TWI759020B - 用於製造雙面靜電夾的系統和方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於製造一靜電夾的系統、設備及方法。一實例方法可包括在包含一第一時間的一第一持續時間期間形成一頂部夾，該頂部夾包含一第一組電極及複數個瘤節。該方法可進一步包括在包含與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心，該核心包含複數個流體通道，該等流體通道經組態以攜載一熱調節流體。該方法可進一步包括在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底部夾，該底部夾包含一第二組電極。在一些態樣中，該實例方法可包括在無一陽極接合情況下製造該靜電夾。

Description

用於製造雙面靜電夾的系統和方法
本發明係關於基板台及用於在基板台表面上形成瘤節及奈米結構的方法。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其互換地被稱作遮罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於所形成之IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上來進行。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。傳統微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化裝置轉印至基板。
極紫外(EUV)光，例如具有約50奈米(nm)或更小之波長之電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括處於約13 nm之波長的光，可用於微影設備中或與微影設備一起使用以在基板(例如矽晶圓)中產生極小特徵。產生EUV光之方法包括但未必限於將具有在EUV範圍內之發射譜線之元素，例如氙(Xe)、鋰(Li)或錫(Sn)之材料轉換成電漿狀態。舉例而言，在稱作雷射產生電漿(LPP)之一種此類方法中，可藉由使用可稱為驅動雷射之放大光束輻照目標材料來產生電漿，該目標材料在LPP源(例如，呈液滴、板、帶、液流或材料集群之形式)之情況下可互換地稱為燃料。對於此製程，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監視電漿。
另一微影系統為不存在圖案化裝置的干涉微影系統。確切而言，干涉微影系統將光束分裂成兩個光束，且經由使用反射系統使得兩個光束在基板之目標部分處干涉。該干涉使線形成於基板之目標部分處。
在微影操作期間，不同處理步驟可要求不同層待連續地形成於基板上。因此，可有必要以高準確度相對於形成於基板上之先前圖案來定位該基板。通常，將對準標記置放於待對準之基板上且參考第二物件來定位對準標記。微影設備可使用對準設備來偵測對準標記之位置，且使用對準標記來對準基板以確保自遮罩之精確曝光。將兩個不同層上之對準標記之間的未對準量測為疊對誤差。
為了監視微影製程，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影光敏抗蝕劑之臨界線寬。此量測可對產品基板、專用度量衡目標或兩者執行。存在用於進行在微影製程中形成之顯微結構之量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種其他專用工具。專用檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中將輻射之光束導向至基板之表面上之目標上，且量測散射或反射光束之特性。藉由將光束在其已由基板反射或散射之前與之後的性質進行比較，可判定基板之性質。舉例而言，可藉由比較反射光束與儲存於與已知基板性質相關聯之已知量測庫中的資料而進行此判定。光譜散射計將寬頻帶輻射光束導向至基板上且量測散射至特定窄角度範圍中的輻射之光譜(依據波長而變化的強度)。相比之下，角解析散射計使用單色輻射光束且量測作為角度之函數的散射輻射之強度。
此類光學散射計可用以量測參數，諸如經顯影光敏性抗蝕劑之臨界尺寸或在形成於經圖案化基板中或上之兩個層之間的疊對誤差。可藉由比較在照明光束已由基板反射或散射之前與之後的該光束的性質來判定基板之性質。
期望指示及維護基板台之表面上之摩擦性質(例如，摩擦、硬度、磨損)。在一些情況下，晶圓夾可安置於基板台之表面上。基板台或附接至基板台的晶圓夾因為微影及度量衡製程之精準度需求具有可難以達到之表面位準容許度。相較於表面區域之寬度(例如，寬度＞100.0 m)，為相對薄 (例如，厚度＜1.0毫米(mm))的晶圓(例如，半導體基板)對基板台之不均勻性為特別地敏感的。此外，觸點之超光滑表面可一起變為堵塞的，當基板必須自基板台脫嚙時，其可出現問題。為了減小與晶圓介接之表面的光滑度，基板台或晶圓夾的表面可包括藉由玻璃基板之圖案化及蝕刻形成的玻璃瘤節。然而，此等玻璃瘤節僅具有約6.0吉帕斯卡(GPa)的硬度，且因此在微影設備之操作期間可破裂，由經夾持晶圓堵塞至玻璃瘤節中之粒子壓碎。另外，習知夾通常使用陽極接合(例如，以結合玻璃及金屬)、可花費一年來完成的製程來串行地製造。
本發明描述用於經由一並行製程製造一靜電夾之系統、設備及方法的各種態樣，該靜電夾不包括陽極接合，該並行製程包括與形成一核心並行且進一步與形成一底部夾並行地形成一頂部夾，及隨後將該頂部夾安裝至該核心且將該核心安裝至該底部夾。
