KR100934739B1 - 지지 구조체 및 리소그래피 장치 - Google Patents

Abstract

리소그래피 장치는:

- 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;

- 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함하고,

상기 지지체는, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속이 상기 패터닝 디바이스와 상기 지지체 간의 접촉 면적에서 생기는 마찰력들에 의해 상쇄되도록, 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 상기 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 1 힘을 가하도록 배치되며, 상기 지지체는, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 1 이상의 제 2 힘을 가하도록 배치된 클램핑 디바이스와 연계된다.

Description

지지 구조체 및 리소그래피 장치{SUPPORT STRUCTURE AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}

본 발명은 리소그래피 장치, 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체, 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로 기판의 일부분 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

어떤 리소그래피 장치에서도, 마스크 또는 레티클이 방사선 빔에 대해 요구되는 위치에 배치되어야 할 필요가 있다.

패터닝 디바이스는 지지체에 의해 지지되며, 상기 지지체는 상기 디바이스를 요구되는 위치에 배치하기 위해 이동될 수 있다. 지지체 상의 패터닝 디바이스의 위치는 상기 지지체에 대해 잘-정의되며(well-defined), 상기 위치는 상기 지지체가 이동되는 때에 상기 지지체에 대해 고정되어야 할 필요가 있다. 패터닝 디바이스의 고정은, 통상적으로 패터닝 디바이스의 적어도 일부분 상에 진공력(vacuum force)을 인가하여 상기 지지체에 대해 흡착되도록 함으로써 달성된다.

이러한 리소그래피 장치의 스루풋을 향상시키기 위하여, 패터닝 디바이스는 빠른 가속들을 거치게 되며, 패터닝 디바이스를 그 요구되는 위치에 고정되도록 하기 위해 더 많은 힘들이 요구된다. 본 명세서에서, 가속들은 양이거나 음일 수 있다. 특히, 소위 스캐너들에서, 패터닝 디바이스는 방사선 빔이 정지해 있는 동안에 신속히 이동하며, 패터닝 디바이스는 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여한다.

방사선 빔에 부과된 패턴의 의도적인 국부화(localization)의 높은 정확성을 유지하면서 높은 스루풋(throughput)을 허용하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이 바람직하다. 이는 기판 상의 타겟 위치 상으로 전사된 패턴의 의도된 위치와 상기 기판의 상기 타겟 부분 상으로 전사된 패턴의 실제 위치 간의 일치성(correspondence)이 매우 높은 양호한 오버레이(overlay)를 유도한다.

또한, 지지체가 높은 가속을 겪게 되거나 겪었을 때에도, 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되고, 방사선 빔을 사용하여 사전설정된 표면 상으로 패턴을 정확히 투영하도록 하는 지지체를 제공하는 것이 바람직하다.

지지체가 높은 가속을 겪게 되거나 겪었을 때에도, 기판 상으로 패턴을 정확히 투영하도록 하는 지지체를 사용하여 패터닝 디바이스를 지지하는 단계를 포함하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.

또한, 패터닝 디바이스가 높은 가속을 겪게 되거나 겪었을 때에도, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체가 제공되고, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속이 상기 패터닝 디바이스와 상기 지지체 간의 접촉 면적에서 생기는 마찰력들에 의해 상쇄(counteract)되도록, 상기 지지체는 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 상기 가속 방향과 수직(normal)인 1 이상의 제 1 힘을 가하도록 배치되며, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체는 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 상기 지지체의 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 2 힘을 가하도록 배치된 클램핑 디바이스와 연계된다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하는 단계; 지지체를 사용하여 상기 패터닝 디바이스를 지지하는 단계; 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속이 상기 패터닝 디바이스와 상기 지지체 간의 접촉 면적에서 생기는 마찰력들에 의해 억제되도록, 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 상기 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 1 힘을 가하는 단계; 및 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 상기 지지체의 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 2 힘을 가하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 지지체를 사용하여 패터닝 디바이스를 지지하는 단계; 상기 지지체를 가속시키는 단계; 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속이 상기 패터닝 디바이스와 상기 지지체 간의 접촉 면적에서 생기는 마찰력들에 의해 억제되도록, 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 상기 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 1 힘을 가하는 단계; 및 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 상기 지지체의 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 2 힘을 가하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함하고, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속이 상기 패터닝 디바이스와 상기 지지체 간의 접촉 면적에서 생기는 마찰력들에 의해 상쇄되도록, 상기 지지체는 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 상기 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 1 힘을 가하도록 배치되며, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체는 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 상기 지지체의 가속 방향과 수직인 1 이상의 제 2 힘을 가하도록 배치된 클램핑 디바이스와 연계된다.

