JPH10214780A

JPH10214780A - 投影露光装置

Info

Publication number: JPH10214780A
Application number: JP9028408A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Yasuda; 雅彦安田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-01-28
Filing date: 1997-01-28
Publication date: 1998-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】マスクに生じたたわみを検出して補正し、マ
スクパターンの投影を良好に行う。【解決手段】自重あるいは熱的な膨張など，何らかの
理由によってマスク１０がたわむと、マスクたわみ検出
系２２によってそのたわみが検出され、検出結果は演算
装置３２に出力される。演算装置３２では、入力された
マスクたわみ検出系２２による検出結果に基づいて、マ
スク１０のたわみ量が演算され、更にはマスクたわみ補
正装置３８における気圧制御量が算出される。この気圧
制御量は気圧制御装置３４に供給され、気圧制御装置３
４によってマスクたわみ補正装置３８の気密室４０の気
圧がマスク１０のたわみを補正するように制御される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
や液晶表示素子などの製造工程においてマスク（フォト
マスクやレチクルなど）のパターンを基板（ウエハやガ
ラスプレートなど）に露光する投影露光装置にかかり、
更に具体的には、そのマスク（もしくはレチクル）に生
ずるたわみに関するものである。

【０００２】

【背景技術と発明が解決しようとする課題】従来の投影
露光装置では、マスクを保持する台であるマスクホルダ
によってマスク周辺部が下から支持されている。図７
（A）にはその様子が示されており、マスク９００は、
周辺部がマスクホルダ９０２によって支持されている。
マスクホルダ９０２とマスク９００との接触面には、吸
引用の孔もしくは溝９０４が設けられており、これを真
空源によって吸引することで、マスク９００が支持され
る構成となっている。

【０００３】しかしながら、このようなマスク保持手法
では、同図（A）に示すようにマスク９００が自重でた
わみ、マスク９００上に形成されているパタ−ンの横ず
れや像面の湾曲などが生じるという不都合がある。更
に、露光時には露光光がマスク９００に照射されるが、
このとき照射熱によってマスク９００の温度が上昇し、
この照射熱によってマスク９００が膨張する。ところ
が、マスク９００の周縁がマスクホルダ９０２に固定さ
れているため、同図（B）に示すようにマスク９００に
更に歪みが生じる。その結果、マスク９００のパタ−ン
にも歪みが生じ、パターンの投影像のディスト−ション
が変化したり、像面の湾曲が更に悪化してパターン面内
における焦点深度が低下するという不都合がある。特に
最近ではパターンが微細化してきており、わずかなパタ
ーンの変動も問題となっている。

【０００４】この発明は、以上の点に着目したもので、
マスクパターンの投影を良好に行うことをその目的とす
るものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、マスク（10,102,172）に形成されたパ
ターンの像を露光対象（20,120）に投影する投影露光装
置において、前記マスクのたわみを検出するたわみ検出
手段（22）；前記マスクのたわみを補正するたわみ補正
手段（34,38,50,112,174）；前記マスクたわみ検出手段
による検出結果に基づいて前記たわみ補正手段における
たわみ補正量を演算する演算手段（32,56,104）；この
演算手段によって演算されたたわみ補正量に応じて前記
たわみ補正手段を制御する制御手段（34,58,118）；を
備えたことを特徴とする。

【０００６】主要な形態によれば、前記たわみ検出手段
は、前記マスクに斜方向から光を照射する光照射手段
（24,26）；この光照射手段によって照射された光の前
記マスクによる反射光を検出し、その受光位置の変化に
対応した検出信号を出力する光検出手段（28,30）；を
備えたことを特徴とする。また、前記たわみ補正手段
は、気圧の変動によって前記マスクのたわみを調整す
る，あるいは、圧電素子（50,112,174）の伸縮によって
前記マスクのたわみを調整することを特徴とする。

【０００７】本発明によれば、自重や熱変形などによっ
て生じたマスクのたわみが、例えば斜入射検出系などに
よって検出される。そして、この検出結果に基づいてた
わみ補正量が演算され、たわみが補正される。たわみが
補正されることにより、パターン像の湾曲などが抑制さ
れ、マスクパタ−ンの正確で安定した像が得られる。主
要な態様によれば、気圧の変動や圧電素子の伸縮によっ
てマスクのたわみが補正され、投影像の変動が補正され
る。

