KR101496076B1 - 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 노광 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 73
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 20
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 8
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
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- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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Abstract
본 발명의 기판 반송 장치에서는, 기판이 사용되고 있을 때에, 커버 보호 수단에 의해 보호 커버의 내면이 덮어진다. 따라서, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 대기 위치에 있어서, 보호 커버가 접지된다. 따라서, 보호 커버에 정전기가 대전되는 것이 방지되어, 보호 커버에의 이물질의 부착을 저감할 수 있다. 본 발명의 기판 반송 방법에서는, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버를, 보호 커버의 내면을 덮은 상태로 대기시킨다. 따라서, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 본 발명의 노광 장치에서는, 본 발명의 기판 반송 장치를 이용하고 있기 때문에, 오염이 적은 기판을 사용하여 수율이 높은 제품을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은, 패턴이 형성된 기판의 반송을 행하는 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치를 구비한 노광 장치에 관한 것이다.
EPL, EUVL 등의 차세대 리소그래피에 사용되는 레티클(마스크라고도 한다)에는, 레티클 패턴면에 이물질이 부착되어 결함의 원인이 되는 것을 막는 펠리클(pellicle)을 사용할 수 없다고 하는 결점이 공통 과제로서 존재한다.
이 과제를 해결하는 수단으로서, 레티클을 사용하지 않을 때에는 보호 커버를 부착하고, 노광시에만 탈착하는 방식이 제안되어 있다.
예컨대, 미국 특허 제6239863호를 참조할 것.
그러나, 상술한 바와 같은 방식에서는, 노광에 사용되고 있는 레티클의 보호 커버는, 보호 커버의 내면이 노출한 상태로 배치되는 것으로 되고, 보호 커버의 내면에 이물질 등이 부착되기 쉽다고 하는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지하는 것에 있다.
제 1 발명의 기판 반송 장치는, 패턴이 형성된 기판의 반송을 행하는 기판 반송 장치로서, 상기 기판을 사용하지 않을 때에 상기 기판을 보호 커버에 의해 보호한 상태로 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 상기 기판이 사용되고 있을 때에, 상기 보호 커버의 내면을 덮는 커버 보호 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
제 2 발명의 기판 반송 장치는, 제 1 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 커버 보호 수단은, 상기 기판이 노광에 사용되고 있을 때에, 상기 보호 커버의 내면을 덮는 것을 특징으로 한다.
제 3 발명의 기판 반송 장치는, 제 1 또는 제 2 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 보호 커버는 상기 기판을 덮어 착탈가능하게 배치되는 복수의 커버 부재로 이루어지고, 상기 커버 보호 수단은, 상기 복수의 커버 부재를 닫힌 상태로 대기 위치에 대기시키는 것을 특징으로 한다.
제 4 발명의 기판 반송 장치는, 제 3 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 커버 보호 수단은, 상기 기판을 상기 복수의 커버 부재의 일부와 함께 상기 기판의 노광 위치에 반송한 후, 상기 일부의 커버 부재를 상기 대기 위치로 되돌려 상기 복수의 커버 부재를 닫는 상태로 하는 것을 특징으로 한다.
제 5 발명의 기판 반송 장치는, 제 3 또는 제 4 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 복수의 커버 부재를 닫는 상태는, 상기 복수의 커버 부재를 밀착한 상태인 것을 특징으로 한다.
제 6 발명의 기판 반송 장치는, 제 1 또는 제 2 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 보호 커버는 상기 기판의 상기 패턴을 덮어 착탈가능하게 배치되는 커버 부재로 이루어지고, 상기 커버 보호 수단은, 상기 커버 부재를, 상기 기판의 형상으로 모방한 모의 부재에 부착한 상태로 대기 위치에 대기시키는 것을 특징으로 한다.
제 7 발명의 기판 반송 장치는, 제 3 내지 제 6 중 어느 하나의 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 대기 위치는, 상기 기판의 정렬을 행하는 위치인 것을 특징으로 한다.
제 8 발명의 기판 반송 장치는, 제 3 내지 제 6 중 어느 하나의 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 대기 위치는, 상기 기판으로부터 상기 커버 부재를 탈착하는 위치인 것을 특징으로 한다.
제 9 발명의 기판 반송 장치는, 제 3 내지 제 6 중 어느 하나의 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 대기 위치는, 상기 기판을 노광 분위기중에서 보존하는 라이브러리부인 것을 특징으로 한다.
제 10 발명의 기판 반송 장치는, 제 3 내지 제 9 중 어느 하나의 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 대기 위치에 있어서, 상기 보호 커버를 접지하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
제 11 발명의 기판 반송 장치는, 패턴이 형성된 기판의 반송을 행하는 기판 반송 장치로서, 상기 기판을 사용하지 않을 때에 상기 기판을 보호 커버에 의해 보호한 상태로 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 상기 기판 또는 보호 커버를 접지하는 접지 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
제 12 발명의 기판 반송 장치는, 제 11 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 접지 수단은, 상기 기판 또는 보호 커버를 재치하는 재치대에 마련되어 있는 것을 특징으로 한다.
