JPH02210813A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH02210813A JPH02210813A JP1031413A JP3141389A JPH02210813A JP H02210813 A JPH02210813 A JP H02210813A JP 1031413 A JP1031413 A JP 1031413A JP 3141389 A JP3141389 A JP 3141389A JP H02210813 A JPH02210813 A JP H02210813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- transmission
- laser
- exposure apparatus
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 80
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は露光装置に関するものであり、特にエキシマレ
ーザ等のレーザを露光用光源として用いる露光装置に関
する。
ーザ等のレーザを露光用光源として用いる露光装置に関
する。
［従来技術］
近年、ＬＳＩの高集積化に伴ない、大強度の遠紫外線を
放射するエキシマレーザ等のレーザを露光用光源として
用いた露光装置の実用化が要望されている。
放射するエキシマレーザ等のレーザを露光用光源として
用いた露光装置の実用化が要望されている。
このような露光装置は、レーザ本体が大型であることや
レーザから有害なガスが放出される危険性があることな
どの理由により、通常、レーザと露光装置本体を各々異
なる基台上に載させ、両者を分離して配置している。従
って、レーザからのレーザ光を露光装置本体の光学系（
露光用光学系）へ伝送する伝送光学系が必要であり、光
路長が比較的長い光学系がレーザと露光装置本体の間に
設置されることになる。
レーザから有害なガスが放出される危険性があることな
どの理由により、通常、レーザと露光装置本体を各々異
なる基台上に載させ、両者を分離して配置している。従
って、レーザからのレーザ光を露光装置本体の光学系（
露光用光学系）へ伝送する伝送光学系が必要であり、光
路長が比較的長い光学系がレーザと露光装置本体の間に
設置されることになる。
さて、前述のようにレーザは大強度の光を放射するため
、露光装置のスルーブツトの向上に極めて有用であるが
、この大強度のレーザ光により光学系の特性が劣化する
ことが判明した。特に、この種の問題は、露光光学系に
比べてエネルギー密度が大きなレーザ光を伝送しなけれ
ばならない伝送光学系において顕著に生じる。
、露光装置のスルーブツトの向上に極めて有用であるが
、この大強度のレーザ光により光学系の特性が劣化する
ことが判明した。特に、この種の問題は、露光光学系に
比べてエネルギー密度が大きなレーザ光を伝送しなけれ
ばならない伝送光学系において顕著に生じる。
即ち、光学系を構成する光学部品には、レーザ光を効率
良く伝達するために反射防止膜或いは増反射膜がコーテ
ィングされているのであるが、これらの膜がレーザ光の
照射により雰囲気（大気）中のガスと化学反応を起こし
、劣化するのである。
良く伝達するために反射防止膜或いは増反射膜がコーテ
ィングされているのであるが、これらの膜がレーザ光の
照射により雰囲気（大気）中のガスと化学反応を起こし
、劣化するのである。
［発明の概要］
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、光学系の性能が劣化することのない露光装置を提供
することを目的とする。
り、光学系の性能が劣化することのない露光装置を提供
することを目的とする。
上記目的を達成するために１本露光装置は、レーザと該
レーザとは異なる基台上に設けた露光用光学系と、該レ
ーザからのレーザ光を該露光用光学系に伝送する伝送光
学系と、少なくとも該伝送光学系を、不活性ガスを充填
した所定の空間中に密封するために設けた密封手段とを
有している。
レーザとは異なる基台上に設けた露光用光学系と、該レ
ーザからのレーザ光を該露光用光学系に伝送する伝送光
学系と、少なくとも該伝送光学系を、不活性ガスを充填
した所定の空間中に密封するために設けた密封手段とを
有している。
本露光装置は、少なくとも伝送光学系が密封手段により
大気から・隔離され、しかも不活性ガスの雰囲気中に光
学系が設けられるので、光学系を構成するレンズ、プリ
ズム、ミラー等の光学部品にコーティングされた反射防
止膜や増反射膜などの膜が殆ど劣化せず、光学系の性能
も劣化しない。
大気から・隔離され、しかも不活性ガスの雰囲気中に光
学系が設けられるので、光学系を構成するレンズ、プリ
ズム、ミラー等の光学部品にコーティングされた反射防
止膜や増反射膜などの膜が殆ど劣化せず、光学系の性能
も劣化しない。
また、大気の温度、湿度、又は大気圧などの変動により
光学系の屈折力（屈折率）が変化することもないので光
学系が常時一定の状態でレーザ光を伝達することができ
るし、密封手段のレーザ光の入出射面以外の場所を遮光
部材で構成することにより、光学系からの漏れ光が外部
へ向けられるのを防止し、露光装置の安全性を向上させ
ることもできる。
光学系の屈折力（屈折率）が変化することもないので光
学系が常時一定の状態でレーザ光を伝達することができ
るし、密封手段のレーザ光の入出射面以外の場所を遮光
部材で構成することにより、光学系からの漏れ光が外部
へ向けられるのを防止し、露光装置の安全性を向上させ
ることもできる。
以下、実施例に基づいて、本発明に関して詳述する。
［実施例］
第１図は本発明の露光装置全体の構成図である。Ａは露
光光学系を有する露光装置本体を示す。ｌはＫｒＦエキ
シマレーザであり、防振クツション４上のレーザ定盤３
上に設置されたＸＹθステージ２上に固定されている。
