KR100918248B1

KR100918248B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Info

Publication number: KR100918248B1
Application number: KR1020070070809A
Authority: KR
Inventors: 안드레 베르나르두스 요닌크; 마르첼 코엔라드 마리에 박겐; 디르크-얀 비예보에트; 토마스 요제푸스 마리아 카스텐밀러
Original assignee: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date: 2006-07-14
Filing date: 2007-07-13
Publication date: 2009-09-21
Also published as: US20080013068A1; US7675607B2; CN101105640B; TW200813652A; TWI369589B; JP2008021997A; JP4791421B2; KR20080007185A; CN101105640A

Abstract

패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함하고, 상기 지지체는 상기 지지체에 대해 상기 패터닝 디바이스를 클램핑하도록 구성된 지지 클램프를 포함하며, 상기 클램핑된 패터닝 디바이스에 벤딩 토크를 인가하도록 구성된 벤딩 기구를 포함하고, 상기 벤딩 기구는 상기 지지 클램프에 의해 상기 패터닝 디바이스 상에 가해진 클램핑 힘을 실질적으로 감소시키지 않으면서, 상기 클램핑된 패터닝 디바이스 상에 작용하도록 구성된 힘 또는 토크 액추에이터를 포함하는 리소그래피 장치가 개시된다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

리소그래피 장치에서, 패터닝 디바이스가 그 저부 및/또는 상부 표면에서 클램프들에 의해 지지되는 때에 패터닝 디바이스의 벤딩(bending)이 일어날 수 있다. 이 벤딩은, 예를 들어 중력 및 가열 효과들에 의해 유발될 수 있다. 이 벤딩을 보상하는 한가지 방법은 1 이상의 투영 시스템 광학 요소들(예를 들어, 1 이상의 렌즈 요소들)을 조정하는 것이다. 하지만, 조정가능한 렌즈를 이용하여 소위 "필드-곡률(field-curvature)을 도입하는 것은, 리소그래피 장치의 초점 성능을 본질적으로(inherently) 제한하는 비점수차(astigmatism), 즉 패턴의 수평과 수직 라인들 간의 초점 차이를 초래할 수 있다. 패터닝 디바이스가 그 저부 쪽에서 클램핑되는 리소그래피 장치에서는, 서로 부분적으로 상쇄시키는 2 개의 가열 효과들이 발생한다. 이는 비점수차-패널티(penalty)를 제한한다. 가열 효과들 중 하나는 패터닝 디바이스가 전체적으로 팽창되게 하는 (전체) 가열이며, 패터닝 디바이스가 클램프들에 의해 지지되기 때문에, 이는 상기 클램프들에 장력을 유도하며, 패터닝 디바이스가 다소 볼록하게 되는 효과를 갖는다. 가열 효과들 중 다른 하나는 마스크 타입 패터닝 디바이스의 저부 쪽에 크롬 층이 존재하여야 하는 것이며, 상기 층은 환경을 통해 마스크 타입 패터닝 디바이스 물질(주로 석영)의 나머지보다 열을 덜 통과시킬 수 있다. 이는 패터닝 디바이스의 저부로부터 상부로의 온도-구배(temperature-gradient)를 유발함에 따라, 패터닝 디바이스가 약간 볼록하게 된 다.

