JPS58219735A - ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置 - Google Patents

ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置

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JPS58219735A
JPS58219735A JP57102017A JP10201782A JPS58219735A JP S58219735 A JPS58219735 A JP S58219735A JP 57102017 A JP57102017 A JP 57102017A JP 10201782 A JP10201782 A JP 10201782A JP S58219735 A JPS58219735 A JP S58219735A
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行雄 見坊
Nobuyuki Akiyama
秋山 伸幸
Tomohiro Kuji
久邇 朝宏
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウェハ等の薄板の露光部をステップアンドリピ
ートにマスク位置まで繰返し移動せしめると共に、上記
薄板の露光部のみを支承し露光部とマスクとの位置調整
と微少間隙調整をして露光する薄板の絽光方法と装置に
関する。
従来よシ、シリコンウェハ、バブルウェハ、セラミック
基板およびプリント基板等の薄板を露光するには、上記
薄板とこれに微少間隙を距てて相対向して設けられたマ
スクとの相対位置を調整すると共に、これ等の平坦度を
棟出し、上記微少間隙を均一にすべく調整することが必
要とされていた。しかし、これ等の調整装置は複雑かつ
大掛シのものとなシ、装置が大形かつ高価のものとなシ
作粟効率の面でも問題があ択かつ、高速、高粉度の露光
が1癲であった。
すなわち、第1図に示す如く、マスク2とウェハ等の薄
板4 (以下ウェハと称呼する)とは、相対向して平行
に設けられ、ウェハ4は変形チャックフに支承されてい
る。又、変形チャックフは■テーブル8に支承される。
マスク2のパターン2aは複数個のアライメント検出器
3によって位置検出され、この検出信号かがテーブル8
等に入力され、ウェハ4の位置決めをする。
ウェハ4とマスク2とは微少間%yを距てて1己置され
ねばならないため、ウェハ4とマスク2とは、ウェハ平
坦度検出器5およびマスク平坦度検出器6によって平坦
度を測定し、後に説明する変形チャック1によって微少
間隙yの調整する必要がある。このためウェハ4とマス
ク2との平坦度を測定する大形の上記平坦度検出器へ6
が必要となるのみならず、ウェハ4の微少間隙1の^整
の・だめの大形の変形チャック7等が必要とされる。ウ
ェハ4とマスク2の位置関係が決まシ微少間隙^整が終
ると光源のX @ 1によシウエハ番は露光される。
第2図に示す如く、点光源であるX線lOX線ターゲッ
ト22から発射したX線はマスク2のパターン23をウ
エノS4上に転写する一7E、X線〃;傾斜角度βで入
射されるためや、上記の微少間隙!によυ、ウエノ14
上には図示の如き#丁け24シフト25および倍率誤差
30が生ずる。従って、マスク2のパターン23をウエ
ノ′−4に畠精匿に露光するためKは、上記の如く微少
間隙!を均一にして、上記はけ24、シフト25および
倍率誤差30を一定にする必要がある。
この微少間隙yを均一にするためには、変形チャック1
を上方側を開放した軸形状に形成せしめ、その上方側の
開放部にダイヤフラム式チャック部材26を設け、この
上にウエノS4を乗せるか、ウエノS4で直接上記開放
部を閉止させて設けるかし、変形チャックフの箱内に多
数(1mのピエゾ素子2)を立設せしめ、ピエゾ素子2
フの先端側を変形チャックツ内に真空口A 29から尋
人された真空力によシダイヤフラム式チャック音β材2
6又はウエノS4の下面側に幽接せしめピエゾ素子2フ
を駆動回路2日に接続し、電圧を調整してピエゾ素子2
7を伸縮させ、これKよってダイヤ7・ラム式チャック