在一些態樣中，本發明描述一種用於製造一設備的方法。該方法可包括在包括一第一時間的一第一持續時間期間形成一頂部夾。該頂部夾可包括一第一表面；一第二表面，其與該第一表面相對地安置；一第一組電極，該第一組電極側向安置於該第一表面與該第二表面之間；及複數個瘤節，該複數個瘤節安置於該第一表面上方。該方法可進一步包括在包括與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心。該核心可包括：一第三表面；一第四表面，其與該第三表面相對地安置；複數個流體通道，該複數個流體通道安置於該第三表面與該第四表面之間且經組態以攜載一熱調節流體。該方法可進一步包括在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底夾。該底部夾可包括：一第五表面；一第六表面，其與該第五表面相對地安置；及一第二組電極，該第二組電極側向安置於該第五表面與該第六表面之間。
在一些態樣中，本發明描述另一種用於製造一設備的方法。該方法可包括在包含一第一時間的一第一持續時間期間形成一頂部夾，該頂部夾包括一第一表面。該方法可進一步包括在包括與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心，該核心包括一第二表面及與該第二表面相對地安置的一第三表面。該方法可進一步包括在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底部夾，該底部夾包括一第四表面。該方法可進一步包括在無一陽極接合情況下將該頂部夾之該第一表面安裝至該核心的該第二表面。該方法可進一步包括在無一陽極接合情況下將該核心之該第三表面安裝至該底部夾的該第四表面。
在一些態樣中，本發明描述一種設備。該設備可包括一頂部夾、一核心及一底部夾。該頂部夾可包括一第一組電極及複數個瘤節。該核心可包括複數個流體通道，該複數個流體通道經組態以攜載一熱調節流體。該底部夾可包括一第二組電極。在一些態樣中，該頂部夾、該核心及該底部夾皆不包括一陽極接合。在一些態樣中，該設備並不包括一陽極接合。
下文中參考隨附圖式詳細地描述各種態樣之其他特徵以及結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定態樣。本文中僅出於說明性目的而呈現此類態樣。基於本文含有之教示，額外態樣對於熟習相關技術者而言將為顯而易見。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅描述本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之廣度及範疇由隨附至本發明之申請專利範圍及其等效物界定。
所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指相同實施例。另外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認知範圍內。
為易於描述，可在本文中使用諸如「在……之下」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「在……上」、「上部」及其類似者的空間相對術語來描述如圖式中所說明之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述符可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術發生變化之給定數量的值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在該值之10%至30%內(例如，該值之±10%、±20%或±30%)發生變化之給定數量之值。
概述
使用EUV輻射源之習知微影設備通常要求EUV輻射光束路徑或其至少實質部分在微影操作期間保持於真空中。在微影設備之此類真空區中，靜電夾可用以分別夾持物件，諸如圖案化裝置(例如，遮罩或倍縮光罩)或基板(例如，晶圓)至微影設備之結構，諸如圖案化裝置台或基板台。習知靜電夾可在靜電夾之一個表面處包括電極，其中複數個瘤節安置於靜電夾之相對表面上。隨著靜電夾經給予能量(例如，使用夾持電壓)且拉動倍縮光罩或晶圓與瘤節接觸，導電瘤節頂部相較於倍縮光罩或晶圓背面可處於不同電位。在接觸的時刻，由於該兩個電位相等，因此此電位差引起放電機制。另外，習知靜電夾通常包括藉由圖案化及蝕刻玻璃基板形成的玻璃瘤節。此等玻璃瘤節僅具有約6.0 GPa的硬度，且因此在微影設備之操作期間可破裂，由經夾持晶圓堵塞至玻璃瘤節中之粒子壓碎。此外，此等習知靜電夾通常包括若干陽極接合，且可花費七十週以上來製造，此時間過長。
與此等習知系統相對比，本發明提供用於製造靜電夾的方法，該方法包括並行處理技術，該等並行技術藉由以下操作而允許最終靜電夾的快速生產及較高良率(i)並行地執行關鍵任務，及(ii)使用光學接合來將頂部夾結合至核心，以便具有模組化設計，其中若頂部夾上之瘤節經斷裂，則頂部夾可相當容易地被移除且替換。光學接合足夠強以在微影設備之操作期間支援靜電夾的加速，但為可逆的，使得頂部夾可經移除且替換。此外，底部夾可藉由對構造(例如，核心及底部夾)進行烘焙達攝氏450度且使黏附劑灰化而同樣相對容易地被移除。視需要，在一些態樣中，靜電夾可在無陽極接合情況下製造，該陽極接合為不可逆的且含有高位準應力。然而，在其他態樣中，靜電夾可運用一或多個陽極接合，諸如一陽極接合來製造以將核心夾持在一起及/或核心與底部夾之間的陽極接合結合核心與頂部夾之間的光學接合來製造。
在一些態樣中，本發明提供用於製造並不包括任何陽極接合的一靜電夾之方法，該靜電夾包括頂部夾、核心，及底部夾。在本文中所描述之一些態樣中，用於製造靜電夾之實例方法可包括與形成核心並行且進一步與形成底部夾並行地形成頂部夾。隨後，實例方法可包括將頂部夾安裝至核心且將核心安裝至底部夾。藉由並行且在無陽極接合操作情況下形成頂部夾、核心及底部夾，本文所描述之方法相較於利用串行製程及陽極接合的習知技術可快得多地生產靜電夾。舉例而言，雖然習知靜電夾可花費一年以上的時間來製造，但本文中揭示之靜電夾可花費不到三個月的時間來製造，從而致使製造時間減少約75%或更多。
另外，本發明提供一種運用頂部夾修復靜電夾的方法，該頂部夾已自具有斷裂玻璃瘤節的區域恢復。該方法包括：自核心移除頂部夾(例如，頂部夾可經光學接合至核心)，修復斷裂瘤節或製造新的頂部夾，及光學接合新或經修復頂部夾至核心，藉此保持且重新使用現有核心及底部夾。因此，本發明提供在不丟棄其組件之元件的全部情況下修復靜電夾。
