KR100597035B1 - 마스크핸들링방법, 마스크, 그를 위한 그리퍼를 포함하는기구 또는 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 - Google Patents

마스크핸들링방법, 마스크, 그를 위한 그리퍼를 포함하는기구 또는 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 Download PDF

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KR100597035B1 KR1020020010658A KR20020010658A KR100597035B1 KR 100597035 B1 KR100597035 B1 KR 100597035B1 KR 1020020010658 A KR1020020010658 A KR 1020020010658A KR 20020010658 A KR20020010658 A KR 20020010658A KR 100597035 B1 KR100597035 B1 KR 100597035B1
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 투영장치용 마스크는 마스크의 외주상에 배치된 3개의 브래킷을 포함한다. 상기 브래킷에는 공통의 가상점을 향하고 있는 홈이 마련되어, 마스크핸들링장치 또는 기구내에 있는 마스크그리퍼상에 제공된 3개의 핀과 상호작동하도록 되어 있다. 바람직하게는, 상기 핀에는 그리퍼상에 마스크의 운동학적으로 결정된 기계적 위치를 제공하기 위하여 브래킷의 관련된 홈에 삽입되는 둥근 상단이 제공된다.

Description

마스크핸들링방법, 마스크, 그를 위한 그리퍼를 포함하는 기구 또는 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스{MASK HANDLING METHOD, AND MASK AND DEVICE OR APPARATUS COMPRISING A GRIPPER THEREFOR, DEVICE MANUFACTURING METHOD AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 도시한 도면,
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 마스크를 도시한 도면,
도 2b, 2b 및 2d는 도 2a의 마스크의 변형의 상세도,
도 3은 본 발명에 따른 도 2a의 마스크그리퍼의 부분 및 상세도,
도 4는 도 3의 마스크그리퍼기구의 핀의 변형례를 도시한 도면,
도 5a, 5b 및 5c는 본 발명의 실시예에 따른 2개의 그리퍼에 의하여 마스크가 인계되는 순서를 도시한 개략도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 그리퍼를 구비한 마스크테이블의 부분도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 마스크테이블내에 합체된 자동안전장치(fail-safe)구조 및 마스크상에 제공된 브래킷을 도시한 도면,
도 8 및 9는 본 발명의 실시예에 따른 다른 형태의 그리퍼를 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 실시예에 따른, 마스크를 탑재하는 마스크프레임의 상세도, 및
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 마스크 저장박스의 상세도.
본 발명은 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 패터닝하기에 적절한 반사마스크를 핸들링하는 방법, 상기 방법에서 핸들링하기에 적절한 반사마스크, 및 예를 들어,
극자외선 전자기방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템,
패터닝된 투영빔을 내도록 마스크에서의 투영빔의 반사에 의하여 소정패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 반사마스크를 유지하는 마스크테이블,
기판을 유지하는 기판테이블, 및
기판의 타겟부상에 패터닝된 투영빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치용, 상기 방법을 수행하기 위한 그리퍼(gripper)에 관한 것이다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 이미징될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 상세한 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며 본 명세서에서도 참조자료로 채택된다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크)의 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 이미징된다. 이 이미징단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 이미징된 피처의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 개별층을 마무르기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀에 연결될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하는 이들 설계형태 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성 구성요소을 포함할 수 있고, 이하 이러한 구성 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 또한, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 장치에서는 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 트윈 스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary) 형, 교번 위상반전(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상반전형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과 마스크의 경우) 또는 반사(반사 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크테이블은 입사되는 방사선빔내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있게 한다.
종래에는, 방사선이 조명시스템에서부터 마스크를 거쳐, 투영시스템과 기판위를 지나도록 마스크테이블이 위치되어 있었다. 이러한 마스크는 조명시스템으로의 지나는 방사선을 선택적으로 통과하게 하고 이로 따라 기판상에 패턴을 형성하므로 투과마스크로 알려져 있다. 이러한 마스크는 그것을 통하여 빛이 투과할 수 있도록 지지되어야 한다. 종래에는, 대기압이 마스크를 테이블에 클램핑하도록 마스크의 퍼리미터 존(perimeter zone)에서 상기 테이블내의 진공을 사용함으로써 이것이 성취되었다.
리소그래피 투영장치에서, 웨이퍼상에 이미징될 수 있는 최소 배선폭은 투영방사선의 파장에 의하여 한정된다. 더 높은 밀도로 집적회로를 생산하려면, 즉 작동속도를 더 빠르게 하려면, 더욱 작은 피처를 이미징할 수 있어야 한다. 최근 리소그래피 투영장치는 수은램프나 엑시머레이저에 의하여 생성된 (365㎚, 248㎚ 및 193㎚)자외선광선을 채용하는 한편, 대략 13㎚의 더 짧은 파장의 방사선을 사용하는 것도 제안되어 왔다. 이러한 방사선은 극자외선(EUV)이라 하고 가능한 방사원에는 레이저-생성 플라즈마원(laser-produced plasma source), 방전원 또는 싱크로트론 방사원이 포함되며, 예를 들어 이러한 것들은 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 유럽특허출원 EP 1 109 427 A 및 EP 1 170 982 A에 개시되어 있다.
