JPH1165094A - 収納ケース、露光装置及びデバイス製造装置 - Google Patents

収納ケース、露光装置及びデバイス製造装置

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JPH1165094A
JPH1165094A JP24027697A JP24027697A JPH1165094A JP H1165094 A JPH1165094 A JP H1165094A JP 24027697 A JP24027697 A JP 24027697A JP 24027697 A JP24027697 A JP 24027697A JP H1165094 A JPH1165094 A JP H1165094A
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inert gas
energy beam
chamber
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JP24027697A
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Yutaka Endo
豊 遠藤
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】酸素により吸収される特性を有するエネルギー
線を用いても、効率よく原板のパターン転写を行うこと
ができ、また不活性ガス雰囲気等を破ることなく、迅速
に原板を交換することのできる露光装置、デバイス装置
及びそれに用いる収納ケースを提供する。 【解決手段】収納するレチクルRの表面に対してほぼ平
行で、少なくとも一部がレチクルRを照射するエネルギ
ー線が透過可能な材質から形成されたガラス板11a、
11bを有し、収納ケース内は、不活性ガスが供給され
ているので、レチクルRのパターンを描画するエネルギ
ー線が酸素により吸収される特性を有するものであって
も、収納ケースごと、エネルギー線が通過する位置にお
けば、少なくともガラス板11a、11bの間に酸素が
存在しない状態を生じさせることができ、それによりエ
ネルギー線の利用効率を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、収納ケース、露光
装置及びデバイス製造装置に関し、更に詳細には紫外域
の光、特に酸素の吸収スペクトルと重なり合うスペクト
ル光を射出するエキシマレーザ光、高調波レーザ光、X
線や電子ビーム等をエネルギー線として用いる露光装置
やデバイス製造装置、及びそれに用いる収納ケースに関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶基板等を製造するた
めのリソグラフィ工程において、レチクル(フォトマス
ク等)のパターン像を投影光学系を介して感光基板上に
露光する露光装置が使用されている。近年、半導体集積
回路は微細化の方向で開発が進み、リソグラフィ工程お
いては、より微細化を求める手段としてリソグラフィ光
源の露光波長を短波長化することが考えられている。
【0003】現在、波長248nmのKrFエキシマレ
ーザをステッパー光源として採用した露光装置がすでに
開発されている.また、Ti−サファイアレーザ等の波
長可変レーザの高調波、波長266nmのYAGレーザ
の4倍高調波、波長213nmのYAGレーザの5倍高
調波、波長220nm近傍または184nmの水銀ラン
プ、193nmのArFエキシマレーザ等が短波長光源
の候補として注目されている。
【0004】従来のg線、i線、KrFエキシマレーザ
あるいは波長250nm近傍の光を射出する水銀ランプ
を光源とした露光装置では、これらの光源の発光スペク
トル線は図5に示すような酸素の吸収スペクトル領域と
は重ならず、酸素の吸収による光利用効率の低下および
酸素の吸収によるオゾンの発生に起因する不都合はなか
った。したがって、これらの露光装置では基本的に大気
雰囲気での露光が可能であった。
【0005】しかしながら、図示のように、ArFエキ
シマレーザのような光源では、発光スペクトル線は酸素
の吸収スペクトル領域と重なるため、上述の酸素の吸収