이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명한다:

- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

- 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면;

- 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면;

- 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면;

- 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면;

- 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면;

- 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면; 및

- 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시하는 도면이다.

상기 도면들에서 동일한 부분들은 동일한 참조번호들 갖는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:

- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);

- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);

- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및

- 기판(W)의 타겟부(C)(1 이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.

조명 시스템은 방사선의 지향, 성형 또는 제어를 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 여하한의 타입의 광학 구성요소들, 또는 그 조합과 같은 다양 한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.

지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 상기 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 여타의 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 상기 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블일 수도 있다. 상기 지지 구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로 는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들 또는 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.

리소그래피 장치는 2 (듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 기판 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사 용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물)에 의해 기판의 전체 또는 일부분이 덮일 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 해당 기술 분야에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 담가져야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 그보다는 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 위치된다는 것을 의미한다.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라, 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 상기 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가지기 위해 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.

상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수도 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에 만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부들을 차지하고 있지만, 상기 마크들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마커(scribe-lane alignment marker)로도 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

서술된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그런 후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 이미지 반전 특성 및 확대(축소)에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부 의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수 있다.

도 2 내지 도 8은 모두 개략적인 도면이며, 방사선 빔(B)으로 도시된 라인에 대해 대칭이다.

도 2는 본 발명에 따른 리소그래피 장치의 일부분을 도시한다. 도시된 부분은 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(IL)을 포함한다. 또한, 상기 도시된 부분은 패터닝 디바이스(MA)(본 실시예에서는 마스크)를 지지하도록 구성된 지지체(MT)(본 예시적인 실시예에서는 마스크 테이블)를 도시한다. 패터닝 디바이스(MA)는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여할 수 있다. 적어도 지지체(MT)가 가속되는 때에, 지지체(MT)에 대한 패터닝 디바이스(MA) 상에 작용하는 가속력이 패터닝 디바이스(MA)와 지지체(MT) 간의 접촉 면적(CA)에서 생기는 마찰력들에 의해 상쇄(counteract)되도록, 상기 지지체(MA)는 패터닝 디바이스(MA)의 제 1 측면(S1)의 적어도 일부분으로의 가속 방향과 수직인 제 1 힘들(F1)을 가하도록 배치된다. 이와 관련하여, 지지체(MT)에 대해 마스크(MA)를 클램핑하기 위해 진공 튜브들(VT)이 사용된다. 상기 마찰력들은, 잘 알고 있는 바와 같이 수직력들(F1)에 비례한다. 부연하면, 지지체(MT)에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 가속은 수직력들(F1)의 결과인 반대 방향으로 지향된 마찰력들에 의해 상쇄된다. 도 2 내지 도 4, 및 도 6 내지 도 8에서, 패터닝 디바이스(MA)의 가속 방향은 도면이 그려진 평면에 대해 수직인 것으로 고려된다.