光光学系を有する露光装置本体を示す。ｌはＫｒＦエキ
シマレーザであり、防振クツション４上のレーザ定盤３
上に設置されたＸＹθステージ２上に固定されている。
Ｂはレーザ１からのレーザ光２０を露光装置本体の光学
系へ伝送する伝送系であり、図示されたミラー５を含む
複数個の光学部品で構成されている。この伝送系の詳細
は後述する。６は照明光学系、９は半導体製造用の回路
パターンが描かれたレチクル、９ｏはレチクルホルダ、
１０はレチクル９の回路パターンを投影する為の投影レ
ンズ、１１はレンズ支持台、１２はウェハ、１３はウェ
ハ１２を吸着固定するチャック、１４はＸＹステージ、
１５はステッパ一定盤、１６は防振クツションである。
系へ伝送する伝送系であり、図示されたミラー５を含む
複数個の光学部品で構成されている。この伝送系の詳細
は後述する。６は照明光学系、９は半導体製造用の回路
パターンが描かれたレチクル、９ｏはレチクルホルダ、
１０はレチクル９の回路パターンを投影する為の投影レ
ンズ、１１はレンズ支持台、１２はウェハ、１３はウェ
ハ１２を吸着固定するチャック、１４はＸＹステージ、
１５はステッパ一定盤、１６は防振クツションである。
エキシマレーザ１から射出したレーザ光２゜は、伝送系
Ｂを通過して露光装置本体Ａの照明光学系６に入射する
。そして、照明光学系６でビーム径を拡大された後、レ
チクル９、投影レンズ１０を経て、１２のウェハ上に到
達する。
Ｂを通過して露光装置本体Ａの照明光学系６に入射する
。そして、照明光学系６でビーム径を拡大された後、レ
チクル９、投影レンズ１０を経て、１２のウェハ上に到
達する。
照明光学系６と投影レンズ１０から成る露光用光学系は
、ステッパ一定盤１５に固定されたレンズ支持台１１に
よってすべて一体化されて固定されているため、露光装
置本体Ａ内での各光学系の相対位置は実質的に不変であ
る。レチクル９上には前述のように回路パターンが描か
れており、レーザ光で、照明することにより、投影レン
ズ１０を介して１１５に縮少されてウェハ１２上に転写
される。
、ステッパ一定盤１５に固定されたレンズ支持台１１に
よってすべて一体化されて固定されているため、露光装
置本体Ａ内での各光学系の相対位置は実質的に不変であ
る。レチクル９上には前述のように回路パターンが描か
れており、レーザ光で、照明することにより、投影レン
ズ１０を介して１１５に縮少されてウェハ１２上に転写
される。
ウェハ１２は、ウェハチャック１３上に真空吸着されて
おり、ウェハチャック１３は、ステッパ一定盤１５上に
設けられた可動のＸＹステージ１４上に固定されている
。ウェハ１２をＸＹステージ１４により互いに直交する
ＸおよびＹの２方向に搬送することができ、縮少された
パターンを、ウェハ上の任意の位置に転写することがで
きる。
おり、ウェハチャック１３は、ステッパ一定盤１５上に
設けられた可動のＸＹステージ１４上に固定されている
。ウェハ１２をＸＹステージ１４により互いに直交する
ＸおよびＹの２方向に搬送することができ、縮少された
パターンを、ウェハ上の任意の位置に転写することがで
きる。
通常、ウェハ１２上には数十ショットの縮少パターンが
転写されるため、ＸＹステージ１４をＸまたはＹ方向に
移動させては、レーザ光を照射して転写をするという動
作をくり返し行うことになる。
転写されるため、ＸＹステージ１４をＸまたはＹ方向に
移動させては、レーザ光を照射して転写をするという動
作をくり返し行うことになる。
第２図は伝送系Ｂの具体的な構成を示す断面図である。
第２図において、ｌはレーザ、６は照明光学系であり、
第１図のものと同一部材である。
第１図のものと同一部材である。
伝送系Ｂは、ミラー５、プリズム７、レンズ８が光軸に
沿って配列された伝送光学系とこの伝送光学系を密封す
るカバー３０とウィンドウ（窓）３１とから成り、カバ
ー３０とウィンドウ３１で密封手段を構成する。伝送光
学系の各光学部品５．７．８は、反射防止膜（プリズム
７、レンズ８）や増反射膜（ミラー５．プリズム７）が
表面に形成されており、これらの膜の作用でレーザ光の
伝送効率を高めている。
沿って配列された伝送光学系とこの伝送光学系を密封す
るカバー３０とウィンドウ（窓）３１とから成り、カバ
ー３０とウィンドウ３１で密封手段を構成する。伝送光
学系の各光学部品５．７．８は、反射防止膜（プリズム
７、レンズ８）や増反射膜（ミラー５．プリズム７）が
表面に形成されており、これらの膜の作用でレーザ光の
伝送効率を高めている。
カバー３０はアルミニウムなどの金属から成り、その内
面（伝送光学系側の面）は黒色アルマイトを塗布するこ
とによりレーザ光を吸収できるようになっている。また
、伝送系Ｂの光入出射口には前述のようにウィンドウ３
１が設けられており、これにより伝送光学系は大気から
遮断される。ウィンドウ３１はレーザ光に対して透明な
ガラス板で構成され、ここではＳｉｎ、から成るガラス
板を用いている。
面（伝送光学系側の面）は黒色アルマイトを塗布するこ
とによりレーザ光を吸収できるようになっている。また
、伝送系Ｂの光入出射口には前述のようにウィンドウ３
１が設けられており、これにより伝送光学系は大気から
遮断される。ウィンドウ３１はレーザ光に対して透明な
ガラス板で構成され、ここではＳｉｎ、から成るガラス
板を用いている。
カバー３０とウィンドウ３１で形成される空間中には、
大気の代りにＮ２ガスが封入されており、伝送系Ｂ周囲
の大気圧より幾分高めの圧力を与えられている。従って
、伝送系Ｂ周囲から伝送系Ｂ内部の空間にガスが入り込
むことはなく、ホコリやゴミなどの伝送系Ｂ内部への進
入を防止している。伝送系Ｂ内部の空間中に封入するガ
スは、Ｎ、ガスの他にＡｒガスやＨｅガス等の他の不活
性ガスも使用できる。このような不活性ガスで伝送光学
系の各光学部品５，７．８が包まれているので、たとえ
レーザ光により光学部品５゜７．８が照射されても、光
学部品５，７．８にコーティングしである各種の膜が化
学反応により劣化することがなく、レーザ光を効率良く