部材26等を変形させて行っていた。微少間隙1は1μ
m緑幅のパターン23の場合は1011μmであシ、上
記ピエゾ素子27の伸縮によって、任意の形状にウエノ
S4の表面を変形せしめ微少間隙!を均一にすることが
できる。
第3図に示す如く、上記のピエゾ素子2フはウェハ4に
対し均等間隔に、かつ密に配置されている。ピエゾ素子
2′7を密に配置するのは、一箇所のみの調整では微少
間隙を正確に調整し得ないためである。一方、仮にウェ
ハ4を4インチのものとし、ピエゾ素子2フを10−/
、、間隔で配置しても約109個のものが必要となシ、
5インチのウェハ4に対しては153個のものが必要と
なる。
従って、これ等の多量のピエゾ素子2フを収納した変形
チャックフは重いものとなるのみならず多数のピエゾ素
子27の保守管理が困難であシ、装置の信頼性が低下す
る欠点も生ずる。又、ピエゾ素子2フを伸縮させるには
それぞれのピエゾ素子2フに対応する駆動回路2日が必
要となり、必要とされる電圧も600Vの高電圧である
ことがらkjd回路2日の小形化が望めず、重量、保守
管理、コード処理、信頼性の各面圧おいて問題が生じて
いた。
又、上記の如く、ウニ/)4をマスク2のノくターン位
置に位置決めするには、変形チャック7を移動せねばな
らず、ステップアンドリピートでこれを行うためには、
変形チャックフを高速かつ高精度に移動位置決めしなけ
れはならない。
従って大型かつ強力な沿テーブル8等のステージが必要
となシ装置が高価のものとなる。このだめ従来のもので
は、高速かつ、高札゛度の露光が困嬌とされていた。
本発明は上記の問題点を解決するために創案されたもの
であシ、その目日′ソは、小形、軽量で高速、かつ高精
度のステップアンドリピートの露光ができる薄板の露光
方法と装置を提供することにある。
本発明は上記の目的を達成するために、ウェハ等の薄板
をステップアンドリピート装kに着脱自在に保持し、こ
れをマスク位置に移動せしめると共に、上記薄板の露光
部のみを着脱自在に支持し、該露光部とマスクとの位置
調整およびその微少間隙調整をして該露光部のみを露光
し、これをステップアンドリピートに繰返して薄板全体
を露光する薄板の露光方法を特徴とすると共に、上記薄
板をマスクに相対向させて着脱自在に保持する保持装置
と、この保持装置をマスク位置に移動せしめるステップ
アンドリピート装置と、上記マスクと相対向する位置に
設けられ、薄板の露光部のみを密接支持し、これを上記
微少間隙の広狭する方向に移動する変形チャック装置と
、この変形チャック装置を支ホし、上記露光部をマスク
位置に微細位置決めするアライメント装置と、変形チャ
ック装置およびアライメント装置等の位置を検出する検
出装置と、これ等の制御装置等から構成される薄板の露
光装置を特徴とするものである。
以下、本発明の好適実施例を添付図面に基づき説明する
0 まず、第4図および第5図によシ芙施例の概 。
要を説明する。露光装置80の保持装置81はリング状
部材55および真空ポンプ57等から構成され、ウェハ
4はリング状部材55に真空吸着される。この保持装置
81はステップアンドリピート装置82に載置され示矢
x −x’力方向よびY −Y’力方向送られる。ウエ
ノ・4は2点鎖線51で示す如く、12箇所の露光部か
らなシ、マスク2は定位置に設けられている。このため
、ウエノ・4の各露光部は上記のステップアンドリピー
ト装置82によシ、マスク2の位置にステップアンドリ
ピートに位置決めされる0 マスク2に相対向して変形チャック装置83が・設けら
れている。この変形チャック帽h3は、後詳しく説明す
るが、変形チャック64とピエゾ素子2’l’41とか
ら構成されこの変形チャック装置83に。
より、マスク2の位置に移動された露光部の1つが吸着
保持される。そして、マスク2との微少間隙ダの調整は
ピエゾ素子2フによシ行われる。
変形チャック装置83はアライメント装置84によシ支
承される。アライメント装置84は微動M′ス  −テ
ーツ52、傾斜ステージ62、Zステージ63等から構
成され、ウェハ4の上記露光部のX、 Y、 Z方向の
位置調整をする。検知装置85はM′力方向反射ミラー
61.レーザ測長器フOおよび図示していないウェハ4
およびマスク2の平坦度測定器等から構成され、これ等