지지체(MT)는, 적어도 지지체(MT)가 가속되는 때에, 패터닝 디바이스(MA)의 제 2 측면(S2)의 적어도 일부분에 지지체(MT)의 가속 방향과 수직인 제 2 힘들(F2)을 가하도록 배치된 클램핑 디바이스(CD)(도 3에 도시됨)와 연계된다. 도 2는, 제 2 힘들(F2)이 작용하는 주 방향이 점선(VL)으로 나타낸 바와 같이 각각의 제 1 힘들(F1)의 주 방향과 실질적으로 일치하도록, 제 2 힘들(F2)이 실질적으로 가해질 수 있다는 것을 개략적으로 도시한다.

도 3은 미는 압력에 의해 추가 클램핑을 제공하는 탄성 구조체(SP)를 포함하는 클램핑 디바이스(CD)의 일례가 도시된 일 실시예를 도시한다. 상기 실시예에서,클램핑 디바이스(CD)는 방사선 빔(B)과의 간섭이 생기지 않도록 배치된다. 이와 관련하여, 클램핑 디바이스는 방사선 빔(B)의 통과를 허용하는 (점선들로 예시된) 중심 개방 부분을 포함한다. 사용 시, 클램핑 디바이스(CD)에 의해 가해진 힘들(F2) 은 지지체(MT)에 의해 지지된 패터닝 디바이스(MA)의 이들 부분들만이 제 2 힘들(F2)을 받도록 가해진다. 결과적으로, 추가 벤딩 모멘트(bending moment)들이 패터닝 디바이스(MA)에 도입되지 않는다면, 중심 부분, 특히 패터닝 디바이스(MA)의 이미지 평면(IP)이 최소한으로 변형되도록 제 2 힘들(F2)이 바람직하게 가해진다. 도 3에 도시된 바와 같이, 패터닝 디바이스(MA)가 클램핑 디바이스(CD)에 대해 가속되는 때에, 클램핑 디바이스(CD)는 클램핑 디바이스(CD)와 패터닝 디바이스(MA) 간에 마찰력들이 작용할 수 있는 접촉 면적을 최소화하면서 제 2 힘(F2)을 제공하도록 구성된다.

도 3에 도시된 실시예에서, 클램핑 디바이스(CD)는 제 2 힘들(F2)을 수동적으로(passively) 가하도록 배치된다. 따라서, 이 예시에서는 가해지는 추가 클램핑 압력 양에 관한 능동 제어가 존재하지 않는다. 도시된 바와 같이, 이는 클램핑 디바이스(CD)와 패터닝 디바이스(MA) 사이의 접촉 면적을 최소화하도록 배치된, 예를 들어 스프링과 같은 탄성 부재(SP)를 이용함으로써 달성될 수 있다. 접촉 면적을 최소화함으로써, 추가 벤딩 모멘트들이 도입되지 않으며, 제 1 클램핑 힘(F1) 및 추가 제 2 클램핑 힘(F2)이 실질적으로 정렬 유지된다. 또한, 여타의 수동 기구를 통해 제 2 힘들(F2)을 가할 수도 있다. 서로 향하는 2 개의 동일 자기 극들의 사용을 고려할 수 있으며; 하나의 자석은 클램핑 디바이스(CD)와 연계되고, 다른 하나의 자석은 패터닝 디바이스(MA)와 연계된다.

또한, 도 3에 도시된 수동 실시예들과 대조적으로, 예를 들어 도 4를 참조하여 설명될 액추에이터를 사용하여 제 2 힘들(F2)을 능동적으로(actively) 가할 수 도 있다. 이러한 액추에이터는, 예를 들어 공압(pneumatic) 또는 전자기 구동 기구를 가질 수 있으며, 둘 다 해당 기술 분야에서 잘 알려져 있다.

