JPH08102437A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
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- JPH08102437A JPH08102437A JP6236766A JP23676694A JPH08102437A JP H08102437 A JPH08102437 A JP H08102437A JP 6236766 A JP6236766 A JP 6236766A JP 23676694 A JP23676694 A JP 23676694A JP H08102437 A JPH08102437 A JP H08102437A
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- JP
- Japan
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- wafer
- scanning
- photosensitive substrate
- scanning direction
- exposure apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクと感光基板とを同期してそれぞれ所定
の方向に走査することによりマスク上のパターンを逐次
感光基板上に露光する走査型露光装置において、広いシ
ョット領域の全面で感光基板の表面と投影光学系の結像
面とのずれを少なくする。 【構成】 ウエハホルダ23上に走査方向に平行に凸状
の接触部24a〜24cを形成し、これら接触部上にウ
エハ5の裏面を吸着するための吸着溝25a〜25cを
形成する。接触部24a〜24cの間にZ方向に上下移
動自在に設けた駆動部材31a〜31dによりウエハ5
の裏面を押して、ウエハ5の非走査方向の曲がりを補正
する。
の方向に走査することによりマスク上のパターンを逐次
感光基板上に露光する走査型露光装置において、広いシ
ョット領域の全面で感光基板の表面と投影光学系の結像
面とのずれを少なくする。 【構成】 ウエハホルダ23上に走査方向に平行に凸状
の接触部24a〜24cを形成し、これら接触部上にウ
エハ5の裏面を吸着するための吸着溝25a〜25cを
形成する。接触部24a〜24cの間にZ方向に上下移
動自在に設けた駆動部材31a〜31dによりウエハ5
の裏面を押して、ウエハ5の非走査方向の曲がりを補正
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクと感光基板とを
同期してそれぞれ所定の方向に走査することによりマス
ク上のパターンを逐次感光基板上に露光する走査型露光
装置に関し、特に感光基板上の各ショット領域をステッ
ピング方式で走査開始位置に移動した後、それらショッ
ト領域に走査露光方式でマスクパターンを露光するステ
ップ・アンド・スキャン方式の投影式走査型露光装置に
適用して好適なものである。
同期してそれぞれ所定の方向に走査することによりマス
ク上のパターンを逐次感光基板上に露光する走査型露光
装置に関し、特に感光基板上の各ショット領域をステッ
ピング方式で走査開始位置に移動した後、それらショッ
ト領域に走査露光方式でマスクパターンを露光するステ
ップ・アンド・スキャン方式の投影式走査型露光装置に
適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、レチクル又はフォト
マスクのパターンを感光材が塗布されたウエハ(又はガ
ラスプレート等)上の各ショット領域に露光する露光装
置が使用されている。この種の露光装置としては、ウエ
ハが載置されたウエハステージを歩進(ステッピング)
させて、レチクルのパターンをウエハ上の各ショット領
域に順次露光する動作を繰り返す、所謂ステップ・アン
ド・リピート方式の露光装置(ステッパー等)が多く使
われていた。
リソグラフィ工程で製造する際に、レチクル又はフォト
マスクのパターンを感光材が塗布されたウエハ(又はガ
ラスプレート等)上の各ショット領域に露光する露光装
置が使用されている。この種の露光装置としては、ウエ
ハが載置されたウエハステージを歩進(ステッピング)
させて、レチクルのパターンをウエハ上の各ショット領
域に順次露光する動作を繰り返す、所謂ステップ・アン
ド・リピート方式の露光装置(ステッパー等)が多く使
われていた。
【0003】図7は、従来のステッパ型の投影露光装置
の概略構成を示し、この図7において照明光学系ALか
らの露光用照明光ILは、レチクルホルダ102に保持
されたレチクル101上の回路パターンを照明し、レチ
クル101を透過した光が投影光学系103を介してウ
エハ104上に達し、レチクル101上のパターンの像
を結像する。ウエハ104上にはフォトレジストが塗布
されており、そのフォトレジスト上にレチクル101上
の回路パターンが投影露光される。ここで、投影光学系
103の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平
面内で図7の紙面に垂直にY軸を、図1の紙面に平行に
X軸を取る。
の概略構成を示し、この図7において照明光学系ALか
らの露光用照明光ILは、レチクルホルダ102に保持
されたレチクル101上の回路パターンを照明し、レチ
クル101を透過した光が投影光学系103を介してウ
エハ104上に達し、レチクル101上のパターンの像
を結像する。ウエハ104上にはフォトレジストが塗布
されており、そのフォトレジスト上にレチクル101上
の回路パターンが投影露光される。ここで、投影光学系
103の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平
面内で図7の紙面に垂直にY軸を、図1の紙面に平行に
X軸を取る。
【0004】ウエハ104はウエハステージ106上の
ウエハホルダ105上に真空吸着により保持されてい
る。ウエハステージ106の所定の端部には移動鏡10
7が固定され、ウエハステージ106の周辺に配置され
たレーザ干渉計113と移動鏡107とによりウエハス
テージ106の位置が計測される。また、ウエハステー
ジ106は、不図示の駆動系により光軸AXに垂直なX
方向及びY方向に移動することができ、このウエハステ
ージ106を介してウエハ104の各ショット領域を露
光位置に移動させ、各ショット領域毎の一括露光を繰り
返しながら行う、所謂ステップ・アンド・リピート方式
によりウエハ104の全面にレチクル101上の回路パ
ターンが露光転写される。
ウエハホルダ105上に真空吸着により保持されてい
る。ウエハステージ106の所定の端部には移動鏡10
7が固定され、ウエハステージ106の周辺に配置され
たレーザ干渉計113と移動鏡107とによりウエハス
テージ106の位置が計測される。また、ウエハステー
ジ106は、不図示の駆動系により光軸AXに垂直なX
方向及びY方向に移動することができ、このウエハステ
ージ106を介してウエハ104の各ショット領域を露
光位置に移動させ、各ショット領域毎の一括露光を繰り
返しながら行う、所謂ステップ・アンド・リピート方式
によりウエハ104の全面にレチクル101上の回路パ
ターンが露光転写される。
【0005】図8(A)は図7のウエハホルダ105を
拡大した平面図、図8(B)は図8(A)のII線に沿
う断面図、図8(C)は図8(B)の一部の拡大図を示
す。この図8(A)に示すように、円形のウエハホルダ
105の上面には、ウエハホルダ105の外周部から中
心部に向けてウエハ104の裏面と接触してウエハ10
4を保持する同心円状の複数の凸部よりなる接触部11
0a〜110eが設けられている。また、これらの接触
部110a〜110eのほぼ中央部に沿ってウエハ10
4を真空吸着するための同心円状の複数の吸着溝108
a〜108eが順次形成されている。そして、吸着溝1
08a〜108eのそれぞれの底部の所々に外部の真空
ポンプに接続された排気孔112a等が設けられている
(図8(C)参照)。また、それぞれの接触部110a
〜110eの間の複数の平坦部109a〜109e、及
びそれら接触部の外側の平坦部114はウエハ104に
は接触しないため、ウエハホルダ105とウエハ104
との接触面積が小さくなっている。
拡大した平面図、図8(B)は図8(A)のII線に沿
う断面図、図8(C)は図8(B)の一部の拡大図を示
す。この図8(A)に示すように、円形のウエハホルダ
105の上面には、ウエハホルダ105の外周部から中
心部に向けてウエハ104の裏面と接触してウエハ10
4を保持する同心円状の複数の凸部よりなる接触部11
0a〜110eが設けられている。また、これらの接触
部110a〜110eのほぼ中央部に沿ってウエハ10
4を真空吸着するための同心円状の複数の吸着溝108
a〜108eが順次形成されている。そして、吸着溝1
08a〜108eのそれぞれの底部の所々に外部の真空
ポンプに接続された排気孔112a等が設けられている
(図8(C)参照)。また、それぞれの接触部110a
