度上昇は冷却水、他の冷却方法によって防止したり、
赤外線の反射光101を更に外部に反射させたりするこ
とも可能である。また、本実施例では、放射線取り出し
窓2に赤外線の反射膜3をコーティングする方法を採っ
たが、赤外線の反射膜3の位置は放射線取り出し窓2と
必ずしも一体でなくてもよい。放射線取り出し窓2の光
源側において、赤外線が遮断されれば放射線取り出し窓
及び試料等は保護されるからである。
温度上昇は冷却水、他の冷却方法によって防止したり、
赤外線の反射光101を更に外部に反射させたりするこ
とも可能である。また、本実施例では、放射線取り出し
窓2に赤外線の反射膜3をコーティングする方法を採っ
たが、赤外線の反射膜3の位置は放射線取り出し窓2と
必ずしも一体でなくてもよい。放射線取り出し窓2の光
源側において、赤外線が遮断されれば放射線取り出し窓
及び試料等は保護されるからである。
以上説明したように、本発明によれば、放射線は赤外線
を残して、放射線取り出し窓から試料へ透過される。そ
して、かかる赤外線は放射線取り出し窓の光源側で遮断
される。これにより、放射線取り出し窓の発熱、試料の
温度上昇等を防止でき、例えば、パターン転写において
は高精度の作成ができる。
を残して、放射線取り出し窓から試料へ透過される。そ
して、かかる赤外線は放射線取り出し窓の光源側で遮断
される。これにより、放射線取り出し窓の発熱、試料の
温度上昇等を防止でき、例えば、パターン転写において
は高精度の作成ができる。
第1図は本発明の実施例による放射線装置の放射線取り
出し窓付近の拡大図、 第2図(a)は従来の放射線装置の要部構成図、第2図
(b)は第2図(a)の放射線取り出し窓付近の拡大図
である。 図において、 1は放射線、 2は放射線取り出し窓、 3は反射膜、 4はオーリング、 5は窓押さえ、 6は冷却パイプ、 7はガス導入パイプ、 8は埋填ガスの流れ、 9は冷却水導入パイプ、 lOはビームダクト、 11は高真空チャンバ、 12はへリウムチャンバ 101は反射光、 102は透過光、 50は放射線装置、 51は電子蓄積リング、 52はSR光、 53はビームダクト、 54.57はゲートバルブ、 55.56は平行反射ミラー 58は放射線取り出し窓、 59はへリウムチャンバ、 60はチャンバ窓、 6162は真空ポンプ、 63.64はヘリウムガスパイプ、 65は試料 を示す。 冷却水 He 本発明の実施例1こよる放射!!取り出し窓付近の拡大
図第1図
出し窓付近の拡大図、 第2図(a)は従来の放射線装置の要部構成図、第2図
(b)は第2図(a)の放射線取り出し窓付近の拡大図
である。 図において、 1は放射線、 2は放射線取り出し窓、 3は反射膜、 4はオーリング、 5は窓押さえ、 6は冷却パイプ、 7はガス導入パイプ、 8は埋填ガスの流れ、 9は冷却水導入パイプ、 lOはビームダクト、 11は高真空チャンバ、 12はへリウムチャンバ 101は反射光、 102は透過光、 50は放射線装置、 51は電子蓄積リング、 52はSR光、 53はビームダクト、 54.57はゲートバルブ、 55.56は平行反射ミラー 58は放射線取り出し窓、 59はへリウムチャンバ、 60はチャンバ窓、 6162は真空ポンプ、 63.64はヘリウムガスパイプ、 65は試料 を示す。 冷却水 He 本発明の実施例1こよる放射!!取り出し窓付近の拡大
図第1図
Claims (2)
- (1)高真空側と減圧側との間に設けられ、高真空側に
ある光源からの放射線(1)を透過する薄膜構造の放射
線取り出し窓(2)において、前記光源からの放射線(
1)に含まれる赤外線を遮断する第一の部材と、 前記放射線(1)を透過する第二の部材とを接合して窓
膜を構成したことを特徴とする放射線取り出し窓(2)
。 - (2)第一の部材は第二の部材の高真空側に形成された
赤外線を反射する金属薄膜(3)であることを特徴とす
る請求項1記載の放射線取り出し窓(2)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2120934A JPH0417300A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 放射線取り出し窓 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2120934A JPH0417300A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 放射線取り出し窓 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0417300A true JPH0417300A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14798588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2120934A Pending JPH0417300A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 放射線取り出し窓 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0417300A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007129442A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-15 | Nikon Corporation | 露光装置 |
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1990
- 1990-05-10 JP JP2120934A patent/JPH0417300A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007129442A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-15 | Nikon Corporation | 露光装置 |
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