による光利用効率の低下および酸素の吸収によるオゾン
の発生に起因する不都合が発生する。たとえば、真空
中、または窒素あるいはヘリウムのような不活性ガス中
でのArFエキシマレーザ光の透過率を100%/mと
すれば、フリーラン状態(自然発光状態)すなわちAr
F広帯レーザでは約90%/m、図示のようにスペクト
ル幅を狭め且つ酸素の吸収線を避けたArF狭帯レーザ
を使用した場合でさえ、約98%/mと透過率が低下す
る。
【0006】透過率の低下は、酸素による光の吸収およ
び発生したオゾンの影響によるものと考えられる。オゾ
ンの発生は透過率(光利用効率)に悪影響を及ぼすばか
りでなく、光学材料表面や他の部品との反応による装置
性能の劣化および環境汚染を引き起こす。
【0007】このように、ArFエキシマレーザのよう
な光源を有する露光装置では、光の透過率の低下やオゾ
ンの発生を回避するために光路全体を窒素等の不活性ガ
スで満たす必要があることはよく知られている(特開平
6−260385号)。一般に露光装置は、光源の光で
レチクルを均一に照明するための照明光学系と、レチク
ルに形成された回路パターンをウェハ上に結像させるた
めの投影光学系と、ウェハを支持し且つ適宜移動させて
位置決めするためのステージ装置を有している(特開平
6−260385)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述のような構成の露
光装置では、光源から投影光学系までは基本的に駆動し
ないユニット部から構成されている。また、スキャン光
学系では露光中にレチクルを移動させたとしてもその交
換頻度は少ない。さらに、照明光学系に挿入するσ絞り
等の交換のための駆動部はあるものの、露光中の交換は
なく且つ交換頻度も少ない。したがって、光源から投影
光学糸の最終光学部材(レンズ等)までを容器で包囲
し、その容器内の空気を不活性ガスで置換すれば、1つ
の露光工程中にその不活性ガス雰囲気が破られることは
あまりない。
【0009】しかしながら、半導体デバイスを製造する
過程においては、レチクルを複数枚用いるのが一般的で
あり、特にASICと呼ばれる特定用途向け半導体デバ
イスの製造においては、レチクルの交換頻度は高い。し
たがって、投影光学系の端部からステージ装置全体にか
けて容器で包囲して不活性ガスを充填する方法では、レ
チクルを交換する度に不活性ガスを充填する必要があ
り、スループットが著しく低下するという不都合があっ
た。
【0010】くわえて、X線や電子ビームをエネルギー
線として用いることにより、原板に形成されたパターン
を転写するデバイス製造装置も徐々に実用化されつつあ
る。ところが、かかるX線や電子ビームは大気雰囲気中
では急速に減衰する特性を有するため、パターン転写を
効果的に行うことができない。そこでデバイス製造装置
全体を密閉し、内部を真空に維持する必要がある。しか
しながら、かかるデバイス製造装置においても、原板を
交換する必要があり、真空状態を破ることなく、原板交
換を迅速に行う技術が要求されている。
【0011】本発明は、前記の課題に鑑みてなされたも
のであり、酸素により吸収される特性を有するエネルギ
ー線を用いても、効率よく原板のパターン転写を行うこ
とができ、また不活性ガス雰囲気又は真空状態を破るこ
となく、迅速にウェハ又は原板を交換することのできる
露光装置、デバイス装置及びそれに用いる収納ケースを
提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成すべ
く、本発明の原板(R)を収納する収納ケース(10)
は、収納する原板(R)の表面に対してほぼ平行で、少
なくとも一部が原板を照射するエネルギー線が透過可能
な材質から形成された第1の面(11b)と第2の面
(11c)とを有し、収納ケース(20)内は、不活性
ガスが供給されていることを特徴とする。
【0013】本発明の収納ケース(20)によれば、収
納する原板(R)の表面に対してほぼ平行で、少なくと
も一部が原板を照射するエネルギー線が透過可能な材質
から形成された第1の面(11b)と第2の面(11
c)とを有し、収納ケース(20)内は、不活性ガスが
