JPH07263316A

JPH07263316A - Ｘ線露光装置

Info

Publication number: JPH07263316A
Application number: JP6054298A
Authority: JP
Inventors: Soichiro Mitsui; 壮一郎三井; Kenichi Murooka; 賢一室岡; Iwao Tokawa; 巌東川
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-03-25
Filing date: 1994-03-25
Publication date: 1995-10-13

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｘ線マスクパターンの歪補正および倍率補正
を高精度に微小変位の制御可能なマスクステージを用い
て行うことにより、位置精度の高い転写が可能なＸ線露
光装置を提供することにある。【構成】マスク保持部を変形してＸ線マスクのパター
ン搭載領域外周の任意の部位に面外変形を発生させるこ
とにより、パターン位置を制御して歪みや倍率補正を行
い位置精度の高い転写が可能なＸ線露光装置を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光装置に係わり、
特にマスクパターンの歪み補正や倍率補正機能を有した
Ｘ線露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にＸ線露光技術は、光露光のような
効率の良い屈折あるいは反射光学系の開発が困難であり
現在のところ実用レベルにないために、１：１の等倍転
写方式が主流に開発検討されている。この等倍Ｘ線露光
では、マスクのパターン精度向上、高解像のパターン転
写、露光装置におけるマスクと転写ウエハおよびプロセ
スウエハ間でのアライメント精度の向上が、光露光技術
の場合に比べてもよりいっそうの重要な開発項目になっ
ている。特にキーテクノロジーであるＸ線マスクのパタ
ーン精度向上に関しては従来より様々な検討がなされ、
Ｘ線吸収体パターンやＸ線透過性薄膜の低応力化、応力
均一化、膜厚均一化、さらにパターン描画の精度向上や
パターンエッチング技術の開発が精力的に行われてきて
いる。しかしながらＸ線露光技術を０．２μｍ以下の微
細パターン転写技術として考えた場合には、未だ実用レ
ベルの精度をもつマスクを作製できていないのが現状で
ある。そこで従来よりパターン精度を達成する方法とし
て、例えば特開昭６２−１２２２１６や特開平２−１６
８６１４では電気歪素子や磁気歪素子を用いてＸ線透過
性薄膜支持体の一部あるいは全体を構成し、これらの素
子を変形させてパターン歪を補正するＸ線マスクの提案
がされている。また特開平５−６７５６２のようにマス
ク支持体内にアルミニュウムなどの熱膨張材料あるいは
圧電材料からなるリング状要素を配設して、パターンの
倍率特性を変えることのできるＸ線マスクが提案されて
いる。しかしながらこのような構造を有するマスクでは
第一に作製プロセスが複雑になり高コストになる問題が
ある。またマスク自身に変形要素を設け、この要素の変
形力によりパターン歪および倍率を補正する場合には、
基本的にマスク構造体の弾性変形の範囲内で直接マスク
面方向に伸縮を行うために、パターン補正に必要な変形
力を変形要素により得ることは効率が悪く、変形力を微
小制御することも極めて困難になり精度が得にくい。一
方、特開平４−６６０９５では露光装置のマスククラン
プにより直接マスクに面方向の伸縮を与えてパターン補
正する提案がされているが、上述したように必要な補正
量を面方向の力によって得ることは効率が悪く、さらに
パターンの補正変位量を極めて小さい場合には、マスク
クランプの動作移動量もこの補正変位量と同等の値を必
要とするので制御が極めて困難になり精度が得にくい問
題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたもので、その目的とするところはＸ線マ
スクパターンの歪補正および倍率補正を高精度に微小変
位の制御可能なマスクステージを用いて行うことによ
り、位置精度の高い転写が可能なＸ線露光装置を提供す
ることにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、Ｘ線露
光装置のマスク保持部を変形してＸ線マスクのパターン
搭載領域外周の任意の部位に面外変形を発生させること
により、パターン位置を制御して歪みや倍率補正を行い
位置精度の高い転写が可能なＸ線露光装置を提供するこ
とにある。