리소그래피 장치에서, 패터닝 디바이스는 추가적으로 또는 대안적으로 그 상부면에서 클램핑될 수 있다. 이는, 예를 들어 패터닝 디바이스가 아래로부터 로딩될 수 있고, 및/또는 더 큰 영역이 클램프에 대해 적용가능할 수 있기 때문에 바람직할 수 있다. 상기 더 큰 영역은 유익하게도 감속 또는 가속 시 패터닝 디바이스를 제 자리에(in place) 유지하는데 이용될 수 있는 마찰력을 가능하게 하므로, 가능하게는 더 높은 스루풋을 가능하게 한다. 하지만, 상부면 클램핑을 이용하게 되면, 상기에 언급된 2 개의 가열 효과들이 본질적으로 동일한 방향으로 작용하며, 부연하면 두 효과들은 패터닝 디바이스를 아래쪽으로 벤딩되게 하는 경향이 있다. 또한, 중력 효과는 패터닝 디바이스를 아래쪽으로 벤딩되게 한다. 그러므로, 패터닝 디바이스의 예상되는 하향 벤딩은, 패터닝 디바이스에 상부면 클램핑이 사용되는 경우에 상당히 증가할 수 있다. 예를 들어, 필드 곡률에 대해 조정가능한 렌즈를 사용하여 벤딩의 상기 상당한 증가를 보상하고자 노력하는 것은 상당한 비점수차를 도입할 수 있으며, 설계에 있어 비용 및 시간 소모적일 수 있다.

미국 특허 출원 공보 제 US 2005/0134829호는, 예를 들어 리소그래피 장치의 패터닝 디바이스를 지지하는 클램프를 개시하며, 상기 클램프에는 패터닝 디바이스를 유지하도록 지지체의 외주 주변에 위치된 복수의 압력 구역들이 제공된다. 따라서, 국부적으로 조정된 압력들이 생성될 수 있으므로, 국부적인 벤딩 모멘트를 제공하여, 패터닝 디바이스를 국부적으로 벤딩시킬 수 있다. 따라서, 패터닝 디바이스는 비편평성(unevenness), 비평탄성(unflatness) 및 경사성(tilting)에 대해 보 정될 수 있다.

본 발명의 1 이상의 실시예들은 상기에 언급된 1 이상의 단점들을 적어도 부분적으로 제거하거나 사용가능한 대안을 제공하는 것이 목적이다. 특히, 본 발명의 일 실시예는 패터닝 디바이스의 원하는 벤딩이 패터닝 디바이스에 대한 개선된 벤딩 기구에 의해 보정될 수 있는 리소그래피 장치를 제공하는 것이 목적이다.

본 발명의 일 실시예에 따르면,

방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;

패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체를 포함하고, 상기 지지체는 상기 지지체에 대해 상기 패터닝 디바이스를 클램핑하도록 구성된 지지 클램프를 포함하며;

클램핑된 패터닝 디바이스에 벤딩 토크(bending torque)를 인가하도록 구성된 벤딩 기구를 포함하고, 상기 벤딩 기구는 상기 지지 클램프에 의해 상기 패터닝 디바이스 상에 가해진 클램핑 힘을 감소시키지 않으면서, 클램핑된 패터닝 디바이스 상에 작용하도록 구성된 힘 또는 토크 액추에이터를 포함하며;

기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및

상기 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.

본 발명의 일 실시예에 따르면,

지지 클램프를 사용하여 지지체에 대해 패터닝 디바이스를 클램핑하는 단계;

상기 지지 클램프에 의해 상기 패터닝 디바이스에 가해진 클램핑 힘을 실질적으로 감소시키지 않으면서, 클램핑된 패터닝 디바이스에 벤딩 토크를 인가하는 단계;

패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 패터닝 디바이스를 사용하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및

기판 상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여하한의 다른 적절한 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 패터닝 디바이스 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)을 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.

조명 시스템은, 방사선의 지향, 성형 또는 제어를 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 여하한의 타입의 광학 구성요소들, 또는 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.

패터닝 디바이스 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 패터닝 디바이스 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 여타의 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 패터닝 디바이스 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 패터닝 디바이스 지지 구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능층 에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들 또는 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어인 동의어로도 간주될 수 있다.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기에 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수도 있다.

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상 의 패터닝 디바이스 지지 구조체)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 또는 지지체가 노광에 사용되고 있는 동안에 1 이상의 다른 테이블 또는 지지체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예를 들어, 물)에 의해 기판의 전체 또는 부분이 덮일 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 해당 기술 분야에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 담가져야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 그보다는 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 위치된다는 것을 의미한다.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이 라고도 칭해질 수 있다.

일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.