제 13 발명의 기판 반송 장치는, 제 11 또는 제 12 발명의 기판 반송 장치에 있어서, 상기 기판은, 상기 보호 커버를 거쳐서 접지되는 것을 특징으로 한다.
제 14 발명의 기판 반송 방법은, 패턴이 형성된 기판의 반송을 행하는 기판 반송 방법으로서, 상기 기판을 사용하지 않을 때에 상기 기판을 보호 커버에 의해 보호한 상태로 반송하는 기판 반송 방법에 있어서, 상기 기판이 사용되고 있을 때에, 상기 보호 커버를 해당 보호 커버의 내면을 덮은 상태로 대기시키는 것을 특징으로 한다.
제 15 발명의 노광 장치는, 제 1 내지 제 13 중 어느 하나의 발명의 기판 반송 장치를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 반송 장치의 일형태에서는, 기판이 사용되고 있을 때에, 커버 보호 수단에 의해 보호 커버의 내면이 덮어진다. 따라서, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태로서는, 기판이 노광에 사용되고 있을 때에, 커버 보호 수단에 의해, 보호 커버의 내면이 덮어진다. 따라서, 기판이 노광에 사용되고 있을 때에, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 보호 커버는, 기판을 덮어 착탈가능하게 배치되는 복수의 커버 부재로 이루어진다. 그리고, 커버 보호 수단에 의해, 복수의 커버 부재가 닫힌 상태로 대기 위치에 대기된다. 따라서, 대기 위치에 있어서, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 커버 보호 수단은, 기판을 복수의 커버 부재의 일부와 함께 기판의 노광 위치에 반송한 후, 일부의 커버 부재를 대기 위치로 되돌려 복수의 커버 부재를 닫은 상태로 한다. 따라서, 기판의 노광 위치로의 반송시에 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 대기 위치에 있어서, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 복수의 커버 부재를 닫은 상태는, 복수의 커버 부재를 밀착한 상태로 된다. 따라서, 복수의 커버 부재의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 보호 커버는, 기판의 패턴을 덮어 착탈가능하게 배치되는 커버 부재로 된다. 그리고, 커버 보호 수단에 의해, 커버 부재가, 기판의 형상으로 모방된 모의 부재에 부착한 상태로 대기 위치에 대기된다. 따라서, 대기 위치에 있어서, 커버 부재의 내면은 모의 부재에 의해 덮어져 있어, 커버 부재의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 대기 위치는, 기판의 정렬을 행하는 위치로 된다. 따라서, 기판의 정렬 위치에 있어서, 커버 부재의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 대기 위치는, 기판으로부터 커버 부재를 착탈하는 위치로 된다. 따라서, 기판으로부터 커버 부재를 착탈하는 위치에 있어서, 커버 부재의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 대기 위치는, 기판을 노광분위기중에서 보존하는 라이브러리부로 된다. 따라서, 라이브러리부에서, 커버 부재의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 대기 위치에 있어서, 보호 커버가 접지된다. 따라서, 보호 커버에 정전기가 대전되는 것이 방지되어, 보호 커버에의 이물질의 부착을 저감할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 접지 수단에 의해, 기판 또는 보호 커버가 접지된다. 따라서, 기판 또는 보호 커버에 정전기가 대전되는 것이 방지되어, 기판 또는 보호 커버에의 이물질의 부착을 저감할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 접지 수단은, 기판 또는 보호 커버를 재치하는 재치대에 설치된다. 따라서, 기판 또는 보호 커버를 재치대에 재치함으로써, 기판 또는 보호 커버를 접지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치의 별도의 일형태에서는, 기판은, 보호 커버를 거쳐서 접지된다. 따라서, 기판 및 보호 커버를 동시에 접지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 방법의 일형태에서는, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버를, 보호 커버의 내면을 덮은 상태로 대기시킨다. 따라서, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 노광 장치의 일형태에서는, 본 발명의 기판 반송 장치를 이용하고 있기 때문에, 오염이 적은 기판을 사용하여 수율이 높은 제품을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 1 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 2는 도 1의 레티클 캐리어를 나타내는 설명도이다.
도 3은 도 1의 CFP 스테이지의 상세를 나타내는 설명도이다.
도 4는 도 3에 있어서 CFP에서 레티클을 노출한 상태를 나타내는 설명도이다.
도 5는 도 1의 CFP 스테이지로부터 레티클을 레티클 스테이지에 반송하는 상태를 나타내는 설명도이다.
도 6은 도 1의 CFP 스테이지에 CFP를 대기하고 있는 상태를 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 2 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 3 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 노광 장치의 일실시예를 나타내는 설명도이다.