〜110eの間の複数の平坦部109a〜109e、及
びそれら接触部の外側の平坦部114はウエハ104に
は接触しないため、ウエハホルダ105とウエハ104
との接触面積が小さくなっている。
【0006】図8(B)において、最も外側の接触部1
10aに形成された吸着溝108aは、接触部110a
の上面とウエハ104の裏面とを緊密に接触させること
により密閉構造となり、吸着溝108aの中を真空状態
にすることによりウエハ104がウエハホルダ105上
に吸着保持される。
10aに形成された吸着溝108aは、接触部110a
の上面とウエハ104の裏面とを緊密に接触させること
により密閉構造となり、吸着溝108aの中を真空状態
にすることによりウエハ104がウエハホルダ105上
に吸着保持される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
ステッパ等の一括露光方式の露光装置では、同心円状の
接触部を有するウエハホルダが使用されていた。この場
合、ウエハは種々のプロセスを経ることにより、その表
面には常に反りや歪みが生ずる恐れがある。ウエハの表
面に反りや歪みがあると、ウエハの表面を投影光学系に
よる結像面に対して焦点深度の範囲内で合わせるのが困
難となるが、従来の一括露光方式では露光フィールドが
狭いため、特にウエハホルダに補正機構を設けるまでも
なく、ウエハの表面を結像面に合わせることができてい
た。
ステッパ等の一括露光方式の露光装置では、同心円状の
接触部を有するウエハホルダが使用されていた。この場
合、ウエハは種々のプロセスを経ることにより、その表
面には常に反りや歪みが生ずる恐れがある。ウエハの表
面に反りや歪みがあると、ウエハの表面を投影光学系に
よる結像面に対して焦点深度の範囲内で合わせるのが困
難となるが、従来の一括露光方式では露光フィールドが
狭いため、特にウエハホルダに補正機構を設けるまでも
なく、ウエハの表面を結像面に合わせることができてい
た。
【0008】ところが、最近は投影光学系を大型化する
ことなく、半導体素子等のチップパターンが大面積化す
るのに対応するため、レチクルとウエハとを同期して走
査することにより、レチクルの大きなパターン像をウエ
ハ上に逐次露光するスリットスキャン方式等の走査型露
光装置が注目されている。このような走査型露光装置で
上述の同心円状の接触部を有するウエハホルダを利用し
ても、走査露光が行われる広いショット領域の全面で、
ウエハの表面を結像面に合わせるのは困難であるという
不都合があった。
ことなく、半導体素子等のチップパターンが大面積化す
るのに対応するため、レチクルとウエハとを同期して走
査することにより、レチクルの大きなパターン像をウエ
ハ上に逐次露光するスリットスキャン方式等の走査型露
光装置が注目されている。このような走査型露光装置で
上述の同心円状の接触部を有するウエハホルダを利用し
ても、走査露光が行われる広いショット領域の全面で、
ウエハの表面を結像面に合わせるのは困難であるという
不都合があった。
【0009】なお、ウエハの表面と結像面とが合致しな
い場合には主に図9に示す場合がある。図9(A)は、
投影光学系の収差等により結像面が湾曲している例を示
す図、図9(B)はウエハの表面が反っている例を示す
図である。図9(A)において、ウエハの表面(ウエハ
面)S1は歪みも傾斜もなく平坦性を保っているが、結
像面F1は湾曲している。このため、結像面F1とウエ
ハの表面S1とが一致する点P1及びP2以外の点にお
いて結像位置の誤差が生じ像は不鮮明となる。一方、図
9(B)において、結像面F2は湾曲もなくフラットで
あるが、ウエハ面S2は反っている。このため、結像面
F2とウエハ面S2とが一致する点P3及びP4以外の
点における結像位置の誤差が生じ像は不鮮明となる。従
って、そのウエハの表面と結像面とを一致させることが
できるウエハホルダが望まれていた。
い場合には主に図9に示す場合がある。図9(A)は、
投影光学系の収差等により結像面が湾曲している例を示
す図、図9(B)はウエハの表面が反っている例を示す
図である。図9(A)において、ウエハの表面(ウエハ
面)S1は歪みも傾斜もなく平坦性を保っているが、結
像面F1は湾曲している。このため、結像面F1とウエ
ハの表面S1とが一致する点P1及びP2以外の点にお
いて結像位置の誤差が生じ像は不鮮明となる。一方、図
9(B)において、結像面F2は湾曲もなくフラットで
あるが、ウエハ面S2は反っている。このため、結像面
F2とウエハ面S2とが一致する点P3及びP4以外の
点における結像位置の誤差が生じ像は不鮮明となる。従
って、そのウエハの表面と結像面とを一致させることが
できるウエハホルダが望まれていた。
【0010】本発明は斯かる点に鑑み、ショット領域の
拡大というニーズに応えつつ、その広いショット領域の
全面でウエハ面と結像面とを焦点深度の範囲内で容易に
一致させることができる走査型露光装置を提供すること
を目的とする。
拡大というニーズに応えつつ、その広いショット領域の
全面でウエハ面と結像面とを焦点深度の範囲内で容易に
一致させることができる走査型露光装置を提供すること
を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による走査型露光
装置は、転写用のパターン(MP)が形成されたマスク
(12)を照明し、そのマスク(12)を第1の走査方
向(+Y方向)に走査するのと同期して、移動ステージ
(2,23)を介して感光基板(5)をその第1の走査
方向に対応する第2の走査方向(−Y方向)に走査する
ことにより、その感光基板(5)上にそのマスク(1
2)のパターン(MP)を逐次露光する走査型露光装置
において、その移動ステージ(2,23)のその感光基
板(5)との接触部を、その第2の走査方向に平行な方
向に延びた複数の直線状の凸部(24a〜24i)とし
たものである。
装置は、転写用のパターン(MP)が形成されたマスク
(12)を照明し、そのマスク(12)を第1の走査方
向(+Y方向)に走査するのと同期して、移動ステージ
(2,23)を介して感光基板(5)をその第1の走査
方向に対応する第2の走査方向(−Y方向)に走査する
ことにより、その感光基板(5)上にそのマスク(1
2)のパターン(MP)を逐次露光する走査型露光装置
において、その移動ステージ(2,23)のその感光基
板(5)との接触部を、その第2の走査方向に平行な方
向に延びた複数の直線状の凸部(24a〜24i)とし
たものである。
【0012】この場合、その移動ステージ(2,23)
に、それら複数の直線状の凸部(24a〜24i)上に
載置されるその感光基板(5)のその第2の走査方向に
直交する非走査方向(X方向)での高さ分布を調整する
高さ分布調整手段を設けることが望ましい。また、その
高さ分布調整手段の一例は、その移動ステージ(2,2
3)上でそれらの複数の直線状の凸部(24a〜24
i)の間に上下移動自在に配置された移動部材(31
a,31b)と、この移動部材を上下移動させる駆動手
段(34a,34b)とから構成されるものである。
に、それら複数の直線状の凸部(24a〜24i)上に
載置されるその感光基板(5)のその第2の走査方向に
直交する非走査方向(X方向)での高さ分布を調整する
高さ分布調整手段を設けることが望ましい。また、その
高さ分布調整手段の一例は、その移動ステージ(2,2
3)上でそれらの複数の直線状の凸部(24a〜24
i)の間に上下移動自在に配置された移動部材(31
a,31b)と、この移動部材を上下移動させる駆動手
段(34a,34b)とから構成されるものである。
【0013】また、その高さ分布調整手段の別の例は、
その移動ステージ(2,23)上のそれらの複数の直線
状の凸部(24a〜24i)とその感光基板(5)とで
形成される少なくとも一部の空間内の気体の圧力を調整
する圧力可変手段(35a,42,43)である。
その移動ステージ(2,23)上のそれらの複数の直線
状の凸部(24a〜24i)とその感光基板(5)とで
形成される少なくとも一部の空間内の気体の圧力を調整
する圧力可変手段(35a,42,43)である。
【0014】
【作用】斯かる本発明の走査型露光装置によれば、移動
ステージ(2,23)と感光基板(5)との接触部を、
走査方向(Y方向)に平行な方向に延びた複数の直線状
の凸部(24a〜24i)としているので、従来の同心
円状の接触部を有する場合に比較して基本的に感光基板
(5)の走査方向の凹凸を小さくすることができる。更
に、非走査方向に対しては感光基板(5)は主に下方に
反り易くなるが、その反りの状態は一様であるため、容
易に補正できる。従って、感光基板(5)上の広いショ
ット領域の全面でその表面と結像面とを焦点深度の範囲
内で容易に一致させることができる。更に、移動ステー
ジ(2,23)上に非走査方向での感光基板(5)の高
さ分布を調整する高さ分布調整手段を設けた場合には、
その感光基板(5)の非走査方向への反り等を正確に補
正できる。
ステージ(2,23)と感光基板(5)との接触部を、