상기 방사선 빔(B)은, 패터닝 디바이스 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF2)(예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT)는 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

서술된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그런 후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서, 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된 다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 이미지 반전 특성 및 확대(축소)에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

3. 또 다른 모드에서, 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수 있다.

도 2에는 패터닝 디바이스(1)를 지지하도록 구성된 1 이상의 지지 클램프들을 포함하는 도 1의 패터닝 디바이스 지지 구조체(MT)의 본 발명에 따른 실시예가 도시된다. 지지 클램프들(2)은 패턴이 연장되는 패터닝 디바이스(1)의 평면에 실질적으로 평행하게 연장된 그 상부 표면에서 패터닝 디바이스(1)를 클램핑한다. 여기 서 이 평면은 X-Y 방향으로 놓인다. 상기 클램프들과 별도로 벤딩 기구(3)가 제공된다. 벤딩 기구(3)는 이 실시예에서 1 이상의 가스(또는 공기) 벨로우즈(4)에 의해 형성된 힘 액추에이터들을 포함한다. 상기 가스 벨로우즈(4)들은 클램핑된 패터닝 디바이스(1)의 대향 측면 에지들에 위치되며, 상기 클램핑된 패터닝 디바이스(1)의 이들 측면 에지들에서 푸싱 힘(pushing force)을 인가할 수 있다. 패터닝 디바이스(1)의 중립선(neutral line: 7)은 점선으로 표시되어 있다. 여기서, 상기 중립선(7)은 패터닝 디바이스(1)의 패턴이, 특히 X-방향으로 연장되는 평면에 실질적으로 평행하게 연장되며, 여기서는 패터닝 디바이스(1)의 중심 축과 실질적으로 일치한다. 가스 벨로우즈(4)들은 중립선(7) 아래의 오프셋 높이(e)에 그들의 중심 축이 위치된다.

따라서, 패터닝 디바이스(1)에 벤딩 토크, 즉 가스 벨로우즈(4)들을 팽창시킴으로써, Y-축 중심의 벤딩 토크를 도입할 수 있다. 가스 벨로우즈들(4) 내의 증가된 가스 압력(이 상황은 도 3에 도시됨)은 패터닝 디바이스를 위쪽으로 벤딩되게 하는 토크를 생성한다. 도 3에는 이것이 많이 과장되어 있다. 실제로, 이러한 변위(displacement)들은 훨씬 더 적으며, 나노미터 범위에 있음은 물론이다. 그럼에도 불구하고, 패터닝 디바이스(1)가 예를 들어 중력 및/또는 온도 효과들에 의해 초기에 아래쪽으로 벤딩되었다고 가정하며, 이 방식으로 이러한 초기 벤딩이 전체적으로 또는 적어도 부분적으로 보상될 수 있다. 도 3에는 X-방향으로 길이방향 축(longitudinal axis)을 갖고 타원형 형상으로 변형된 가스 벨로우즈(4)들이 도시된다. 실제로, 상기 벨로우즈들은 Z-방향으로 길이방향 축을 갖는 타원형 형상으로 변형되기 더 쉬울 수 있는데, 이는 상기 방향으로 벨로우즈들이 더 용이하게 팽창할 수 있기 때문이다. 이는 원하는 오프셋 높이(e)가 동일하게 유지되는 한 문제가 되지 않는다.

패터닝 디바이스(1)의 외주 측면 에지에서의 가스 벨로우즈(4)들의 특정한 위치설정은 클램프들(2)의 X-Y 방향으로의 클램핑 힘들이 감소되지 않는 방식으로 패터닝 디바이스(1)에 벤딩 토크를 인가할 수 있게 하며, 그 결과 벤딩 토크를 보상할 수 있게 된다. 도 2의 실시예에서, 이는 오프셋 e=h/6을 선택함으로써 달성되며, h는 패터닝 디바이스(1)의 높이(두께)이다. 따라서, (가스 벨로우즈(4)의 인가된 벤딩 토크에 의해 유도된) 클램프들(2)에서의 국부적인 수직 응력(normal stress)은 실질적으로 0이다. 클램프들(2)의 위치에서의 X-방향으로의 패터닝 디바이스(1)의 팽창은 상기 지점에서의 X-방향으로의 패터닝 디바이스(1)의 수축(contraction)을 상쇄시킨다. 클램프들(2)의 위치에서의 X-방향으로의 실질적으로 0의 수직 응력은 고속 가속 시 클램프들(2)에 대해 패터닝 디바이스(1)를 유지할 수 있도록 요구되는 마찰력에 대해 유익하다.