도 2는 도 1의 레티클 캐리어를 나타내는 설명도이다.
도 3은 도 1의 CFP 스테이지의 상세를 나타내는 설명도이다.
도 4는 도 3에 있어서 CFP에서 레티클을 노출한 상태를 나타내는 설명도이다.
도 5는 도 1의 CFP 스테이지로부터 레티클을 레티클 스테이지에 반송하는 상태를 나타내는 설명도이다.
도 6은 도 1의 CFP 스테이지에 CFP를 대기하고 있는 상태를 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 2 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 3 실시예를 나타내는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 노광 장치의 일실시예를 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 이용하여 상세히 설명한다.
또, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.
(제 1 실시예)
도 1은, 본 발명의 기판 반송 장치의 제 1 실시예를 나타내고 있다.
이 기판 반송 장치는, 레티클 스테이지(11) 등이 배치되는 노광 챔버(13)에 인접하여 설치된다. 노광 챔버(13)의 한 쪽에는, 진공 로봇(15)이 배치되는 로봇 챔버(17)가 설치된다. 로봇 챔버(17)의 한 쪽에는, 진공 레티클 라이브러리(19)가 마련되고, 다른 쪽에는, 클린 필터 포드 오프너(이하 CFP 오프너라 함)(21)가 설치된다. 노광 챔버(13), 로봇 챔버(17), 진공 레티클 라이브러리(19) 및 CFP 오프너(21)는 진공 분위기로 되어 있다.
로봇 챔버(17)의 노광 챔버(13)에 대향하는 위치에는, 로드록실(23)이 배치되어 있다. 로드록실(23)은, 제 2 게이트 밸브(25)를 거쳐서 로봇 챔버(17)에 연통되어 있다. 또한, 제 1 게이트 밸브(27)를 거쳐서 대기중에 연통되어 있다.
로드록실(23)의 외측에는, 제 2 대기 로봇(29)을 거쳐서 레티클 캐리어 오프너(31)가 배치되어 있다. 레티클 캐리어 오프너(31)의 외측에는, 제 1 대기 로봇(33)을 거쳐서 대기 레티클 라이브러리(35)가 배치되어 있다.
상술한 기판 반송 장치에서는, 대기 레티클 라이브러리(35)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 노광에 사용되는 EUVL 용의 레티클(37)이, 레티클 캐리어(39) 및 클린 필터 포드(이하 CFP라 함)(41)에 의해 2중으로 보호된 상태로 놓여져 있다. CFP(41)는 감압 분위기중에 있어 레티클(37)을 보호하는 보호 커버로서의 기능을 갖는다.
대기 레티클 라이브러리(35)에 놓여진 레티클 캐리어(39)는, 제 1 대기 로봇(33)에 의해 레티클 캐리어 오프너(31)에 반송된다. 그리고, 레티클 캐리어 ID 리더(leader)(43)에 의해 레티클 캐리어(39)가 식별된다. 이 레티클 캐리어 오프너(31)에 있어서, 레티클 캐리어(39)가 열려 CFP(41)가 노출된다. 노출된 CFP(41)는 온도 보상 램프(45)에 의해 2∼3℃정도 승온된다. 승온된 CFP(41)는 제 2 대기 로봇(29)에 의해, 제 1 게이트 밸브(27)만이 열린 상태의 로드록실(23) 내에 반송된다. 또, 레티클 캐리어 오프너(31)로부터 로드록실(23)에 이르는 순로는 청정 분위기로 되어 있다.
로드록실(23)에서는, 제 1 게이트 밸브(27) 및 제 2게이트 밸브(25)를 닫은 상태로 CFP(41)마다 진공 흡입이 행하여진다. 로드록실(23) 내가 소정의 진공 상태가 되면, 제 2 게이트 밸브(25)만이 열려, CFP(41)가 진공 로봇(15)에 의해 진공 레티클 라이브러리(19)에 반송된다.
진공 레티클 라이브러리(19)에는, 예컨대 5장 정도의 레티클(37)이 CFP(41)에 수용된 상태로 보존된다. 레티클(37)은 온도 조정 기구(도시하지 않음)에 의해 소정의 온도로 유지된다. CFP(41)에 수용된 상태의 레티클(37)은, 레티클 ID 리더(47)에 의해 식별된다. 식별된 레티클(37)은, 진공 로봇(15)에 의해 CFP(41)에 수용된 상태로 CFP 오프너(21)에 반송된다.
CFP 오프너(21)에서는, CFP(41)이 열려 레티클(37)이 노출된다.
이 실시예에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, CFP 오프너(21)에 반송된 CFP(41)는, CFP 스테이지(49) 상에 재치된다. CFP(41)는, 상부 커버 부재(상부 덮개)(51)와 하부 커버 부재(하부 뚜껑)(53)로 이루어진다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, CFP 스테이지(49)를 하강시킴으로써, 상부 커버 부재(51)의 외주부가 지지 부재(55)의 상단의 스토퍼(57)에 계지(係止)되어 레티클(37)이 노출된다.
