JP6579873B2 - 加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、加工装置に関する。

半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線がウエーハ内部に集光点を合わせて照射することで形成される改質層を利用して破断され、個々のデバイスチップに分割する加工装置が近年用いられている（例えば、特許文献１参照）。この加工装置では、レーザー光線のエネルギーを減衰させるもの（例えば、デバイスを構成する各種パターンを形成する材料）がレーザー光線の入射面側に形成されていない事が条件となる。そのため、特許文献１に示された加工装置は、表面にそうしたデバイスが形成されたウエーハに対しては、デバイスが無い裏面側からレーザー光線を照射し、内部に改質層を形成する。

また、特許文献１に示された加工装置は、ウエーハ表面にデバイスとしてのＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等が形成される場合には、このデバイスとしてのＭＥＭＳを保護するために、シート部材をチャックテーブルの保持面に敷いて、その上にデバイスが形成された表面が接するようにウエーハを載置する方法を検討している。このシート部材は、通気性と離型性を兼ね備えており、チャックテーブルのポーラス部分にデバイスを直接載置するより、デバイスを保護できる上、ウエーハ周囲の粘着テープの粘着面がチャックテーブルの保持面に貼り付くのを防止できる。

特開２０１３−２２９４０３号公報

しかし、特許文献１に示された加工装置は、シートに接触させるだけで損傷してしまう脆いＭＥＭＳも存在し、その場合には、上記技術を適用することができず分割できないという問題がある。また、特許文献１に示された加工装置は、ＭＥＭＳ以外においてもデバイスと突起形状が大きく突起を保護テープの粘着層では吸収できない場合もあり、表面側に突起形状の被加工物の加工ができないという問題がある。

また、特許文献１に示された加工装置は、デバイスの位置に応じた形状の溝を有するチャックテーブルを複数用意しておき、加工するウエーハに応じてチャックテーブルを種々変更していた。このために、特許文献１に示された加工装置は、複数のチャックテーブルを設けておくためや、チャックテーブルの変更に工数がかかり被加工物の加工コストが高騰する傾向であった。

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、被加工物の加工コストの高騰を抑制することができる加工装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工装置は、被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を加工する加工手段とを備える加工装置であって、前記チャックテーブルは、複数立設しそれぞれの先端により前記保持面を形成するピンと、各ピンを該保持面と該保持面よりも下方の退避位置にそれぞれ駆動する駆動部と、から構成され、所定の位置の複数のピンを該退避位置に下げた状態で該保持面で被加工物の一方の表面側を保持して加工手段で被加工物の加工を行うとともに、該所定の位置は、前記被加工物の表面に設定された分割予定ラインに対応する位置であることを特徴とする。

本発明の加工装置は、ピンを上下移動させることが可能なチャックテーブルを備えるため、被加工物の加工コストの高騰を抑制することができる。

図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の概略の構成例を示す斜視図である。 図２は、図１に示されたレーザー加工装置のチャックテーブルの概略の構成例を示す斜視図である。 図３は、図２中のＩＩＩ部を拡大して示す斜視図である。 図４は、図２に示されたチャックテーブルの断面図である。 図５は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象であるウエーハの斜視図である。 図６は、図１に示されたレーザー加工装置の撮像手段が得た画像の一例を示す図である。 図７は、実施形態１に係るレーザー加工装置が被加工物をレーザー加工する状態を説明する断面図である。 図８は、実施形態２に係るレーザー加工装置が被加工物をレーザー加工する状態を説明する断面図である。 図９は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係るレーザー加工装置のチャックテーブルを示す断面図である。

本発明を実施するための形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
実施形態１に係る加工装置としてのレーザー加工装置を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係るレーザー加工装置の概略の構成例を示す斜視図であり、図２は、図１に示されたレーザー加工装置のチャックテーブルの概略の構成例を示す斜視図であり、図３は、図２中のＩＩＩ部を拡大して示す斜視図であり、図４は、図２に示されたチャックテーブルの断面図であり、図５は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象であるウエーハの斜視図であり、図６は、図１に示されたレーザー加工装置の撮像手段が得た画像の一例を示す図である。