현재까지는EUV 방사선에 충분히 투명한(transparent) 재료에 대하여 알려져 있지 않기 때문에, EUV 방사선을 채용한 리소그래피 투영장치는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 유럽특허출원 EP 1 065 532 A에 개시된 것과 같은, 예를 들어 몰리브덴과 실리콘 또는 다른 재료의 교번층(alternating layer)이 약 50 주기 정도로 있는, 서로 다른 재료의 교번층이 다층 코팅된 반사마스크를 채용하려 하고 있다. EUV 리소그래피에서 이미징될 최소배선폭은 이미징공정을 마스크상에 존재하는 임의의 오염물에 대하여 매우 민감하게 만든다. 50㎚급의 치수를 갖는 임의의 오염입자는 기판에 제조되는 디바이스에 결함(defect)이 생기게 한다. 종래에는, 레티클의 패터닝된 쪽이 소위 펠리클로 도포된다. 그러면, 마스크패턴으로부터 얼마간 떨어진 거리에 있는 펠리클표면상에 임의의 오염물이 축적될 것이고 따라서 기판상에는 (뚜렷이) 이미징되지 않을 것이므로, 그러한 마스크는 펠리클이 오염물에 덜 민감하게 한다. 펠리클은 EUV 방사선에 대하여 충분히 투명하게 되지는 않아서 EUV 방사선용으로는 채용될 수 없다. 마스크의 패턴을 가지고 있는 반사면상의 입자오염물은 결함이 있는 디바이스가 제조되게 하므로 이를 방지해야 한다.
또한, 반사마스크는 EUV 마스크를 위치설정하는 데 필요한 엄격한 요건을 충족시킬 수 있도록 마스크지지면상에 정전기력에 의하여 마스크테이블위에 그 이면이 잡혀있도록 되어 있다. 마스크의 이면과 마스크테이블의 마스크지지면 사이에 어떠한 오염입자가 존재하면, 반사마스크면의 불규칙성을 유발한다. 반사마스크가 사용되기 때문에 투영시스템은 대물측상에 텔레센트릭(telecentric)아닐 것이므로 (이 문제에 관한 자세한 정보는 본 명세서에서 참조하고 있는 유럽특허출원 EA 1 139 176 A로부터 도출될 수 있다), 반사마스크면의 표면형태에서의 어떠한 불규칙성은 기판상에 이미징된 패턴의 국부적 변위(local shift)로 옮겨간다. 그 결과로, 이미징된 층이 기판상에 공정처리된 이전층과 정렬되지 않아, 마찬가지로 결함이 있는 디바이스가 제작되게 된다. 그러므로, 마스크의 이면상의 입자오염은 반드시 방지되어야 한다.
다중층증착장비, 마스크패턴기재장비, 마스크검사장비, 리소그래피투영장치와 같은 다양한 형태의 장비뿐만아니라, 이들 다양한 형태의 장비들간에 마스크를 이송할 수 있는 마스크 저장박스에 마스크를 넣고 빼기 위하여 마스크의 핸들링이 요구된다. 또한, 예를 들어, 공정처리를 위하여 마스크를 마스크테이블에 가져가고, 마스크 라이브러리내에 마스크를 저장하며, 다시 마스크를 꺼내기 위하여 다양한 형태의 장치의 내부에서는 마스크의 핸들링이 요구된다. 종래의 핸들링 과정에서는 마스크가 기계식 또는 진공작동식 클램프에 의하여 잡혀 있다. 이러한 종래방법은 어떤 핸들링 기구의 또 다른 그리퍼(gripper)로 마스크가 인계될 때 입자생성원의 주원인이 되는 것으로 사료된다. 그리핑은 그리핑영역으로부터 다양한 크기의 입자가 떨어져 나오게 한다고 알려졌다. 접촉하는 표면의 마이크로슬립이 이러한 입자생성의 주요원인으로 보인다. 그러므로, EUV 마스크에 대하여 더욱 정교한 핸들링 방법이 요구된다. 마스크(레티클)를 핸들링하고 인계하는 동안 입자생 성을 거의 최소화되거나 방지될 수 있도록 마스크와 그리퍼 사이에 어떤 기계적 접촉이 구상되어야 한다.