走査方向(Y方向)に平行な方向に延びた複数の直線状
の凸部(24a〜24i)としているので、従来の同心
円状の接触部を有する場合に比較して基本的に感光基板
(5)の走査方向の凹凸を小さくすることができる。更
に、非走査方向に対しては感光基板(5)は主に下方に
反り易くなるが、その反りの状態は一様であるため、容
易に補正できる。従って、感光基板(5)上の広いショ
ット領域の全面でその表面と結像面とを焦点深度の範囲
内で容易に一致させることができる。更に、移動ステー
ジ(2,23)上に非走査方向での感光基板(5)の高
さ分布を調整する高さ分布調整手段を設けた場合には、
その感光基板(5)の非走査方向への反り等を正確に補
正できる。
【0015】基本的に、走査型の露光装置ではスリット
状の露光領域の走査方向の長さは短く、露光用のマスク
(12)と感光基板(5)とを走査する際に、感光基板
(5)面のフォーカス位置(高さ)と傾斜角とを計測し
て感光基板(5)を結像面に合わせることができるの
で、走査方向における感光基板の表面と結像面との一致
度は高い。しかしながら、長手方向(非走査方向)に関
しては一括で露光されるので、感光基板(5)の曲がり
や結像面の像面湾曲による焦点ずれを軽減することがで
きない。
状の露光領域の走査方向の長さは短く、露光用のマスク
(12)と感光基板(5)とを走査する際に、感光基板
(5)面のフォーカス位置(高さ)と傾斜角とを計測し
て感光基板(5)を結像面に合わせることができるの
で、走査方向における感光基板の表面と結像面との一致
度は高い。しかしながら、長手方向(非走査方向)に関
しては一括で露光されるので、感光基板(5)の曲がり
や結像面の像面湾曲による焦点ずれを軽減することがで
きない。
【0016】しかし本発明においては、走査方向に平行
に接触部を配置し、且つ高さ分布調整手段を設けたの
で、基本的に感光基板(5)の非走査方向の曲がりを容
易に補正することができる。更に、例えばその凸状の接
触部(24a〜24i)が感光基板(5)上のショット
領域間のストリートラインの真下に来るようにした場合
には、移動ステージ(2,23)の接触部(24a〜2
4i)上に塵等の異物が付着すると、感光基板(5)の
異物上の表面は凸部状に突き出るが、感光基板5の曲が
りの大きな部分は接触部(24a〜24i)の上部、即
ち、回路パターンの外側のストリートラインに位置する
ため、その回路パターンの転写精度に直接影響を与える
ことはない。また、例えば図3に示すように接触部(2
4a)と次の接触部(24b)との間の感光基板(5)
の部分は所定のショット領域にあるので、マスク(1
2)のパターンの投影倍率を変えることにより横方向へ
のずれ量を少なくすることができる。
に接触部を配置し、且つ高さ分布調整手段を設けたの
で、基本的に感光基板(5)の非走査方向の曲がりを容
易に補正することができる。更に、例えばその凸状の接
触部(24a〜24i)が感光基板(5)上のショット
領域間のストリートラインの真下に来るようにした場合
には、移動ステージ(2,23)の接触部(24a〜2
4i)上に塵等の異物が付着すると、感光基板(5)の
異物上の表面は凸部状に突き出るが、感光基板5の曲が
りの大きな部分は接触部(24a〜24i)の上部、即
ち、回路パターンの外側のストリートラインに位置する
ため、その回路パターンの転写精度に直接影響を与える
ことはない。また、例えば図3に示すように接触部(2
4a)と次の接触部(24b)との間の感光基板(5)
の部分は所定のショット領域にあるので、マスク(1
2)のパターンの投影倍率を変えることにより横方向へ
のずれ量を少なくすることができる。
【0017】以上のように非走査方向の焦点ずれを少な
くできる特徴は、ショット領域を拡大できる走査型の露
光装置を採用する上で極めて有効なものである。即ち、
走査型露光法では、走査方向に短い矩形(又は円弧状
等)の露光領域を用いるために、例えば図4(A)に示
されるように投影光学系による円形の有効露光領域(3
7)をステッパ型の一括露光方式に比較して非走査方向
に長く利用できる。
くできる特徴は、ショット領域を拡大できる走査型の露
光装置を採用する上で極めて有効なものである。即ち、
走査型露光法では、走査方向に短い矩形(又は円弧状
等)の露光領域を用いるために、例えば図4(A)に示
されるように投影光学系による円形の有効露光領域(3
7)をステッパ型の一括露光方式に比較して非走査方向
に長く利用できる。
【0018】走査型露光法による矩形の露光領域(3
6)の走査方向及び非走査方向の長さをそれぞれM及び
Lとし、破線で示される一括露光方式での正方形の露光
領域の一辺の長さをFとすると、走査型露光法の場合、
一括露光方式での露光領域F×Fより非走査方向に(L
−F)だけ大きい露光領域が可能である。また、走査方
向には走査長を任意にとることができる点も露光範囲を
拡大する上で有利である。
6)の走査方向及び非走査方向の長さをそれぞれM及び
Lとし、破線で示される一括露光方式での正方形の露光
領域の一辺の長さをFとすると、走査型露光法の場合、
一括露光方式での露光領域F×Fより非走査方向に(L
−F)だけ大きい露光領域が可能である。また、走査方
向には走査長を任意にとることができる点も露光範囲を
拡大する上で有利である。
【0019】しかしながら、このような走査型露光装置
の特徴を生かすためには、感光基板(5)の表面と投影
光学系の結像面との非走査方向でのずれが小さいことが
必要であり、本発明により走査型露光装置の広いショッ
ト領域が有効に活用できる。また、高さ分布調整手段
が、移動ステージ(2,23)上で複数の直線状の凸部
(24a〜24i)の間に上下移動自在に配置された移
動部材(31a,31b)と、この移動部材を上下移動
させる駆動手段(34a,34b)とから構成されてい
る場合には、比較的簡単な構造で感光基板(5)を押し
上げることにより、速い応答速度で感光基板(5)の高
さ分布を補正することができる。
の特徴を生かすためには、感光基板(5)の表面と投影
光学系の結像面との非走査方向でのずれが小さいことが
必要であり、本発明により走査型露光装置の広いショッ
ト領域が有効に活用できる。また、高さ分布調整手段
が、移動ステージ(2,23)上で複数の直線状の凸部
(24a〜24i)の間に上下移動自在に配置された移
動部材(31a,31b)と、この移動部材を上下移動
させる駆動手段(34a,34b)とから構成されてい
る場合には、比較的簡単な構造で感光基板(5)を押し
上げることにより、速い応答速度で感光基板(5)の高
さ分布を補正することができる。
【0020】また、高さ分布調整手段が、移動ステージ
(2,23)上の複数の直線状の凸部(24a〜24
i)とその感光基板(5)とで形成される少なくとも一
部の空間内の気体の圧力を調整する圧力可変手段(35
a,42,43)である場合には、感光基板(5)の非
走査方向の曲がりを全体的に滑らかに修正することがで
きると共に、感光基板(5)が凹状に反っているときに
は気体の圧力を高め、凸状に反っているときには負圧に
することにより、感光基板(5)の凹状又は凸状の何れ
の反りにも対応できる。
(2,23)上の複数の直線状の凸部(24a〜24
i)とその感光基板(5)とで形成される少なくとも一
部の空間内の気体の圧力を調整する圧力可変手段(35
a,42,43)である場合には、感光基板(5)の非
走査方向の曲がりを全体的に滑らかに修正することがで
きると共に、感光基板(5)が凹状に反っているときに
は気体の圧力を高め、凸状に反っているときには負圧に
することにより、感光基板(5)の凹状又は凸状の何れ
の反りにも対応できる。
【0021】
【実施例】以下、本発明による走査型露光装置の一実施
例につき、図1〜図5を参照して説明する。本例は本発
明をスリットスキャン型の投影露光装置に適用したもの
である。図1は、本実施例の露光装置の構成を示し、こ
の図1において、照明光学系ALからの照明光ILによ
ってレチクル12上の回路パターンMPが投影光学系8
を介してウエハ5上に投影露光される。ここで、投影光
学系8の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平
面内で図1の紙面に垂直にY軸を、図1の紙面に平行に
X軸を取る。
例につき、図1〜図5を参照して説明する。本例は本発
明をスリットスキャン型の投影露光装置に適用したもの
である。図1は、本実施例の露光装置の構成を示し、こ
の図1において、照明光学系ALからの照明光ILによ
ってレチクル12上の回路パターンMPが投影光学系8
を介してウエハ5上に投影露光される。ここで、投影光
学系8の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平
面内で図1の紙面に垂直にY軸を、図1の紙面に平行に
X軸を取る。
【0022】また、投影光学系8の投影倍率をβとする
と、上記のレチクル12の回路パターンMPがウエハ5
の表面に露光される際に、照明光ILによるスリット状
の照明領域36(図5参照)に対して、レチクル12が
図1の紙面に垂直な−Y方向(又は+Y方向)に一定速