露光装置本体Ａまで伝送できる。
大気の代りにＮ２ガスが封入されており、伝送系Ｂ周囲
の大気圧より幾分高めの圧力を与えられている。従って
、伝送系Ｂ周囲から伝送系Ｂ内部の空間にガスが入り込
むことはなく、ホコリやゴミなどの伝送系Ｂ内部への進
入を防止している。伝送系Ｂ内部の空間中に封入するガ
スは、Ｎ、ガスの他にＡｒガスやＨｅガス等の他の不活
性ガスも使用できる。このような不活性ガスで伝送光学
系の各光学部品５，７．８が包まれているので、たとえ
レーザ光により光学部品５゜７．８が照射されても、光
学部品５，７．８にコーティングしである各種の膜が化
学反応により劣化することがなく、レーザ光を効率良く
露光装置本体Ａまで伝送できる。
第３図は第１図及び第２図で示した伝送系Ｂの外観図で
あり、伝送系Ｂのカバー３０にはガス供給口３５とガス
吹出口３７が取付けられている。
あり、伝送系Ｂのカバー３０にはガス供給口３５とガス
吹出口３７が取付けられている。
ガス吹出口３７はフィルタ３６と共にカバー３０の所定
位置に設けられており、フィルタ３６を介して伝送系Ｂ
内部の空間中のＮ２ガスを外部へ放出する。一方、ガス
供給口３５はガス導入管３９を介して不活性ガス供給装
置３８とつながっており、装置３８からのＮ２ガスがガ
ス供給口３５を介して伝送系Ｂ内部へ送り込まれるので
ある。
位置に設けられており、フィルタ３６を介して伝送系Ｂ
内部の空間中のＮ２ガスを外部へ放出する。一方、ガス
供給口３５はガス導入管３９を介して不活性ガス供給装
置３８とつながっており、装置３８からのＮ２ガスがガ
ス供給口３５を介して伝送系Ｂ内部へ送り込まれるので
ある。
第３図では簡単に図示しであるが、装置３８には、Ｎ２
ガスの温度・湿度・圧力゛を調整するための調整装置が
設けられており、これらの装置により、定温、定湿、定
圧のＮ２ガスを伝送系Ｂ内部の空間に送り込んでいる。
ガスの温度・湿度・圧力゛を調整するための調整装置が
設けられており、これらの装置により、定温、定湿、定
圧のＮ２ガスを伝送系Ｂ内部の空間に送り込んでいる。
従って、伝送系Ｂの内部の伝送光学系は常に一定の環境
下に置かれることになり、伝送系Ｂ周囲の大気圧変動や
温湿度の変動に関係なく、伝送光学系の光学特性が一定
に維持される。このため、照明光学系６へ同じ状態（ビ
ーム系、拡がり角等）のレーザ光を常に供給でき、露光
装置の性能を一定に維持できる。
下に置かれることになり、伝送系Ｂ周囲の大気圧変動や
温湿度の変動に関係なく、伝送光学系の光学特性が一定
に維持される。このため、照明光学系６へ同じ状態（ビ
ーム系、拡がり角等）のレーザ光を常に供給でき、露光
装置の性能を一定に維持できる。
また、レーザ光の一部が、伝送光学系の各光学部品５，
７．８で散乱されると、これによって生じた散乱光がカ
バー３０の内面の黒色アルマイトを照射し、カバー３０
の内面からゴミを発生する可能性があるが、ここでは、
Ｎ２ガスを伝送系Ｂ内部の空間中で循間させた後フィル
タ３６を介してガス吹出口３７からＮ２ガスを放出して
いるため、これらのゴミをフィルタ３６により吸着し、
除去することができる。従って、伝送系Ｂ内部の空間（
雰囲気）を常に清浄な状態に保ち、伝送光学系の光学性
能を劣化させることがない。
７．８で散乱されると、これによって生じた散乱光がカ
バー３０の内面の黒色アルマイトを照射し、カバー３０
の内面からゴミを発生する可能性があるが、ここでは、
Ｎ２ガスを伝送系Ｂ内部の空間中で循間させた後フィル
タ３６を介してガス吹出口３７からＮ２ガスを放出して
いるため、これらのゴミをフィルタ３６により吸着し、
除去することができる。従って、伝送系Ｂ内部の空間（
雰囲気）を常に清浄な状態に保ち、伝送光学系の光学性
能を劣化させることがない。
本実施例において、伝送系Ｂは露光装置本体Ａに固定さ
れている。従って、今までの説明では伝送系Ｂ内部を大
気から遮断する構成だけに関して言及したが、伝送系Ｂ
に加えて本体Ａの照明光学系６に対してもこのような構
成を採ることができる。照明光学系６は伝送系Ｂからの
レーザ光を受けてレーザ光の径（ビーム径）を拡大して
レチクル９に向けるものであるから、伝送系Ｂと比較す
るとエネルギ密度が低いレーザ光を伝送することになる
が、大気から隔離して不活性ガス雰囲気中に系を置くこ
とは、照明光学系６の性能を維持するのに極めて有効で
ある。
れている。従って、今までの説明では伝送系Ｂ内部を大
気から遮断する構成だけに関して言及したが、伝送系Ｂ
に加えて本体Ａの照明光学系６に対してもこのような構
成を採ることができる。照明光学系６は伝送系Ｂからの
レーザ光を受けてレーザ光の径（ビーム径）を拡大して
レチクル９に向けるものであるから、伝送系Ｂと比較す
るとエネルギ密度が低いレーザ光を伝送することになる
が、大気から隔離して不活性ガス雰囲気中に系を置くこ
とは、照明光学系６の性能を維持するのに極めて有効で
ある。
第１図に示した露光装置は、ステッパーと呼ばれる投影
型の露光装置でありたか、本発明はこの種の装置に限定
されるものではない、従って、コンタクト方式やプロキ
シミティ方式の露光装置、或いは光源としてｋｒＦエキ
シマレーザ以外のレーザを用いる露光装置や加工装置等
の各種機器に適用できる。
型の露光装置でありたか、本発明はこの種の装置に限定
されるものではない、従って、コンタクト方式やプロキ
シミティ方式の露光装置、或いは光源としてｋｒＦエキ
シマレーザ以外のレーザを用いる露光装置や加工装置等
の各種機器に適用できる。
［発明の効果］
以上、本発明によれば、少なくとも゛伝送光学系を不活
性ガスを充填した所定の空間中に密封するための密封手
段を有しているため、光学系を構成する光学部品を大気
から遮断することができ、レーザ光により光学部品が照
射されても、光学部品の表面にコーティングされた各極
膜が化学反応により劣化することが殆どない。従って、
光学系の伝送特性を一定に維持して露光装置の性能を向
上できる。また、外部からの微細なチリやゴミ等で光学