の検知信号によってアライメント装置84および変形チ
ャック装置83が動作される。制御装置86は第1のコ
ントローラ65と第2のコントローラ66と全体のコン
トローラ61等から構成され上記の各装置を制御する。
上記の如く、ウエノ・4がその露光部ごとに保持され、
保持されfc蕗元部とマスク2間において、位置調整や
微少間隙調整がなされるため、高精度、かつ高速の露光
ができるのみならず、変形チャック装置83、アライメ
ント装置84等がすべて小形、軽量となシ、取扱い易く
安価となると共に装置の信頼性が向上する。
以下、実施例を更に詳しく説明する。
第4図および第5図に示す如く、保持装置81のリング
状部材55はマスク2を囲繞する環状体から形成され、
その周縁部でウェハ4の有効面積外の外周綾部を把持し
、ウェハ4をマスク2と相対向して平行に保持する。リ
ング状部材55の周縁部の一部には切欠部55αが形成
され、ウェハ4の取付を容易にしている。又、リング状
部材55のウェハ4と保持する周縁部側には、リングチ
ャック部56が刻設されている。又、リング状部材55
のダ周部には、その法線方向に延出する部材54が設け
られ、部材54にはホース71を介して真空ポンプ5フ
が連結されている。そして、部材54内に列設された通
路を介し、リングチャック部66と真空ポンプ5フは連
通ずる。
ステップアンドリピート装置82はステップアンドリピ
ート用Yステージ82α(以下Yステージと称呼する)
 とステップアンドリピート用Xステージ(82b) 
 (以下Xステージと称呼、する)とから構成される。
Yステージ82αは保持装置81の部材54を示矢Y 
−Yr力方向摺動自在に載置するガイド部A 53αと
、部材54に螺合する送シネジA8フαと、この送シネ
ジA8フaを駆動するステップモータA 58α等から
構成されている。
又、Xステージ82hは、Yステージ82αを示矢X 
−X一方向に摺動自在に載置するガイド部B87Aと、
Yステージ82αに螺合する送シネジB 87Aと、こ
の送シネジB8フbを駆動するステップモータB 58
h等とから構成されている。そして、Xステージ82b
は基台6日に支承されている。保持装置81に把持され
たウェハ4は、ステップアンドリピート装置82に、よ
り、マスク2の結党位置まで運ばれると共に1その位置
でステップアンドリピートし、露光部の位置決めをする
。そのステップアンドリピートの精度は例へはストロー
ク20″′/!で土0.05W/n以下である。なお、
ステップモータA 58αとステップモータB 58A
は共に第2のコントローラ66に係合している。
次に、変形チャック装置83はマスク2に相対向して設
けられ、その中心位置をマスク2の中心露光位置Pと一
致せしめている。第6図に示す如く、変形チャック装置
83はマスク2側を開放した箱体64と、箱体64内に
等間隔に多数個立設されたピエゾ素子27と、ピエゾ素
子27に支持されると共に、箱体64の開放口を閉止し
て支、持されるダイヤフラム式チャック部材26と、ピ
エゾ素子2フのそれぞれに接続する駆動回路28等とか
ら構成される。箱体64には、真空口A 29、真空口
B 112が形成され、それぞれ図示しない真空源と連
通している。真空口A 29によシ箱体64内は真空と
され、ダイヤスラム式チャック部材26をピエゾ素子2
フに密接せしめる。真空口B 112はダイヤフラム式
チャック部材26のウェハ4と係合する側に形成された
溝部26aとホース8日を介して連通している。従って
、ウェハ4はダイヤフラム式チャック部材26に吸着さ
れる。なお明示していないが、変形チャック装置83は
第1のコント四−265と係合している。
次に7ライメント装置84は第6図に詳細に示す如く、
基台68上に支承される微動■ステージ52と、この微
動庁ステージ52に支承される傾斜ステージ62兼Zス
テー263等とから構成されん微動Xステージ52bは
、部材間に跨設された平行板バネ110と、上記部材を
上記X −X=力方向移動せしめるピエゾ素子Illと
からh成される。
微動Yステージ52αは、微動Xステージ52Aの上記
部材托支承され、同様に部材間に跨設された平行板バネ
110と、上記部材を上記Y −Y’力方向移動せしめ
るピエゾ素子Il1等とから構成されている。又、傾斜