이 실시예에서는, CFP 스테이지(49)의 아래쪽으로는, 레티클(37)의 사전 정렬을 하기 위한 기준 현미경(59)이 배치되어 있다. 그리고, 기준 현미경(59)에 의해, CFP 스테이지(49)에 형성되는 관통 구멍(49a) 및 하부 커버 부재(53)에 마련된 투명창(53a)으로부터 투명창(53a) 너머로, 레티클(37)의 하면에 마련된 사전 정렬 마크(37a)를 검출하여, CFP 스테이지(49)를 구동하는 것으로 사전 정렬이 행하여진다. 이때에, 레티클(37)에 마련된 바코드 등의 레티클 ID를 하부 커버 부재(53)의 투명창(53a) 너머로 검출하는 것으로 레티클 ID를 확인할 수 있다.
사전 정렬의 종료한 레티클(37)은, 도 5에 도시하는 바와 같이, CFP(41)의 하부 커버 부재(53)에 수용된 상태로, 진공 로봇(15)의 반송 아암(61)에 의해 레티클 스테이지(11)에 반송된다. 레티클 스테이지(11)에는, 정전척(63)이 흡착면(63a)을 하향으로 하여 배치되어 있다. 그리고, 반송 아암(61)에 의해 하부 커버 부재(53)를 거쳐서 레티클(37)을 정전척(63)의 흡착면(63a)에 압압한 상태로, 정전척(63)을 온함으로써 레티클(37)의 상면이 흡착면(63a)에 척된다.
레티클(37)의 척후에, 반송 아암(61)은 하부 커버 부재(53)를 CFP 오프너(21)까지 반송하여, 도 4에 나타내는 바와 같이, 하강 위치에 있는 CFP 스테이지(49)상에 하부 커버 부재(53)를 재치한다. 그리고, 도 6에 도시하는 바와 같이, CFP 스테이지(49)를 상승시키는 것으로 CFP(41)의 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)가 밀착하여, 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)의 내부가 밀폐된다. 이 실시예에서는, 닫힌 CFP(41)는, 그 상태로 CFP 오프너(21) 내에 노광중 대기된다. 또, CFP 오프너(21)와 사전 정렬부가 별도인 경우에는 사전 정렬부에서 대기시키더라도 좋다. 또한, 진공 레티클 라이브러리(19)에 반송하여 대기시키더라도 좋다.
노광이 종료하여, 레티클 스테이지(11)의 레티클(37)의 교환을 행할 때는, 도 6에 나타낸 바와 같은 상태로 대기하고 있었던 CFP(41)의 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)를, CFP 스테이지(49)를 하강시켜 하부 커버 부재(53)를 하강함으로써 분리(도 4로 레티클(37)이 없는 상태에 대응)하여, 하부 커버 부재(53)를 반송 아암(61)에 의해 레티클(37)의 교환 위치까지 반송한다.
그리고, 정전척(63)에 흡착되어 있는 레티클(37)에 하부 커버 부재(53)를 접촉한 상태(도 5 참조)로 정전척(63)을 오프함으로써, 하부 커버 부재(53)에 레티클(37)이 재치된다. 이 상태로, 반송 아암(61)에 의해 레티클(37)을 CFP 오프너(21)에 반송하여, 도 4에 나타낸 바와 같이, 하강 위치에 있는 CFP 스테이지(49) 상에 레티클(37)이 재치되는 하부 커버 부재(53)를 재치한다. 그리고, CFP 스테이지(49)를 상승시키는 것으로 CFP(41)의 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)가 밀착(도 3 참조)하여, CFP(41) 내에 레티클(37)을 유지한 상태로 CFP(41)가 밀폐된다.
상술한 기판 반송 장치 및 방법에서는, 레티클(37)이 노광에 사용되고 있을 때에, CFP(41)의 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)를 닫고, 상부 커버 부재(51) 및 하부 커버 부재(53)의 내면을 덮도록 했기 때문에, 레티클(37)이 노광에 사용되고 있을 때에, CFP(41)의 내면이 오염되는 것을 용이하게, 확실하게 방지할 수 있다. 그리고, CFP(41)의 내면이 오염되지 않기 때문에, 레티클(37)이 오염되는 것이 매우 적어진다.
(제 2 실시예)
도 7은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 2 실시예를 나타내고 있다.
또, 이 실시예에 있어서 제 1 실시예와 동일한 부재에는, 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.
이 실시예에서는, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 보호 커버인 커버 부재(65)가, 레티클(37)의 패턴면(37b)만을 덮어 착탈가능하게 장착된다.
그리고, 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(61)에 의해, 레티클(37)에 커버 부재(65)를 장착한 상태로 레티클 스테이지(11)의 정전척(63)까지 반송되어, 레티클(37)만이 정전척(63)에 흡착되어 척된다.