상기 다양한 형식의 장치내에서는 흔히 마스크의 적절한 얼라인먼트가 요구된다. 종래에는, 마스크를 클램핑하고, 얼라인먼트를 판단하며, 클램프를 풀고, 또 다른 그리퍼를 사용하여 마스크의 위치를 조정하고 다시 처음의 클램프로 마스크를 클램핑하며, 다시 얼라인먼트를 판단하여, 만족할 만한 얼라인먼트가 수행될 때까지 이 순서가 계속해서 반복된다. 마스크가 클램핑되고 클램핑이 풀릴 때마다 입자가 생성될 것이며, 마스크를 핸들링하는 방법을 개선하여 이 문제를 해소할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 핸들링시 입자생성을 크게 줄이기 위하여 반사 EUV 마스크를 핸들링하는 개선된 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 방법을 핸들링하기에 적절한 반사 EUV 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 방법을 수행하기 적절한 기구 또는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라서, 리소그래피 투영장치에서 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 패터닝하기에 적절한 반사마스크를 핸들링하는 방법에 의해서 상기 목적과 그 밖의 목적이 달성되며, 상기 방법은 핸들링시 상기 마스크를 운동학적으로 결정되는 홀딩하는 단계를 포함하고 상기 운동학적으로 결정된(kinematically-determined) 홀딩하는 단계는 그리퍼상에 제공되는 한 세트의 돌출부와 상기 마스크의 외주 영역에 제공된 한 세트의 후퇴부의 상호작동하는 단계를 포함한다. 이러한 방식으로 상기 마스크를 핸들링하면 정교한 그리핑으로 입자생성을 방지하는 동시에 그리퍼에 대하여 기존과 같은 마스크의 얼라인먼트를 제공하여 적절한 얼라인먼트를 달성하기 위해서 여러번 주고 받기를 할 필요가 없다. 또한, 그것은 매우 간단하며 또한 복잡하지 않은 마스크를 핸들링의 방법을 제공하면서 적절한 얼라인먼트를 판단하는 데 센서를 필요로 하지 않으므로, EUV 마스크를 처리하는 대부분의 형태의 장치에 필요한 진공환경에서 유리하다. 그 단면이 주로 V-형상으로 되어 둥근 상단을 가진 돌출부와 상호작동하는 후퇴부는 매우 우수한 결과를 가져오는 것으로 알려져 있다.
바람직하게는, 상기 방법은 마스크와 그리퍼간에 기계적 접촉점의 수가 최소가 되고 가능한 입자생성원의 수가 최소가 되도록 마스크의 한 쪽면에서 상기 돌출부의 세트에 대하여 중력 또는 전자기력과 같은 비접촉력으로 마스크를 홀딩하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 형태에서는, 핸들링시에 상기 마스크를 운동학적결정으로 홀딩하도록 그리퍼내의 한 세트 돌출부와 돌출부 세트와 상호작동하는, 외주영역에 한 세트의 후퇴부가 제공되어 상기 방법으로 핸들링하기에 적절한 반사 EUV 마스크를 제공한다.
바람직한 실시예에서, 후퇴부의 세트는 마스크를 효율적으로 잡아주고 마스크 배치상태의 재현성을 좋게 하도록 하기 위하여 하나의 공통점을 향하여 방향을 잡은 홈(groove)을 포함한다. 마스크를 운동학적 결정으로 홀딩해줄 수 있도록 한 세트의 돌출부의 세트를 구비한 2개의 그리퍼에서 하나의 그리퍼로부터 또 다른 그리퍼로 마스크를 인계하기 위하여, 마스크의 동일면 및 대향면 모두에 복수 세트의 후퇴부가 제공될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 상기 후퇴부는 마스크 주위에 제공된 브래킷에 제공되며, 상기 브래킷의 재료는 내마모성 표면을 가진 재료와 같이, 핸들링에 유리한 특성을 위하여 특별히 선택되게 된다. 마스크내에 후퇴부를 기계가공하는 것은 EUV 마스크용으로 특별히 지정된, 편평도 사항과 같은 매우 엄격한 요건를 달성할 수 없게 만들지도 모른다. 또한, 마스크테이블에 대하여 가해지는 정전기력에 의해서 아래를 향하여 잡혀있는 때에 정전과 같은, 어떤 긴급상황에 마스크테이블상에 마스크를 잡아주도록 이러한 브래킷내에 어떠한 안전구조가 통합될 수 있다.
또 다른 실시형태에서, 본 발명은 리소그래피 투영장치에서 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 패터닝하기에 적절한 반사마스크를 핸들링하는 기구 또는 장치를 제공하며, 상기 기구 또는 장치는 핸들링시 상기 마스크를 운동학적 결정으로 홀딩해주기 위해서 상기 마스크의 외주영역에 제공된 각 세트의 후퇴부와 상호작동하도록 되어 있는 한 세트의 돌출부를를 포함하는 그리퍼를 구비한다.
또 다른 실시형태에서 본 발명은,
적어도 부분적으로는 한 층의 반사선감응재로 도포된 기판을 제공하는 단계,
방사선시스템을 사용하여 극자외선방사선의 투영빔을 제공하는 단계,
반사마스크를 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계,
방사선감응재 층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계, 및
상기 마스크를 운동학적으로 결정된 홀딩하는 단계로 이루어진, 상기 반사마스크를 핸들링하는 단계를 포함하고 상기 운동학적으로 결정된 홀딩하는 단계는 마스크의 그리퍼상에 제공된 돌출부와 외주영역에 제공된 한 세트의 후퇴부와 상호작동하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법을 제공한다.