도 3에 도시된 실시예에서, 클램핑 디바이스는 제거가능하다(removable). 이는, 패터닝 디바이스(MA)가 교체되어야 할 필요가 있을 때에 패터닝 디바이스(MA)로의 접근을 허용한다. 도시된 바와 같이, 클램핑 디바이스(CD)는 지지체(MT)에 제거가능하게 연결된다. 이 예시에서, 클램핑 디바이스(CD)는 도 3에 도시된 바와 같이 진공 기술들을 이용하여 지지체에 능동적으로 연결될 수 있다. 실제로, 도 3에는 진공 압력을 인가하여 연결을 제공하기 위해 튜브들(VT4)이 존재한다. 클램핑 디바이스(CD) 면 상에 가해진 진공 압력에 의해 연결 조건이 제공되며, 이에 따라 클램핑 디바이스(CD)가 흡착되고 지지체(MT)에 능동적으로 연결된다. 또한, 정전기 클램핑 요소와 같은 여타의 클램핑 요소들을 이용하고 및/또는 전자기력 등으로 이러한 능동 연결을 제공할 수 있다. 또한, 지지체(MT)와 클램핑 디바이스(CD)를 수동적으로 연결할 수도 있다. 지지체(MT)에 클램핑 디바이스(CD)를 연결하는 연결부를 제공하기 위해, 예를 들어 영구 자석들이 채택될 수 있다. 도 3에 도시된 실시예에서, 지지체(MT)를 통해 연장된 튜브들(VT1)을 진공화함으로써 제 1 힘들(F1)이 가해진다. 접촉 면적(CA)(도 4 참조)이 제공되며, 진공 튜브(VT)가 진공화되는 때에, 상기 면적에 대해 패터닝 디바이스(MA)가 흡착된다. 클램핑 디바이스(CD)는 접촉 면적(CA)에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 더 미는 제 2 힘들(F2)을 인가한다. 이 예시에서, 제 1 힘들(F1)은 제 2 힘(F2)의 인가와 독립적으로 가해진다. 접촉 면적(CA)에 작용하는 전체 수직력이 F1에서 F1 + F2로 증가됨에 따라, 마찰력도 증가 하였다.

도시된 상기 실시예에서는 패터닝 디바이스의 제 1 및 제 2 측면(S1, S2)이 서로 실질적으로 평행하지만, 상기 측면들은 평행하지 않을 수도 있다.