가스 벨로우즈들(4)이 유연성이 있기 때문에, 부연하면 순수(pure) 힘 액추에이터들이기 때문에, 가스 벨로우즈들(4)에 의해 패터닝 디바이스(1)에 강성도(stiffness)가 더해지지 않는다. 다시 말하면, 벤딩 기구(3)는 패터닝 디바이스(1)가 그 자체의 형상을 유지하게 한다. 벤딩 토크를 도입함으로써 조절될 수 있는 패터닝 디바이스(1)를 Z-방향으로 지지하는 3-점 서스펜션(suspension)과 조합하면, 이는 유익하게 리소그래피 장치가 그 성능, 예를 들어 포커스 성능을 개선할 수 있게 한다. 일 실시예에서는 최대 3 개의 고정된 지지 지점들이 존재하며, 이는 왜곡 문제들을 초래하지 않으면서 원하는 그 원래 형상을 유지하도록 패터닝 디바이스에 자유도(freedom)를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨로 패터닝 디바이스를 벤딩하면 비점수차(astigmatism) 비용이 회피될 수 있거나, 또 한편으로는 2 차 국부 기판 비평탄성(unflatness)이 회피될 수 있다. 심지어는, 대안적인 기구로서 벤딩 기구를 사용하여 필드 곡률을 조정할 수도 있다. 이는 렌즈의 설계에 있어 비용 추가적인 요소들을 방지할 수 있게 한다.

도 4는 별도의 1 이상의 가스 벨로우즈들(10)이 제공된 실시예들을 도시한다. 가스 벨로우즈들(10)은 그들의 중심 축이 중립선(7) 위에 위치된다. 이는 필요에 따라 패터닝 디바이스(1)가 위쪽 또는 아래쪽으로 벤딩할 수 있게 한다. 예를 들어, 기판 에지 근처의 기판 곡률은 이에 따라 보상될 수 있다. 하부의 가스 벨로우즈들만을 사용하여도, 클램프들의 X-Y 방향으로의 클램핑 힘들이 감소되지 않는 방식으로 패터닝 디바이스(1)에 벤딩 토크를 인가할 수 있으며, 그 결과 벤딩 토크를 보상할 수 있어 여전히 유익할 수 있다. 또한, 도 4에는 가스 벨로우즈들(10)이 실제로 그들의 길이방향 축에 있어 Z-방향으로 타원형 형상으로 변형되기 쉽다는 것을 유의한다. 또한, 이는 원하는 오프셋이 실질적으로 동일하게 유지되는 한 문제가 되지 않는다.

도 5는 별도의, 부연하면 패터닝 디바이스를 지지하는 클램프와 다른 벤딩 기구를 예시한다. 여기서 패터닝 디바이스(50)는 그 저부 표면이 클램프 멤브레인(clamp membrane: 51) 및 Z-지지체(52)에 의해 지지된다. 벤딩 기구는 척(chuck: 55)에 고정적으로 연결된 힘 액추에이터(54)를 포함한다. 상기 힘 액추에이터는 패터닝 디바이스(50)의 중립선(59) 위의 오프셋 높이(e)에서 측면 에지(58)에 힘을 인가하도록 위치된 푸시(push) 및 풀(pull) 빔(beam: 57)을 제어한다. 또한 여기서 오프셋은 e=h/6이다. 상기 빔(57)의 편심(eccentricity)은 패터닝 디바이스(50)의 측면 에지들(58) 상에 벤딩 토크를 인가하는데 사용된다. 조건 e=h/6로 인해, 클램프 멤브레인(51)의 지점에서 실질적으로 0인 수직 응력 분포(60)가 발생한다. 따라서, 클램핑 힘은 부정적인 영향을 받지 않는다.