供給されているので、原板(R)のパターンを描画する
エネルギー線が酸素により吸収される特性を有するもの
であっても、収納ケース(20)ごと、エネルギー線が
通過する位置におけば、少なくとも第1の面(11b)
と第2の面(11c)との間に酸素が存在しない状態を
生じさせることができ、それによりエネルギー線の利用
効率を向上させることができる。
【0014】本発明の、露光光を原板(R)に照射する
ことにより、原板(R)に形成されたパターンを基板
(W)に転写する露光装置は、原板(R)を収納し、不
活性ガスが供給された収納ケース(10)と、露光光の
照射位置に原板(R)が位置するように、原板(R)を
収納した状態で収納ケース(10)を保持する保持装置
(CH)とを有することを特徴とする。
【0015】本発明の露光装置によれば、原板(R)を
収納し、不活性ガスが供給された収納ケース(10)
と、露光光の照射位置に原板(R)が位置するように、
原板(R)を収納した状態で収納ケース(10)を保持
する保持装置(CH)とを有するので、露光光が酸素に
より吸収される特性を有するものであっても、少なくと
も露光光が通過する収納ケース(10)内に酸素が存在
しない状態を生じさせることができ、それにより露光光
の露光効率を向上させることができる。
【0016】本発明の、真空中でエネルギー線を原板
(R)に照射することにより、原板(R)に形成された
パターンを転写するデバイス製造装置は、デバイス製造
装置を真空状態で覆うチャンバ(100)と、チャンバ
(100)と原板(R)を収納する収納ケース(20)
とを着脱する着脱装置(C1)と、収納ケース(20)
内からエネルギー線の照射位置まで原板(R)を搬送す
る搬送装置(C2)とを有し、収納ケース(20)は、
真空状態で原板(R)を収納し、着脱装置(C1)は、
チャンバ(100)内と収納ケース(20)内の真空状
態を維持して、収納ケース(20)内の原板(R)を搬
送装置(C2)が出し入れできるように収納ケース(2
0)をチャンバ(100)に着脱することを特徴とす
る。
【0017】本発明のデバイス製造装置によれば、着脱
装置(C1)が、チャンバ(100)内と収納ケース
(20)内の真空状態を維持して、収納ケース(20)
内の原板(R)を搬送装置(C2)が出し入れできるよ
うに収納ケース(20)をチャンバ(100)に着脱す
るので、チャンバ(100)内を真空状態に維持しつつ
も、原板の交換を迅速に行うことができる。
【0018】
【発明の実施の態様】本発明の実施の態様を、添付図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の第1の実施の態
様にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図
示の装置は、例えばArFエキシマレーザのような短波
長レーザ光を射出する光源EXLを備えている。光源E
XLを発した光ビームは、適宜配置された複数のミラー
等によって構成される適当な照明光学系を介して、後述
する収納ケース10に収納された、原板としてのレチク
ルRを均一に照明する。光源EXLからレチクルRに至
る光路は、照明光学系ILを構成している。照明光学系
ILは容器VS1により包囲され、この容器VS1には
バルブV5を介して、不活性ガスであるイオン化された
窒素ガスが供給されるようになっている。なお、容器V
S1の一端は光源EXLに密着又は極めて近接し、容器
VS1の他端は収納ケース1の上面に密着(近接)して
いる。
【0019】レチクルRを通過した光は、投影光学系P
Lを構成する種々の光学部材を介して図示を省略したウ
エハステージに載置されたウェハWの表面に到達し、レ
チクルR上のパターンを結像する。投影光学系PLもま
た容器VS2により包囲され、この容器VS2にはバル
ブV1を介して窒素ガスが供給されるようになってい
る。
【0020】照明光学系ILを包囲している容器VS1
は、バルブV6、酸素センサS及びロータリポンプRP
を介して排気ダクトにつながっている。一方、投影光学
系PLを包囲している容器VS2は、バルブV2、酸素
センサS及びロータリポンプRPを介して排気ダクトに
つながっている。
【0021】投影光学系PLの最終光学部材とウェハW