도 4는 본 발명에 따른 지지체의 또 다른 실시예를 도시한다. 여기서, 클램핑 디바이스(CD)는, 피봇팅 레버 조립체(pivoting lever assembly: SC)를 포함하고, 상기 조립체는 상기 지지체에 대해 고정된 위치 관계에 있는 피봇을 중심으로 피봇가능하며, 피봇되는 동안에, 상기 패터닝 수단 상에 추가 클램핑 압력을 제공하도록 상기 패터닝 수단과 접촉하는 레버 부분(SC2)을 포함하고, 상기 피봇팅 레버 조립체를 피봇하도록 배치된 액추에이터(AC)를 포함한다. 이 실시예에서, 지지체(MT)에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 클램핑하는 클램핑 힘(F2)은 힘 인가기(force applicator: FA)에 의해 제공된다. 힘 인가기(FA)는 제 1 레버 부분(SC1) 및 제 2 레버 부분(SC2)을 포함하는 레버 조립체에 의해 연결된다. 상기 제 2 레버 부분은 액추에이터(AC)와 연결된다. 레버 조립체(SC)는 실질적으로 L-형상이며, 레버 부분들(SC1, SC2)은 각각 하나의 다리를 형성한다. 레버 부분들(SC1 및 SC2)은 그들의 교차점(CP)에서 서로 연결된다. 상기 교차점(CP)은, 액추에이터(AC)가 작동하는 때에 레버 조립체(SC)가 피봇할 수 있는 피봇 지점(PP)과 일치한다. 액추에이터(AC)는, 예를 들어 전자기 구동 기구, 공압 구동 기구 등을 포함할 수 있다. 적어도 상기 지지체(MT)가 가속되는 때에, 힘 인가기(FA)가 지지체(MT)에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 단단히(firmly) 미는 클램핑 힘(F2)을 패터닝 디바이스(MA) 상에 가하도록, 액추에이터(AC)는 레버 조립체 상에 작용한다. 패터닝 디바이스(MA) 가 교체되어야 할 필요가 있을 때에, 피봇 지점(PP)을 중심으로 레버 조립체(SC)를 피봇함으로써 힘 인가기(FA)가 패터닝 디바이스로부터(MA) 들어올려지도록 액추에이터(AC)가 작동할 수 있다. 화살표들(AA)은 액추에이터(AC)가 작동할 수 있는 방향을 나타낸다. 도 4로부터, 힘(F1)과 실질적으로 동일한 방향으로 추가 힘이 제공되고, 이로 인해 지지체(MT)의 이동 시 높은 가속들 하에서도 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 증가된 전체 클램핑 힘이 유도된다는 것을 알 수 있다. 또한, 이들 추가 클램핑 힘들은 바람직하게 작은 접촉 계면을 통해 제공됨에 따라, 클램핑 디바이스(CD)에 대해 패터닝 디바이스(MA)가 가속되는 때에 클램핑 디바이스(CA)와 패터닝 디바이스(MA) 사이에 마찰력들이 작용하는 접촉 면적들을 최소화할 수 있다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같은 힘 인가기(FA)를 포함하는 클램핑 장치는 대안적인 실시예에서 지지체의 감지된 감속에 응답하여 추가 클램핑 힘을 동적으로(dynamically) 가할 수 있다. 이와 관련하여, 클램핑 힘들은 감지된 가속의 크기에 의존하여 액추에이터에 의해, 예를 들어 지지체(MT) 상에 장착된 가속도계(accelerometer)에 의해 또는 간섭계 측정들로 지지체(MT)의 가속을 유도하는 텔레메트리(telemetry)에 의해 증가될 수 있다.

도 5는 본 발명에 따른 지지체(MT)의 또 다른 실시예를 도시한다. 여기서는, 도 4에서와 마찬가지로, 피봇팅 레버 조립체(SC)가 예시된다. 상기 조립체(SC)는 상기 지지체에 대해 고정된 위치 관계에 있는 피봇(PP)을 중심으로 피봇가능하며, 피봇되는 동안에, 상기 패터닝 수단 상에 추가 클램핑 압력을 제공하도록 상기 패터닝 수단과 접촉하는 레버 부분(SC2)을 포함한다. 상기 조립체(SC)는 가속 시 상 기 조립체를 피봇하도록 피봇팅 조립체에 고정적으로 연결된 관성 질량 요소(inertial mass element: M1, M2)들을 포함한다. 특히, 클램핑 디바이스(CD)는 가속 방향에 의존하여 클램핑 힘을 제공할 수 있는 2 개의 질량들(M1, M2)을 포함한다. 일 방향에 대한 지지체(MT)의 가속은 화살표(Ac_MT)로 표시되며, 도면이 그려진 평면 내에 있다. 질량들(M1, M2)의 관성을 통해, 상기 가속(Ac_MT)과 반대인 역 가속 방향(ACm)으로 나타낸 상쇄력이 발생된다. M1 및 M2 상에 작용된 이들 각각의 상쇄력들은 피봇 지점(PP)을 통해 가속 방향(Acm)에 대해 횡(transverse) 방향으로 재지향된다. 질량(M2)의 경우, 이는 위쪽으로 방위가 잡힌 횡력(transverse force: FA2)을 유도한다. 이 힘(FA2)은 추가 클램핑 힘에 기여하지 않는다. 하지만, 질량(M1)의 경우, 횡력(FA1)은 아래쪽으로 방위가 잡히며, 지지체(MT)에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 클램핑하는 추가 클램핑 힘을 제공한다.