도 6은 지지되는 패터닝 디바이스(50)의 측면 에지(58)와의 연결을 위해 서로의 옆에 위치되는 수 개의 빔들(67)이 커넥터(61)와 연결되는 도 5의 실시예의 사시도를 나타내고 있다. 여기서, 커넥터(61)는 진공 스트립에 의하여 형성된다. 일 실시예에서, 수 개의 빔들(57) 및 그에 대응되는 힘 액추에이터들은 개별적으로 작동가능하다. 따라서, Y-축을 따르는 힘의 분포가 적용될 수 있다. 도 6의 실시예에서는, 패터닝 디바이스 내에 단 한가지 타입의 토크, 즉 Y-축 주위의 토크만 제공된다. 이는, 최대의 패터닝 디바이스 비평탄 효과(largest patterning device unflatness effects)가 X-방향으로 존재하기 때문에 충분할 것이다.

도 7은 2-빔 푸시 및 풀 벤딩 기구(two-beam push/pull bending mechanism)가 제공되는 일 실시예를 나타내고 있다. 이 기구는 중립선 아래에 풀링 및 푸싱(pulling/pushing) 힘을 적용하기 위한 빔(71) 및 중립선 위에 풀링 및 푸싱 힘을 적용하기 위한 제 2 빔(72)을 포함한다. 이 2-빔 푸시 및 풀 기구에 대하여, 풀및 푸시 힘들은 개별적으로 결정될 수 있다. 2 개의 힘들은 함께, 패터닝 디바이스 내로 도입되는 토크를 결정한다[Moment = (Fpush + Fpull) * e]. 일 실시예에서, 이들 두 힘들 간의 차이는 클램프에서 마찰력이 발생되지 않도록 선택된다. 이는 다음의 공식에 의하여 달성될 수 있다:

Fpush - Fpull = Moment / (h/6)

이 경우에, e는 이론적으로 -h/2와 +h/2 사이의 값일 수 있다. 위의 2 개의 공식들로부터, 푸시 및 풀 빔 당 적용될 힘들이 결정될 수 있다.

도 8에서, 패터닝 디바이스(80)는 클램프(81)에 의하여 클램핑된다. 클램프(81)는 2 개의 아암들(83 및 84)을 갖는 링크 시스템(linkage system)에 의하여 프레임(82)에 연결된다. 상기 아암들은 서로를 향하여 경사지며, 가상의(imaginary) 회전 중심, 소위 패터닝 디바이스(80)의 중립선(87)에 놓인 폴(pole;86)을 갖는다. 아암들(83 및 84)은 시계방향 또는 반-시계방향으로 회전될 수 있으며, 따라서 클램프(81)에 의하여 패터닝 디바이스에 상쇄 벤딩 토크를 도입시킬 수 있다. 폴(86)은 패터닝 디바이스(80)의 중립선(87)에 놓이기 때문에, 상쇄 벤딩 토크의 도입은 X-Y 방향으로 클램핑 힘을 저감시킨다. 이는 Z-방향의 2 개의 힘들에 의해 이행되며, 그 힘들 중 하나의 힘은 원래의 클램핑 힘에 비해 작아지며, 또 하나의 힘은 원래의 클램핑 힘에 비해, 특히 다른 힘의 감소를 상쇄할 정도로 충분히 커진다. 따라서, Z-방향으로 클램핑 힘의 순손실이 발생되지 않으며, X-Y 방향으로 클램핑 힘의 손실 또한 발생되지 않는다. 또한, 패터닝 디바이스가 도입된 벤딩 토크로 인하여 벤딩되기 시작한다면, 패터닝 디바이스의 중립선(87)은 동일하게 유지되고, 여기서 클램프가 최상부 표면인 패터닝 디바이스의 표면은 움 직이기 시작한다. 하지만, 동시에 클램프(81)가 중립선(87)에 놓인 폴(86) 주위에서 터닝하기 때문에, 클램프(81)는 패터닝 디바이스의 최상부 표면과 함께 이동한다. 따라서, 마찰력들이 발생되지 않으며, X-Y 방향으로의 클램핑 힘은 악영향을 미치지 않는다. 그러므로, 벤딩 기구의 커넥터들은 패터닝 디바이스를 잡아주기 위하여 클램프와 유리하게 통합된다. 패터닝 디바이스에 강성(stiffness)을 부가하지 않고 순수(pure) 토크가 적용되는 한편, 이 토크는 클램핑 장치의 부정적인 측 효과들(side effects)을 갖지 않아야 한다.