レーザー加工装置１は、被加工物Ｗの分割予定ラインＬに沿ってレーザー光線ＬＢ（図７に示す）を照射して被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割するものである。実施形態１では、レーザー加工装置１により個々のデバイスＤに分割される被加工物Ｗは、図５に示すように、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物Ｗは、表面ＷＳに格子状に形成される複数の分割予定ラインＬよって区画された領域にデバイスＤが形成されている。被加工物Ｗは、分割予定ラインＬに沿ってレーザー光線ＬＢが照射されて分割されることにより、個々のデバイスＤに製造される。

レーザー加工装置１は、図１に示すように、被加工物Ｗを保持面１０ａで保持するチャックテーブル１０と、加工手段としてのレーザー加工手段２０と、チャックテーブル１０とレーザー加工手段２０とをＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動手段３０と、チャックテーブル１０とレーザー加工手段２０とをＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動手段４０と、撮像手段５０と、制御手段１００とを備えている。

レーザー加工手段２０は、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持された被加工物Ｗの表面にレーザー光線ＬＢを照射して、被加工物Ｗをアブレーション加工（加工に相当）するものである。レーザー光線ＬＢは、被加工物Ｗに対して吸収性を有する波長のレーザー光線である。レーザー加工手段２０は、レーザー加工装置１の装置本体２から立設した壁部３に連なった支持柱４の先端に取り付けられている。レーザー加工手段２０は、レーザー光線ＬＢを発振する図示しない発振器と、この発振器により発振されたレーザー光線ＬＢを集光する図示しない集光器とを備えている。発振器は、被加工物Ｗの種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線ＬＢの周波数が適宜調整される。発振器として、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器などを用いることができる。集光器は、発振器により発振されたレーザー光線ＬＢの進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線ＬＢを集光する集光レンズなどを含んで構成される。

Ｘ軸移動手段３０は、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０を装置本体２の幅方向と水平方向との双方と平行なＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動手段４０は、チャックテーブル１０を水平方向と平行でＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１、ボールねじ３１，４１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２及びチャックテーブル１０をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３を備える。また、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０をＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向と平行な中心軸線回りに回転される回転駆動源６０（図２に示す）を備える。

撮像手段５０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像するものであり、レーザー加工手段２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像手段５０は、支持柱４の先端に取り付けられている。撮像手段５０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを撮像するＣＣＤカメラにより構成される。

チャックテーブル１０は、図２及び図４に示すように、回転駆動源６０に支持された枠体１１と、枠体１１内に複数設けられたピン１２と、ピン１２を駆動する駆動部１３とから構成される。枠体１１は、例えば、ステンレス鋼などの金属により構成される。枠体１１は、円盤状に固定され、かつ回転駆動源６０と同軸に回転駆動源６０に固定される円盤部１４と、円盤部１４の外縁から立設した枠部１５とを備える。枠部１５の上面１５ａは、平坦でかつ水平方向と平行に形成される。

ピン１２は、枠体１１内に複数立設して設けられ、それぞれの先端である端面１２ａにより保持面１０ａを形成する。ピン１２は、外径が０．２ｍｍ以上でかつ５．０ｍｍ以下の円柱状に形成される。ピン１２は、セラミックスで形成される。さらに、ピン１２は、多孔質のポーラスセラミックスで形成されてもよい。ピン１２は、枠体１１の円盤部１４上でかつ枠部１５の内側に配置される。ピン１２は、中心線がＺ軸方向と平行で、かつ、図３に示すように、外周面が互いに接触する状態で配置される。即ち、ピン１２は、枠体１１の内側に多数配置される。また、ピン１２の枠体１１の上面１５ａ側の端面１２ａは、平坦でかつ水平方向と平行に形成される。ピン１２の端面１２ａは、枠体１１の上面１５ａと同一平面上に位置付けられると、保持面１０ａを構成する。