系が汚染されることがなく、逆に光学系で散乱したレー
ザ光が外部へ漏れて人体に影響を及ぼすこともない。
性ガスを充填した所定の空間中に密封するための密封手
段を有しているため、光学系を構成する光学部品を大気
から遮断することができ、レーザ光により光学部品が照
射されても、光学部品の表面にコーティングされた各極
膜が化学反応により劣化することが殆どない。従って、
光学系の伝送特性を一定に維持して露光装置の性能を向
上できる。また、外部からの微細なチリやゴミ等で光学
系が汚染されることがなく、逆に光学系で散乱したレー
ザ光が外部へ漏れて人体に影響を及ぼすこともない。
更に、不活性ガスを定圧、定温、定湿とすることにより
、光学系を常に一定の環境下に置くことができるので、
レンズなどの光学部品の屈折率変動が小さくなり、光学
系の特性を一定に維持することが可能になる。従って、
露光装置の性能も一定にできる。
、光学系を常に一定の環境下に置くことができるので、
レンズなどの光学部品の屈折率変動が小さくなり、光学
系の特性を一定に維持することが可能になる。従って、
露光装置の性能も一定にできる。
第１図は本発明の露光装置の全体構成を示す概略図。
第２図は伝送系Ｂの構成を示す断面図。
第３図は伝送系Ｂの外観を示す図。
Ａ・・・露光装置本体
Ｂ・・・伝送系
１・・・レーザ
３０・・・カバー
３１・・・窓
３８・・・不活性ガス供給装置。
Claims (1)
- レーザと、該レーザとは異なる基台上に設けた露光用光
学系と、該レーザからのレーザ光を該露光用光学系へ伝
送する伝送光学系と、少なくとも該伝送光学系を、不活
性ガスを充填した所定の空間中に密封するために設けた
密封手段とを有する露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031413A JP2783575B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 回路製造のための露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031413A JP2783575B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 回路製造のための露光方法及び露光装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7180070A Division JP2644705B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 素子製造方法及び露光装置 |
| JP10020844A Division JP2911864B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 素子製造方法及び露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210813A true JPH02210813A (ja) | 1990-08-22 |
| JP2783575B2 JP2783575B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=12330572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031413A Expired - Lifetime JP2783575B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 回路製造のための露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783575B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5425045A (en) * | 1992-02-28 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Short wavelength laser optical apparatus |
| JPH07201728A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-08-04 | Asm Lithography Bv | 照明ユニット |
| US5701169A (en) * | 1994-03-30 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member |
| WO1999036950A1 (fr) * | 1998-01-19 | 1999-07-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, appareil d'exposition, et dispositif revelateur du revetement |
| WO1999050892A1 (fr) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Dispositif optique et systeme d'exposition equipe du dispositif optique |
| US6278516B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and method of producing a device using a projection exposure apparatus |
| US6295121B1 (en) | 1996-01-05 | 2001-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US6765647B1 (en) | 1998-11-18 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