도 9는 아암들(83 및 84)를 회전시키기 위한 힘 액추에이터들이 가스 벨로우즈(90 및 91)에 의하여 형성되는 도 8의 개념에 대한 가능한 실현예를 나타내고 잇다. 가스 벨로우즈 중 하나는 양의 토크에 대해 사용되는 한편, 다른 하나는 음의 토크에 대해 사용될 수 있다.

많은 대안적인 실시예들도 실행가능하다. 가스 벨로우즈 대신에, 다른 힘 또는 토크 액추에이터들, 가령 피드-백 루프 내에 통합되는, 예를 들어 1 이상의 로렌츠(Lorentz) 액추에이터 또는 1 이상의 피에조-요소들(piezo-elements)이 사용될 수도 있다. 또한, 패터닝 디바이스의 모두 4 개의 측면들에서 힘 또는 토크 액추에이터들을 제공할 수도 있다. 모니터링되는 그들의 액추에이터들과 조합되는 푸시 및 풀 빔들은 푸싱 타입 또는 풀링 타입 중 하나일 수 있으나, 또한 특정 순간에서 원하는 어느 것이나 푸싱 및 풀링할 수 있도록 구성될 수도 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조방법의 개시시, 특정 힘 또는 토크가 적용되는 일 시간에, 그리고 또 다른 힘 또는 토크가 적용되는 또 다른 시간에 패터닝 디바이스의 벤딩의 현재 양이 측정될 수 있다. 이는, 힘 또는 토크 액추에이터 값과 패터닝 디바이스에서 유도되는 곡률 간의 관계를 생성한다. 그 다음, 소프트웨어가 패터닝 디바이스가 원하는 형상을 취하도록 하는데 필요한 최적의 힘들 또는 토크들을 계산할 수 있다. 이 정보에 의하여, 요구되는 최적의 힘 또는 토크를 평가 및 적용하고, 따라서 패터닝 디바이스가 수 차례의 노광 후 상당히 가열된 경우에도, 노광들 사이에 그리고 노광들 동안에 상기 패터닝 디바이스가 원하는 형상을 유지할 수 있도록 하기 위한 동적 피드 포워드 패터닝 디바이스 (가열) 모델[dynamic feed forward patterning device (heating) model]이 구현될 수 있다.또한, 이 패터닝 디바이스 (가열) 모델은 패터닝 디바이스에 여하한의 후속하는 형상의 보정 측정치들을 트리거링(trigger)하는데 사용될 수 있다, 예를 들어 소정의 시간 후에 곡률에 대해 예측된 값과 최후에 측정된 값 간의 차이가 특정 임계치를 초과하는 경우, 새로운 형상의 보정 측정치가 다음의 적절한 때에 스케쥴링될 수 있다.