한편, 도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 반송 아암(61)에 남겨진 커버 부재(65)는, 반송 아암(61)에 의해 대기부에 반송된다. 대기부에는, 도 7(d)에 도시하는 바와 같이, 레티클(37)의 형상으로 모방한 모의 부재(67)가 배치되어 있고, 이 모의 부재(67)에 커버 부재(65)를 장착함으로써, 커버 부재(65)의 내면이 모의 부재(67)에 의해 덮어져 보호된다.
그리고, 노광이 종료하여, 레티클 스테이지(11)의 레티클(37)의 교환을 행할 때는, 모의 부재(67)로부터 커버 부재(65)를 이탈하여, 반송 아암(61)에 의해 레티클(37)의 교환 위치까지 반송한다. 그리고, 정전척(63)에 흡착되는 레티클(37)에 커버 부재(65)를 장착한 후, 정전척(63)을 오프하는 것에 의해, 레티클(37)이 분리된다. 분리된 레티클(37)은 커버 부재(65)와 함께 반송 아암(61)에 의해 예컨대 진공 레티클 라이브러리(19)에 반송된다.
이 실시예에 있어서도 제 1 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(제 3 실시예)
도 8은 본 발명의 기판 반송 장치의 제 3 실시예를 나타내고 있다.
또, 이 실시예에 있어서 제 1 실시예와 동일한 부재에는, 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명을 생략한다.
이 실시예에서는, CFP 오프너(21)의 CFP 스테이지(49)(재치대)의 상면에는, 예컨대 알루미늄으로 이루어지는 스테이지측 도전성층(69)이 형성되어 있다. 이 스테이지측 도전성층(69)은 접지선(71)을 거쳐서 접지되어 있다.
한편, CFP(41)의 하부 커버 부재(53)의 측면에는, 하부 커버 부재(53)를 스테이지측 도전성층(69)에 재치할 때에 스테이지측 도전성층(69)에 접촉하는 하부 커버 도전성층(53b)이 형성되어 있다. 이 하부 커버 도전성층(53b)은 하부 커버 부재(53)에 상부 커버 부재(51)를 재치할 때에 상부 커버 부재(51)에 형성되는 상부 커버 도전성층(51b)에 접촉된다. 또한, 레티클(37)의 상면에는, 상부 커버 부재(51)를 재치할 때에, 상부 커버 도전성층(51b)에 접촉하는 레티클 도전성층(37b)이 형성되어 있다.
이 실시예에 있어서도 제 1 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있지만, 이 실시예에서는, CFP 스테이지(49)에 있어서, CFP(41)의 하부 커버 부재(53), 상부 커버 부재(51) 또는 레티클(37)을 접지하도록 하였기 때문에, 하부 커버 부재(53), 상부 커버 부재(51) 또는 레티클(37)에 정전기가 대전되는 것을 용이하게, 확실하게 방지할 수 있다. 따라서, 이들 부재에의 이물질의 부착을 보다 저감할 수 있다.
또, 이 실시예로서는, CFP 스테이지(49)에 있어서 하부 커버 부재(53), 상부 커버 부재(51) 또는 레티클(37)의 접지를 행한 예에 대하여 설명하였지만, 예컨대, 진공 레티클 라이브러리(19)의 CFP(41)가 재치되는 플레이트, 로드록실(23)의 재치대, 진공 로봇(15) 또는 대기 로봇(29)의 CFP(41)와 접촉하는 부분(엔드 이펙터)에 있어서 접지하도록 하더라도 좋다. 이 경우, 모든 장소에서 접지시킬 필요는 없고, CFP(41)나 레티클(37)의 대전을 방지할 위치에 접지하면 좋다.
또한, 상술한 실시예에서는, CFP(41)의 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)에 도전성층(51b, 53b)을 형성하고, 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)가 닫히고 있을 때에 양자가 전기적으로 접속되는 구성으로 했지만, 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)가 도전 재료(예컨대 알루미늄)이면, 특별히 도전성층을 형성할 필요는 없다. 그리고, CFP(41)는 CFP 스테이지(49)에 배치될 뿐 접지하도록 하고 있지만, 전기적인 접속이 불충분한 경우는, 전기적인 접촉을 확실하게 할 기계적 수단(예컨대 도통침 등)을 배치하더라도 좋다. CFP(41)의 상부 커버 부재(51)의 도전성층(51b)과 레티클(37)의 도전성층(37b)의 접촉도 동일하다.
또한, 상술한 실시예에서는, 레티클(37)의 상면에만 레티클측 도전성층(37b)을 형성했지만, 측면 또는 하면(회로 패턴이 형성되어 있는 면)에 도전성층을 형성하더라도 좋다. 이 경우, 도전성층은, 노광, 검사, 각종 정렬에 문제점이 발생하지 않도록 형성해야 한다. 또한, CFP 스테이지(49)의 상면의 전면에 스테이지측 도전성층(69)을 형성했지만, 스테이지측 도전성층(69)은 일부만 형성하여도 좋고, 적어도 레티클(37) 또는 CFP(41)을 접지하도록 한 구성이라도 좋다.
