JP2007142020A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 露光光によって活性化された物質に対して、これらを不活性化状態に戻す効果のある物質を添加する機構を設ける。投影レンズ近傍にガス噴出口33及びガス吸引口36を設け、ガス供給部31から一酸化炭素を含有したガスを流して系内の活性物質、例えばオゾン、活性酸素、OHラジカルなどと反応させてこれを不活性化させる。ガスは回収部34で回収する。
【選択図】 図3
Description
短波長の露光光照射では、光化学反応による様々な物質の分解反応や生成反応、あるいは活性化反応が引き起こされる。このような反応が関与して、光学素子表面に物質が形成され、露光装置の光学特性が劣化することは大きな問題である。
また、露光によって生成したオゾンは、近傍の光学素子表面上に物質を形成する反応を促進させる場合もある。例えば、有機珪素化合物と反応して、酸化珪素を光学素子表面に形成したり、硫黄含有化合物と反応して硫酸イオンを形成し、硫酸塩を光学素子表面に形成したりする。
そこで、本発明は、露光光によって活性化された物質による部品劣化を抑制・防止することを課題とする。または、露光光によって活性化された物質による部品からの脱離ガスの発生を抑制・防止することを課題とする。あるいは光学素子表面への物質形成反応を抑制・防止することによって、性能劣化を抑制・防止することを課題とする。
したがって、本発明では、光学素子表面上への物質形成に起因する光学特性の劣化を低減できるとともに、部品劣化も低減できる露光装置および方法を提供することができる。
なお、活性化物質が、周囲や気体流路下流に存在する部品からの脱離ガスを発生あるいは増加させることを抑制・防止する場合は、その部品の近傍など、光路近傍以外において前記の添加物質を添加するようにしてもよい。
これらの添加方法によれば、適度な量の物質を添加することで、露光光で活性化した物質を即座に不活性化することができ、部材劣化、あるいは光学素子上への物質形成を抑制・防止することができる。
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、前記のいずれかの露光装置を用意する工程と、この露光装置を用いて露光を行う工程とを具備することを特徴とする。
以下、図面を参照して、本発明の例示的一形態である露光装置と装置内雰囲気への物質の添加方法について説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
また、ガス噴出口33から供給するガス量や方向、供給のタイミング、あるいはガス吸引口36で吸引するガス量や方向、吸引のタイミングは、露光照度の測定値を測定して、その測定結果をもとに制御してもよい。
また、以上の実施例は、ステップ・アンド・スキャン型のArF露光装置についての説明を行った。しかし、ステップ・アンド・リピート型の露光装置、KrFレーザ光やF2レーザ光や紫外線ランプやEUV光を光源に用いた露光装置に本発明を適用しても同様の効果を得ることができる。また、レジストからの脱離ガスを汚染原因として、その近傍の投影レンズが汚染されることについて述べたが、その他の付着汚染原因および光学素子に関して本発明を適用しても同様の効果を得ることができる。
次に、図5及び図6を参照して、上述の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図5は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
Claims (9)
- 露光光によって活性化された物質に対して、これらを不活性化状態に戻す効果のある物質を添加する手段を有することを特徴とする露光装置。
- 前記の添加物質が、一酸化炭素、あるいは炭化水素であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記添加手段は、前記添加物質を、光路近傍において添加することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 露光雰囲気にガスを供給する手段を有し、前記添加手段は、露光装置の照明モードまたは照度の設定状態に応じて、前記添加物質の量および前記ガスの流量の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 露光雰囲気にガスを供給する手段と、前記露光雰囲気における活性化した物質の濃度を測定する手段とを有し、前記添加手段は、前記活性化した物質の濃度測定値に応じて、前記添加物質の量および前記ガスの流量の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 露光雰囲気にガスを供給する手段と、露光照度を測定する手段とを有し、前記添加手段は、前記露光照度の測定値に応じて、前記添加物質の量および前記ガスの流量の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記添加手段は、前記露光雰囲気のガスに対してその1ppm以下の前記添加物質を添加することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の露光装置。
- 露光光によって活性化された物質に対して、これらを不活性化状態に戻す効果のある物質を添加することを特徴とする露光方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の露光装置または請求項8に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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