이하, 상세한 설명과 청구항에서 본 발명의 또 다른 실시예 및 그 장점이 서술된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해한다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 자외선(UV)(예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 및 극자외선(EUV)(예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위, 특히 대략 13㎚ 인)을 포함한 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
이하, 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실 시예를 서술하며, 도면 중 유사한 참조부호는 유사한 부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 리소그래피 투영장치(1)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
EUV 방사선의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(LA, IL)
마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주고 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결되는 제1대물테이블 (마스크테이블) (MT),
기판(W)(예를 들어, 레지스트가 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주고 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결되는 제2대물테이블(기판테이블)(WT),
기판(W)의 타겟부(C)(다이)상에 마스크(MA)의 조사된 부분을 이미징시키는 투영 시스템("렌즈")(PL). 도시한 바와 같이, 상기 투영시스템은 반사형이며 이러한 예는, 본 명세서에서 참조되고 있는 유럽특허출원 EP 01309353.9에 개시되어 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 레이저-생성 플라즈마원, 방전원 또는 스토리지 링내의 전자 빔의 경로 또는 싱크로트론 주위에 제공되는 위글러 또는 언듈레이터)은 EUV 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외측 및/또는 내측 반지름 크기(통상 각각 σ-외측 및 σ-내측이라 함)를 설정하는 조정수단을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터 및 콘덴서와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 도달하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만, 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의하여) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 본 발명과 청구 범위는 이들 시나리오 모두를 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)에 의해서 선택적으로 반사된 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 행해질 것이다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의 하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 동기화되어 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하며, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2a는 도 1의 리소그래피 장치에서 사용되는 마스크(MA)를 도시한다. 상기 마스크에는 마스크를 잡아주고 핸들링하는 동안 마스크를 쥐고 있도록 마스크의 외주에 부착된 3개의 브래킷(10)의 형태로 된 마스크그리핑장치가 제공된다. 상기 브래킷은 임의의 적절한 수단에 의하여 마스크에 부착될 수 있으며, 본 실시예에서는 에폭시계 접착제와 같은 진공용으로 사용할 수 있는 접착체를 사용하여 부착되어 있다. 하지만, 브래킷(10) 즉 속칭 그리핑장치가 마스크의 일체로 구성될 수도 있다.
마스크상의 브래킷의 위치는 마스크제조자 및 사용자가 마스크를 핸들링하기 편리하도록 선정되었다. 그들은 그들 나름대로, 마스크 주변의 이용할 수 있는 공간에 브래킷을 배치할 것을 요구한다. 또한, 도 2a 및 도 3에는 U 자형으로 된 브래킷을 도시한다.
도 3에서 더 잘 알 수 있듯이, 브래킷에는 각각 상단쪽 면 및 바닥쪽 면에 홈(11a, 11b)이 있는 데, 상기 상단쪽 면 및 바닥쪽 면은 각각 마스크의 패턴이 담긴 면 및 마스크의 이면과 실질적으로 같은 평면을 이루지만, 그들 면보다 위 또는 아래에 있을 수도 있다. 상기 홈들은 마스크의 각 표면상의 중심점과 실질적으로 일치하는 가상점(O)으로 향하여 있다. 대안적인 실시예에서 이러한 가상점은 마스크의 내부 또는 위나 아래에 위치될 수 있으며, 이러한 구성에서는 마스크의 표면과 상기 홈은 각을 만든다.
또한, 도 3은 도 1에 도시된 리소그래피 장치의 마스크핸들링부에서의 마스크(MA)를 그리핑하는 마스크그리퍼(20)의 부분을 도시한다. 기구(20)는, 상기 마스크의 3개의 브래킷에 제공된 3개의 관련된 홈과 상호작동할 수 있도록 그리퍼상에 위치된 3개의 핀(21b)을 포함한다. 각 핀(21b)에는 그 상단에 볼(22b)이 마련된다. 마스크가 중력에 의하여 그리핑기구의 볼핀상에 유지되어 있을 때, 상기 핀은 부분적으로 홈(11b)에 삽입될 것이다. 상기 홈이 공통점(O)을 상기 홈은 향하고 있기 때문에, 이것은 간단하면서도 매우 효과적이고 정확하게 그리핑기구에 대하여 마스크를 운동학적으로 위치설정하게 한다. 상기 구성은 상기 마스크가 그리핑 기구상에 정확히 위치되게 하므로, 마스크용 핸들링시스템이나 마스크를 담는 박스에 존재하는 이러한 기구(20)는 매우 간단하게 제작될 수 있어서 비용이 절감되고 신뢰성이 향상된다. 또한, 마스크를 그리핑하기 위한 홈 및 (볼)핀의 이러한 구성은 기계적 접촉에 의한 입자생성의 원인이 되는 마이크로슬립을 최소화 한다. 이러한 관점에서 상기 핀위에 있는 상기 볼에 둥근표면을 제공하는 것이 유리하다고 판단된다.