【０００５】

【作用】本発明のＸ線露光装置は、Ｘ線マスクの変形を
行いＸ線吸収体パターンに位置歪みを発生させ、転写パ
ターン位置精度の向上を実現する。本発明においては、
Ｘ線マスクのマスク支持枠領域の面外変形を行うことに
より、微少量の歪みの発生がより高精度に達成される。
すなわちマスク支持枠領域の厚さに比べて幅が大きいた
めに、支持枠領域の面外変形量に比べパターン領域の面
内変形量はより微少量に制御されるので制御性が格段に
向上する。

【０００６】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の実施例について詳細に説明
する。まず、本発明のＸ線露光装置のマスクパターン位
置を制御して歪みや倍率補正を行う機構の基本構成につ
いて、その断面を示した図１〜２を用いて説明する。パ
ターンを搭載したＸ線マスク１０１は、図１（ａ）に示
すように、Ｘ線透過性支持膜の支持基板１０２を介して
露光装置のマスクステージに保持されている。パターン
１０３の位置を制御するために、図１（ｂ）、図１
（ｃ）に示すように、ベンディングモーメント１０４を
支持基板１０２に作用させる。この時、モーメント１０
４により変形するＸ線マスク１０１の回転中心を支持基
板１０２の底面の一部になるように選び、その位置を支
点１０５とした。この支点１０５とベンディングモーメ
ント１０４の作用位置との距離をＬで表し、Ｘ線マスク
１０１の高さを支持基板１０２の底面とパターン面まで
の距離としてｈで示し、Ｘ線マスク１０１のアスペクト
比をｈ／Ｌで定義する。この場合にベンディングモーメ
ント１０４を作用させるとＸ線マスク１０１は回転して
凸状に変形するので、マスク面が上方（＋Ｚ）方向へｗ
変位し支持基板１０２のマスク中央側の側面上部が外側
へδ変位すると仮定すると、概略δ＝ｈ・Ｌ^-1・ｗの関
係が成立する。例えばＬ＝５ｃｍ、ｈ＝０．５ｃｍ、ア
スペクト比１／１０の場合にパターンを外側へ０．０１
μｍ移動修正するためには、ｗを０．１μｍにすれば概
ね良いことがわかる。このマスク面の＋Ｚ方向への変位
量０．１μｍは、ピエゾ素子などの手段を用いて十分制
御できる値である。実際のマスク構造では上述のように
簡単な体系ではなく弾性体変形であることも考慮しなけ
ればならないが、０．１μｍ程度の制御でその１／１０
オーダーの位置を修正できるので、非常に有効な手段で
あると考えられる。さらに支持基板１０２の厚さに比べ
てその幅を大きくして、ベンディングモーメント１０４
の作用位置を支点１０５から離して設定しアスペクト比
を１／５０とした場合には、０．０５μｍの＋Ｚ方向の
変位制御ができれば１ｎｍのパターン位置を修正できる
ことになる。またパターンの移動修正方向を内側にする
には、ベンディングモーメントの作用点および支点の位
置関係を変更すれば可能であり、マスク１０１を凹状に
変形すればよい。次ぎに、図２に示した構造のＸ線マス
ク２０１を用いて、Ｘ線マスク２０１に設けたアライメ
ントマーク２０２の位置を露光装置に配置したアライメ
ント検出装置２０３により測定して、本発明の有効性を
調査した。パターン位置の修正は０．０１μｍ外側に変
位させるものであった。この場合のＸ線マスク２０１の
アスペクト比は１／１０であることから、ベンディング
モーメント２０４によりマスク上面を＋Ｚ方向へ０．１
μｍ変位させたところ、アライメントマーク２０２の位
置変位量は０．００７μｍであり、予測変位量の約１／
３の誤差範囲内で修正できていることが分かった。実際
に０．０１μｍの修正を行うには、さらに＋Ｚ方向への
０．０４μｍの変位の加算が必要であった。ここに示し
たように所望する位置変位量をパターンに与えるには予
想値よりも大きいＺ変位量を加える必要がある。この理
由として、マスク構成材料は完全な剛体ではなく有限の
剛性率をもつことから弾性変形し、この成分がモーメン
トの作用するＺ方向に加算されるためである。しかしな
がらこの事実は、予測の時点で剛体として扱った場合に
比べてＺ方向の制御性の裕度が増していることを示し、
さらに微小な位置修正が可能なことを意味しているの
で、操作性の精度が向上する点で有利である。また、修
正以前に正確なＺ変位量の情報を持っていなくても、所
望量の修正ができるまで繰り返し修正操作を行い必要な
精度を得ることにより実用上使用する上では不都合が生
じず、さらにはアライメントマーク検出を行してパター
ン位置精度を測定しながら連続的に修正操作を施してい
き、所望の修正量を決定してからその時のＺ変位量を固
定すればよい。またマスクを凹または凸形状に変形する
ためにマスク平面度の低下により、マスク・ウエハ間の
露光ギャップに問題が生じる可能性があるが、この点に
ついてはＺ変位量は位置修正量を０．１μｍオーダーと
しても高々数μｍ程度であるので、マスク平面度および
ギャップ測定機構を露光装置に追加設定して管理すれば
特に問題にならない。（実施例２）次ぎに、本発明の第２の実施例について、
図３（ａ）の断面図、図３（ｂ）の上面図および図４の
パターン位置マップを示して詳細に説明する。図３に示
すようにパターンを搭載したＸ線マスク３０１は、マス
クステージ３０２に設けられた８つの支点３０３とこれ
らに対応する保持機構３０４により固定保持されてい
る。支点３０３は全て支点上下動作機構部３０５と接続
し上下調整可能な構造を有し、マスク３０１のＸ線透過
性支持膜の支持基板３０６の底面中央部を支える。ここ
で用いた支点３０３の上下動作はモーターの駆動による
テコ機構を利用している。これら支点上下動作機構部３
０５によって支点３０３の高さが調整されることによ
り、マスク３０１の保持姿勢は制御され平面が設定され
る。また保持機構３０４には、ピエゾ素子から構成され
る上下動作部３０７と３０８がそれぞれ支点３０３を挟
んで外側と内側に別々に設けられ、全て上下動作制御機
構部３０９と接続されている。またマスク３０１のパタ
ーン搭載領域には８つのアライメントマーク３１０が形
成され、これらのマークに対応して露光装置にアライメ
ント検出装置３１１が配置されている。また個々のアラ
イメント検出装置３１１からの検出信号は、マスクパタ
ーンの位置情報を上下動作制御機構部３０９に伝達し、
パターン位置修正に必要な上下動作部３０７と３０８を
動作制御するために使用される。さらにパターン位置修
正操作中あるいは操作後のアライメント検出信号は、位
置修正に必要なフィードバック信号として上下動作部３
０７と３０８を動作制御するために使用される。この装
置を用いて修正を行ったパターン位置のマップを図４に
示す。修正以前の非線形歪みが修正されていることがわ
かる。尚、図４で、４０１は修正前のパターン位置、４
０２は修正後のパターン位置、４０３はベンディングモ