度VR で走査されるのに同期して、ウエハ5は図1の紙
面に垂直な+Y方向(又は−Y方向)に一定速度V
W (=β・VR )で走査される。
と、上記のレチクル12の回路パターンMPがウエハ5
の表面に露光される際に、照明光ILによるスリット状
の照明領域36(図5参照)に対して、レチクル12が
図1の紙面に垂直な−Y方向(又は+Y方向)に一定速
度VR で走査されるのに同期して、ウエハ5は図1の紙
面に垂直な+Y方向(又は−Y方向)に一定速度V
W (=β・VR )で走査される。
【0023】レチクルベース9上には走査方向(Y方
向)に移動自在にレチクルYステージ10が載置されて
おり、レチクルステージ10上にX方向、Y方向及びθ
方向(回転方向)に微小で且つ高精度の位置制御ができ
るようにレチクル微動ステージ11が載置され、レチク
ル微動ステージ11上にレチクル12が保持されてい
る。レチクル微動ステージ11上の端部には移動鏡21
が固定されており、この移動鏡21とレチクルベース9
上の端部に配置されたレーザ干渉計14とにより、レチ
クル微動ステージ11のX方向及びY方向の位置が例え
ば0.01μm程度の分解能で常時検出されている。
向)に移動自在にレチクルYステージ10が載置されて
おり、レチクルステージ10上にX方向、Y方向及びθ
方向(回転方向)に微小で且つ高精度の位置制御ができ
るようにレチクル微動ステージ11が載置され、レチク
ル微動ステージ11上にレチクル12が保持されてい
る。レチクル微動ステージ11上の端部には移動鏡21
が固定されており、この移動鏡21とレチクルベース9
上の端部に配置されたレーザ干渉計14とにより、レチ
クル微動ステージ11のX方向及びY方向の位置が例え
ば0.01μm程度の分解能で常時検出されている。
【0024】また、ウエハベース1上には、走査方向
(Y方向)に移動自在にウエハYステージ2が載置さ
れ、ウエハYステージ2上にはX方向に移動自在にウエ
ハXステージ3が載置されている。また、ウエハXステ
ージ3上にはZ方向及びθ方向に微動できると共に傾斜
角の補正ができるZレベリングステージ4が載置されて
いる。ウエハ5は、Zレベリングステージ4上に載置さ
れたウエハホルダ23上に真空吸着により保持されてお
り、Zレベリングステージ4上の端部に設けられた移動
鏡7と外部に配置されたレーザ干渉計13とによりZレ
ベリングステージ4のX方向、Y方向及びθ方向の位置
が常時高精度に検出されている。なお、ウエハホルダ2
3については、後で詳しく述べる。
(Y方向)に移動自在にウエハYステージ2が載置さ
れ、ウエハYステージ2上にはX方向に移動自在にウエ
ハXステージ3が載置されている。また、ウエハXステ
ージ3上にはZ方向及びθ方向に微動できると共に傾斜
角の補正ができるZレベリングステージ4が載置されて
いる。ウエハ5は、Zレベリングステージ4上に載置さ
れたウエハホルダ23上に真空吸着により保持されてお
り、Zレベリングステージ4上の端部に設けられた移動
鏡7と外部に配置されたレーザ干渉計13とによりZレ
ベリングステージ4のX方向、Y方向及びθ方向の位置
が常時高精度に検出されている。なお、ウエハホルダ2
3については、後で詳しく述べる。
【0025】更に、図示省略されているが、図1中には
投影光学系8の結像面付近のウエハ5の露光面に向け
て、光軸AXに対して斜めにピンホール、あるいはスリ
ットパターン等の像を投影する照射光学系と、その投影
された像のウエハ5の表面での反射光束をスリットを介
して受光する受光光学系とからなる斜入射方式の焦点位
置検出系が設けられている。ウエハ5の表面のZ方向の
位置は、この焦点位置検出系によって検出され、その検
出情報に基づきZレベリングステージ4を動作させて、
ウエハ5の表面が投影光学系8の結像面に合致するよう
にオートフォーカスが行われる。
投影光学系8の結像面付近のウエハ5の露光面に向け
て、光軸AXに対して斜めにピンホール、あるいはスリ
ットパターン等の像を投影する照射光学系と、その投影
された像のウエハ5の表面での反射光束をスリットを介
して受光する受光光学系とからなる斜入射方式の焦点位
置検出系が設けられている。ウエハ5の表面のZ方向の
位置は、この焦点位置検出系によって検出され、その検
出情報に基づきZレベリングステージ4を動作させて、
ウエハ5の表面が投影光学系8の結像面に合致するよう
にオートフォーカスが行われる。
【0026】なお、Zレベリングステージ4のX方向、
Y方向及びθ方向の位置情報、並びにZ方向の位置情報
は、それぞれレーザ干渉計13及び焦点位置検出系から
制御系37に送られ、制御系37はその位置情報に基づ
いてウエハ駆動系22を介し、Zレベリングステージ4
(ウエハ5)の位置を制御する。また、レーザ干渉計1
3により計測されるウエハ5の座標系とレーザ干渉計1
4により計測されるレチクル12の座標系との対応をと
るために、Zレベリングステージ4上に基準マーク6が
設けられており、その基準マーク6とレチクル12上の
レチクルマークとを同時に観察して、レチクル12とウ
エハ5との座標系を対応付けるためのアライメント光学
系19,20がレチクル12の上方に配置されている。
また、アライメント光学系19,20からの照明光をア
ライメント時にレチクルマークに導くための偏向ミラー
15,16、及び露光時に偏光ミラー15,16をそれ
ぞれ退避させるためのミラー駆動系17,18が配置さ
れている。
Y方向及びθ方向の位置情報、並びにZ方向の位置情報
は、それぞれレーザ干渉計13及び焦点位置検出系から
制御系37に送られ、制御系37はその位置情報に基づ
いてウエハ駆動系22を介し、Zレベリングステージ4
(ウエハ5)の位置を制御する。また、レーザ干渉計1
3により計測されるウエハ5の座標系とレーザ干渉計1
4により計測されるレチクル12の座標系との対応をと
るために、Zレベリングステージ4上に基準マーク6が
設けられており、その基準マーク6とレチクル12上の
レチクルマークとを同時に観察して、レチクル12とウ
エハ5との座標系を対応付けるためのアライメント光学
系19,20がレチクル12の上方に配置されている。
また、アライメント光学系19,20からの照明光をア
ライメント時にレチクルマークに導くための偏向ミラー
15,16、及び露光時に偏光ミラー15,16をそれ
ぞれ退避させるためのミラー駆動系17,18が配置さ
れている。
【0027】更に、投影光学系8の側面部にオフアクシ
ス型のアライメント装置34が設けられている。ウエハ
5上には、そのアライメント装置34用のウエハマーク
(不図示)が形成されており、アライメント装置34に
よりそのウエハマークの位置を検出することによりウエ
ハ5の更に高精度の位置決めが行われる。次に、ウエハ
ホルダ23の構成について図2を参照して詳しく説明す
る。
ス型のアライメント装置34が設けられている。ウエハ
5上には、そのアライメント装置34用のウエハマーク
(不図示)が形成されており、アライメント装置34に
よりそのウエハマークの位置を検出することによりウエ
ハ5の更に高精度の位置決めが行われる。次に、ウエハ
ホルダ23の構成について図2を参照して詳しく説明す
る。
【0028】図2(A)は図1のウエハホルダ23の拡
大平面図、図2(B)は図2(A)のHH線に沿う断面
図、図2(C)は図2(B)の一部を拡大した断面図を
示す。この図2(A)に示すように、円形のウエハホル
ダ23の上面には、−X方向の端部に近い方から順次複
数の直線状且つ凸状の接触部24a〜24iが走査方向
(Y方向)に平行に設けられている。これらの接触部2
4a〜24iは、ウエハ5の裏面に接触してウエハ5を
保持する。接触部24a〜24iの隣り合う接触部はそ
れぞれ、ウエハ5上の走査方向に平行なショット領域間
の隣り合うストリートラインの間隔とほぼ一致するよう
な間隔をもって形成される。更に、本例では接触部24
a〜24iがそれぞれウエハ5のストリートラインの真
下で且つストリートラインと平行に配置されるようにウ
エハ5がウエハホルダ23上に載置されている。
大平面図、図2(B)は図2(A)のHH線に沿う断面
図、図2(C)は図2(B)の一部を拡大した断面図を
示す。この図2(A)に示すように、円形のウエハホル
ダ23の上面には、−X方向の端部に近い方から順次複
数の直線状且つ凸状の接触部24a〜24iが走査方向
(Y方向)に平行に設けられている。これらの接触部2
4a〜24iは、ウエハ5の裏面に接触してウエハ5を
保持する。接触部24a〜24iの隣り合う接触部はそ
れぞれ、ウエハ5上の走査方向に平行なショット領域間
の隣り合うストリートラインの間隔とほぼ一致するよう
な間隔をもって形成される。更に、本例では接触部24
a〜24iがそれぞれウエハ5のストリートラインの真
下で且つストリートラインと平行に配置されるようにウ
エハ5がウエハホルダ23上に載置されている。
【0029】また、それぞれの接触部24a〜24iの
中央部には吸着溝25a〜25iが形成されている。こ
の吸着溝25a〜25iは、ウエハ5の裏面との間に密
閉空間を形成し、その溝内部を負圧にしてウエハ5をウ