상기 그리핑기구로 마스크를 핸들링할 때, 중력으로 인하여 브래킷에 제공된 관련된 홈내에 핀이 부분적으로 삽입됨에 따라 그리핑기구상에 마스크가 고정된 채로 있다. 그 다음, 어떤 가속력을 사용하여 상기 마스크가 핸들링될 수 있다. 상기에 서술한 바와 같이, 마스크의 위나 아래에 위치한 공통의 가상점을 향하고 있는 홈을 제공함으로써 가속 및 감속력하에 그리핑기구상에 있는 마스크의 고정이 강화될 것이다.
안전성을 향상시키기 위하여, 도 4에 개략적으로 도시된 바와 같은 어떤 안정장치가 제공될 수 있다. 위로 돌출한 3개의 핀(23)으로 이루어지는 상기 안전장치는 브래킷과 안전장치간에 공간을 남겨두어 브래킷과 접촉하지 않으면서 그리핑기구상에 위치된 때의 마스크의 브래킷을 부분적으로 에워싼다. 이러한 구성은 비상상태에서 마스크가 그리핑기구를 벗어나 떨어지지 않게 한다.
또한 예를 들어, 마스크를 저장하는 마스크홀딩박스내에서 그리핑기구상의 마스크의 유지를 더욱 향상시키기 위해서, 브래킷의 상단쪽 면에 관련된 홈에 삽입되는 또 다른 핀(21a)을 브래킷의 위에 제공할 수 있다. 이것은 도 3에 가상선으로 도시한다. 상기 핀들(21a, 21b)은 마스크를 잡기 위하여 각각 도 3에 도시된 바와 같이, 승강 및 하강되어야 한다.
또한, 상기홈은 사각형상 마스크와 일체로서 (즉, 브래킷에 제공되는 것이 아닌) 제공될 수 있다. 도 2b 및 2c는 홈(11a, 11b)이 에지영역에 통합되어 있는 사각형 마스크의 에지영역을 상세히 도시한다.
도 2d는 상단면에 있는 두 개의 홈(33b, 34b) 및 하단면내에 있는 두 개의 홈(33a, 34a)을 포함하는 브래킷(10)을 구비한 마스크(MA)의 상세도이다. 도 2a에 서와 마찬가지로 마스크 주위에 3개의 브래킷(10)이 제공되어 있다. 마스크의 한쪽에 2세트, 다른쪽에 2세트, 이렇게 4세트의 홈(후퇴부)이 제공된다. 마스크는 마스크의 1세트의 홈과 상호작동하는 하나의 그리퍼의 한 세트의 핀(돌출부)에 의하여 유지될 수 있다. 다른 세트의 홈은 마스크가 다른 그리퍼로 운반되게 한다. 도 5a, 5b 및 5c는 이러한 인계순서를 도시하는데, 하나의 그리퍼(도시되지 않음)의 돌출부 또는 핀(31) 및 다른 그리퍼(도시되지 않음)의 돌출부(32)와 각각 상호작동하는 홈(33a, 34a)을 구비한 브래킷(10)의 하부를 상세하게 도시한다. 각 그리퍼는 한 세트의 3개의 돌출부(31 또는 32)를 포함한다. 도 5a에서, 홈(33a)내에 제1그리퍼의 돌출부(31)를 삽입함으로써 제1그리퍼에 의하여 유지되고 있음을 보인다. 이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이 제2그리퍼가 올려져 마스크에 부착된 브래킷(10)의 홈(34a)으로 그것의 돌출부(32)를 삽입하게 된다. 마스크의 유지는 자연스럽게 제1그래퍼에서 제2그리퍼로 인계된다. 즉, 정교한 인수인계를 통하여 입자생성이 방지되거나 적어도 최소화 된다. 도 5c는 돌출부(32)가 홈(34a)에 삽입된 제2그리퍼에 의하여만 마스크가 유지되고 있음을 도시한다. 돌출부(31)에 대하여 도 5b에서 이중 화살표로 도시된 바와 같이, 돌출부(31, 32)는 마스크와 평행한 (또한 돌출부(31, 32)에 수직인) 평면내에서 어느만큼의 탄력성을 가지도록 상단에 볼을 구비한 가는 막대로 도시되어 있다. 상기 탄력성은 상기 돌출부가 핀과 홈의 상호작동에 의하여 결정되는 운동학적으로 결정된 위치에 쉽게 적응하게 하며, 더욱 더 부드러운 인계를 보장한다.