| US6914667B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and purging method for the same |
| JP2006222130A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Nsk Ltd | 露光装置 |
| JP2007142020A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2011107572A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の光学部品保護方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| WO2012017783A1 (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-09 | 株式会社ニコン | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2013036511A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Takenaka Komuten Co Ltd | 除振システム |
| US20130192310A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Atsushi Nakamura | Laser annealing apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58128781A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | Hitachi Ltd | レ−ザ発生装置 |
| JPS59120393A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | レ−ザ加工装置 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1031413A patent/JP2783575B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58128781A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | Hitachi Ltd | レ−ザ発生装置 |
| JPS59120393A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | レ−ザ加工装置 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5425045A (en) * | 1992-02-28 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Short wavelength laser optical apparatus |
| JPH07201728A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-08-04 | Asm Lithography Bv | 照明ユニット |
| US5701169A (en) * | 1994-03-30 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member |
| US6295121B1 (en) | 1996-01-05 | 2001-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US6278516B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and method of producing a device using a projection exposure apparatus |
| WO1999036950A1 (fr) * | 1998-01-19 | 1999-07-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, appareil d'exposition, et dispositif revelateur du revetement |
| WO1999050892A1 (fr) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Dispositif optique et systeme d'exposition equipe du dispositif optique |
| US6765647B1 (en) | 1998-11-18 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
| US6914667B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and purging method for the same |
| US7030960B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and purging method for the same |
| JP2006222130A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Nsk Ltd | 露光装置 |