ステージ62兼Zステージ63は、微動Yステージ52
αに支承され、部材間に跨設された複数個のピエゾ素子
111から構成され、ピエゾ素子Illの示矢Z −Z
’力方向伸縮によシ、上記部材をZ−21方向に移動さ
せると共に部材をX −X′軸又はY −Y′軸まわシ
に回動せしめるようにしている。そして、上記部材には
上記の変形チャック装置83が載置されている。
従って、変形チャック装置83のダイヤフラム式チャッ
ク部材26に吸着保持されたウェハ4は、X−Xl5Y
−、:YIおよびz−y、方向等に粗動および微動しう
ろことKなる。なお、明示していないが、アライメント
装置84のピエゾ素子11も駆動回路28Km続してい
ると共に第1のコントロール65に係合している。
検知製置85のレーザ反射ミラー6ユは、微動M′ステ
ージ52に取付けられ、レーザ測長機7oによってX 
−X′方向、Y −Y′方向の調整量を検知する。又、
明示していないが、ウェハ4およびマスク2の平坦度は
それぞれの平坦度測定器によって、Z−z′方向、およ
び回転方向の調整量が検知される。又、検知装置85も
第1のコントローラ65に係合している。
制御装置86は上記したそれぞれの装置を制御する兜l
および第2のコントローラ6a、 66と、これ等を全
体的に制御する全体のコントローラ67とから構成され
る。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、第γ図α々いしルア図1にょシステップアンドリ
ピート装置82にょるウェハ4の動きを説明する。上記
の如く、ウェハ4の露光部は2点鎖線51で示す如く、
12個所に区分される。
まづ、第7図αに示すように、マスク2ばその中心の露
光位置Pに設けられ、ウェハ4はその中心をロードアン
ドロード位置Mに保持装置81に把持されて位置づけら
れる。次に第1図すに示す如く、第1番目のウェイ14
の無元部4αの位置がマスク2の露光位置Pの位置にス
テップアンドリピート装置82によシ移動位置決めされ
る。
ここで第1軒目の無元部4aのkyt、が終了した後、
第1図Cに示す如く、第2番目の無元部4bが上記無光
位置Pの様に同じくステップアンドリピート装置82に
より位置決めされ露光される。引続き、第7図dに示す
如く、第3番目のh元部4Cが4元され、同様のことを
繰返し、第7図1に示すタロ<、第12番目の無元部4
1が露光を終了する。ぞして、再び、第フ図αの目−ド
アンドロード位置Mに戻シ、ウェハ4の全露光を終了す
る。     山 次に第8図に示すごとく、ウェハ4は変形チャック装置
33のダイヤフラム式チャック部材26によシ吸着され
るが、ウェハ4の外周側に近い無元部を露光するitに
は、ダイヤスラム式チャック部利26の一部がウェハ4
の外周側からはみ出す揚台がある。このため、ダイヤフ
ラム式チャック部材26に形成されたh部26αはパタ
ーン120の如く、いくつかに区割シされそれぞれ真空
源に連通されるようにされている。従って、真空作用を
するパターン120を選定することによシ、効果的にウ
ェハ4の吸溝ができる。
次に第9図に本実施例の露光作用のシーケンスを示す。
以下のシーケンスは制御装置86によ多制御される。シ
ーケンス第号(以下番号と称呼する> 90はウェハ4
のローデングを示す。ウェハ4は保持装置81のリング
状部材55にその外周縁部を係合させ、真空ポンプ57
によシリングチャック56に吸着把持され、ステップア
ンドリピート装置821Cよシ、ウェハ4の第1會目の
無元部4αを上記のロードプントロード位%Hに位置決
めする。番号91は変形チャック装置83の下降位置決
め確認を示す。変形チャック装置83はアライメント装
置84のZステージ63によるZ方向の移動によ910
02m下降した位置に位置決めされているので、これを
確認する。番号92はウェハ4の第Xi目の無元部4a
の位置決めを示す。
扼1番目の無元部4αがステップアンドリピート装置8
2によシ、マスク2の上記路光位置Pの最下に位置決め
される。この状態では、ウェハ4と変形チャック装置8
3とは接触していない。番号93は変形チャック装置8
3の上昇位置決めを示す。変形チャック装置83はZス
テージ63によシその下降位置よシ100μm上昇する