在一些態樣中，本發明提供一種產生靜電夾的方法，該靜電夾功能上等效於習知晶圓夾但係經由並行且涉及非陽極接合兩者的製程。另外，本文中揭示之靜電夾相較於將頂部夾陽極接合至核心的習知靜電夾更易於再加工。舉例而言，現場故障通常涉及頂部夾之表面上的斷裂瘤節。藉由將頂部夾光學接合至核心，本文中揭示之靜電夾允許使頂部夾自核心解除接觸，且接著使經再加工或新製造的頂部夾與核心重新接觸。
在一些態樣中，本發明提供一種用於製造靜電夾的方法，該方法在其他態樣中包括以下三個並行生產流程。
1. 生產用於頂部夾的0.5 mm厚的硼矽酸鹽玻璃夾。此構造含有電極及瘤節，且可光學接觸至經研磨SiSiC核心的表面。
2. 生產8.0 mm厚的SiSiC核心。此構造含有冷卻及氣體分佈、經研磨頂面及其背側上的長瘤節。在一些態樣中，核心可在無陽極接合情況下生產。在其他態樣中，核心可運用一或多個陽極接合來產生。
3. 生產用於底部夾的0.5 mm厚的硼矽酸鹽玻璃夾。此構造含有電極，及核心之較長瘤節將通過的通孔。此底部夾可為運用環氧樹脂接合至核心。
存在本文中所揭示之製造技術及靜電夾的許多優勢及益處。相較於習知技術，本發明提供以更簡單、更快且更低廉的方式且以更好生產良率製造靜電夾。另外，相較於習知技術，本發明提供以更簡單、更快且更低廉的方式且具有更好修復良率來修復靜電夾。舉例而言，本發明藉由以下操作在其他態樣中以大體上較短之持續時間(例如，製造習知靜電夾需要之時間的約四分之一或以下)內製造靜電夾：並行且在無陽極接合操作情況下形成靜電夾的數個部分(例如，頂部夾、核心及底部夾)。在另一實例中，本發明提供晶圓夾及靜電夾，該等夾包括具有大於約6.0 GPa且在一些態樣中，大於約20.0 GPa之硬度的硬瘤節。此等硬瘤節提供優於傳統玻璃瘤節的增大之耐磨性及摩擦性質，其有利於在微影設備之操作期間在無裂紋或斷裂情況下使基板或圖案化裝置嚙合並脫嚙。另外，本發明促進已自現場修復之具有斷裂瘤節的夾之再加工。由於本發明中所描述之技術，相較於先前技術，相關光微影設備可更快速、更低廉且更可靠地恢復以提供服務。在一些態樣中，本發明在硬得多之瘤節情況下促進再加工夾至現場的恢復，該等瘤節在微影操作將因此不易於斷裂。
然而，在更詳細地描述此類態樣之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之態樣之實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別為其中可實施本發明之態樣的微影設備100及微影設備100'之示意性說明。如圖1A及圖1B中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側且Z軸指向上方)之視角(例如，側視圖)說明微影設備100及100'，而自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側且Y軸指向上方)之額外視角(例如，俯視圖)呈現圖案化裝置MA及基板W。
微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者：照明系統IL (例如，照明器)，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線(DUV)輻射光束或極紫外線(EUV)輻射光束)；支撐結構MT (例如，遮罩台)，其經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置)並連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA的第一定位器PM；及基板固持器，諸如基板台WT (例如，晶圓台)，其經組態以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈晶圓)並連接至經組態以準確地定位基板W的第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化裝置MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒之部分)上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS係透射式的。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置MA是否固持在真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
應將術語「圖案化裝置」MA廣泛地解釋為參考任何裝置，該裝置可用以在其橫截面中賦予具有圖案之輻射光束B，以便在基板W之目標部分C中產生圖案。賦予至輻射光束B之圖案可對應於裝置中之特定功能層，在目標部分C中產生該功能層以形成積體電路。
圖案化裝置MA可為透射性的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射性的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、遮罩、可程式化鏡面陣列，或可程式化LCD面板。遮罩包括諸如二元、交變相移或衰減相移之遮罩類型，以及各種混合式遮罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，該任何類型之投影系統包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，如適於所使用之曝光輻射或適於其他因素，諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空的使用。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個遮罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可並非基板台WT。