ーメントによる位置変位方向と変位量を示す。（実施例３）次ぎに、本発明の第３の実施例について、
図５（ａ）の断面図、図５（ｂ）のステージ部の上面図
および図６のパターン位置マップを示して詳細に説明す
る。図５に示すようにパターンを搭載したＸ線マスク５
０１は、Ｘ線透過性支持膜の支持基板５０２の底面を真
空チャックによりマスクステージ５０２に保持されてい
る。さらに保持補強部５０３によりＸ線マスク５０１は
マスクステージ５０２に補強されて保持されている。こ
の保持補強部５０３は、過度の力が働きマスク５０１が
変形し真空チャックにより十分保持されない場合が起き
てもマスクのステージからの脱落を防止するためのもの
である。マスクステージ５０２は８つのセグメント５０
４から構成され、それぞれは独立にセグメント上下動作
機構部５０５と接続している。これらのセグメント上下
動作機構部５０５はアクチュエーターより構成されてお
り、上下動作制御機構部５０６によって制御される。マ
スク５０１の保持姿勢は、セグメント上下動作機構部５
０５によりマスクステージ５０２の保持面の高さ調整に
よって行われている。マスク５０１のパターン搭載領域
には８つのアライメントマーク５０７が形成され、これ
らのマークに対応して露光装置にアライメント検出装置
５０８が配置されている。また個々のアライメント検出
装置５０８からの検出信号は、マスクパターンの位置情
報を上下動作制御機構部５０６に伝達し、この上下動作
制御機構部５０６で演算・制御され、パターン位置修正
に必要なセグメント上下動作機構部５０５を動作制御す
るための信号として使用される。さらにパターン位置修
正操作中あるいは操作後のアライメント検出信号は、位
置修正に必要なフィードバック信号としてセグメント上
下動作機構部５０５を動作制御するために使用される。
この装置を用いて等方的な倍率補正を行ったパターン位
置のマップを図６（ａ）に、またｘ方向に比べてｙ方向
を拡大したパターン位置のマップを図６（ｂ）に示す。
所望の倍率補正がされていることがわかる。尚、図６で
の符号６０１は修正前のパターン位置、６０２は修正後
のパターン位置、６０３はベンディングモーメントによ
る位置変位方向と変位量を示す。（実施例４）次ぎに、本発明の第４の実施例について、
図７（ａ）の断面図、図７（ｂ）の上面図および図８の
パターン位置マップを示して詳細に説明する。図７に示
すようにパターンを搭載したＸ線マスク７０１は、マス
クステージ７０２上に８箇所に設けられた保持機構部７
０３により固定保持されている。保持機構部７０３には
全て上下動作機構部７０４を有し、マスク７０１のＸ線
透過性支持膜の支持基板７０５を上下方向からクランプ
する構造になっている。これら上下動作機構部７０４は
ピエゾ素子からなり、上下動作制御機構部７０６と接続
されており、個々の高さが調整されることによりマスク
７０１の保持姿勢が調整、設定される。またマスク７０
１のパターン搭載領域には８つのアライメントマーク７
０７が形成され、これらのマークに対応して露光装置に
アライメント検出装置７０８が配置されている。また個
々のアライメント検出装置７０８からの検出信号は、マ
スクパターンの位置情報を上下動作制御機構部７０６に
伝達し、パターン位置修正に必要な上下動作機構部７０
４を動作制御するために使用される。さらにパターン位
置修正操作中あるいは操作後のアライメント検出信号
は、位置修正に必要なフィードバック信号として上下動
作機構部７０４を動作制御するために使用される。この
装置を用いて修正を行ったパターン位置のマップを図８
に示す。マスクをステージに保持した際に生じた歪みも
含めて修正されていることがわかる。尚、図８中の符号
の８０１は修正前のパターン位置、８０２は修正後のパ
ターン位置、８０３はベンディングモーメントによる位
置変位方向と変位量を示す。（実施例５）次ぎに、本発明の第５の実施例について、
図９（ａ）の断面図、図９（ｂ）の上面図、図１０のパ
ターン位置を示して詳細に説明する。図９に示すように
パターンを搭載したＸ線マクス９０１は、マスクステー
ジ上に設けられた上下動作可能な保持機構部９０２によ
り１６箇所が固定保持されている。保持機構部９０２は
マスク９０１のＸ線透過性支持膜の支持基板９０３を上
下方向からクランプする構造になっており、さらにテコ
機構から構成され全てに上下動作制御機構部９０４が接
続されている。マスク９０１の保持姿勢はこれら保持機
構部９０２によって調整、設定される。またマスク９０
１のパターン搭載領域には１６個のアライメントマーク
９０５が形成され、これらのマークに対応して露光装置
にアライメント検出装置９０６が配置されている。また
個々のアライメント検出装置９０６からの検出信号は、
マスクパターンの位置情報を上下動作制御機構部９０４
に伝達し、パターン位置修正に必要な保持機構部９０２
の上下動作を制御するために使用される。さらにパター
ン位置修正操作中あるいは操作後のアライメント検出信
号は、位置修正に必要なフィードバック信号として保持
機構部９０２の上下動作制御するために使用される。こ
の装置を用いて直交度補正を行ったパターン位置のマッ
プを図１０に示す。修正前の直交度誤差に伴うパターン
ずれが修正されていることがわかる。尚、図１０中の符
号の１００１は修正前のパターン位置、１００２は修正
後のパターン位置、１００３はベンディングモーメント
による位置変位方向および変位量を示す。（実施例６）次ぎに、本発明の第６の実施例について詳
細に説明する。図１１の（ａ）：断面図、（ｂ）：上面
図に示すようにパターンを搭載したＸ線マスク１１０１
は、変形を受けやすいように支持基板１１０２の一部が
薄くなっている。マスク１１０１はマスクステージ１１
０３上に支持基板１１０２の周辺部を真空チャックによ
り固定して保持され、８箇所に設けられた上下動作部１
１０４から面外変形を受けることによりパターン位置修
正される。上下動作部１１０４は、マスク１１０１に形
成されたアライメントマーク１１０５の信号情報をもと
に上下動作制御機構部１１０６により動作を制御され
る。このアライメント信号情報はアライメント検出装置
１１０７により測定される。またこの情報はパターン位
置修正操作中あるいは操作後に位置修正に必要なフィー
ドバック信号としても上下動作部１１０４を動作制御す
るために使用される。この装置によりパターン位置修正
を行ったマスクを用いて、ウエハ上にパターンを露光転
写した結果、その転写パターンの位置精度はデバイスの
設計から許容されていたスペック値の約１／２になって
いた。さらにこの露光装置を利用してパターン位置修正
を行ったマスクを転写してコピーマスクを作製し、使用
するレジストのタイプによりパターンの白黒反転したマ
スクも作製した。このようにして作製したマスクの位置
精度はスペックの許容値内であった。