。番号94はウェハ4の吸着を示す。変形チャック装置
83のダイヤフラム式チャック部材26がウェハ4の露
光部4αを吸着する。昔号95はウェハ4のアンp−デ
ングを示す。露光部4αが吸着された状態で、保持装置
81のリングチャック部56による吸着を開放する。
番号96はウェハの間隙調整を示す。ウェハ4の露光部
4cLおよびマスクの平坦度が平坦度検出器によって検
出され、その結果に基つき、露光部4aが変形チャック
装置83内のピエゾ素子27の伸縮によシ変形される。
番号9)はウェハの7ライメント調整を示す。アライメ
ント調整は、番号99のアライメント検出査999の判
定2>=らなり、アライメントがl’g zならば番号
101のM4元に進方、Noならば番号100の微動調
整に進む0アライメントの調整は、露光部4αの位置を
検出装置85のレザー反射ミラー61によシ検出し、ア
ライメント装置84のピエゾ素子111の電圧111J
御による伸縮によシ平行板ノ(ネ110を動7!l為し
て行う。
番号99の判定は、検出値が許容値(0,1μm)以内
にあれはYesとし、以上のときはNOとして行う。ア
ライメント調整時には、ウニノS4力;保持装置81等
の拘束をうけないようにZステージ63を約20fim
はど下降せしめることも行われる。番号102保持装置
81のリングチャック部56によるウニノ・4の再把持
を示す。ウニノ・4の外周縁部が真空ポンプ5フの作用
によりリンク゛チャック56によシ把持される。番号1
03は変形チャック装置83のウニノ\吸着解除を示す
。変形チャック装置k83の真空口B112からの真空
力を解除し、ウェハ4の露光部4αの吸着を解除する。
番号104は変形チャック装置83の下降を示す。変形
チャック装置83は100μm下降し、上記の缶号91
に対応する。番号105は変形チャック装置83および
アライメント装置84等の厚意復帰を示す。アライメン
ト装R84等のピエゾ素子Il1等はすべて  ゛原点
に復帰し、次の露光部に備える。番号106は全露光確
認を示す。ウェハ4のh元部のすべての露光が完了した
かどうかを確認し、’51gのときは1号107のウェ
ハのアンローデングに進み、Noのときは番号921C
戻シ、上記と同様のシーケンスを繰返し行う。番号10
7にて、ウェハ4は保持装置81から開放される。以上
によシ全シーケンスが終了する。
上記において、第1番目の露光部4zと第2番目以降の
露光部4bないし4I!との相、違は次の点となる。す
なわち、第1番目の露光部4αは、ウェハ4のローデン
グの位置Mからマスク2の露光位置Pまで運はれるため
、ウェハ4を保持装置81に把持する場合の誤差や、上
記移動による位置誤差等が加算されるため、アライメン
トすべき量が大きく100μ扉ないし500μ扉となる
のに対し、第2番目以降のものは、1度番号97でアラ
イメントされているため、変形チャック装置83と保持
装置81間のウニノ・番の受渡しによる位置誤差と、露
光部間の移動誤差によるもののみとなるので、アライメ
ントすべき量は10μmないし100μ扉と小さくてす
む点である0 第10図および第11図は別の実施例を表示するC図に
おいて、第4図および第5図と同一符号のものは同−物
又は同一機能のものを示す。
本実施例では保持装置81が主として上記実施例と異な
るもので、ウニノ・4を直接保持しないように形成され
、ウニノ14の汚れを防止する効果を有するものである
すなわち、上記実施例と同様にリング状部材131はマ
′スク2を囲繞する環状体かち形成されその内周はウニ
ノS4の外周よシ大きく形成されている。このリング状
部材1310周縁部でウェハ4よシも大きな外周を有す
るダイヤフラム部材130の外周縁部を把持するようK
している。
リング状部材131には真空ポンプ57と連通ずるリン
グチャック56が形成されこれによシダイヤフラム部材
130は吸着把持される。
ウェハ4はダイヤフラム部材130上に載置される。従
って、この状態では・ウニノ)4は可動し得る状態にお
かれる。ウニノー4はダイヤフラム部材130に載置さ
れたまま、上記の如くマスク2の露光位置Pまでステッ
プアンドリピート装置82によシ運ばれ、ここで、第1
番目の露光部49が変形チャック装置83によりダイヤ
フラム部材130を介在させて吸着保持される。ダイヤ