エハホルダ23の上に吸着して保持する。これらの吸着
溝25a〜25iの走査方向の両端はウエハ5の裏面と
の間に密閉空間を形成するため閉じられている。
中央部には吸着溝25a〜25iが形成されている。こ
の吸着溝25a〜25iは、ウエハ5の裏面との間に密
閉空間を形成し、その溝内部を負圧にしてウエハ5をウ
エハホルダ23の上に吸着して保持する。これらの吸着
溝25a〜25iの走査方向の両端はウエハ5の裏面と
の間に密閉空間を形成するため閉じられている。
【0030】また、吸着溝25a〜25iのそれぞれの
底部の所々に後述する気体吸引用の排気孔が設けられて
いる。また、それぞれの吸着溝25a〜25iの間は、
それぞれウエハと接触しない平坦部27a〜27hとな
っている。これらの平坦部27a〜27hは、ウエハホ
ルダ23とウエハ5との接触面積を小さくするために設
けられている。更に、ウエハホルダ23の外周部分を凹
むように切り欠いた形の外周部29が設けられている。
この外周部29の内径は、2点鎖線で示されるウエハ5
の内径より少し小さめに設定されている。
底部の所々に後述する気体吸引用の排気孔が設けられて
いる。また、それぞれの吸着溝25a〜25iの間は、
それぞれウエハと接触しない平坦部27a〜27hとな
っている。これらの平坦部27a〜27hは、ウエハホ
ルダ23とウエハ5との接触面積を小さくするために設
けられている。更に、ウエハホルダ23の外周部分を凹
むように切り欠いた形の外周部29が設けられている。
この外周部29の内径は、2点鎖線で示されるウエハ5
の内径より少し小さめに設定されている。
【0031】次に、接触部24a〜24i及び接触部2
4a〜24iに形成された吸着溝25a〜25iの周辺
の構成について説明する。なお、接触部24a〜24
i、吸着溝25a〜25i及び平坦部27a〜27hは
それぞれ走査方向の長さは異なっているが、構成として
は同様なので、ここではウエハホルダ23の外周に最も
近い1組のものだけを取り上げ、図2(B)及び図2
(C)を参照して説明する。
4a〜24iに形成された吸着溝25a〜25iの周辺
の構成について説明する。なお、接触部24a〜24
i、吸着溝25a〜25i及び平坦部27a〜27hは
それぞれ走査方向の長さは異なっているが、構成として
は同様なので、ここではウエハホルダ23の外周に最も
近い1組のものだけを取り上げ、図2(B)及び図2
(C)を参照して説明する。
【0032】図2(B)において、最も外側の吸着溝2
5aは、ウエハ5の裏面に接触する接触部24aのほぼ
中央部に設けられ、接触部24aとウエハ5との裏面で
密閉される空間を負圧にしてウエハ5をウエハホルダ2
3に吸着し保持する。図2(C)に示すように、吸着溝
25aの底部のほぼ中央部には、排気孔28aが設けら
れており、この排気孔28aを通じ、配管40を経由し
て真空装置39により吸着溝25a中の気体を吸引する
構成となっている。
5aは、ウエハ5の裏面に接触する接触部24aのほぼ
中央部に設けられ、接触部24aとウエハ5との裏面で
密閉される空間を負圧にしてウエハ5をウエハホルダ2
3に吸着し保持する。図2(C)に示すように、吸着溝
25aの底部のほぼ中央部には、排気孔28aが設けら
れており、この排気孔28aを通じ、配管40を経由し
て真空装置39により吸着溝25a中の気体を吸引する
構成となっている。
【0033】更に、ウエハホルダ23には、ウエハ5の
歪みを矯正するための機構が設けられている。図3を参
照して説明する。図3は、ウエハ5の歪みを矯正する機
構の一例を示し、図3(A)は図2のウエハホルダ23
の一部の拡大平面図、図3(B)は図3(A)のNN線
に沿う断面図、図3(C)は図3(B)の一部の拡大図
を示す。
歪みを矯正するための機構が設けられている。図3を参
照して説明する。図3は、ウエハ5の歪みを矯正する機
構の一例を示し、図3(A)は図2のウエハホルダ23
の一部の拡大平面図、図3(B)は図3(A)のNN線
に沿う断面図、図3(C)は図3(B)の一部の拡大図
を示す。
【0034】図3(A)において、接触部24aと接触
部24bとの間の平坦部27aには、Z方向に上下に駆
動される板状の駆動部材31a,31bが接触部24
a,24bとほぼ平行に設けられている。また、接触部
24bと接触部24cとの間の平坦部27bにも同様
に、駆動部材31c,31dが接触部24b,24cと
ほぼ平行に設けられている。
部24bとの間の平坦部27aには、Z方向に上下に駆
動される板状の駆動部材31a,31bが接触部24
a,24bとほぼ平行に設けられている。また、接触部
24bと接触部24cとの間の平坦部27bにも同様
に、駆動部材31c,31dが接触部24b,24cと
ほぼ平行に設けられている。
【0035】なお、前述のように接触部24a〜24c
の隣り合う同士はそれぞれ、ウエハ5上の走査方向に平
行なショット領域間のストリートライン同士の間隔とほ
ぼ一致するような間隔をもって形成されている。ストリ
ートライン間の間隔は露光されるショット領域の非走査
方向(X方向)の長さに一致しており、図3(A)の破
線で区切られた領域に示されるように、ショット領域3
8a〜38dのそれぞれの非走査方向の幅の中にほぼ同
じ間隔で、駆動部材31a〜31dが設けられている。
の隣り合う同士はそれぞれ、ウエハ5上の走査方向に平
行なショット領域間のストリートライン同士の間隔とほ
ぼ一致するような間隔をもって形成されている。ストリ
ートライン間の間隔は露光されるショット領域の非走査
方向(X方向)の長さに一致しており、図3(A)の破
線で区切られた領域に示されるように、ショット領域3
8a〜38dのそれぞれの非走査方向の幅の中にほぼ同
じ間隔で、駆動部材31a〜31dが設けられている。
【0036】図3(B)に示されるように、駆動部材3
1a〜31dはウエハホルダ23の平坦部27a,27
bに形成された穴に挿入され、上下に動いてウエハ5の
表面形状を矯正する。これらの駆動部材31a〜31d
の動きは制御系37により制御される。図3(C)は、
駆動部材31a,31bの周辺の構造を更に詳細に示す
もので、ウエハホルダ23の表面に走査方向に細長い矩
形の開口部を持つ穴32a,32bの中にそれぞれ駆動
部材31a,31bが挿入されている。駆動部材31
a,31bは、それぞれその下端に設けられた駆動軸3
3a,33bを介してピエゾ素子等の駆動素子34a,
34bにより駆動され、ウエハ5の下面に接触してウエ
ハ5をその裏面から押上げる動作によりウエハ5の表面
の形状を矯正する。駆動部材31c,31dについても
同様である。その他の接触部24c〜24iの間にも駆
動部材31a〜31dと同様な駆動部材が設けられてい
る。
1a〜31dはウエハホルダ23の平坦部27a,27
bに形成された穴に挿入され、上下に動いてウエハ5の
表面形状を矯正する。これらの駆動部材31a〜31d
の動きは制御系37により制御される。図3(C)は、
駆動部材31a,31bの周辺の構造を更に詳細に示す
もので、ウエハホルダ23の表面に走査方向に細長い矩
形の開口部を持つ穴32a,32bの中にそれぞれ駆動
部材31a,31bが挿入されている。駆動部材31
a,31bは、それぞれその下端に設けられた駆動軸3
3a,33bを介してピエゾ素子等の駆動素子34a,
34bにより駆動され、ウエハ5の下面に接触してウエ
ハ5をその裏面から押上げる動作によりウエハ5の表面
の形状を矯正する。駆動部材31c,31dについても
同様である。その他の接触部24c〜24iの間にも駆
動部材31a〜31dと同様な駆動部材が設けられてい
る。
【0037】また、本例の走査型露光装置は、ウエハホ
ルダ23の接触部24a〜24iとウエハ5上のストリ
ートラインとが一致するように、ショット配列に応じて
ウエハホルダ23のローディングポジションを変えるこ
とができる構成になっている。次に、本実施例の走査型
露光装置の動作につき主に図4及び図5を参照して説明
する。
ルダ23の接触部24a〜24iとウエハ5上のストリ
ートラインとが一致するように、ショット配列に応じて
ウエハホルダ23のローディングポジションを変えるこ
とができる構成になっている。次に、本実施例の走査型
露光装置の動作につき主に図4及び図5を参照して説明
する。
【0038】図4(A)は、本実施例の走査型露光装置
の走査露光領域を説明する平面図、図4(B)は、走査
方向における結像面とウエハ表面との関係を表す側面
図、図4(C)は、非走査方向における結像面とウエハ
表面との関係を表す側面図を示している。この図4
(A)において、投影光学系8の円形の有効露光フィー
ルド37中で、走査方向にM、非走査方向にLの長さを
有するスリット状の露光領域36に対して、図1のウエ
ハ5を+Y方向(又は−Y方向)に走査して露光が行わ
れる。破線で示される走査方向及び非走査方向共にFの
長さの従来の露光領域37aでは、1回のショットの露
光領域としてF×Fの面積しかとれないが、本例に使用
されるような走査型の場合はL×Mの露光領域36に対
して、例えば矢印方向にウエハ5を相対的に走査するこ