일 실시예에서, 노광 스캔 동안 벤딩 토크가 신뢰성 있게 변화될 수 있도록, 힘 또는 토크 액추에이터들은, 예를 들어 200 Hz 이상의 주파수로 매우 신속하게 작동될 수 있다. 이러한 방식으로, 기판의 비평탄성 또한 보정될 수 있다. 예를 들어, 노광 슬릿인 기판의 일부 및/또는 패터닝 디바이스의 일부에 대해 최적화시키는 것이 가능할 수 있다. 또한, 패터닝 디바이스의 전체 Y-길이에 걸쳐 단지 하나의 벤딩 토크를 적용 및 변화시킴으로써 노광 스캔 동안 벤딩 토크를 조정하는 것도 가능할 수 있다. 패터닝 디바이스에 적용되는 벤딩 토크는 Y-위치의 함수로서 변화되어서는 안되지만, 적정한 시간(in time)에만 변화되는 동일한 벤딩 토크일 수도 있다.

X-Y 방향으로 패턴을 가지고 클램핑되는 패터닝 디바이스 대신에, 패터닝 디바이스는 다른 방향들로 클램핑될 수도 있다. 이를 위해, 지지 클램프 및 벤딩 기구는 대응적으로 재-위치설정되도록 이루어진다.

본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩 기구에 의하면, 적용되는 상쇄 벤딩 토크의 결과로서 지지 클램프들의 위치에서 이용가능한 클램핑 힘들이 전혀 저감되지 않도록, 클램핑되는 패터닝 디바이스에 벤딩 토크들을 적용하는 것이 가능하지만, 반드시 그런 것은 아니다. 또한, 적용되는 상쇄 벤딩 토크의 결과로서 지지 클램프들의 위치에서 이용가능한 클램핑 힘들이 저감되도록, 클램핑되는 패터닝 디바이스에 벤딩 토크들을 적용하는 것도 가능하다. 따라서, 너무 많은 클램핑-힘의 예정량(budget)을 부여할 필요 없이 벤딩 토크가 적용될 수 있다. 본질적으로, 클램핑 힘들은 벤딩 토크들의 적용에 의하여 실질적으로 저감되지 않는다. 예를 들어, 5 % 보다 적은 클램핑 힘들의 저감이 허용가능할 수 있다.

중력 및/또는 온도 효과들에 의하여 야기되는 초기 벤딩을 보상하는 대신에 또는 상기 보상 이외에, 예를 들어 이 곡률이 이 특정 노광 동안 기판 표면의 국부적인 곡률과 훨씬 더 잘 피팅되기 때문에, 패터닝 디바이스를 원하는 방향으로 더 벤딩하기 위하여 추가적인 벤딩 토크를 도입하는데 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩 기구를 사용할 수도 있다.

일 실시예에서, 벤딩 기구는 투과형 패터닝 디바이스들과 조합하여 사용된다. 하지만, 예를 들어, 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치에서와 같 은 반사형 패터닝 디바이스들과 조합하여 사용될 수도 있다.

본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.

이상, 광학 리소그래피에 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예컨대 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에서도 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면, 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 안으로 가압될 수 있으며, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화(cure)된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.

본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 ㎚의 파장을 갖거나 대략 이 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm의 범위인 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔도 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.

본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.

이상, 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.

상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형이 행해질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

도 2는 벤딩 기구로서 가스 벨로우즈를 갖는 패터닝 디바이스를 유지하는 지지체의 일 실시예의 개략적 단면도;

도 3은 팽창된 위치에서의 도 2의 실시예를 예시하는 도면;

도 4는 2 개의 가스 벨로우즈를 갖는 도 3의 실시예를 도시하는 도면;

도 5는 벤딩 기구로서 한 세트의 힘 액추에이터를 갖는 실시예를 개략적으로 도시하는 도면;

도 6은 도 5의 변형 실시예의 개략적 사시도;

도 7은 2 세트의 힘 액추에이터들을 갖는 실시예의 도 5에 따른 도면;

도 8은 패터닝 디바이스용 클램프에 연결된 링크 시스템을 작동시키는 힘 또는 토크 액추에이터들을 갖는 실시예의 개념을 개략적으로 나타내는 도면; 및

도 9는 도 8의 개념에 대한 가능한 실시예를 도시하는 도면이다.