도 1에서 리소그래피장치는 개략적으로만 보인다. 실제의 장치에서는, 마스크패턴이 아래를 향하도록 마스크테이블이 장착될 수 있다. 그러면, 마스크(MA)는 중력과 마스크테이블(MT)의 가속 및 감속력에 대항하여 그 이면에서 마스크를 잡아주는 정전기력에 의하여 잡혀 있을 수 있다. 상기에 논의된 같이 마스크그리퍼는 마스크를 마스크테이블로 이송하는 데 사용된다. 마스크테이블의 아래로 가져갈 때에는, 마스크를 마스크테이블로 이송하도록 인계가 이루어져야 한다. 일반적으로, 이러한 인계시에 마스크테이블 및 그리퍼의 상대적 이동이 발생한다. 정전기력으로 그 위에 마스크가 유지되어 있는 마스크테이블의 마스크지지면에 마스크가 직접 인게되면, 마스크지지면과 마스크의 이면 사이에 슬립이 생길 것이다. 이것은 입자생성을 일으킬 것이며, 그 생성된 입자는 마스크와 마스크지지면 사이에 트랩되어, EUV 리소그래피 장치에서 허용할 수 없는 규모의 마스크 변형을 가져오게 된다.
인계시에, 이러한 미끄러짐 운동을 방지하려면, 도 6에 도시된 바와 같이, 마스크테이블에 장착된 각각의 판스프링에 핀(35)을 제공하여 수직인 Z 방향(도 6에 두 개의 화살표로 도시된 바와 같이)으로의 이동은 허용하고, 수평인 XY 평면에서의 이동은 허용하지 않게 한다. 한편 도 5a, 5b 및 5c에 도시된 핀(돌출부)(31, 32)의 경우에서처럼, XY 평면으로는 탄력적이지만 Z 방향으로 고정되도록 그리퍼에 장착된 핀(21b, 31, 32)을 구성한다. 그러므로, 마스크테이블상의 핀(35)의 자유도는 그리퍼의 핀(21b, 31, 32)의 자유도와 상보적이다. 도 6에서는, 개략적으로 상단이 둥근 핀(35)을 도시한다. 각각의 자유도를 갖게 한 다른 구조의 핀(31, 32, 35)로 구상될 수 있다.
인계시에 핀(21b, 31 또는 32)을 구비한 그리퍼에 의하여 마스크를 마스크테이블 쪽으로 가져온다. 이어서, 마스크와 함께 그리퍼가 올려지면(또는 마스크테이블이 내려오면) 마스크테이블의 핀(35)이 마스크상에 제공된 해당 홈(11a)과 접촉하게 된다. 그러면, 상기 마스크는 마스크테이블(MT)에 대하여 수직으로는 이동이 제한되지만, 그와 평행하게는 그렇지 않다. 마스크테이블(MT)의 마스크지지면(MB)에 대한 마스크(MA)의 정전기적 인력에 의하여 인계가 완료된다.
핀의 임의의 면과 해당 홈은 내마모성이 좋은 즉, (매우) 단단하며 깨지지 않고 실질적으로 반응하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 상기 핀과 홈은 그러한 재료로 또는 그러한 재료에서 만들어 질 수도 있고 그러한 재료로 코팅될 수도 있다. 그러한 재료 및 코팅재의 예로서 다이아몬드류 코팅재(DLC 코팅), 질화규소, 질화티타늄 등이 있다.
정전기력을 이용하여 마스크테이블(MT)상에 마스크(MA)가 잡혀 있는 경우, 정전시 마스크가 떨어지지 않도록 어떤 안전장치가 제공될 수 있다. 이를 위하여, 마스크테이블상에 안전브래킷(40)이 장착된다. 도 7에 개략적으로 도시된 바와 같이, 안전브래킷(40)은 마스크(MA)에 장착된 적절한 형상의 브래킷(10)과 상호작동하기위한 형상을 갖는다.
지금까지, 중력에 의하여 그리퍼상에 마스크가 유지되어 있는 그리퍼에 관하여 서술되었다. 예를 들어, 상기 장치의 다른 부분으로 마스크를 인계하거나 마스크저장박스내에 마스크를 내리기 위해서, 핸들링시 위에서부터 내려오는 그리퍼(25)를 구비할 필요가 있을 수 있다. 이러한 그리퍼(25)는 위를 향하고 있는 홈과 상호작동하기 위하여 아래를 향하고 있는 핀을 구비할 것이다. 전자기적 유지수단이 상기 핀에 대하여 마스크(MA)를 잡아주기 위해서 제공될 수 있다. 이를 위하여 그리퍼에는 마스크가 마스크테이블(MT)에 대하여 잡혀 있는 것처럼 그리퍼(25)에 대하여 정전기적으로 마스크(MA)를 잡아주는 수단이 제공될 수 있다. 도 8에 개략적으로 도시된 바와 같이, 자성의 또는 자화될 수 있는 재료(예를 들어, 마르텐사이트계 스테인레스스틸)로 브래킷(10)을 만들고 상보적 그리퍼에 전기코일(55)를 포함하는 또 다른 선택도 있을 수 있다. 상기 코일을 흐르는 전류는 자성의 또는 자화될 수 있는 재료의 브래킷을 끌어당기는 자기장을 유도할 것이다. 또한, 도 8은 마스크의 부드러운 인계를 위하여 마스크(MA)와 평행한 평면에서 탄력성을 가지는 그리퍼(25)의 돌출부(26)를 도시한다.