또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 레티클(37)의 패턴면(37b)에만 커버 부재(65)를 마련하는 경우에는 레티클(37)의 상면이 노출되기 때문에, 레티클(37)의 접지는 그 상면으로부터 직접 접촉할 수도 있고, 상술한 예와 같이 커버 부재(65)를 거쳐서 접지하는 것도 가능하다.
(노광 장치의 실시예)
도 9는, 도 1의 노광 챔버(13)내의 EUV 광리소그래피 시스템을 모식화하여 나타내고 있다. 또, 이 실시예에 있어서 제 1 실시예와 동일한 부재에는, 동일한 부호를 부여하고 있다. 이 실시예에서는, 노광의 조명광으로서 EUV 광이 이용된다. EUV 광은 0.1∼400 nm 사이의 파장을 가지는 것으로, 이 실시예로서는 특히 1∼50 nm 정도의 파장이 바람직하다. 투영상은 상광학계 시스템(101)을 이용한 것으로, 웨이퍼(103) 상에 레티클(37)에 의한 패턴의 축소상을 형성하는 것이다.
웨이퍼(103) 상에 조사되는 패턴은, 레티클 스테이지(11)의 하측에 정전척(63)을 거쳐서 배치되어 있는 반사형의 레티클(37)에 의해 결정할 수 있다. 이 반사형의 레티클(37)은, 상술한 실시예의 진공 로봇(15)에 의해서 반입 및 반출된다(진공 로봇(15)의 도시는 생략한다). 또한, 웨이퍼(103)는 웨이퍼 스테이지(105)의 위에 실리고 있다. 전형적으로는, 노광은 단계·스캔에 의해 이루어진다.
노광시의 조명광으로서 사용하는 EUV 광은 대기에 대한 투과성이 낮기 때문에, EUV 광이 통과하는 광경로는, 적당한 진공 펌프(107)를 이용하여 진공으로 유지된 진공 챔버(106)에 둘러싸여 있다. 또한 EUV 광은 레이저 플라즈마 X선원에 의해 생성된다. 레이저 플라즈마 X선원은 레이저원(108)(여기 광원으로서 작용)과 크세논 가스 공급 장치(109)로 이루어져 있다. 레이저 플라즈마 X선원은 진공 챔버(110)에 의해서 둘러싸여 있다. 레이저 플라즈마 X선원에 의해서 생성된 EUV 광은 진공 챔버(110)의 창(111)을 통과한다.
레이저원(108)은 자외선 이하의 파장을 가지는 레이저광을 발생시키는 것으로서, 예컨대, YAG 레이저, 엑시머 레이저가 사용된다. 레이저원(108)으로부터의 레이저광은 집광되어, 노즐(112)로부터 방출된 크세논 가스(크세논 가스 공급 장치(109)로부터 공급된다)의 흐름에 조사된다. 크세논 가스의 흐름에 레이저광을 조사하면 레이저광이 크세논 가스를 충분히 따뜻하게 하여, 플라즈마를 생기게 한다. 레이저로 여기된 크세논 가스의 분자가 낮은 에너지 상태로 떨어질 때, EUV 광의 광자가 방출된다.
방물면 미러(113)는, 크세논 가스 방출부의 근방에 배치되어 있다. 방물면 미러(113)는 플라즈마에 의해서 생성된 EUV 광을 집광한다. 방물면 미러(113)는 집광 광학계를 구성하여, 노즐(112)로부터의 크세논 가스가 방출되는 위치의 근방에 초점 위치가 오도록 배치되어 있다. EUV 광은 방물면 미러(113)의 다층막에서 반사하여, 진공 챔버(110)의 창(111)을 통하여 집광 미러(114)에 도달한다. 집광 미러(114)는 반사형의 레티클(37)로 EUV 광을 집광, 반사시킨다. ELV 광은 집광 미러(114)에서 반사되어, 레티클(37)의 소정의 부분을 조명한다. 즉, 방물면 미러(113)와 집광 미러(114)는 이 장치의 조명 시스템을 구성한다.
레티클(37)은, EUV를 반사하는 다층막과 패턴을 형성하기 위한 흡수체 패턴층을 가지고 있다. 레티클(37)에서 EUV 광이 반사되는 것에 의해 EUV 광은 「패턴화」된다. 패턴화된 ELV 광은 투영 시스템(101)을 통하여 웨이퍼(103)에 도달한다.
이 실시예의 상광학 시스템(101)은, 오목면 제 1 미러(115a), 볼록면 제 2 미러(115b), 볼록면 제 3 미러(115c), 오목면 제 4 미러(115d)의 4개의 반사 미러로 이루어져 있다. 각 미러(115a ∼ 115d)에는 EUV 광을 반사하는 다층막이 구비되고 있다.