微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如遮罩與投影系統之間的空間。浸潤技術用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1A及圖1B，照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射器時，輻射源SO及微影設備100或100'可為單獨的物理實體。在此類情況下，不認為輻射源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B藉助於包括例如合適的引導鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (例如，圖1B中所展示)而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影設備100或100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。
照明系統IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD (例如，圖1B中所展示)。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件(例如，圖1B中所展示)，諸如積光器IN及輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。照明系統IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分佈。
參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT (例如，遮罩台)上之圖案化裝置MA (例如，遮罩)上，且由圖案化裝置MA來圖案化。在微影設備100中，輻射光束B自圖案化裝置MA反射。在自圖案化裝置MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IFD2 (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IFD1 (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。可使用遮罩對準標記M1及M2及基板對準標記P1及P2來對準圖案化裝置MA及基板W。
參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化裝置MA上，且係由該圖案化裝置MA而圖案化。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有至照明系統光瞳IPU之光瞳共軛物PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受到遮罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。
投影系統PS將遮罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之抗蝕劑層上，其中影像MP'係由遮罩圖案MP藉由來自強度分佈之輻射產生之繞射光束形成。舉例而言，遮罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在該陣列處且不同於零階繞射的輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。非繞射光束(例如，所謂的零階繞射光束)橫穿圖案，而無傳播方向的任何改變。零階繞射光束在投影系統PS之光瞳共軛物PPU的上游橫穿投影系統PS之上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物PPU。在光瞳共軛物PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之影像。孔徑裝置PD例如在包括投影系統PS之光瞳共軛物PPU之平面處或實質上在該平面處安置。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組L不僅捕捉零階繞射光束，而且捕捉一階或一階及更高階繞射光束(未展示)。在一些態樣中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效果。舉例而言，一階繞射光束在基板W之位準處與對應的零階繞射光束干涉，以在最高可能解析度及製程窗(例如，與容許曝光劑量偏差組合之可用焦深)處產生遮罩圖案MP之影像。在一些態樣中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(圖中未示)來減小散光像差。此外，在一些態樣中，可藉由阻擋與相對象限中之輻射極相關聯的投影系統之光瞳共軛物PPU中之零階光束來減小散光像差。此更詳細地描述於2009年3月31日發佈之美國專利第7,511,799號中，其以全文引用之方式併入本文中。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IFD (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用於(例如，在自遮罩庫機械取回之後或在掃描期間)相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。