코일(55)의 자기장은 그리퍼와 마스크의 기계적 접촉으로 인하여 떨어져 나올 수 있는 자성의 또는 자화될 수 있는 재료의 임의의 오염입자를 끌어당기는 작용도 한다. 또한, 그리퍼의 돌출부 주위에 영구자석 또는 전자석이 장착될 수도 있는 데, 이것은 마스크를 잡아주기 위해서는 자기장을 사용하지는 않고 마스크의 오염의 위험을 더욱 줄이기 위하여 오염입자를 끌어당기기 위함이다. 도 9는 상세히 도시하지는 않았지만 기계적인 접촉이 생긴 때에 생성된 입자를 끌어당기는 그리퍼의 영구자석(56) 및 핀을 도시한다. 이러한 자석(영구자석 또는 전자석)의 제공은 여기에 개시된 그리퍼의 형태에만 국한되지 않고 어떠한 형태의 그리퍼에도 제공되어 마스크의 오염을 피할 수 있다.
도 10은 마스크를 핸들링하는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 본 실시에에서, 마스크는 핸들링용 후퇴부(11a, 11b)가 마련된 프레임(60)에 탑재된다. 상기 마스크는 중력에 의하여 또는 어떤 적절한 클램핑수단(도시되지 않음)에 의하여 프레임에 탑재될 수 있다. 어떤 형태의 그리퍼와의 접촉을 위하여 마스크상의 선정된 부분에 자성의 또는 자화될 수 있는 재료의 패드를 제공하여 마스크를 프레임에 탑재하거나 다른 방법으로 마스크를 핸들링할 수 있다. 마스크의 입자오염을 방지하기 위하여, 금속패드에서 떨어져 나온 입자를 상기에 서술된 바와 같은 자기장으로 끌어당길 수 있다.
또한, 도 1의 리소그래피 투영장치의 일부로서 개시된 마스크그리퍼는 다층증착장치, 마스크기재장치, 마스크세정장치, 또는 마스크검사장치, 또는 레티클저장박스의 일부와 같은 다른 장치의 일부일 수도 있다. 도 11은 본 발명에 따라 상단 및 바닥그리퍼를 구비한 레티클저장박스의 일부를 개략적으로 도시한다. 바닥 그리퍼는 마스크(MA)의 브래킷에 있는 바닥부 V 홈과 상호작동하기 위한 둥근 상단을 가진 3개의 핀(82)을 지지하는 바닥판(81)으로 구성된다. 상단 그리퍼는 마스크(MA)의 브래킷내에 있는 상단부 V 홈과 상호작동하기 위한 스프링과 볼을 구비한 3개의 돌출부(84)를 지지하는 박스의 커버(83)로 구성된다. 또한, 가속력을 저지하기 위하여 돌출부(82)에 스프링이 제공될 수 있다. 바닥판(81) 및 커버(83)는, 가스 방출이 적은 재료인 폴리싱된 알루미늄으로 만들어질 수 있다. 상기 박스의 내부는 보호(불활성)가스의 분위기가 유지된다.
이상 본 발명의 특정 실시예에 대하여 서술하였지만 본 발명이 서술된 바와 다르게 실시될 수도 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 핸들링시 입자생성을 방지하거나 최소화하는 반사마스크를 핸들링하는 방법, 마스크, 및 그를 위한 그리퍼를 포함하는 기구 또는 장치가 제공된다.

Claims (20)

  1. 리소그래피 투영장치의 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 패터닝하기에 적합한 반사마스크를 핸들링하는 방법으로서,
    핸들링시 운동학적으로 결정된 상기 마스크를 홀딩하는 단계를 포함하여, 상기 운동학적으로 결정된 홀딩하는 단계는 상기 마스크의 외주영역에 제공된 각 세트의 후퇴부와 그리퍼상에 제공된 한 세트의 돌출부의 상호작동을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방법은 상기 마스크의 한 쪽면에서 상기 돌출부의 세트에 대하여, 중력 또는 전자기력과 같은 비접촉력을 사용함으로써 마스크를 홀딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 방법은 하나의 그리퍼에서 다른 그리퍼로 마스크를 인계하는 단계를 포함하여, 상기 마스크를 인계하는 단계는;
    상기 하나의 그리퍼로 운동학적으로 결정된 상기 마스크를 홀딩하는 단계를 포함하여, 상기 운동학적으로 결정된 홀딩하는 단계는 마스크의 외주영역에 제공된 각 세트의 후퇴부와 상기 하나의 그리퍼상에 제공된 한 세트의 돌출부의 상호작동을 포함하고;
    상기 다른 그리퍼상에 제공된 한 세트의 돌출부를 움직여 마스크의 외주영역에 제공된 각 세트의 후퇴부와 접촉하게 하는 단계; 및
    상기 다른 그리퍼로 운동학적으로 결정된 상기 마스크를 홀딩하는 단계를 포함하여, 상기 운동학적으로 결정된 홀딩하는 단계는 마스크의 외주영역에 제공된 상기 각 세트의 후퇴부와 상기 다른 그리퍼상에 제공된 상기 돌출부의 세트의 상호작동을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 방법,
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 방법은 상기 마스크에 제공된 각 세트의 후퇴부와 상호작동하기 위한 한 세트의 돌출부를 각각 포함하는 2개의 그리퍼로 상기 마스크를 홀딩하는 단계를 포함하며, 하나의 그리퍼의 한 세트의 돌출부의 자유도는 다른 그리퍼의 한 세트의 돌출부의 자유도와 상보적인 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 방법.