【０００８】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態について
実施例を参照しながら詳細に説明する。実施例１では気
圧を調整してマスクのたわみが制御されており、実施例
２では圧電素子を利用してマスクのたわみが制御されて
いる。実施例３は、走査型の露光装置に本発明を適用し
たものである。

【００１０】

【実施例１】最初に、図１及び図２を参照しながら実施
例１について説明する。図１には、実施例１にかかる投
影露光装置の主要部が示されている。同図において、マ
スク１０は、パターン形成面を下にしてマスクホルダ１
２によって真空吸着により保持されている。マスク１０
の上方には露光用の光を出力する光源１４が設けられて
おり、この光源１４とマスク１０との間には、照明光学
系１６が設けられている。マスク１０の露光光透過側に
は投影光学系１８を挟んで露光対象であるウエハ２０が
配置されている。

【００１１】本実施例における投影露光の動作は、一般
的な投影露光装置と同様である。すなわち、光源１４か
ら射出された露光光は、照明光学系１６によってマスク
１０に照射される。そして、マスク１０に描写されてい
るパタ−ンの像は、露光光により、投影光学系１８を通
じてウエハ２０上に投影される。

【００１２】ところで、本実施例では、図１に示すよう
に、マスクホルダ１２の下側にマスクたわみ検出系２２
が設けられている。このマスクたわみ検出系２２は、例
えば特開昭６０−１６８１１２号公報に開示されている
ウエハ２０の露光面を投影光学系１８の結像面に合わせ
込むための斜入射タイプのフォーカスセンサと同様の構
成，機能を備えており、光照射部と光検出部によって構
成されている。すなわち、光照射部からマスク１０のパ
ターン形成面を検出光を照射し、その反射光を光検出部
で検出することにより、マスク１０のたわみを検出する
ものである。光照射部は、発光ダイオードなどの光源２
４と、投影レンズ２６を主要構成としている。光検出部
は、受光レンズ２８と、フォトダイオードなどのディテ
クタ３０を主要構成としている。ディテクタ３０の検出
信号出力側は、演算装置３２に接続されている。

【００１３】ここで、図２を参照しながらマスクたわみ
検出系２２の動作を説明する。光源２４から射出された
光は、投影レンズ２６によってマスク１０のパタ−ン面
付近で焦点を結ぶ。そして、マスク１０のパタ−ン面で
反射された光は、受光レンズ２８を通してディテクタ３
０上で再び焦点を結ぶ。この状態で、マスク１０のパタ
ーン面が図２（B），（C）に実線で示すように上下に変
動したとすると、ディテクタ３０に対する光入射位置も
実線で示すようにそれぞれ変化することとなる。従っ
て、ディテクタ３０における光入射位置の変化から、例
えば図２（A）の状態を基準としてマスク１０のたわみ
量を検出することができる。

【００１４】図１に戻って、演算装置３２の出力側には
気圧制御装置３４が接続されており、この気圧制御装置
３４はパイプ３６を介してマスクたわみ補正装置３８に
接続されている。マスクたわみ補正装置３８は、下面側
がマスク１０に密着しており、上面側が露光光に影響を
与えないように平面ガラスで塞がれた密閉箱状の構成と
なっている。すなわち、マスク１０との間に気密室４０
が形成されており、この気密室４０内の気圧を気圧制御
装置３４で制御することでマスク１０のたわみを制御す
る機能を備えている。気圧制御装置３４は、演算装置３
２から入力される気圧制御量に基づいて、気密室４０の
気圧を制御する機能を備えている。

【００１５】以上のように構成された実施例１の全体的
な作用を説明する。自重あるいは熱的な膨張など，何ら
かの理由によってマスク１０がたわむと、マスクたわみ
検出系２２によってそのたわみ量が検出される。具体的
な手順を説明すると、まず図２（A）に示すように、マ
スク１０にたわみがなく、そのパターン面が投影光学系
１８（図１参照）の結像面に合致しているときのディテ
クタ３０における光入射位置が基準位置として記憶され
る。すなわち、図２（A）の状態におけるディテクタ３
０の検出信号が演算装置３２に入力され、演算装置３２
ではこの入力検出信号が基準位置の信号として記憶され
る。