레티클(37)에 의해 반사된 EUV 광은 제 1 미러(115a)로부터 제 4 미러(115d)까지 순차적으로 반사되어, 레티클 패턴의 축소(예컨대, 1/4, 1/5, 1/6)된 상을 형성한다. 상광학계 시스템(101)은, 상의 측(웨이퍼(103)의 측)에서 텔레센트릭으로 되게 되어 있다.
레티클(37)은 가동의 레티클 스테이지(11)에 의해서 적어도 X-Y 평면 내에서 지지되어 있다. 웨이퍼(103)는, 바람직하게는 X, Y, Z 방향으로 가동한 웨이퍼 스테이지(105)에 의해서 지지되어 있다. 웨이퍼(103) 상의 다이를 노광할 때에는, EUV 광이 조명 시스템에 의해 레티클(37)의 소정의 영역에 조사되어, 레티클(37)과 웨이퍼(103)는 상광학계 시스템(101)에 대하여 상광학 시스템(101)의 축소율에 따른 소정의 속도로 움직인다. 이렇게 하여, 레티클 패턴은 웨이퍼(103) 상의 소정의 노광 범위(다이에 대하여)로 노광된다.
노광시에는, 웨이퍼(103) 상의 레지스트로부터 발생하는 가스가 상광학 시스템(101)의 미러(115a ∼ 115d)에 영향을 주지 않도록, 웨이퍼(103)는 파티션(116)의 뒤에 배치되는 것이 바람직하다. 파티션(116)은 개구(116a)를 가지고 있고, 그것을 통하여 EUV 광이 미러(115d)로부터 웨이퍼(103)로 조사된다. 파티션(116) 내의 공간은 진공 펌프(117)에 의해 진공 배기되어 있다. 이와 같이, 레지스트에 조사함으로써 발생하는 가스 형상의 먼지가 미러(115a ∼ 115d) 또는 레티클(37)에 부착되는 것을 막는다. 그러므로, 이들의 광학 성능의 악화를 막고 있다.
이 실시예의 노광 장치에서는, 상술한 기판 반송 장치에 의해 레티클(37)의 반송을 행하도록 했기 때문에, 오염이 적은 레티클(37)을 사용하여 수율이 높은 제품을 얻을 수 있다.
(실시예의 보충 사항)
(1) 상술한 실시예에서는, 레티클(37)이 노광에 사용되고 있을 때에 CFP(41)의 내면을 덮는 예에 대하여 설명했지만, 예컨대, 레티클(37)이 검사, 세정 등에 사용되고 있을 때에 CFP(41)의 내면을 덮도록 하더라도 좋다.
(2) 상술한 제 1 실시예에서는, 레티클(37)의 보호 커버를 상부 커버 부재(51)와 하부 커버 부재(53)의 2개의 부재에 의해 구성한 예에 대하여 설명했지만, 예컨대, 3개 이상의 부재에 의해 구성되어 있더라도 좋다.
(3) 상술한 실시예에서는, EUV 광을 이용한 노광 장치의 예를 설명했지만, 기타, 하전 입자선, i선, g선, KrF, ArF, F2 등을 이용한 노광 장치에도 널리 적용할 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 상세히 설명했지만, 상기의 실시예 및 그 변형예는 발명의 일례에 지나지 않고, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다. 본 발명을 일탈하지 않는 범위에서 변형가능한 것은 분명하다.
(산업상 이용 가능성)
본 발명의 기판 반송 장치에서는, 기판이 사용되고 있을 때에, 커버 보호 수단에 의해 보호 커버의 내면이 덮어진다. 따라서, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 장치에서는, 대기 위치에 있어서, 보호 커버가 접지된다. 따라서, 보호 커버에 정전기가 대전되는 것이 방지되어, 보호 커버에의 이물질의 부착을 저감할 수 있다.
본 발명의 기판 반송 방법에서는, 기판이 사용되고 있을 때에, 보호 커버를, 보호 커버의 내면을 덮은 상태로 대기시킨다. 따라서, 보호 커버의 내면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 노광 장치에서는, 본 발명의 기판 반송 장치를 이용하였기 때문에, 오염이 적은 기판을 사용하여 수율이 높은 제품을 얻을 수 있다.