フラム部材130は可焼体のためウニノS4の露光部4
αは変形チャック装置83に確実に保持される。
以下、上記と同様のシーケンスによシウニノ14の露光
が行われる。この場合、上記実施例と異々υ、変形チャ
ック装置83および保持装置81によシウニノS4は直
接把持されないため、ウェハ4とこれ等の装置間に摩擦
や接触がなくなシ、ウェハ4を清浄に保つことができる
次に、上記2つの実施例の効果について説明する。
従来技術では第1図に示した如く、ウェハ4を変形チャ
ックフに載せ、これをマスク2の露光位置に移動するた
め、その移動および調整手段が大損シになるのに反し、
本実施例では餘九部のみを把持し、調整するようにして
いるためウェハ4のチャック部は/、。以下の大きさと
なり、軽量、かつ剛性の高いものとなる。又、アライメ
ント装置も、従来に比べて115以下のものとなシ、軽
量となるのみならず、高精度の調整が可能となる。又、
ステップアンドリピート装置も、ウェハ4のみを把持し
、これをマスクの露光位置まで移動させればよく、従来
に比べ1/□。。以下の重量となシ、極めて軽量、かつ
安価のものとなシ、かつ、ウェハ4を高速度で露光位置
に移動できる。
災、従来、ウェハ4の位置決め検出には、ステップアン
ドリピートの全ストロークをカバーするため100mL
/m以上の長さをもつレザー反射ミラーを用い、レザー
測長器によシ行っていた。
このため、レザー反射ミラーは露光部から離れた所に設
けら′れ、高精度の伸出が困難であった。
本実施例では、レーザ反射ミラー61は微動M′ステー
ジ52に直接取付けられ、微動M′ステージ52による
調整ストロークも11rL//rn以内と極めて小きい
ため、小形のレーザ反射ミラー61又はコーナキューブ
式反射ミラーで充分であυ、かつ、露光部の近くに設け
られるため、高精度の位置決めが可能となる。
上記のことから、小形、軽量で、高精度、高速度の効果
が上げられる。
次にウェハの変形チャックに用いられるピエゾ素子の数
量についての従来技術との比較を説明する。
今、従来方式によるピエゾ素子の数をNとし本実施例に
よるものをNlとするとこれ等は下式で表示される。
2 N  = (7) X S+α 2 N’  =  (−; + 3) ここで、Pはピエゾ素子のピッチ、Hはマスクの大きさ
、Sはステップアンドリピート回数αはマスクの周辺部
のピエゾ素子の数を示す。
ピエゾ素子NおよびN=はSに対応し第1表の如くなる
上記から、露光部を12箇所としSを12とすると、ピ
エゾ素子は80個も削減されシ、以下のコストとなる。
なお、絹12図(φ〜(4に示す・は#AOを内ドライ
バ、0は周辺ドライバである。
以上の2つの実施例において、変形チャック装置823
にダイヤフラム式チャック部材26を用いたが勿論これ
に限定するのでなく、ウェハ4面を区割して変形制御で
きるものであればよい。
又、変形が不要ならば、通常のチャックでもよい。又、
ステップアンドリピート装置のね度が良けれは、アライ
メント装置の微動M′ステージ52を除去してもよい。
又、ステップアンドリピート装置のXおよびYステージ
(82h、 82α)の移動はステップモータB(5s
、6)ステップモータA(58α)に限定せず、リニア
モータでもよく、電気式でなく油気圧式のものであって
もよい。又、上記微動M′ステージ(52)も、電磁力
を応用したもの、圧力を応用したもの、テコ式%式% 以上の説明によって明らかの如く、本発明によれば、高
速かつ高精度のウェハの露光ができると共に1小形、軽
量の装置で露光できるので安価となる効果を上げること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のウェハ等を露光するX線アライナの主要
構成を示す斜視図、第2図はその変形チャックのまわシ
を示す断面図、第3図は変形チャックのピエゾ素子の配
列を示す説明図、第4図は本発明一実施例の構成を示す
正面図、第5図はその平面図、第6図は一実施例の変形
チャック装置、アライメント装置を説明する部分構成図
、第1図(4ないし第1図(4は一実施例におけるウェ
ハの露光部の移動状態を説明する説明図、第8図はウェ
ハと変形チャック装置との保合状態を説明する部分正面