駆動部１３は、各ピン１２を保持面１０ａと保持面１０ａよりも下方の退避位置にそれぞれ駆動するものである。駆動部１３は、ピン１２と１対１で対応している。駆動部１３は、対応するピン１２を端面１２ａが枠体１１の上面１５ａ即ち保持面１０ａと同一平面上に位置する保持位置と、端面１２ａが保持面１０ａよりも下方に位置する退避位置とに亘って、ピン１２をＺ軸方向に上下移動させるものである。駆動部１３は、枠体１１の円盤部１４上に固定されたシリンダ１６と、シリンダ１６に対してＺ軸方向に移動自在に設けられたピストン１７とを備える、所謂アクチュエータである。ピストン１７は、上端にピン１２が固定されている。ピストン１７は、シリンダ１６から伸張すると上方に突出する。駆動部１３は、ピストン１７がシリンダ１６から上方に伸張すると、ピン１２を保持位置に位置付け、ピストン１７がシリンダ１６内に縮小すると、ピン１２を退避位置に位置付ける。

なお、ピン１２の外径が、０．２ｍｍ程度である場合には、駆動部１３は、シリンダ１６内に作動流体が封入されかつ作動流体を光ファイバにより加熱、非加熱することでピストン１７をシリンダ１６から伸縮する、所謂マイクロシリンダを用いることができる。また、実施形態１において、駆動部１３は、ピストン１７を１ｍｍ以上でかつ５ｍｍ以下の範囲で伸縮させる。即ち、実施形態１において、駆動部１３は、１ｍｍ以上でかつ５ｍｍ以下の範囲でピン１２をＺ軸方向に上下移動させて、ピン１２を保持位置と退避位置とに亘って移動させる。

また、チャックテーブル１０は、真空吸引源７０に接続されて、真空吸引源７０により吸引される真空吸引経路７１が形成されている。真空吸引経路７１は、円盤部１４の上面の最外周の駆動部１３の外周側に開口し、かつ枠体１１などに設けられた孔である。チャックテーブル１０は、保持面１０ａに載置された被加工物Ｗを真空吸引源７０からの吸引力により吸引することで被加工物Ｗを吸引保持する。チャックテーブル１０は、退避位置に位置付けられたピン１２などに形成された空間、及び、ピン１２がポーラスセラミックスに形成された場合にはピン１２自体が被加工物Ｗを吸引保持することとなる。

制御手段１００は、上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物Ｗに対するレーザー加工動作をレーザー加工装置１に実施させるものである。制御手段１００は、チャックテーブル１０の各駆動部１３の動作を制御、即ち、ピストン１７を伸縮する。なお、制御手段１００は、コンピュータシステムを含む。制御手段１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。

制御手段１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１の上述した構成要素に出力する。また、制御手段１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。

次に、レーザー加工装置１が、被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する工程を図面に基いて説明する。図７は、実施形態１に係るレーザー加工装置が被加工物をレーザー加工する状態を説明する断面図である。

まず、オペレータが加工内容情報をレーザー加工装置１の制御手段１００に登録し、オペレータがチャックテーブル１０の保持面１０ａ上に被加工物Ｗの表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲを載置し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。この状態では、チャックテーブル１０の全てのピン１２は、保持位置に位置付けられている。

加工動作では、制御手段１００は、真空吸引源７０を駆動させてチャックテーブル１０に被加工物Ｗを吸引保持する。制御手段１００は、Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０をレーザー加工手段２０の下方に向かって移動して、撮像手段５０の下方にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを位置付け、撮像手段５０に撮像させる。撮像手段５０は、撮像した図６に示す画像Ｇの情報を制御手段１００に出力する。そして、制御手段１００は、画像Ｇにパターンマッチング等の画像処理を実施し、図６中に点線で示すように全ての分割予定ラインＬのＸ軸方向とＹ軸方向の位置を算出する。