【００１６】マスク１０が図２（B）又は（C）に示すよ
うに点線から実線のようにたわむと、光源２４から出力
された光は、同図に点線から実線で示すように変化す
る。同図（B）はマスク１０が下方にたわんだ場合、同
図（C）はマスク１０が上方にたわんだ場合である。こ
のようなディテクタ３０における入射位置が変化した光
の検出信号は、演算装置３２に供給される。演算装置３
２では、この入力検出信号が図２（A）の基準位置の検
出信号と比較され、上述した基準位置に対する相対的な
位置ずれ量，すなわちマスク１０のたわみ量が演算され
る。更に演算装置３２では、演算したたわみ量に基づい
て、マスク１０のたわみを補正するために必要な気圧制
御量が算出される。

【００１７】この演算結果は、気圧制御装置３４に供給
され、気圧制御装置３４によってマスクたわみ補正装置
３８の気密室４０の気圧がマスク１０のたわみを補正す
るように制御される。以上のようなマスク１０のたわみ
補正動作は、常時，あるいは適当な頻度で行われ、マス
ク１０の自重や熱膨張などによるたわみが補正される。

【００１８】このように、実施例１によれば、マスクた
わみ検出系２２でマスク１０のたわみが検出され、演算
装置３２でたわみ量の演算，このたわみ量を補正する気
圧制御量の算出が行われ、更に、気圧制御装置３４でマ
スクたわみ補正装置３８の気密室４０の気圧が制御され
る。このため、マスク１０の自重によるたわみに起因す
るパタ−ンの横ずれや像面の湾曲，マスク１０の熱的変
形に起因するディスト−ションや像面湾曲などが軽減さ
れて、良好にマスクパターンの投影を行うことが可能と
なる。

【００１９】

【実施例２】次に、図３を参照しながら実施例２につい
て説明する。なお、上述した実施例１と対応する構成部
分には同一の符号を用いることとする。実施例１では、
マスクのたわみ補正を気密室を利用して行ったが、この
実施例２では圧電素子を利用してマスクのたわみが補正
される。図３（A）には、実施例２の主要部の側面が示
されており、同図（B）にはマスクの平面が示されてい
る。これらの図において、マスク１０の上面の周縁に
は、適当な間隔で圧電素子５０Ａ〜５０Ｈが配置されて
いる。これら圧電素子５０Ａ〜５０Ｈは、マスク１０の
周囲を囲む断面略Ｌ字状の固定枠５２によって固定され
ている。マスク１０の下面の周縁は、マスクホルダ５４
のプラテン５４Ａ〜５４Ｈによって吸着保持されてい
る。前記固定枠５２は、マスクホルダ５４に固定されて
いる。

【００２０】圧電素子５０Ａ〜５０Ｈとプラテン５４Ａ
〜５４Ｈは、図３（B）に示すような平面配置となって
おり、圧電素子５０Ａ〜５０Ｈがプラテン５４Ａ〜５４
Ｈよりも外側となる配置構成となっている。

【００２１】上述したマスクたわみ検出系２２のディテ
クタ３０の出力側は演算装置５６に接続されており、こ
の演算装置５６の出力側は電圧制御装置５８に接続され
ている。そして、この電圧制御装置５８の出力側が、固
定枠５２を介して各圧電素子５０Ａ〜５０Ｈにそれぞれ
接続されている。演算装置５６は、ディテクタ３０から
入力される検出信号に基づいてマスク１０のたわみ量を
演算するとともに、このたわみ量を補正する圧電素子５
０Ａ〜５０Ｈの電圧制御量を算出する機能を備えてい
る。電圧制御装置５８は、入力された電圧制御量に基づ
いて、圧電素子５０Ａ〜５０Ｈの印加電圧を制御する機
能を備えている。