図、第9図は一実施例の作用を説明するシーケンス図、
第10図は本発明の別の実施例の構成を示す正面図、第
11図はその平面図、第12図(→〜(φは従来のドラ
イバの配置を示した図、第12図(補は本発明によるド
ライバの配置を示した図である。 2・・・マスク、 4・・・ウェハ、26・・・ダイヤ
フラム式チャック部材、2’7.111・・・ピエゾ素
子、ジ 28・・・駆動回路、29・・・真空口A152・・・
微動がステージ、Q131・・・リングチャック部材、
5フ・・・真空ポンプ、61=レザ一反射ミラー、62
・・・傾斜ステージ、63・・・Zステージ、64・・
・1M体、65・・・第1のコントローラ、66・・・
第2のコントローラ、6日・・・3台、70・・・L/
f−測長器、80・・・露光装置、81・・・保持装置
、82・・・ステップアンドリピート装置、83・・・
変形チャック装置、84・・・アラ、イメント装置、8
5・・・検出装置、86・・・制御装置、11o・・・
平行板バネ、  lユ2・・・真空口B1  ユ3ユ用
タ゛イヤフラム部材。 昌   − (:+″″ 代理人弁理士 薄 1)洞j!、・ 才   1   図 ! 才   2  配 f′ 才  3  図 ′2 4  図 0 才  ざ 図 Rθ 7  b  図 才  7 図 f 8  図 才  ′1  図 才  70 図 6’/ 才   11   図 才 12  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 複数個に区分された露光部を有するウェハ等の薄
    板をステップアンドリピート方式で移動させて、上記薄
    板の露光部をマスク位置に一致、  せしめ、薄板とマ
    スクとを微少間隙を距てて相対向させ、上記微少間隙を
    調整し、X線光4NCより薄板を露光する薄板の露光方
    法において、上記マスク位置を固定し、上記ウェハをス
    テップアンドリピート装置に看過自在に保持せしめ上記
    ウェハの露光部を上記マスク位置に移動すると共に上記
    露光部を、上記マスクに相対向して設けられた変形チャ
    ック装置およびアライメント装置等によシ保持し、上記
    露光2謝Sと上記マスクとの位置および上記微少間隙を
    調整し、上記露光部を露光し、上記薄板をステップアン
    ドリヒートしてすべての露光部を露光するようにしたこ
    とを%徴とする薄板の路光方法。 2、 複数個に区分された露光部を有するウェハ等の薄
    板をステップアンドリピート方式で移動させて、上記薄
    板の総光部をマスク位置に一致せしめ、薄板とマスクと
    を微少間隙を距てて相対向させ、上記微少nIJtax
     t w*整し、X線等にょシ薄板を露光する薄板の露
    yt、装置において、上記薄板を上記マスクに相対向せ
    しめ、これを漸脱自在に保持する保持装置と、該保持装
    置に係合し、上記薄板を上記マスク位置にステップアン
    ドリピートに移動せしめるステップアンドリピート装置
    と、上記マスクに相対向して設けられ、上記薄板の上記
    露光部を保持すると共に、上記露光部を上記微少間隙を
    広狭する方向に移動1整する変形チャック装置と、該変
    形チャック装置を支承すると共に、上記薄板の上記露光
    部を上記マスク位置に微細位fk+:決め調整するアラ
    イメント装置と、上記変形チャック装置と7ライメント
    装置の調整証を検出する検出装置と、上記の各装置に係
    合し、これ等を制御する制御装置とを備えることを特徴
    とする薄板の旙元装置。 3、 上記薄板を、可撓部材上に設け、上記薄板を上記
    可焼部材を介在して上記保持装置に層脱自在に保持する
    ようにしたことを特徴とする付Ivf請求の範囲第2項
    記載の薄板の露光装置。
JP57102017A 1982-06-16 1982-06-16 ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置 Granted JPS58219735A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6175521A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6184018A (ja) * 1984-10-01 1986-04-28 Hitachi Ltd X線露光装置