とによりショット領域が走査方向に広げられ、走査長を
Sとすると、一回の走査でS×Lの大きさのショット領
域が露光される。
の走査露光領域を説明する平面図、図4(B)は、走査
方向における結像面とウエハ表面との関係を表す側面
図、図4(C)は、非走査方向における結像面とウエハ
表面との関係を表す側面図を示している。この図4
(A)において、投影光学系8の円形の有効露光フィー
ルド37中で、走査方向にM、非走査方向にLの長さを
有するスリット状の露光領域36に対して、図1のウエ
ハ5を+Y方向(又は−Y方向)に走査して露光が行わ
れる。破線で示される走査方向及び非走査方向共にFの
長さの従来の露光領域37aでは、1回のショットの露
光領域としてF×Fの面積しかとれないが、本例に使用
されるような走査型の場合はL×Mの露光領域36に対
して、例えば矢印方向にウエハ5を相対的に走査するこ
とによりショット領域が走査方向に広げられ、走査長を
Sとすると、一回の走査でS×Lの大きさのショット領
域が露光される。
【0039】図4(B)は、この走査時のウエハ5と露
光領域36に対応する結像面との関係をX方向から見た
もので、この図4(B)に示すように、結像面となるウ
エハ5の表面は凹凸状に歪み、露光領域36に対応する
結像面が走査方向に移動するに従ってウエハの表面に一
致しなくなる。この場合、ウエハ5の凹凸面に対して前
述の焦点検出系により位置を計測し、制御系37を通じ
てレチクル微動ステージ11又はZレベリングステージ
4により、例えば結像面36a,36b,36cのよう
にウエハ5の表面が結像面に合うように操作が行われ
る。露光領域36の操作方向の長さMが短いため、その
露光領域にあるウエハ5の凹凸の幅がそれほど大きくな
らず、ウエハ5の表面と結像面とをほぼ一致させること
ができる。
光領域36に対応する結像面との関係をX方向から見た
もので、この図4(B)に示すように、結像面となるウ
エハ5の表面は凹凸状に歪み、露光領域36に対応する
結像面が走査方向に移動するに従ってウエハの表面に一
致しなくなる。この場合、ウエハ5の凹凸面に対して前
述の焦点検出系により位置を計測し、制御系37を通じ
てレチクル微動ステージ11又はZレベリングステージ
4により、例えば結像面36a,36b,36cのよう
にウエハ5の表面が結像面に合うように操作が行われ
る。露光領域36の操作方向の長さMが短いため、その
露光領域にあるウエハ5の凹凸の幅がそれほど大きくな
らず、ウエハ5の表面と結像面とをほぼ一致させること
ができる。
【0040】ところが、これをY方向から見ると通常図
4(C)に示されるように、非走査方向の露光範囲が広
いためにウエハ5の凹凸面に対して結像面36aを合わ
せることができずウェハ5の表面と結像面36aとに大
きなずれが生ずる。しかし、本例では前述のように走査
方向に伸びた接触部を設け、その接触部の間に設けた駆
動部材によりウエハの裏面を押し上げるようにしている
ので、基本的に非走査方向のずれは、従来の方法に比較
して小さくなる。
4(C)に示されるように、非走査方向の露光範囲が広
いためにウエハ5の凹凸面に対して結像面36aを合わ
せることができずウェハ5の表面と結像面36aとに大
きなずれが生ずる。しかし、本例では前述のように走査
方向に伸びた接触部を設け、その接触部の間に設けた駆
動部材によりウエハの裏面を押し上げるようにしている
ので、基本的に非走査方向のずれは、従来の方法に比較
して小さくなる。
【0041】更に、本例の構成によれば、結像面36a
の両端に接触部24a及び接触部24bがくるような配
置にしている。この結像位置36aの両端は、露光領域
36の非走査方向の両端に対応するものである。図5
(A)は、露光されるショット領域と接触部との関係を
表す平面図、図5(B)は図5(A)の側面図、図5
(C)は図5(B)を一部拡大して例えば異物が接触面
に付着した時の動作を説明するための図を示す。なお、
これらの図5(A),(B),(C)では駆動部材の図
示を省略している。
の両端に接触部24a及び接触部24bがくるような配
置にしている。この結像位置36aの両端は、露光領域
36の非走査方向の両端に対応するものである。図5
(A)は、露光されるショット領域と接触部との関係を
表す平面図、図5(B)は図5(A)の側面図、図5
(C)は図5(B)を一部拡大して例えば異物が接触面
に付着した時の動作を説明するための図を示す。なお、
これらの図5(A),(B),(C)では駆動部材の図
示を省略している。
【0042】この図5(A)において、例えば接触部2
4aと、接触部24bとは、それぞれ破線で区切られた
ショット領域38a又は38bのそれぞれの非走査方向
の幅とほぼ同じ間隔で形成されている。図5(B)に示
されるように、例えばショット領域38b,38dの非
走査方向の両端はそれぞれ、接触部24a,接触部24
bの中央部に位置する。このショット領域38a,38
bはそれぞれ、露光領域36により一回の走査で走査さ
れる領域を示している。従って上述のように、本例によ
れば、結像位置の両端に接触部がくるような配置になっ
ている。他の接触部及びショット領域についても同様で
ある。
4aと、接触部24bとは、それぞれ破線で区切られた
ショット領域38a又は38bのそれぞれの非走査方向
の幅とほぼ同じ間隔で形成されている。図5(B)に示
されるように、例えばショット領域38b,38dの非
走査方向の両端はそれぞれ、接触部24a,接触部24
bの中央部に位置する。このショット領域38a,38
bはそれぞれ、露光領域36により一回の走査で走査さ
れる領域を示している。従って上述のように、本例によ
れば、結像位置の両端に接触部がくるような配置になっ
ている。他の接触部及びショット領域についても同様で
ある。
【0043】以上のような構成のウエハホルダ23とウ
エハ5との間で且つウエハホルダ23の接触部24b上
に例えば図5(C)に示されるように異物30が付着し
た場合、ウエハ5の異物30上の表面は凸部状に突き出
るが、ウエハ5の曲がりの大きな部分は接触部24bの
上部であり、本例によればウエハ5の露光範囲の間のス
トリートラインに位置する。また、接触部24aと接触
部24bとに接触する間のウエハ5の部分はショット領
域にあるので、例えば投影光学系8の投影倍率を変える
ことにより非走査方向への伸縮量を補正することができ
る。
エハ5との間で且つウエハホルダ23の接触部24b上
に例えば図5(C)に示されるように異物30が付着し
た場合、ウエハ5の異物30上の表面は凸部状に突き出
るが、ウエハ5の曲がりの大きな部分は接触部24bの
上部であり、本例によればウエハ5の露光範囲の間のス
トリートラインに位置する。また、接触部24aと接触
部24bとに接触する間のウエハ5の部分はショット領
域にあるので、例えば投影光学系8の投影倍率を変える
ことにより非走査方向への伸縮量を補正することができ
る。
【0044】また、本例では図3に示すようにウエハ5
の曲がりを強制的に矯正する機構を設けている。例えば
平坦部27aに設けられた駆動部材31a,31bは、
その両端に設けられた駆動素子33a,33bにより上
下に駆動されるが、例えば図3(C)において、平坦部
27aの上部のウエハ5の部分が、接触部24a,又は
接触部24bの上部表面より凹んでいる場合には、駆動
部材31a,31bによりウエハ5の裏面から持ち上げ
てウエハ5の凹みを修正することができる。なお、平坦
部27aの上部のウエハ5の部分が接触部24a又は接
触部24bの頂部より上に突き出ている場合には、駆動
部材31a,31bにより修正することはできない。
の曲がりを強制的に矯正する機構を設けている。例えば
平坦部27aに設けられた駆動部材31a,31bは、
その両端に設けられた駆動素子33a,33bにより上
下に駆動されるが、例えば図3(C)において、平坦部
27aの上部のウエハ5の部分が、接触部24a,又は
接触部24bの上部表面より凹んでいる場合には、駆動
部材31a,31bによりウエハ5の裏面から持ち上げ
てウエハ5の凹みを修正することができる。なお、平坦
部27aの上部のウエハ5の部分が接触部24a又は接
触部24bの頂部より上に突き出ている場合には、駆動
部材31a,31bにより修正することはできない。
【0045】次に、本発明による走査型露光装置の別の
実施例について、図6を参照して説明する。本例は、先
の実施例において示されたウエハホルダ23の構成を変
更したものであり、図3に対応する部分には同一符号を
付し、その詳細説明を省略する。図6(A)は本例のウ
エハホルダ23Aの一部の平面図、図6(B)は図6
(A)のPP線に沿う断面図、図6(C)は図6(B)
の一部を拡大した断面図を示し、この図6(A)に示さ
れるように、ウエハホルダ23Aのショット領域38a
〜38dのほぼ中央部にはそれぞれ圧力調整孔35a〜
35dが設けられている。また、ウエハホルダ23Aの
外周部は、接触部24a〜24cと同じ高さの密閉用の
壁41により囲まれた構成となっている。
実施例について、図6を参照して説明する。本例は、先
の実施例において示されたウエハホルダ23の構成を変