制御手段１００は、算出した分割予定ラインＬの位置に基いて、分割予定ラインＬのＺ軸方向の下方に位置する複数のピン１２を算出し、算出した複数のピン１２を駆動する各駆動部１３のピストン１７を縮小する。制御手段１００は、図７に示すように、分割予定ラインＬのＺ軸方向の下方に位置するピン１２、即ち所定の位置である分割予定ラインＬに対応した位置の複数のピン１２を退避位置に下げる。

制御手段１００は、Ｘ軸移動手段３０、Ｙ軸移動手段４０及び回転駆動手段により所定の分割予定ラインＬの一端をレーザー加工手段２０の直下に位置付ける。そして、制御手段１００は、図７に示すように、レーザー加工手段２０からレーザー光線ＬＢを照射しつつ、被加工物Ｗを保持したチャックテーブル１０を、Ｘ軸移動手段３０によりレーザー加工手段２０に対して所定の分割予定ラインＬに沿って、所定の加工速度で移動させる。

すると、被加工物Ｗの一部が昇華して、アブレーション加工により所定の分割予定ラインＬが分割される。制御手段１００は、所定の分割予定ラインＬの他端がレーザー加工手段２０の直下に達したら、レーザー光線ＬＢの照射を停止するとともに、Ｘ軸移動手段３０によるチャックテーブル１０の移動を停止する。制御手段１００は、前述したように、全ての分割予定ラインＬに順にレーザー光線ＬＢを照射して、これらの分割予定ラインＬを分割して被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する。こうして、実施形態１において、レーザー加工装置１は、所定の位置である被加工物Ｗの表面ＷＳに設定された分割予定ラインＬに対応した位置のピン１２を退避位置に下げた状態で保持面１０ａで被加工物Ｗの一方の表面である裏面ＷＲ側を保持してレーザー加工手段２０で被加工物Ｗのレーザー加工を行う。即ち、実施形態１において、前記所定の位置は、被加工物Ｗの裏面ＷＲに設定された分割予定ラインＬに対応する位置である。

制御手段１００は、全ての分割予定ラインＬにレーザー光線ＬＢを照射すると、Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０をレーザー加工手段２０の下方から離間する方向に移動して、レーザー加工手段２０の下方から離間した位置で真空吸引源７０を停止して、被加工物Ｗの吸引保持を解除する。オペレータが、分割された個々のデバイスＤ等をチャックテーブル１０上から取り除くとともに、レーザー加工前の次の被加工物Ｗをチャックテーブル１０の保持面１０ａ上に載置して、先程と同様に被加工物Ｗのレーザー加工を行う。

実施形態１に係るレーザー加工装置１によれば、デバイスＤの位置に対応させてピン１２を保持位置と退避位置とに亘って上下移動させることが可能なチャックテーブル１０を備えるため、複数の形状の異なるチャックテーブル１０を製造してデバイスＤの形状や位置に応じたチャックテーブル１０に変更することなく、分割予定ラインＬをアブレーション加工するレーザー光線ＬＢがチャックテーブル１０の保持面１０ａに照射されることを抑制できる。このために、実施形態１に係るレーザー加工装置１は、複数のチャックテーブル１０を製造しておく必要がなく、チャックテーブル１０の交換を抑制することができる。したがって、実施形態１に係るレーザー加工装置１は、被加工物Ｗの加工コストの高騰を抑制することができる。

〔実施形態２〕
実施形態２に係る加工装置を図面に基いて説明する。図８は、実施形態２に係るレーザー加工装置が被加工物をレーザー加工する状態を説明する断面図である。なお、図８において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る加工装置としてのレーザー加工装置１−２の加工対象の被加工物ＷのデバイスＤは、機械的な強度が低い、又は表面が凸凹に形成されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）である。