【００２２】次に、本実施例の作用を説明する。実施例
１と同様にして得られたマスクたわみ検出系２２による
検出信号は、演算装置５６に供給される。演算装置５６
では、入力信号からマスクたわみ量が演算され、更にこ
のたわみ量から各圧電素子５０Ａ〜５０Ｈの電圧制御量
が算出されて電圧制御装置５８に供給される。電圧制御
装置５８では、入力された電圧制御量に基づいて各圧電
素子５０Ａ〜５０Ｈの印加電圧が制御される。

【００２３】図３（C）には、同図（B）の＃３−＃３線
に沿って矢印方向に見た端面が示されている。マスク１
０は、通常は図２（B）に実線で示すように下方にたわ
む。本実施例によれば、図３（C）に示すように、マス
クホルダ５４のプラテン５４Ｃ，５４Ｈは圧電素子５０
Ｃ，５０Ｈよりも内側の配置となっている。このため、
圧電素子５０Ｃ，５０Ｈが伸長するような電圧を印加す
ると、マスク１０の端部が矢印ＦＡで示すようにたわむ
ようになる。すると、プラテン５４Ｃ，５４Ｈによる支
持位置との関係で、マスク１０の中央部分は矢印ＦＢで
示すように変位することとなる。すなわち、下方向のマ
スク１０のたわみが補正されるようになる。このような
圧電素子５０Ｃ，５０Ｈに対する印加電圧の制御が、電
圧制御装置５８によって行われる。他の圧電素子に対し
ても同様である。

【００２４】以上のように、本実施例によれば、マスク
たわみ検出系２２でマスク１０のたわみが検出され、演
算装置５６でたわみ量の演算，このたわみ量を補正する
電圧制御量の算出が行われ、更に、電圧制御装置５８で
圧電素子５０Ａ〜５０Ｈの印加電圧が制御されて、実施
例１と同様の効果を得ることができる。

【００２５】

【実施例３】次に、図４及び図５を参照しながら実施例
３について説明する。以下の実施例は、例えば特開平４
−１９６５１３号公報に開示されている走査型の露光装
置に対する例で、液晶表示素子などの製造に用いられ
る。照明光学系（図示せず）から出力されたスリット状
の光束１００は、矢印ＦＤで示すようにマスク１０２に
入射するようになっている。このマスク１０２の下側側
方には、上述したマスクたわみ検出系２２が設けられて
おり、そのディテクタ３０の出力側は演算装置１０４に
接続されている。

【００２６】マスク１０２の光透過側には投影光学系１
０６が設けられている。この投影光学系１０６には、図
５に主要部を分解して示すように、適当なレンズエレメ
ント１０８，１１０間に、外周に沿って当間隔に圧電素
子１１２Ａ〜１１２Ｃが設けられている。すなわち、圧
電素子１１２Ａ〜１１２Ｃが伸縮することによって、レ
ンズエレメント１０８，１１０の間隔が制御できるよう
になっている。また、圧電素子１１２Ａ〜１１２Ｃによ
る３点支持の構成となっているため、レンズエレメント
１０８を投影光学系１０６の光軸に垂直な面に対して傾
けることもできる。これらの動作により、マスク１０２
のたわみに起因する投影像の変動，例えば投影倍率やデ
ィストーションなどが補正されるようになっている。

【００２７】これら圧電素子１１２Ａ〜１１２Ｃに対す
る印加電圧の制御は、電圧制御装置１１８によって行わ
れるようになっており、上述した演算装置１０４の出力
側が電圧制御装置１１８に接続されている。投影光学系
１０６の光透過側にはガラスプレート１２０が配置され
ている。マスク１０２とガラスプレート１２０は、投影
倍率を考慮した速度で反対方向に同期走査される。例え
ば、マスク１０２が矢印ＦＥ方向に移動するときは、ガ
ラスプレート１２０は矢印ＦＦ方向に移動する。

【００２８】以上のように構成された実施例３の作用を
説明する。よく知られているように、走査型の露光装置
の場合、マスク１０２及びガラスプレート１２０が投影
光学系１０６に対して同期走査され、マスクパターンの
像が逐次ガラスプレート側に投影される。本実施例で
は、矢印ＦＥ方向にマスク１０２が移動するとともに、
ガラスプレート１２０が矢印ＦＦ方向に投影倍率を考慮
した速度で同期移動する。すると、スリット状の光束１
００がマスク１０２を相対的に走査し、これによってマ
スクパターン像がガラスプレート１２０上に逐次投影さ
れる。