更したものであり、図3に対応する部分には同一符号を
付し、その詳細説明を省略する。図6(A)は本例のウ
エハホルダ23Aの一部の平面図、図6(B)は図6
(A)のPP線に沿う断面図、図6(C)は図6(B)
の一部を拡大した断面図を示し、この図6(A)に示さ
れるように、ウエハホルダ23Aのショット領域38a
〜38dのほぼ中央部にはそれぞれ圧力調整孔35a〜
35dが設けられている。また、ウエハホルダ23Aの
外周部は、接触部24a〜24cと同じ高さの密閉用の
壁41により囲まれた構成となっている。
【0046】また、図6(B)に示されるように、圧力
調整孔35a,35cはそれぞれ接触部24aと接触部
24bとのほぼ中央部及び接触部24bと接触部24c
とのほぼ中央部に設けられ、ウエハホルダ23Aの表面
から底部に向かって貫通するように形成される。圧力調
整孔35a〜35dの形、大きさに制限はなく、本例の
目的に沿うものであれば任意の形、大きさで形成すれば
よい。
調整孔35a,35cはそれぞれ接触部24aと接触部
24bとのほぼ中央部及び接触部24bと接触部24c
とのほぼ中央部に設けられ、ウエハホルダ23Aの表面
から底部に向かって貫通するように形成される。圧力調
整孔35a〜35dの形、大きさに制限はなく、本例の
目的に沿うものであれば任意の形、大きさで形成すれば
よい。
【0047】本例は、この壁41、接触部24b〜24
c、ウエハ5の裏面及び平坦部27a,27bにより形
成される密閉空間44a,44bの圧力を調整してウエ
ハ5の曲がりを矯正するものであり、形成される密閉空
間44a,44bの気体圧力は、図6(C)に示される
ように例えば圧力調整孔35aを通じ、配管43を経由
して圧力調整装置42により気体を出し入れすることに
より調節される。この圧力調整装置42は、ウエハ5の
表面と投影光学系8による結像面との位置を制御する制
御系37の指令に基づき密閉空間44aの圧力を調整す
る。なお、この密閉空間44aの圧力は吸着溝25a,
25bによるウエハ5の吸着力に影響を与えることのな
い大きさで設計される。即ち、密閉空間44aでの圧力
が高いためにウエハ5が接触部24a又は接触部24b
から持ち上げられたりすること等のない気体圧力に調節
される。
c、ウエハ5の裏面及び平坦部27a,27bにより形
成される密閉空間44a,44bの圧力を調整してウエ
ハ5の曲がりを矯正するものであり、形成される密閉空
間44a,44bの気体圧力は、図6(C)に示される
ように例えば圧力調整孔35aを通じ、配管43を経由
して圧力調整装置42により気体を出し入れすることに
より調節される。この圧力調整装置42は、ウエハ5の
表面と投影光学系8による結像面との位置を制御する制
御系37の指令に基づき密閉空間44aの圧力を調整す
る。なお、この密閉空間44aの圧力は吸着溝25a,
25bによるウエハ5の吸着力に影響を与えることのな
い大きさで設計される。即ち、密閉空間44aでの圧力
が高いためにウエハ5が接触部24a又は接触部24b
から持ち上げられたりすること等のない気体圧力に調節
される。
【0048】以上、本例のウエハホルダ23Aの一部の
構成を説明したが、全体としても同様な構成を有するも
のである。本例によれば、ウエハ5の表面が非走査方向
に凹んでいる場合はもとより、凸状の場合にも矯正する
ことができる。即ち、ウエハ5の露光ショット部分が凹
んでいる場合は圧力調整装置42により密閉空間44
a,44bの圧力を高くし、露光ショット部分が接触部
より突きでている場合は密閉空間44a,44bの圧力
を下げることによりウエハ5の曲がりを修正することが
できる。
構成を説明したが、全体としても同様な構成を有するも
のである。本例によれば、ウエハ5の表面が非走査方向
に凹んでいる場合はもとより、凸状の場合にも矯正する
ことができる。即ち、ウエハ5の露光ショット部分が凹
んでいる場合は圧力調整装置42により密閉空間44
a,44bの圧力を高くし、露光ショット部分が接触部
より突きでている場合は密閉空間44a,44bの圧力
を下げることによりウエハ5の曲がりを修正することが
できる。
【0049】なお、本実施例では、露光装置として投影
型の露光装置を用いたが、本実施例の走査型露光装置
は、投影型のみならず、プロキシミティー方式の走査型
露光装置としても有効なものである。また、レチクルと
ウエハとを独立に駆動する構成について本発明を適用す
るものとしたが、例えばレチクルとウエハとを同一の可
動コラムに載置して一体に移動する方式の走査型露光装
置に本発明を適用しても良く、同様の効果が得られる。
このように本発明は上述実施例に限定されず、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
型の露光装置を用いたが、本実施例の走査型露光装置
は、投影型のみならず、プロキシミティー方式の走査型
露光装置としても有効なものである。また、レチクルと
ウエハとを独立に駆動する構成について本発明を適用す
るものとしたが、例えばレチクルとウエハとを同一の可
動コラムに載置して一体に移動する方式の走査型露光装
置に本発明を適用しても良く、同様の効果が得られる。
このように本発明は上述実施例に限定されず、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0050】
【発明の効果】本発明による走査型露光装置によれば、
感光基板(ウエハ)の裏面と接する移動ステージ(ウエ
ハホルダ)の凸状の接触部を走査方向に平行に配置して
いるので、基本的に走査方向への感光基板の曲がりが少
なくなり、且つ非走査方向への感光基板の曲がりが一様
になるため、その曲がりが容易に補正できる。そのた
め、非走査方向での結像面と感光基板の表面とのずれが
小さくできる。従って、走査型露光装置のように非走査
方向に広い露光領域でも、良好な結像性能を保ち、広い
露光領域を有効に利用することができる。
感光基板(ウエハ)の裏面と接する移動ステージ(ウエ
ハホルダ)の凸状の接触部を走査方向に平行に配置して
いるので、基本的に走査方向への感光基板の曲がりが少
なくなり、且つ非走査方向への感光基板の曲がりが一様
になるため、その曲がりが容易に補正できる。そのた
め、非走査方向での結像面と感光基板の表面とのずれが
小さくできる。従って、走査型露光装置のように非走査
方向に広い露光領域でも、良好な結像性能を保ち、広い
露光領域を有効に利用することができる。
【0051】また、感光基板の裏面と接する移動ステー
ジの接触部を感光基板上のストリートラインと一致させ
るように設計した場合には、例えば異物が接触部に付着
しても、異物が付着した接触部と接する感光基板の部分
はストリートラインであり、感光基板上のパターン像の
精度に影響がない。また、異物による感光基板と結像面
との横ずれも、例えば投影光学系を使用するときにはそ
の倍率を投影光学系の内部圧力調整等で変えることで補
正することができる。
ジの接触部を感光基板上のストリートラインと一致させ
るように設計した場合には、例えば異物が接触部に付着
しても、異物が付着した接触部と接する感光基板の部分
はストリートラインであり、感光基板上のパターン像の
精度に影響がない。また、異物による感光基板と結像面
との横ずれも、例えば投影光学系を使用するときにはそ
の倍率を投影光学系の内部圧力調整等で変えることで補
正することができる。
【0052】また、移動ステージに、複数の直線状の凸
部上に載置される感光基板の第2の走査方向に直交する
非走査方向での高さ分布を調整する高さ分布調整手段を
設けた場合には、非走査方向の感光基板の凹凸部の高さ
を任意に変えることができ、非走査方向の焦点位置のず
れを少なくできる利点がある。また、感光基板の裏面を
上下方向に動かすと、感光基板の裏面と表面との伸縮量
の差により横ずれが生ずる。従って、逆に高さ分布調整
手段により投影光学系のディストーションに合わせた横
ずれを発生させて、ディストーションを軽減することに
も応用できる。
部上に載置される感光基板の第2の走査方向に直交する
非走査方向での高さ分布を調整する高さ分布調整手段を
設けた場合には、非走査方向の感光基板の凹凸部の高さ
を任意に変えることができ、非走査方向の焦点位置のず
れを少なくできる利点がある。また、感光基板の裏面を
上下方向に動かすと、感光基板の裏面と表面との伸縮量
の差により横ずれが生ずる。従って、逆に高さ分布調整
手段により投影光学系のディストーションに合わせた横
ずれを発生させて、ディストーションを軽減することに
も応用できる。
【0053】また、高さ分布調整手段が、移動ステージ
上で複数の直線状の凸部の間に上下移動自在に配置され
た移動部材と、この移動部材を上下移動させる駆動手段
とから構成されている場合には、比較的簡単な構造で且
つ速い応答速度で感光基板の凹状の高さ分布を補正する
ことができる利点がある。また、高さ分布調整手段が、
移動ステージ上の複数の直線状の凸部とその感光基板と
で形成される少なくとも一部の空間内の気体の圧力を調
整する圧力可変手段である場合には、感光基板の非走査