【０００７】前述した各実施例にあるように、パターン
位置精度は著しく向上し、倍率補正、直交度補正も可能
になっている。これは露光装置の保持部を変形してマス
クにベンディングモーメントを作用させることにより微
小なパターン位置を制御することが可能になったばかり
でなく、アライメントマーク位置を検出してパターンの
修正位置を連続的にあるいは繰り返し測定して、所望の
位置にパターンを移動できるように制御修正しているこ
とによる。但し、これらの操作ではパターン搭載領域外
側の部位にベンディングモーメントを作用しているため
に、修正移動されるパターン位置のモードは概ねマスク
の中央に対して対称なものになる。例えば一組のベンデ
ィングモーメントを作用させた場合に、その作用点を結
ぶ軸上にマスクの中心がある場合には、この軸上に沿っ
てパターン位置が外側あるいは内側に変位するので修正
移動されるパターン位置のモードは概ねマスクの中央に
対して対称なものになる。また作用点を結ぶ軸がマスク
の中心からずれている場合には、この軸の概ね中間点か
ら軸上に沿ってパターン位置が変位する。このことから
任意のパターンをあらゆる位置に移動修正できるわけで
はなく、また特定のパターンのみを移動することも不可
能である。そこで本発明の操作では、ベンディングモー
メントの作用部分を複数箇所に設け、これら対をなす作
用箇所を結ぶ複数の軸上で個々に外側あるいは内側への
変位およびその変位量を与えて、個々の箇所での変位の
方向や移動量を組み合わせて修正することにより、全体
のパターン位置を所望の位置に最も近づくように移動修
正しているので、ランダムなパターン位置歪みを最小に
できたばかりでなく、倍率補正や直交度補正も可能とな
った。このようにマスクに面外変形を与える箇所の多い
方が本発明の効果が大きい。