との間にも適当な手段により、窒素ガス雰囲気が形成さ
れるようになっている。具体的には、投影光学系PLの
下端からウェハWが載置されたステージ装置全体を容器
(不図示)で包囲し、その容器に窒素ガスを充填する手
法や、投影光学系PLの下端とウェハWとの間の開放空
間に窒素ガスを連続的に供給して窒素ガス雰囲気を形成
する手法がある。なお、窒素ガス雰囲気を形成する代わ
りに、投影光学系PLの最終光学部材とウェハWとの間
隔を極力小さくすることにより、レーザ光が極力吸収さ
れないようにしても良い。
【0022】図2は、本実施の態様にかかるレチクルR
を収納する収納ケースを示す斜視図であり、図3は、か
かる収納ケースの断面図である。収納ケース10は、一
面が開放した箱状の本体11と、かかる一面を遮蔽する
蓋部12とを有する。
【0023】収納ケース10の本体11は、その上面及
び下面に、レーザ光を透過する第1の面及び第2の面と
してのガラス板11a、11bを互いに平行にはめ込ん
でおり、本体11とガラス板11a、11bとの間には
接着剤又はシール剤等を充填し、気体が漏れないように
している。
【0024】本体11の側面には、固定部11cが取り
付けられており、更に固定部11cに対して、回転爪部
11dがその一端を回転可能に取り付けられている。回
転爪部11dは、その上下面にワイヤ11eの両端が連
結されている。ループ状となったワイヤ11eは、蓋部
12の側部に形成されたタブ12aに掛けられ、回転爪
部11dを倒した状態(図2)においては、その張力で
蓋部12を本体11側に引き寄せている。なお、図2に
おいては見えないが、本体11の両側面に、同様な固定
部11c、回転爪部11d、ワイヤ11eが配置されて
いる。
【0025】図3に示すように、レチクルRは、本体1
1のガラス板11a、11b間に、支持部11f、11
gを介して保持される。より具体的には、レチクルR
は、上下方向においてはレチクルRの自重により支持部
11f、11gに保持され、一方水平方向においては、
支持部11f、11gをレチクルRに押し付けてクラン
プすることにより保持されている。レチクルRを用いた
露光時には、収納ケース10ごと露光装置(図1)に装
着されるようになっており、かかる場合レーザ光は、ガ
ラス板11aから入射してレチクルRを照射し、一方レ
チクルRのパターン像を含むレーザ光はガラス板11b
から出射するようになっている。なお、ガラス板11
b、11cの代わりに、上面及び下面全体若しくは本体
の全ての面を露光光が透過可能な他の材料を用いても良
い。本体11における蓋部側の周縁には、溝部11hが
形成されている。溝部11h内にはO−リング13が配
置されている。O−リング13は、蓋部12が閉じられ
たときに、本体11と蓋部12とのすき間から本体内部
の気体の洩れを防止する、または外部からの気体の流入
を防止するためのものである。
【0026】収納ケース10内のレチクルRを交換する
場合には、回転爪部11dを図2の矢印方向に回転させ
る。そうすると、ワイヤ11eの張力が減少し、ワイヤ
11eを蓋部12のタブ12aから簡単に外すことがで
きる。ワイヤ11eをタブ12aから外せば、蓋部12
を本体11から引き離すことができ、それによりレチク
ルRを交換することができる。
【0027】蓋部12は、正面にコネクタ12bと12
cとを有する。かかるコネクタ12bは、収納ケース1
0内においてガス交換する際に、外部から窒素ガスを供
給する場合の吸気口となり、コネクタ12cは、収納ケ
ース10内の空気の排気口となる。
【0028】ところで、収納ケース10は、その内部を
窒素ガスで満たされた後、露光装置に搬送され、保持装
置CHにより保持された状態で、照明系ILと投影光学
系PLとの間にすき間なくセットされる。図3に示すよ
うに、保持装置CHは、板状の支持部CH1と、レーザ
光が透過可能なガラス部CH2とを有する。
【0029】支持部CH1は、その上面中央に矩形状の
凹部CH3を形成しており、かかる凹部CH3内にガラ
ス部CH2を嵌合させ、支持部CH1とガラス部CH2
との間に接着剤又はシール剤等を充填し、空気が漏れな
いようにしている。なお、凹部CH3の断面形状は、収