【００２９】この場合において、マスク１０２にたわみ
が生ずると、これが上述した実施例と同様にマスクたわ
み検出系２２で検出され、そのたわみ量が演算装置１０
４で演算される。演算装置１０４では、更に、たわみ量
の演算結果を利用して、マスク１０２のたわみによる投
影像の変動が求められ、この投影像の変動を補正するた
めに必要な圧電素子の電圧制御量が算出される。この電
圧制御量は電圧制御装置１１８に供給され、更には投影
光学系１０６の圧電素子１１２Ａ〜１１２Ｃに対する印
加電圧が制御される。このような投影光学系１０６のレ
ンズエレメントの制御により、レンズエレメント１０
８，１１０の位置関係が変動し、ひいてはマスクたわみ
に起因する投影像の変動が修正されることとなる。

【００３０】

【実施例４】次に、図６を参照しながら実施例４につい
て説明する。この実施例も走査型の露光装置の例であ
る。照明光学系（図示せず）から出力されたスリット状
の光束１７０は、マスク１７２を移動することによっ
て、矢印ＦＰで示すようにｘ方向に相対的にマスク１７
２を走査する。マスク１７２の走査と同期してガラスプ
レート（図示せず）を移動することで、マスク１７２の
パターンがガラスプレート上に逐次投影される。

【００３１】ところで、マスク１７２は、矢印ＦＱ，Ｆ
Ｒで示すようにｚ方向に自重などによってたわむ。従っ
て、理想的には矢印ＦＱ，ＦＲの両方についてマスク１
７２のたわみを補正する。しかし、上述したように、光
束１７０は、走査方向であるｘ方向には幅が狭く、直交
するｙ方向には幅が広い。このような光束１７０の照射
範囲に着目すれば、矢印ＦＱで示すたわみについてはフ
ォーカスもしくはレベリングの制御を行うことで対応
し、矢印ＦＲで示すたわみのみを補正することで、実用
上良好なパターン投影を行うことが可能となる。

【００３２】そこで本実施例では、圧電素子１７４Ａ〜
１７４Ｆが、矢印ＦＲで示すたわみを補正できる位置，
すなわちマスク１７２における光束１７０の移動方向の
端部にそれぞれ配置されている。マスク１７２のたわみ
の検出と補正の手法は、前記実施例２と同様である。例
えば、光束１７０が圧電素子１７４Ｃ，１７４Ｄの近傍
に位置するときは、それらの圧電素子によってたわみを
補正するという具合である。これにより、マスク１７２
が矢印ＦＳで示すように補正変形し、これが矢印ＦＲで
示すたわみとキャンセルすることとなる。

【００３３】

【他の実施例】この発明には数多くの実施の形態があ
り、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能で
ある。例えば、次のようなものも含まれる。（1）前記実施例１では、マスクのたわみ補正に気体を
利用したが、液体を用いることを妨げるものではない。
しかし、マスクの取り付けや流体の外部漏れなどの点を
考慮すると、気体の方が好ましい。

【００３４】（2）前記実施例では、いずれか一点でマ
スクのたわみを検出したが、複数の点で検出して平均や
最小二乗法により最適なたわみ補正量を演算するように
してもよい。複数の点でたわみを検出する手法として
は、上述したマスクたわみ検出系を複数設けるようにし
てもよいが、例えば一つの光源から出力された光から回
折格子を利用して複数のビームを得るようにすれば、構
成を簡略化できる。

【００３５】（3）前記実施例２，３，４において、複
数の点でマスクのたわみを検出し、これらの検出結果に
対応して電圧制御量を圧電素子毎に独立して設定すれ
ば、非対称にマスクがたわんだような場合にも良好にそ
の補正を行うことが可能となる。

【００３６】（4）前記実施例では圧電素子をアクチュ
エータとして使用したが、アクチュエータとしては他に
電歪素子，磁歪素子など各種のものが知られており、何
れを用いるようにしてもよい。また、アクチュエータの
数も、必要に応じて適宜増減してよい。

【００３７】（5）前記実施例を組み合わせてもよい。
例えば、実施例３の投影光学系側でたわみ補正を行う手
法を、実施例１，２に示した通常のウエハ用露光装置に
適用してもよい。