Claims (17)
- 패턴이 형성된 기판을 수납하고, 또한 서로 분리 가능한 복수의 커버 부재로 구성되는 보호 커버를 이용하여 상기 기판을 반송하는 기판 반송 장치로서,
상기 보호 커버를 구성하는 상기 복수의 커버 부재를, 일부의 커버 부재와 다른 커버 부재로 분리하는 분리 장치와,
상기 기판을 상기 일부의 커버 부재와 함께 반송하고, 상기 기판이 유지 부재에 의해 유지된 후, 상기 일부의 커버 부재를 상기 기판과는 분리된 상태에서 대기 위치로 반송하는 반송부를 구비하며,
상기 분리 장치는, 상기 대기 위치로 반송된 상기 일부의 커버 부재와 상기 다른 커버 부재에 의해, 상기 보호 커버의 내면을 보호하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반송부는, 상기 기판이 상기 유지 부재로 유지되어 소정의 처리에 이용되고 있을 때에, 상기 일부의 커버 부재를, 상기 다른 커버 부재에 부착하는 것에 의해, 상기 보호 커버의 내면을 보호하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판은, 상기 반송부에 의해, 상기 일부의 커버 부재상에 탑재된 상태로 반송되는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 유지 부재는, 상기 일부의 커버 부재상에 탑재되어 있는 상기 기판의 상면을 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 기판은 레티클이며, 상기 유지 부재는, 상기 기판의 상면을 유지하는 정전 척(chuck)을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 보호 커버는, 상기 일부의 커버 부재와 상기 다른 커버 부재를 보호하는, 접지와 연결된 도전성층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 패턴이 형성된 기판의 반송을 행하는 기판 반송 장치로서, 상기 기판을 사용하지 않을 때에 상기 기판을 보호 커버에 의해 보호한 상태로 반송하는 기판 반송 장치에 있어서,
상기 보호 커버로부터 상기 기판이 이탈된 후, 대기 위치에 있어서 상기 보호 커버에 부착되고, 또한, 상기 기판의 형상으로 모방한 모의 부재를 구비하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 대기 위치는 상기 기판의 정렬을 행하는 위치인 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 대기 위치는 상기 보호 커버로부터 상기 기판을 이탈하는 위치인 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 대기 위치는 상기 기판을 노광 분위기 중에서 보존하는 라이브러리부인 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 대기 위치에서 상기 보호 커버를 접지하는 설치부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 장치.
- 청구항 1, 2, 6, 7 중 어느 한 항에 기재된 기판 반송 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 패턴이 형성된 기판을 수납하고, 또한 서로 분리 가능한 복수의 커버 부재로 구성되는 보호 커버를 이용하여 상기 기판을 반송하는 기판 반송 방법으로서,
상기 보호 커버를 구성하는 상기 복수의 커버 부재를, 일부의 커버 부재와 다른 커버 부재로 분리하고,
상기 기판을 상기 일부의 커버 부재와 함께 반송하고, 상기 상기 기판을 유지하는 유지 부재에 의해 유지된 후, 상기 일부의 커버 부재를 상기 기판과는 분리된 상태에서 대기 위치로 반송하고,
상기 대기 위치로 반송된 상기 일부의 커버 부재와 상기 다른 커버 부재에 의해, 상기 보호 커버의 내면을 보호하는
것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
- 제 13 항에 있어서,
상기 기판이 상기 유지 부재로 유지되어 소정의 처리에 이용되고 있을 때에, 상기 일부의 커버 부재를, 상기 다른 커버 부재에 부착하는 것에 의해, 상기 보호 커버의 내면을 보호하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 기판은, 상기 일부의 커버 부재상에 탑재된 상태로 반송되는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
- 제 13 항에 있어서,
상기 기판은 레티클이며, 상기 유지 부재는, 상기 기판의 상면을 유지하는 정전 척을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
- 레티클을 조명하여, 상기 레티클로부터의 광으로 웨이퍼를 노광하는 노광 방법에 있어서,
상기 레티클을 반송하는 것에, 청구항 13, 14, 16 중 어느 한 항에 기재된 기판 반송 방법을 이용하는
것을 특징으로 하는 노광 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2004-310919 | 2004-10-26 | ||
JP2004310919A JP2006128188A (ja) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
PCT/JP2005/019423 WO2006046488A1 (ja) | 2004-10-26 | 2005-10-21 | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077004924A Division KR20070069141A (ko) | 2004-10-26 | 2005-10-21 | 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 노광 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130123456A KR20130123456A (ko) | 2013-11-12 |
KR101496076B1 true KR101496076B1 (ko) | 2015-02-25 |
Family
ID=36205863
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137024985A KR101496076B1 (ko) | 2004-10-26 | 2005-10-21 | 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 노광 장치 |
KR1020077004924A KR20070069141A (ko) | 2004-10-26 | 2005-10-21 | 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 노광 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077004924A KR20070069141A (ko) | 2004-10-26 | 2005-10-21 | 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 노광 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7483123B2 (ko) |
EP (2) | EP3439018A1 (ko) |
JP (1) | JP2006128188A (ko) |
KR (2) | KR101496076B1 (ko) |
CN (1) | CN101006573A (ko) |
TW (1) | TWI383938B (ko) |
WO (1) | WO2006046488A1 (ko) |
Families Citing this family (338)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7250114B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
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KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
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US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
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US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
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US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
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A107 | Divisional application of patent | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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