納ケース10の底部の形状と一致している。更に支持部
CH1は、凹部CH3の上面から支持部CH1側面に至
る貫通孔CH4を形成している。貫通孔CH4の側面開
口部には、コネクタCNが取り付けられており、更にコ
ネクタCNと不図示の真空圧源とはホースHSにより連
結されている。
【0030】保持装置CHの凹部CH3内に配置された
収納ケース10は、不図示の真空圧源の真空圧によりそ
の底部を吸引されることにより、凹部CH3に密着して
取り付けられる。従って、収納ケース10のガラス板1
1bと保持装置CHのガラス部CH2とは、密着して配
置され、それによりガラス板11bとガラス部CH2と
の間に、レーザ光の透過率を低下させる空気が介在しな
いようになっている。また、部材の反り等によりガラス
板11bとガラス部CH2との間にわずかにすき間がで
きたとしても、真空圧源の真空圧により、かかるすき間
内の空気は吸引されるため、レーザ光の透過率を低下さ
せることはない。
【0031】更に、収納ケース10内は、窒素ガスで満
たされているために、レーザ光が収納ケース10内を通
過しても、その透過率は低下しない。また、ガラス板1
1b、11cにゴミ等の異物が付着しても、通常は焦点
深度外に存在することとなるので、露光に悪影響を与え
る恐れは低い。
【0032】一方、図示するように、照明光学系ILと
収納ケース10との間、及び収納ケース10と投影光学
系PLとの間の空間は極めて狭小であるため、かかる空
間に存在する酸素はわずかであり、よってかかる空間を
レーザ光が通過しても、透過率はほとんど低下しない。
【0033】上述したように、収納ケース10内にはレ
チクルRが収納され、かつ窒素ガスが満たされている
が、かかるレチクルRは永久的に収納され続けるわけで
はなく、レチクルRの交換が必要となる場合も多い。と
ころが、収納ケース内のレチクルRを交換するために蓋
部12を開くと、収納ケース10内に封入されていた窒
素ガスが、空気に置換されてしまうこととなる。
【0034】そこで、レチクル交換後に、収納ケース1
0内の空気を窒素ガスに交換することが必要となる。図
2において、図示しない窒素ガスボンベに接続されたホ
ースの外部コネクタを、コネクタ12bに接続する。一
方、コネクタ12cにも、図示しないバキュームポンプ
に接続されたホースの外部コネクタ(不図示)を接続す
る。
【0035】コネクタ12b、12cは、外部コネクタ
に接続されると内蔵した弁が開き、それにより気体の流
通を可能とする。従って、窒素ガスボンベからの窒素ガ
スは、コネクタ12bを介して徐々に収納ケース10内
に満たされ、一方、収納ケース10内の空気は、コネク
タ12cを介してバキュームポンプ側へと吸い出される
ようになっている。一定量の窒素ガスを収納ケース10
に充填すれば、ケース内はかかる窒素ガスで満たされ
る。その段階で、コネクタ12b、12cから外部コネ
クタを外せば、コネクタ12b、12c内の弁が閉じ、
窒素ガスはケース内に封入されることとなる。
【0036】次に、本願発明の別な実施の態様を説明す
る。エネルギー線としてのX線は、大気中における吸収
率が極めて高いため、パターンの描画の際には、X線が
通過する空間を真空にしなければならない。同様にし
て、エネルギー線としての電子ビームも、電子が空気の
分子と散乱等の相互作用を受けないようにするため、電
子ビームが通過する空間を真空にしなければならない。
【0037】従って、X線等を用いたデバイス製造装置
においては、装置を覆うチャンバ内は真空とされている
のが一般的である。しかしながら、かかる場合にも、レ
チクルの交換は必要であり、どのようにして真空状態を
維持しながらレチクル交換のために、レチクルを真空状
態のチャンバ内に搬入又は搬出するかが問題となってい
る。
【0038】図4に示す実施の態様は、かかる問題を解
決するものである。図4において、レチクルRを収納す
る収納ケース20は、箱状の本体21と、本体21取り
付けられた扉22と、シール部23とを有する。本体2
1は、その一面が開放しており、ここに開放口21aを
有する。開放口21a内において、扉22は、その上端
を中心として回転自在に本体21に支持されており、自
由状態では弱いスプリング(不図示)により図4に示す