方向の曲がりを全体的に滑らかに修正することができる
と共に、感光基板の非走査方向に凹んでいる部分だけで
なく、凸部も容易に修正することができる利点がある。
上で複数の直線状の凸部の間に上下移動自在に配置され
た移動部材と、この移動部材を上下移動させる駆動手段
とから構成されている場合には、比較的簡単な構造で且
つ速い応答速度で感光基板の凹状の高さ分布を補正する
ことができる利点がある。また、高さ分布調整手段が、
移動ステージ上の複数の直線状の凸部とその感光基板と
で形成される少なくとも一部の空間内の気体の圧力を調
整する圧力可変手段である場合には、感光基板の非走査
方向の曲がりを全体的に滑らかに修正することができる
と共に、感光基板の非走査方向に凹んでいる部分だけで
なく、凸部も容易に修正することができる利点がある。
【図1】本発明による走査型露光装置の一実施例を示す
構成図である。
構成図である。
【図2】(A)は図1のウエハホルダの構成を示す拡大
平面図、(B)は図2(A)のHH線に沿う断面図、
(C)は図2(B)の一部の拡大図である。
平面図、(B)は図2(A)のHH線に沿う断面図、
(C)は図2(B)の一部の拡大図である。
【図3】(A)は図2のウエハホルダの一部を拡大した
平面図、(B)は図3(A)のNN線に沿う断面図、
(C)は図3(B)の一部の拡大図である。
平面図、(B)は図3(A)のNN線に沿う断面図、
(C)は図3(B)の一部の拡大図である。
【図4】露光領域に対応する結像面とウエハ表面との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図5】(A)は図1のウエハホルダのウエハとの接触
部とウエハのショット領域間のストリートラインとの関
係を示す拡大平面図、(B)は図5(A)の側面図、
(C)は図5(B)の一部の拡大図である。
部とウエハのショット領域間のストリートラインとの関
係を示す拡大平面図、(B)は図5(A)の側面図、
(C)は図5(B)の一部の拡大図である。
【図6】本発明による走査型露光装置の他の実施例を示
し、(A)はウエハホルダの要部の拡大平面図、(B)
は図6(A)のPP線に沿う断面図、(C)は図6
(B)の一部の拡大図である。
し、(A)はウエハホルダの要部の拡大平面図、(B)
は図6(A)のPP線に沿う断面図、(C)は図6
(B)の一部の拡大図である。
【図7】従来のステッパ型の投影露光装置を示す構成図
である。
である。
【図8】(A)は図7のウエハホルダの拡大平面図、
(B)は図8(A)のII線に沿う断面図、(C)は図
8(B)の一部の拡大図である。
(B)は図8(A)のII線に沿う断面図、(C)は図
8(B)の一部の拡大図である。
【図9】結像面とウエハ表面とのずれを示す図である。
5 ウエハ 8 投影光学系 12 レチクル 23,23A ウエハホルダ 24a〜24i 接触部 25a〜25i 吸着溝 27a〜27h 平坦部 28a 排気孔 31a,31b 駆動部材 34a,34b 駆動素子 35a〜35d 圧力調整孔 36 露光領域 42 圧力調整装置
Claims (4)
- 【請求項1】 転写用のパターンが形成されたマスクを
照明し、前記マスクを第1の走査方向に走査するのと同
期して、移動ステージを介して感光基板を前記第1の走
査方向に対応する第2の走査方向に走査することによ
り、前記感光基板上に前記マスクのパターンを逐次露光
する走査型露光装置において、 前記移動ステージの前記感光基板との接触部を、前記第
2の走査方向に平行な方向に延びた複数の直線状の凸部
としたことを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項2】 前記移動ステージに、前記複数の直線状
の凸部上に載置される前記感光基板の前記第2の走査方
向に直交する非走査方向での高さ分布を調整する高さ分
布調整手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の走
査型露光装置。 - 【請求項3】 前記高さ分布調整手段は、前記移動ステ
ージ上で前記複数の直線状の凸部の間に上下移動自在に
配置された移動部材と、該移動部材を上下移動させる駆
動手段とから構成されることを特徴とする請求項2記載
の走査型露光装置。 - 【請求項4】 前記高さ分布調整手段は、前記移動ステ
ージ上の前記複数の直線状の凸部と前記感光基板とで形
成される少なくとも一部の空間内の気体の圧力を調整す
る圧力可変手段であることを特徴とする請求項2記載の
走査型露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23676694A JP3487368B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 走査型露光装置 |
US08/533,933 US5793474A (en) | 1994-09-30 | 1995-09-26 | Exposure apparatus wherein a wafer contact portion of a movable stage includes linear ridges |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23676694A JP3487368B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 走査型露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08102437A true JPH08102437A (ja) | 1996-04-16 |
JP3487368B2 JP3487368B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=17005479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23676694A Expired - Fee Related JP3487368B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 走査型露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5793474A (ja) |
JP (1) | JP3487368B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2006025341A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 基板ホルダ及びステージ装置並びに露光装置 |
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JP2000100895A (ja) | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置 |
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TW523557B (en) * | 2000-02-21 | 2003-03-11 | Nanya Technology Corp | Exhausting method in a dry etching apparatus |
DE60217587D1 (de) * | 2001-07-26 | 2007-03-08 | Canon Kk | Substrathalter und ein Belichtungsapparat |
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DE102008037387A1 (de) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Aixtron Ag | Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske |
KR101640766B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2016-07-20 | 삼성전자주식회사 | 반사형 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법 |
JP6320812B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-05-09 | 株式会社東芝 | 圧力センサの製造方法、成膜装置及び熱処理装置 |
JP6579873B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2019-09-25 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
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