実施形態２に係るレーザー加工装置１−２の加工手段としてのレーザー加工手段２０−２は、図８に示すように、被加工物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＰを被加工物Ｗの裏面ＷＲ側から分割予定ラインＬに沿って照射し、被加工物Ｗの内部に破断起点となる改質層Ｋを形成するものである。なお、改質層Ｋとは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。

実施形態２に係るレーザー加工装置１の撮像手段５０−２は、被加工物Ｗに吸収され難い赤外領域の光を検知する撮像素子を備え、被加工物Ｗの裏面ＷＲ側からデバイスＤを撮像する。

実施形態２に係るレーザー加工装置１−２の加工動作を開始した状態では、チャックテーブル１０の全てのピン１２は、退避位置に位置付けられて、被加工物Ｗの表面ＷＳをピン１２の端面に対向させ、被加工物Ｗの外縁を枠体１１の枠部１５の上面１５ａ上に載置する。そして、実施形態２に係るレーザー加工装置１−２の加工動作では、制御手段１００は、真空吸引源７０を駆動させてチャックテーブル１０に被加工物Ｗを吸引保持する。制御手段１００は、Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０をレーザー加工手段２０−２の下方に向かって移動して、撮像手段５０−２の下方にチャックテーブル１０に保持された被加工物Ｗを位置付け、撮像手段５０に撮像させ、パターンマッチング等の画像処理を実施し、全ての分割予定ラインＬのＸ軸方向とＹ軸方向の位置を算出する。

制御手段１００は、算出した分割予定ラインＬの位置に基いて、分割予定ラインＬのＺ軸方向の下方に位置する複数のピン１２を算出し、算出した複数のピン１２を駆動する各駆動部１３のピストン１７を伸張する。実施形態２において、制御手段１００は、図８に示すように、デバイスＤのＺ軸方向の下方に位置するピン１２、即ち所定の位置であるデバイスＤに対応した位置の複数のピン１２を退避位置に下げておく。

制御手段１００は、実施形態１と同様に、全ての分割予定ラインＬに順にレーザー光線ＬＰを照射して、これらの分割予定ラインＬに沿った改質層Ｋを被加工物Ｗの内部に形成する。こうして、実施形態２において、レーザー加工装置１−２は、所定の位置である被加工物Ｗの表面ＷＳに設定されたデバイスＤに対応した位置のピン１２を退避位置に下げた状態で保持面１０ａで被加工物Ｗの一方の表面である表面ＷＳ側を保持してレーザー加工手段２０−２で被加工物Ｗのレーザー加工を行う。即ち、実施形態２において、前記所定の位置は、被加工物Ｗの表面ＷＳに設定されたデバイスＤに対応する位置である。

制御手段１００は、全ての分割予定ラインＬにレーザー光線ＬＰを照射すると、Ｘ軸移動手段３０及びＹ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０をレーザー加工手段２０−２の下方から離間する方向に移動して、レーザー加工手段２０−２の下方から離間した位置で真空吸引源７０を停止して、被加工物Ｗの吸引保持を解除する。オペレータが、レーザー加工された被加工物Ｗをチャックテーブル１０上から取り除くとともに、レーザー加工前の次の被加工物Ｗをチャックテーブル１０の保持面１０ａ上に載置して、先程と同様に被加工物Ｗのレーザー加工を行う。レーザー加工された被加工物Ｗは、次工程において、改質層Ｋを起点に破断されて、個々のデバイスＤに分割される。

実施形態２に係るレーザー加工装置１−２によれば、実施形態１と同様に、デバイスＤの位置に対応させてピン１２を保持位置と退避位置とに亘って上下移動させることが可能なチャックテーブル１０を備えるため、被加工物Ｗの加工コストの高騰を抑制することができる。