| JP2007142020A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2011107572A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の光学部品保護方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| WO2012017783A1 (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-09 | 株式会社ニコン | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2012033787A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Nikon Corp | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| US9122170B2 (en) | 2010-08-02 | 2015-09-01 | Nikon Corporation | Transmission optical system, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2013036511A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Takenaka Komuten Co Ltd | 除振システム |
| US20130192310A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Atsushi Nakamura | Laser annealing apparatus |
| JP2013157376A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Japan Display Central Co Ltd | レーザアニール装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2783575B2 (ja) | 1998-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7423724B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US5559584A (en) | Exposure apparatus | |
| JPH02210813A (ja) | 露光装置 | |
| US7050149B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| TWI465857B (zh) | Lighting optics, exposure devices and parts manufacturing methods | |
| WO1998057213A1 (fr) | Dispositif optique, son procede de nettoyage, dispositif d'alignement de projection et son procede de fabrication | |
| KR20030076238A (ko) | 극자외선 투과 계면 구조체 및 극자외선 리소그래피 투사장치 | |
| JP2005101537A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| US7417708B2 (en) | Extreme ultraviolet exposure apparatus and vacuum chamber | |
| JP3306961B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| US20090141257A1 (en) | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and method for producing device | |
| JP2644705B2 (ja) | 素子製造方法及び露光装置 | |
| JP3940378B2 (ja) | 半導体露光装置の自己洗浄方法と自己洗浄用透過板 | |
| US7862961B2 (en) | Mask and exposure apparatus | |
| US7170579B2 (en) | Light source unit, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US5701169A (en) | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member | |
| JPH1165094A (ja) | 収納ケース、露光装置及びデバイス製造装置 | |
| WO2003105203A1 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPWO2005083759A1 (ja) | 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 | |
| JP2911864B2 (ja) | 素子製造方法及び露光装置 | |
| JP4617143B2 (ja) | 露光装置及び自己洗浄方法 | |
| JP4366098B2 (ja) | 投影露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH0419998A (ja) | 放射線取り出し窓 | |
| JP2004255331A (ja) | 光学素子の洗浄装置及び方法 | |
| JP2005079555A (ja) | 絞り装置及び露光装置 |