【０００８】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、実施例１〜６を複数組み合わせて使用し
ても構わない。実施例ではマスクパターン位置精度を向
上させたことや、元のパターン位置を所望の位置に移動
して倍率補正したことについて記述しているが、例えば
露光中のスキャンに応じて発生する露光光照射による熱
上昇や損傷等に起因した位置変位を、リアルタイムフィ
ードバックし順次修正しながら露光転写して精度を向上
することや、露光後に発生した新たな位置歪みを再度補
正してから露光転写することが可能である。また被転写
ウエハの形状に応じてマスクパターンの位置を変形させ
て露光転写することにより、ウエハ形状に起因する位置
歪みを低減することも可能である。その他の原因による
転写パターンの精度低下を改善するために本発明を適用
しても構わない。また本発明に適用できるマスク構造は
特に限定されるものではないが、実施例１の記述にある
ようにマスク支持体領域の厚さに比べ、その幅が大きい
方が本発明の適用が容易で効果が大きく、さらに近接露
光を考慮すれば凸型の外形形状が望ましい。また実施例
６にあるようにマスクの一部を薄くして、変形力に対し
て容易に上下方向に可動できるようにしたマスクを使用
することによって、さらに微小な位置調整が可能になる
ので本発明の効果が大きくなる。変形を受けやすいマス
ク構造には、上述の支持基板の一部が薄くなっているも
ののほかに平行板やひんじ板、連結板のような構造を適
用しても構わない。本発明においては、露光装置に搭載
したマスクに対してアライメントマークを検出してパタ
ーン位置補正を行ったが、マスク単体でパターン位置精
度の測定を実施し歪み補正量およびそれに対する変形量
を求めて位置補正することを適用した露光を行うことが
できる。