さらに、実施形態２に係るレーザー加工装置１−２によれば、デバイスＤの位置に対応させてピン１２を保持位置と退避位置とに亘って上下移動させることが可能なチャックテーブルを備え、加工動作においてデバイスＤに対応する位置のピン１２を退避位置に下げる。したがって、実施形態２に係るレーザー加工装置１−２は、デバイスＤが破損することなく被加工物Ｗを保持することができるとともに、デバイスＤの表面が凸凹していても吸引漏れを抑制して、位置ずれすることなく被加工物Ｗを保持することができる。

また、実施形態２に係るレーザー加工装置１−２は、実施形態１と同様にマイクロシリンダにより構成された駆動部１３を備えている。実施形態２に係るレーザー加工装置１−２は、チャックテーブル１０が被加工物Ｗの表面ＷＳを保持し、被加工物Ｗの内部に改質層Ｋを形成するために、駆動部１３は、ピン１２を数１０μｍ〜数１００μｍ程度の範囲内で上下移動させて、保持位置と退避位置とに亘って移動させればよい。このために、実施形態２に係るレーザー加工装置１−２は、駆動部１３がピエゾ素子により構成されてもよい。

〔変形例〕
実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工装置を図面に基いて説明する。図９は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係るレーザー加工装置のチャックテーブルを示す断面図である。なお、図９において、実施形態１及び実施形態２と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工装置としてのレーザー加工装置１−３のチャックテーブル１０−３は、図９に示すように、各ピン１２の端面１２ａに開口しかつ真空吸引源７０に接続された吸引路７２が設けられている。吸引路７２は、各ピン１２に設けられ、真空吸引源７０により端面１２ａ上に被加工物Ｗを吸引保持する。また、各吸引路７２には、制御手段１００により開閉される開閉弁７３が設けられている。

変形例に係るレーザー加工装置１−３は、実施形態１又は実施形態２と同様に、被加工物Ｗをレーザー加工する。変形例に係るレーザー加工装置１−３は、加工動作において、制御手段１００が保持位置のピン１２の端面１２ａに開口した吸引路７２に設けられた開閉弁７３を開き、退避位置のピン１２の端面１２ａに開口した吸引路７２に設けられた開閉弁７３を閉じる。変形例に係るレーザー加工装置１−３は、加工動作において、保持位置の各ピン１２の端面１２ａが被加工物Ｗを吸引保持する。

変形例に係るレーザー加工装置１−３によれば、実施形態１及び実施形態２と同様に、デバイスＤの位置に対応させてピン１２を保持位置と退避位置とに亘って上下移動させることが可能なチャックテーブル１０−３を備えるため、被加工物Ｗの加工コストの高騰を抑制することができる。さらに、変形例に係るレーザー加工装置１−３によれば、加工動作において、保持位置の各ピン１２が被加工物Ｗを吸引保持するために、被加工物Ｗの位置ずれを抑制でき、レーザー光線ＬＢ，ＬＰを確実に所望の位置即ち分割予定ラインＬに照射することができる。

なお、本発明は上記実施形態１、実施形態２及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明は、加工装置としての切削装置、研削装置、研磨装置などに適用することができる。

１，１−２，１−３ レーザー加工装置（加工装置）
１０，１０−３ チャックテーブル
１０ａ 保持面
１２ ピン
１３ 駆動部
２０，２０−２ レーザー加工手段（加工手段）
Ｗ 被加工物
ＷＳ 表面（一方の表面）
ＷＲ 裏面（一方の表面）
Ｌ 分割予定ライン
Ｄ デバイス

Claims (1)

1. 被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を加工する加工手段とを備える加工装置であって、
   前記チャックテーブルは、
   複数立設しそれぞれの先端により前記保持面を形成するピンと、各ピンを該保持面と該保持面よりも下方の退避位置にそれぞれ駆動する駆動部と、から構成され、
   所定の位置の複数のピンを該退避位置に下げた状態で該保持面で被加工物の一方の表面側を保持して加工手段で被加工物の加工を行うとともに、
   該所定の位置は、前記被加工物の表面に設定された分割予定ラインに対応する位置である加工装置。

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