반대의 경우, 지지체(MT)는 역 가속(감속)(DCmt)을 겪게 된다. 다시, 각각의 질량들(M1 및 M2) 상에 상쇄력이 작용하며, M2의 경우, 피봇팅 부분들(PP)을 통해, 지지체(MT)의 방향으로 방위가 잡힌(예시된 경우와 반대) 추가 클램핑 힘(FA2)을 제공한다.

도 6은 본 발명에 따른 지지체(MT)의 또 다른 실시예를 예시한다. 이 실시예에서, 클램핑 디바이스(CD)는 지지체에 맞닿도록(abut) 배치된다. 클램핑 디바이스는, 예를 들어 추가 접촉 면적(ACA)에 대해 클램핑 디바이스(CD)를 클램프 피팅(clamp fitting)함으로써, 클램핑 힘(F3)으로 예시된 바와 같은 지지체(MT)의 수 직 부분들(UP) 사이에서 클램핑될 수 있다. 따라서, 수직 부분들(UP) 및 클램핑 디바이스(CD)의 형상들 및 위치들은 서로 대응하며 서로 피팅되도록 형상화된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 클램핑 디바이스(CD)에는 진공 튜브들(VT2)이 제공될 수 있다. 이 실시예에서는, 지지체(MT)가 가속되는 때에 클램핑 디바이스와 패터닝 디바이스(MA)의 위치를 유지하기 위해 매우 강성의 구조(stiff construction)가 얻어질 수 있다. 이 실시예에서, 패터닝 디바이스(MA)는 지지체의 상향 에지들(UP)에 대해 유지되는 진공 흡착에 의해 클램핑 디바이스(CD)에 고정적으로 부착된다.

도 8은 본 발명에 따른 지지체(MT)의 또 다른 실시예를 도시한다. 이 예시에서는 진공 튜브(VT3)가 지지체(MT)의 수직 부분(UP)을 통해 연장되며, 추가 접촉 면적(ACA)을 얻을 때, 클램핑 디바이스(CD)는 지지체(MT)와 맞닿는다. 진공 튜브(VT3)에 진공이 인가되는 때에, 클램핑 디바이스는 지지체(MT)에 대해 흡착될 것이므로, 힘(F3)을 증가시켜, 지지체(MT)에 클램핑 디바이스(CD)를 안정화한다.

본 발명은 지지체(MT)에 대해 패터닝 디바이스(MA)의 위치를 유지하기 위한 것이지만, 지지체의 양의 가속이 발생할 때뿐만 아니라, 음의 가속, 즉 지지체의 감속이 발생하는 때에도 동일하게 유지할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.

또한, 도시된 모든 실시예들에서 패터닝 디바이스는 실질적으로 수평으로 방위가 잡히지만, 본 발명은 절대로 이러한 패터닝 디바이스의 방위로 제한하려는 것이 아님을 유의하여야 한다. 또한, 상기 빔은 수직 또는 대각으로 방위 잡힐 수 있으며, 그 결과로 또는 어떠한 이유로, 패터닝 디바이스가 수직 또는 대각으로 방위 잡힐 수 있다.

본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.

이상, 광학 리소그래피에 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 응용예들, 예컨대 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에도 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면, 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디 바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 안으로 가압될 수 있으며, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화(cure)된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.

본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 ㎚의 파장을 갖거나 대략 이 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm의 범위인 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔도 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.

본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.

이상, 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.

상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (41)

1. 리소그래피 장치에 있어서,

   - 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;

   - 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함하고,

   상기 지지체는, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체가 가속되는 방향과 수직하는 적어도 하나 이상의 제 1 힘이 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 인가되도록 배치되어, 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속이 상기 패터닝 디바이스와 상기 지지체 간의 접촉 면적에서 생기는 마찰력들에 의해 상쇄(counteract)되며,

   상기 지지체는, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 적어도 하나 이상의 제 2 힘이 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 인가되도록 배치된 클램핑 디바이스와 연계되며,