JPH07209876A (ja) * 1995-01-30 1995-08-11 Canon Inc X線転写装置及び方法
JP2002251017A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
WO2003052804A1 (fr) * 2001-12-17 2003-06-26 Nikon Corporation Appareil porte-substrat, appareil d'exposition et procede de production d'un dispositif
JP2006510223A (ja) * 2002-12-13 2006-03-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 基板の面曲がりを使用する倍率補正
JP2010102130A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Canon Inc 露光装置
JP2011102834A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Toppan Printing Co Ltd 基板露光装置
JP2017054973A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ 加工装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261132A (ja) * 1988-08-26 1990-03-01 Aimu:Kk 殺菌性織布

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261132A (ja) * 1988-08-26 1990-03-01 Aimu:Kk 殺菌性織布

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6175521A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6184018A (ja) * 1984-10-01 1986-04-28 Hitachi Ltd X線露光装置
JPH0564452B2 (ja) * 1984-10-01 1993-09-14 Hitachi Ltd
JPH07209876A (ja) * 1995-01-30 1995-08-11 Canon Inc X線転写装置及び方法
JP2002251017A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
WO2003052804A1 (fr) * 2001-12-17 2003-06-26 Nikon Corporation Appareil porte-substrat, appareil d'exposition et procede de production d'un dispositif
JP2006510223A (ja) * 2002-12-13 2006-03-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 基板の面曲がりを使用する倍率補正
JP2010102130A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Canon Inc 露光装置
JP2011102834A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Toppan Printing Co Ltd 基板露光装置
JP2017054973A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ 加工装置

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