位置まで跳ね上げられている。なお、扉22は、閉じた
状態(破線で示す)で、その下端をシール部21bに当
て、開放口21aの全体を閉鎖する。開放口21aの端
部周縁には、シール部23が配置されている。
【0039】一方、チャンバ100内は、真空状態に維
持され、不図示のデバイス製造装置が配置されている。
チャンバ100は、収納ケース20の開放口21aに対
応する形状の開口101が形成されている。
【0040】開口101を開閉するチャンバ扉102
が、チャンバ100の壁面に沿って移動可能に配置され
ている。チャンバ扉102が閉じた状態(破線で示す)
において、チャンバ扉102とチャンバ100との間を
シールするシール部材103が、チャンバ100の開口
101の周囲に配置されている。搬送装置としての搬送
アームC2が、開口101に隣接して設けられている。
【0041】収納ケース20内にレチクルRを収納し、
不図示の排気口を介して内部を真空にすると、大気圧と
の気圧差により扉22は、スプリング(不図示)の弾性
力に関わらず、本体21側に押されてシール部21bに
強く当たる。それにより、開放口21aは閉鎖されるた
め、以降収納ケース20内部に空気が侵入することはな
い。
【0042】ここで、レチクルRをチャンバ100内に
入れようとするときは、着脱装置としての外部アームC
1により収納ケース20を挟み、収納ケース20の開放
口21aを、チャンバ100の開口101に押し付ける
ようにする。このとき、シール部23が、収納ケース2
0の本体21内部と、チャンバ100の外壁との間をシ
ールするようになるため、外部から開放口21aへと空
気が侵入することはなくなる。
【0043】収納ケース20をチャンバ100に押し付
けたまま、チャンバ扉102を不図示の駆動系により開
放すると、扉22と扉102との間に存在していた空気
がチャンバ100内に流出し、扉22は不図示のスプリ
ングに弾性力により図4に示す状態まで回転する。かか
る状態においては、搬送アームC2の先端を収納ケース
20内部へ挿入することができ、それによりレチクルR
をチャンバ100内へ搬送することが可能となる。な
お、扉22は、空気圧差を利用した開閉手法のみなら
ず、チャンバ102の開閉に連動して不図示の駆動系に
よる開閉も可能である。レチクルRを収納ケース2から
搬送した後に、チャンバ扉102は再び閉じられる。レ
チクルRは、搬送アームC2により、レチクルRを載置
するレチクルステージまで搬送される。
【0044】図4に示す実施の形態は、チャンバ100
内が真空でなく、不活性ガスを満たした状態でも適用し
うる。但しその場合には、収納ケース20の扉22を開
放させる別な機構が必要となる。
【0045】
【発明の効果】以上述べたように、本願発明の収納ケー
スによれば、収納する原板の表面に対してほぼ平行で、
少なくとも一部が原板を照射するエネルギー線が透過可
能な材質から形成された第1の面と第2の面とを有し、
収納ケース内は、不活性ガスが供給されているので、原
板のパターンを描画するエネルギー線が酸素により吸収
される特性を有するものであっても、収納ケースごと、
エネルギー線が通過する位置におけば、少なくとも第1
の面と第2の面との間に酸素が存在しない状態を生じさ
せることができ、それによりエネルギー線の利用効率を
向上させることができる。
【0046】本発明の露光装置によれば、原板を収納
し、不活性ガスが供給された収納ケースと、露光光の照
射位置に原板が位置するように、原板を収納した状態で
収納ケースを保持する保持装置とを有するので、露光光
が酸素により吸収される特性を有するものであっても、
少なくとも露光光が通過する収納ケース内に酸素が存在
しない状態を生じさせることができ、それにより露光光
の露光効率を向上させることができる。
【0047】本発明のデバイス製造装置によれば、着脱
装置が、チャンバ内と収納ケース内の真空状態を維持し
て、収納ケース内の原板を搬送装置が出し入れできるよ
うに収納ケースをチャンバに着脱するので、チャンバ内
を真空状態に維持しつつも、原板の交換を迅速に行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の態様にかかる露光装置の