  5. 리소그래피 투영장치의 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 투영하기에 적합한 반사마스크에 있어서,
    상기 마스크에는 핸들링시 상기 마스크를 운동학적 결정으로 홀딩하도록, 그리퍼내의 각 세트의 돌출부와의 상호작동을 위하여 그 외주영역에 한 세트의 후퇴부가 제공되는 것을 특징으로 하는 반사마스크.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 후퇴부의 세트는 공통의 점을 향하여 실질적으로 방향이 정해진 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사마스크.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 후퇴부는 상기 마스크의 주변에 제공된 각각의 브래킷에 제공되는 것을 특징으로 하는 반사마스크.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 마스크에는 별도의 그리퍼의 돌출부의 각각의 세트와의 상호작동에 적합하게 되어 있는 2세트이상의 후퇴부가 제공되는 것을 특징으로 하는 반사마스크.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 마스크에는 상기 마스크의 마주보는 측면들에 후퇴부의 세트가 제공되는 것을 특징으로 하는 반사마스크.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 마스크에는 상기 마스크의 한 측면에 후퇴부의 세트가 마련되는 것을 특징으로 하는 반사마스크.
  11. 리소그래피 투영장치의 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 패터닝하기에 적합한 그 내부에 반사마스크를 장착하기 위해서 구성된 프레임에 있어서,
    상기 프레임에는 핸들링시 상기 프레임을 운동학적 결정으로 홀딩하도록 그리퍼내의 각각의 돌출부의 세트와 상호작동을 위한 홈을 포함하는 한 세트의 후퇴부가 마련되는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 장착하기 위해서 구성된 프레임.
  12. 리소그래피 투영장치의 극자외선 전자기방사선의 투영빔을 패터닝하기에 적합한, 그리퍼를 구비한, 반사마스크를 핸들링하는 기구 또는 장치에 있어서,
    상기 그리퍼는 핸들링시 상기 마스크를 운동학적 결정으로 홀딩하도록 상기 마스크의 외주영역에 제공된 각각의 후퇴부의 세트와 상호작동에 적합한 한 세트의 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 기구 또는 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 그리퍼는 상기 마스크의 한 쪽면에서 상기 돌출부의 세트에 대하여 중력 또는 전자기력과 같은 비접촉력을 사용함으로써 상기 마스크를 홀딩하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 기구 또는 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 기구 또는 장치는 상기 마스크내의 각각의 후퇴부의 세트와 상호작동하기 위한 한 세트의 돌출부를 각각 구비하는 2개의 그리퍼를 포함하여, 하나의 그리퍼의 한 세트의 돌출부의 자유도는 다른 그리퍼의 한 세트의 돌출부의 자유도와 상보적인(complementary) 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 기구 또는 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 장치는 정전기력으로 마스크를 유지하는 마스크테이블을 포함하여, 상기 마스크테이블은 상기 마스크테이블의 마스크지지면에 수직인 방향으로의 자유도를 가지는 상기 그리퍼 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사마스크를 핸들링하는 장치.
  16. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 장치는 리소그래피 투영장치이며, 상기 리소그래피 투영장치는
    극자외선 전자기방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템과,
    패터닝된 투영빔을 내도록 마스크에서 투영빔의 반사로 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 반사마스크를 유지하는 마스크테이블과,
    기판을 유지하는 기판테이블, 및
    기판의 타겟부상으로 패터닝된 투영빔을 투영하는 투영시스템을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  17. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 장치는 마스크제조장치, 마스크세정장치, 마스크검사장치 중의 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 기구는 마스크저장박스인 것을 특징으로 하는 디바이스.
  19. 한 층의 반사선감응재로 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계,
    방사선시스템을 사용하여 극자외선방사선의 투영빔을 제공하는 단계,
    반사마스크를 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계,
    방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    운동학적으로 결정된 상기 마스크를 홀딩하는 단계를 포함하는 상기 반사마스크를 핸들링하는 단계를 포함하여, 상기 운동학적으로 결정된 홀딩하는 단계는 마스크의 외주영역에 제공된 각각의 세트 후퇴부와 그리퍼상에 제공된 한 세트의 돌출부의 상호작동을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  20. 제19항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
KR1020020010658A 2001-03-01 2002-02-27 마스크핸들링방법, 마스크, 그를 위한 그리퍼를 포함하는기구 또는 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 KR100597035B1 (ko)

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EP01301864 2001-03-01
EP01301864.3 2001-03-01

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