Claims

리소그래피 장치에 있어서,

방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;

패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체 - 상기 지지체는 상기 지지체에 대해 상기 패터닝 디바이스를 클램핑하도록 구성된 지지 클램프를 포함함 - ;

상기 클램핑된 패터닝 디바이스에 벤딩 토크(bending torque)를 인가하도록 구성된 벤딩 기구 - 상기 벤딩 기구는 상기 지지 클램프에 의해 상기 패터닝 디바이스 상에 가해진 클램핑 힘을 감소시키지 않으면서, 상기 클램핑된 패터닝 디바이스 상에 작용하도록 구성된 힘 또는 토크 액추에이터를 포함함 - ;

기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및

상기 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 벤딩 기구는 상기 지지 클램프와 별도(separate)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 클램핑된 패터닝 디바이스의 중립선에 대해 높이 오프셋(height offset)에서 풀링 힘(pulling force), 푸싱 힘(pushing force) 또는 두 힘을 모두 인가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 높이 오프셋은 e=h/6이며, h는 상기 패터닝 디바이스의 높이인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 3 항에 있어서,

2 이상의 힘 또는 토크 액추에이터들이 제공되며, 제 1 힘 또는 토크 액추에이터는 상기 중립선 위에 풀링 힘, 푸싱 힘 또는 두 힘을 모두 인가하도록 구성되며, 제 2 힘 또는 토크 액추에이터는 상기 중립선 아래에 풀링 힘, 푸싱 힘 또는 두 힘을 모두 인가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 상기 클램핑된 패터닝 디바이스의 외주 측면 에지에 풀링 힘, 푸싱 힘 또는 두 힘을 모두 인가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

2 세트의 힘 또는 토크 액추에이터들은 상기 클램핑된 패터닝 디바이스의 대향 외주 측면 에지들에서 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 벤딩 기구는 상기 클램핑된 패터닝 디바이스와 연결되도록 구성된 커넥터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 8 항에 있어서,

상기 커넥터는 진공 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 8 항에 있어서,

상기 커넥터는 상기 클램핑된 패터닝 디바이스의 외주 측면 에지와 연결되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 8 항에 있어서,

상기 커넥터는 상기 지지 클램프와 통합(integrate)되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 1 항에 있어서,

상기 벤딩 기구는 푸시(push) 및 풀(pull) 빔(beam)을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 푸싱 타입(pushing type)인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 가스 벨로우즈(gas bellow)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 로렌츠(Lorentz) 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 피에조-요소(piezo-element)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 패터닝 디바이스의 외주 측면 에지를 따라 서로 옆에 위치된 복수의 힘 또는 토크 액추에이터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 17 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터들은 개별적으로 작동가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제 1 항에 있어서,

상기 패터닝 디바이스를 지지하는 3-점 서스펜션(suspension)을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 힘 또는 토크 액추에이터는 상기 지지 클램프에 연결된 계면에 회전 힘 또는 토크를 인가하도록 위치되고, 상기 계면은 상기 클램핑된 패터닝 디바이스의 중립선에 그 회전 중심이 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 계면은 링크 시스템(linkage system)으로서 회전가능하게 상기 지지 클램프에 연결된 바아(bar)를 포함하고, 상기 링크 시스템은 상기 클램핑된 패터닝 디바이스의 중립선에 그 회전 중심이 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장 치.
제 1 항에 있어서,

상기 지지 클램프는 그 저부 표면, 그 상부 표면, 또는 두 표면 모두에서 상기 패터닝 디바이스를 클램핑하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
디바이스 제조 방법에 있어서,

지지 클램프를 사용하여 지지체에 대해 패터닝 디바이스를 클램핑하는 단계;

상기 지지 클램프에 의해 상기 패터닝 디바이스 상에 가해진 클램핑 힘을 감소시키지 않으면서, 상기 클램핑된 패터닝 디바이스에 벤딩 토크를 인가하는 단계;

패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 패터닝 디바이스를 사용하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및

기판 상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.