【００３８】（6）実施例３において、マスクたわみの
検出点を、マスクの走査方向に関して光束１００の照射
領域の両側に設定し、マスクの走査方向に対して光束１
００の照射領域の手前でマスクのたわみ量を検出するよ
うにすれば、光束１００の照明領域内のマスクのたわみ
量に応じた、マスクパターン投影像の補正をリアルタイ
ムに行うことも可能である。

【００３９】なお、上記実施例は、マスクのパターンを
ガラスプレート上に転写する液晶表示素子用の露光装置
において説明したが、マスクのパターンをウエハ上に転
写する半導体素子製造用の露光装置にも適用できること
はいうまでもない。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクのたわみを検出してマスクのたわみもしくは投影
像を補正することとしたので、マスクの自重によるたわ
みによって生じるパタ−ンの横ずれや像面の湾曲，熱的
なマスクの変形によって生じるディスト−ションや像面
湾曲などが低減されて、マスクパターンの投影を良好に
行うことができ、更には正確で安定したマスクパターン
の投影像が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の投影露光装置の主要構成を
示す図である。

【図２】マスクのたわみとマスクたわみ検出系の作用を
示す図である。（A）は基準状態，（B）及び（C）はた
わんだ状態を示す。

【図３】実施例２の主要部を示す図である。（A）は装
置の主要構成，（B）は主要部の平面，（C）は（B）の
＃３−＃３線に沿って矢印方向に見た端面を示す。

【図４】実施例３の主要部を示す斜視図である。

【図５】実施例３の主要部を示す分解斜視図である。

【図６】実施例４の主要部を示す斜視図である。

【図７】背景技術の問題点を示す図である。

【符号の説明】

１０，１０２，１７２…マスク１２…マスクホルダ１４…光源１６…照明光学系１８，１０６…投影光学系２０…ウエハ２２…マスクたわみ検出系２４…光源２６…投影レンズ２８…受光レンズ３０…ディテクタ３２，５６，１０４…演算装置３４…気圧制御装置３６…パイプ３８…マスクたわみ補正装置４０…気密室５０Ａ〜５０Ｈ，１１２Ａ〜１１２Ｃ，１７４Ａ〜１７
４Ｆ…圧電素子５２…固定枠５４Ａ〜５４Ｈ…プラテン５８，１１８…電圧制御装置１００，１７０…光束１０８，１１０…レンズエレメント１２０…ガラスプレート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに形成されたパターンの像を露光
対象に投影する投影露光装置において、前記マスクのたわみを検出するたわみ検出手段と；前記
マスクのたわみを補正するたわみ補正手段と；前記マス
クたわみ検出手段による検出結果に基づいて前記たわみ
補正手段におけるたわみ補正量を演算する演算手段と；
この演算手段によって演算されたたわみ補正量に応じて
前記たわみ補正手段を制御する制御手段と；を備えたこ
とを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】前記たわみ検出手段は、前記マスクに斜方向から光を照射する光照射手段と；こ
の光照射手段によって照射された光の前記マスクによる
反射光を検出し、その受光位置の変化に対応した検出信
号を出力する光検出手段と；を備えたことを特徴とする
請求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】前記たわみ補正手段は、気圧の変動によ
って前記マスクのたわみを調整することを特徴とする請
求項１又は２記載の投影露光装置。
【請求項４】前記たわみ補正手段は、圧電素子の伸縮
によって前記マスクのたわみを調整することを特徴とす
る請求項１又は２記載の投影露光装置。
【請求項５】マスクに形成されたパターンの像を投影
光学系を介して基板上に投影露光する投影露光装置にお
いて、前記投影光学系の結像特性を調整する調整手段と；前記
マスクのたわみ量を検出するたわみ検出手段と；前記た
わみ検出手段で検出された前記マスクのたわみ量に基づ
いて前記調整手段を制御する制御手段と；を備えたこと
を特徴とする投影露光装置。
【請求項６】前記マスクと前記基板とを同期移動する
ことにより、前記マスクのパターンを前記基板上に走査
露光することを特徴とする請求項５記載の投影露光装
置。