【０００９】

【発明の効果】本発明によれば、マスク保持部を変形し
てＸ線マスクのパターン搭載領域外周の任意の部位に面
外変形を発生させることにより、パターン位置を制御し
て歪みや倍率補正を行い位置精度の高い転写が可能なＸ
線露光装置を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＸ線露光装置に用いるＸ線マスクを
示す断面図。

【図２】本発明の実施例に係るＸ線マスクを示す断面
図。

【図３】本発明の第２の実施例を説明する図。

【図４】本発明の第２の実施例のパターン位置マップ
を示す図。

【図５】本発明の第３の実施例を説明する図。

【図６】本発明の第３の実施例のパターン位置マップ
を示す図。

【図７】本発明の第４の実施例を説明する図。

【図８】本発明の第４の実施例のパターン位置マップ
を示す図。

【図９】本発明の第５の実施例を説明する図。

【図１０】本発明の第５の実施例のパターン位置マッ
プを示す図。

【図１１】本発明の第６の実施例を説明する図。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１，５０１，７０１，９０１，１
１０１…Ｘ線マスク１０２，３０６，７０５，９０３，１１０２…支持基板１０３…パターン１０４，２０４…ベンディングモーメント１０５…支点２０２，３１０，５０７，７０７，９０５，１１０５…
アライメントマーク２０３，３１１，５０８，７０８，９０６，１１０７…
アライメント検出装置３０２，５０２，７０２，１１０３…マスクステージ３０３…支点（８箇所）３０４…保持機構３０５…支点上下動作機構３０７，３０８，１１０４…上下動作部３０９，５０６，７０６，９０４，１１０６…上下動作
制御機構部４０１，６０１，８０１，１００１…修正前のパターン
位置４０２，６０２，８０２，１００２…修正後のパターン
位置４０３，６０３，８０３，１００３…ベンディングモー
メントによる位置変位方向と変位量５０３…保持補強部５０４…セグメント５０５…セグメント上下動作機構７０３，９０２…保持機構部７０４…上下動作機構部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０３Ｆ 9/00 ＨＨ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともＸ線吸収体パターンが形成され
たＸ線透過性薄膜と該Ｘ線透過性薄膜を支持するマスク
支持枠領域より構成されるＸ線マスクを露光装置に保持
する際に、該Ｘ線マスクに変形を与えることによりＸ線
吸収体パターンに位置歪みを与え、パターン転写位置を
制御した露光を行うことを特徴とするＸ線露光装置。
【請求項２】Ｘ線マスクのマスク支持枠領域にパターン
面外への変形を与えることを特徴とする請求項１記載の
Ｘ線露光装置。
【請求項３】マスク保持部が複数の上下左右内外方向の
うち少なくとも何れか一方向に該支持枠の微小変形が可
能な機構を有する分割部分から構成されていることを特
徴とする請求項１ないし請求項２のいずれかに記載のＸ
線露光装置。
【請求項４】マスク上のＸ線吸収体パターンあるいはア
ライメントマークの被露光基板上のパターンに対する位
置合わせ精度測定を行い、相対位置が所望の関係になる
ようにＸ線マスクパターン位置補正量を決める、あるい
は補正することを特徴とする請求項１ないし請求項３の
内のいずれかに記載のＸ線露光装置。