構成を概略的に示す図である。
【図2】本実施の態様にかかるレチクルRを収納する収
納ケースを示す斜視図である。
【図3】収納ケース10を保持装置CHの保持した状態
で切断した断面図である。
【図4】本願発明の別な実施の態様を示す、収納ケース
とチャンバの一部とを示す図である。
【図5】酸素の吸収スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
10,20………収納ケース 11、21………本体 12………蓋部 22………扉 100………チャンバ 102………チャンバ扉 R………レチクル C1………外部アーム C2………搬送アーム CH………保持装置

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 原板を収納する収納ケースにおいて、 前記収納する原板の表面に対してほぼ平行で、少なくと
    も一部が前記原板を照射するエネルギー線が透過可能な
    材質から形成された第1の面と第2の面とを有し、 前記収納ケース内は、不活性ガスが供給されていること
    を特徴とする収納ケース。
  2. 【請求項2】 前記第1,第2の面は、前記エネルギー
    線が各々の面を照射する照射領域のみ前記材質で形成さ
    れていることを特徴とする請求項1に記載の収納ケー
    ス。
  3. 【請求項3】 前記エネルギー線は、酸素に対して吸収
    性を有する波長帯の光であることを特徴とする請求項1
    又は2に記載の収納ケース。
  4. 【請求項4】 前記収納ケースは、更に、前記不活性ガ
    スの封入口を少なくとも一つ有し、 前記原板を収納した状態で前記不活性ガスを前記封入口
    より封入できることを特徴とする請求項1から3までの
    何れか1項に記載の収納ケース。
  5. 【請求項5】 前記不活性ガスは、イオン化された窒素
    ガスであることを特徴とする請求項1から4までの何れ
    か1項に記載の収納ケース。
  6. 【請求項6】 露光光を原板に照射することにより、原
    板に形成されたパターンを基板に転写する露光装置にお
    いて、 前記原板を収納し、不活性ガスが供給された収納ケース
    と、 前記露光光の照射位置に原板が位置するように、前記原
    板を収納した状態で前記収納ケースを保持する保持装置
    とを有することを特徴とする露光装置。
  7. 【請求項7】 前記収納ケースは、少なくとも一部が前
    記露光光を透過可能な材質から形成されていることを特
    徴とする請求項6に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記露光光は、酸素に対して吸収性を有
    する波長帯の光であることを特徴とする請求項6又は7
    に記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記不活性ガスは、イオン化された窒素
    ガスであることを特徴とする請求項6に記載の露光装
    置。
  10. 【請求項10】 真空中でエネルギー線を原板に照射す
    ることにより、原板に形成されたパターンを転写するデ
    バイス製造装置において、 前記デバイス製造装置を真空状態で覆うチャンバと、 前記チャンバと前記原板を収納する収納ケースとを着脱
    する着脱装置と、 前記収納ケース内から前記エネルギー線の照射位置まで
    前記原板を搬送する搬送装置とを有し、 前記収納ケースは、真空状態で前記原板を収納し、 前記着脱装置は、前記チャンバ内と前記収納ケース内の
    真空状態を維持して、前記収納ケース内の前記原板を前
    記搬送装置が出し入れできるように前記収納ケースを前
    記チャンバに着脱することを特徴とするデバイス製造装
    置。
  11. 【請求項11】 前記収納ケースは、開閉可能な扉を有
    し、 前記着脱装置は、前記扉を開閉して前記収納ケースの着
    脱を行うことを特徴とする請求項10に記載のデバイス
    製造装置。
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