   상기 클램핑 디바이스는 클램핑 요소들에 의하여 상기 지지체에 탈부착 가능하게 연결될 수 있도록 상기 지지체로부터 제거 가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 패터닝 디바이스의 제 1 및 제 2 측면은 서로 반대로(opposite) 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 클램핑 디바이스는 상기 적어도 하나 이상의 제 1 힘과 일치하는 상기 적어도 하나 이상의 제 2 힘을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 클램핑 디바이스는, 상기 패터닝 디바이스가 상기 클램핑 디바이스에 대해 가속되는 때에, 상기 클램핑 디바이스와 상기 패터닝 디바이스 사이에 마찰력들이 작용할 수 있는 접촉 면적들을 최소화하면서, 상기 적어도 하나 이상의 제 2 힘을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 클램핑 디바이스는 상기 적어도 하나 이상의 제 2 힘을 능동적으로(actively) 가하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 클램핑 디바이스는 상기 적어도 하나 이상의 제 2 힘을 수동적으로(passively) 가하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
7. 삭제
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 클램핑 디바이스는 상기 지지체에 능동적으로 연결될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 클램핑 디바이스는 상기 지지체에 대해 수동적으로 연결될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
10. 삭제
11. 제 1 항에 있어서,

    상기 클램핑 디바이스는, 상기 지지체가 가속되고 있는 때에, 상기 적어도 하나 이상의 제 2 힘을 동적으로(dynamically) - 가속도에 의존하여 인가되는 힘이 조절되는 방식으로 - 가하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 11 항에 있어서,

    상기 클램핑 디바이스는 상기 지지체의 가속에 대해 상이하게 가속되는 적어도 하나 이상의 질량을 포함하고, 각각의 질량은 상기 적어도 하나 이상의 제 2 힘을 가하도록 전달될 수 있는(transmissible) 힘을 발생시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
13. 제 1 항에 있어서,

    상기 클램핑 디바이스는, 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 지지체에 대한 상기 패터닝 디바이스의 가속의 유발을 억제하는데 요구되는 상기 마찰력들을 증대시키는 추가 접촉 면적을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 1 항에 있어서,

    상기 클램핑 디바이스는 상기 지지체와 맞닿는(abut) 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 1 항에 있어서,

    상기 지지체에 대해 상기 패터닝 디바이스를 핸들링하는 핸들러를 더 포함하고, 상기 핸들러는 상기 클램핑 디바이스를 핸들링하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
16. 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체에 있어서,

    상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있으며;

    상기 지지체는, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 패터닝 디바이스의 제 1 측면에 클램핑 힘이 인가되도록 배치되고,

    상기 지지체는, 적어도 상기 지지체가 가속되는 때에, 상기 제 1 측면과 일치하지 않는 평면으로 연장된 상기 패터닝 디바이스의 제 2 측면에 추가 클램핑 힘이 인가되도록 배치된 클램핑 디바이스와 연계되며,

    상기 클램핑 디바이스는 클램핑 요소들에 의하여 상기 지지체에 탈부착 가능하게 연결될 수 있도록 상기 지지체로부터 제거 가능한 것을 특징으로 하는 지지체.
17. 제 16 항에 있어서,

    상기 패터닝 디바이스의 상기 제 1 및 제 2 측면은 서로 반대로 위치되는 것을 특징으로 하는 지지체.
18. 삭제
19. 제 16 항에 있어서,

    상기 클램핑 요소들은 진공 흡착 튜브(vacuum suction tube)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체.
20. 제 19 항에 있어서,

    상기 클램핑 디바이스는 클램프 피팅(clamp fitting)에 의해 상기 지지체에 연결되도록 형상화되는 것을 특징으로 하는 지지체.
21. 제 16 항에 있어서,

    상기 클램핑 디바이스는 미는 압력에 의해 상기 추가 클램핑 힘을 제공하는 탄성 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체.
22. 삭제
23. 삭제
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