一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的長衝程定位器(粗略定位)及短衝程定位器(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程定位器及短衝程定位器來實現基板台WT的移動。在步進器之情況下(相對於掃描器)，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA與基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(例如，切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化裝置MA上之情形中，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。
支撐結構MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用於將諸如遮罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化裝置MA在真空腔室之外部時，與真空內機器人IVR類似，真空外機器人可用於各種運輸操作。在一些情況下，需要校準真空內及真空外機器人兩者以用於將任何有效負載(例如，遮罩)平滑地轉印至轉印站之固定運動學安裝件。
微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式中，支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止，同時賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影於目標部分C上(例如，單一靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式中，支撐結構MT及基板台WT經同步地掃描，同時賦予至輻射光束B之圖案投影於目標部分C上(例如，單一動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT (例如，遮罩台)之速度及方向。
3. 在另一模式中，使支撐結構MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置MA，且移動或掃描基板台WT，同時將賦予至輻射光束B的圖案投影於目標部分C上。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置MA (諸如，可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
亦可使用關於所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在另一態樣中，微影設備100包括EUV源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源於輻射系統中經組態，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影設備100，其包括輻射源SO (例如，源收集器設備)、照明系統IL及投影系統PS。如圖2中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側且Z軸指向上方)之視角(例如，側視圖)說明微影設備100。
輻射源SO經建構及配置，使得可在圍封結構220中維持真空環境。輻射源SO包括源腔室211及收集器腔室212，且經組態以產生及傳輸EUV輻射。EUV輻射可由氣體或蒸氣產生，例如氙(Xe)氣、鋰(Li)蒸氣或錫(Sn)蒸氣產生，其中產生EUV輻射發射電漿210以發射在電磁波譜之EUV範圍內的輻射。至少部分地電離之EUV輻射發射電漿210可藉由例如放電或雷射射束產生。Xe氣、Li蒸氣、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣之例如約10.0帕斯卡(pa)之分壓可用於有效產生輻射。在一些態樣中，提供受激錫電漿以產生EUV輻射。
由EUV輻射發射電漿210發射之輻射經由可選氣體障壁或污染物截留器230 (例如，在一些情況下，亦被稱為污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中，該可選氣體障壁或污染物截留器定位於源腔室211中之開口中或後方。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物截留器230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱為中間焦點，且源收集器設備經配置使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為EUV輻射發射電漿210之影像。光柵光譜濾光器240尤其用於抑制紅外(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224，該琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置經配置以提供輻射光束221在圖案化裝置MA處之所期望角度分佈，以及在圖案化裝置MA處之輻射強度的所期望均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束221後，形成圖案化光束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將圖案化光束226成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
照明系統IL及投影系統PS中通常可存在比所展示元件更多之元件。視情況，光柵光譜濾光器240可取決於微影設備之類型而存在。另外，可存在比圖2中所展示之鏡面更多的鏡面。舉例而言，與圖2中所展示相比，在投影系統PS中可存在一至六個額外反射元件。
僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例，如圖2中所說明之輻射收集器CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之輻射收集器CO較佳地與放電產生電漿(DPP)源結合使用。
實例微影製造單元
圖3展示有時亦稱作微影製造單元(lithocell)或叢集的微影製造單元300。如圖3中所展示，自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側且Y軸指向上方)之視角(例如，俯視圖)說明微影製造單元300。
微影設備100或100'可形成微影製造單元300之部分。微影製造單元300亦可包括一或多個設備以在基板上執行曝光前製程及曝光後製程。舉例而言，此等設備可包括用於沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用於顯影經曝光的抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器RO (例如，機器人)自輸入/輸出埠I/O1及I/O2拾取基板，在不同處理設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備100或100'之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以使產出量及處理效率最大化。
實例基板載物台
圖4展示根據本發明之一些態樣的實例基板載物台400之示意性說明。在一些態樣中，實例基板載物台400可包括基板台402、支撐塊體404、一或多個感測器結構406、任何其他合適組件或其任何組合。在一些態樣中，基板台402包含夾(例如，晶圓夾、倍縮光罩夾、靜電夾)來固持基板408。在一些態樣中，一或多個感測器結構406中之每一者包含透射影像感測器(TIS)板。TIS板為感測器單元，該感測器單元包含一或多個感測器及/或用於一TIS感測系統中的標記器，該標記器用於相對於微影設備(例如，參考圖1A、圖1B及圖2描述之微影設備100及微影設備100')的投影系統(例如，參看圖1A、圖1B及圖2描述之投影系統PS)及遮罩(例如，參看圖1A、圖1B及圖2描述之圖案化裝置MA)準確地定位晶圓。雖然此處為了圖示展示TIS板，本文中之態樣不限於任何特定感測器。將基板台402安置於支撐塊體404上。將一或多個感測器結構406安置於支撐塊體404上。
在一些態樣中，當實例基板載物台400支撐基板408時，基板408可安置於基板台402上。
可在本文中使用術語「平坦」、「平坦性」或類似者以描述相對於表面之大體平面的結構。舉例而言，彎曲或非水平之表面可為一種並不符合平板之表面。表面上之突起及凹陷亦可經特徵化為自「平坦」平面之偏差。
可在本文中使用術語「平滑」、「粗糙度」或類似者以指局部變化、微觀偏差、粒度或表面之紋理。舉例而言，術語「表面粗糙度」可指自平均線或平面之表面輪廓的微觀偏差。通常將偏差測量(按長度單位計)為振幅參數，諸如均方根(root mean squared；RMS)或算術平均偏差(arithmetical mean deviation；Ra) (例如，1 nm RMS) 。
在一些態樣中，上文所提及之基板台之表面(例如，圖1A及1B中之基板台WT、圖4中之基板台402)可為平坦的或去掉瘤節的。當基板台之表面係平坦的時，阻塞於基板台與晶圓之間的任何微粒或污染物將引起污染物透印晶圓，從而引起在晶圓附近中之微影誤差。因此，污染物減少裝置良率並增加生產成本。
在基板台上安置瘤節有助於減少平坦基板台之非期望的效果。當將晶圓夾持至去瘤節的基板台時，可在該區域中獲得晶圓並不接觸基板台之空的空間。空的空間充當污染物之凹穴以防止印刷誤差。另一優勢係，定位於瘤節上之污染物更有可能由於藉由瘤節引起之增大的負荷而被壓碎。壓碎污染物亦有助於降低透印誤差。在一些態樣中，瘤節之組合式表面區域可大體上為基板台之表面區域的大約1%至5%。此處，瘤節之表面區域指與晶圓接觸之表面(例如，不包括側壁)；且基板台之表面區域指該基板台之瘤節駐存所在之表面的跨度(例如，不包括基板台的側向或背側)。當將晶圓夾持至去瘤節的基板台上時，與平坦的基板台上相比較，去瘤節的基板台上之負荷增加100倍，其足以壓碎大部分污染物。雖然此處之實例使用基板台，但該實例並不意欲為限制性的。舉例而言，本發明的態樣可針對多種夾持結構(例如，靜電夾、夾持膜)且在多種微影系統(例如，EUV、DUV)中實施於倍縮光罩台上。
在一些態樣中，瘤節至晶圓之介面控管基板台之功能效能。當基板台之表面係平滑的時，可提高基板台之平滑表面與晶圓之平滑表面之間的黏附力。兩個接觸之平滑表面黏附在一起的現象稱作緊貼。緊貼可由於晶圓中之高摩擦及平面內應力在裝置製造中引起問題(例如，覆疊問題) (此對於在對準期間易於具有晶圓滑移是最佳的)。
具有硬瘤節的實例表面
圖5展示實例靜電夾500之區，諸如實例靜電夾500之頂部夾之一部分(或在一些態樣中，實例靜電夾700或701之實例頂部夾702的一部分)的橫截面說明。實例靜電夾500可包括第一層502 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO 2層)，該第一層包括第一表面502a。
實例靜電夾500可進一步包括第二層504 (例如，黏附層，諸如Cr、Al、Si或任何其他合適材料層)，該第二層包括第二表面504a及與第二表面504a相對的第三表面504b。第二層504之第三表面504b可安置於第一層502的第一表面502a上。在一些態樣中，可圖案化第二層504作為最終或幾乎最終步驟。
實例靜電夾500可進一步包括安置於第一層502之第一表面502a上方的複數個瘤節506 (例如，DLC瘤節)。舉例而言，複數個瘤節506可安置於第二層504之第二表面504a上。複數個瘤節506中一子集之硬度可大於約6.0 GPa，且在一些情況下大於約10.0 GPa，約15.0 GPa或甚至約20.0 GPa。複數個瘤節506之厚度可大於約2.0微米，且在一些情況下大於約5.0微米，7.5微米或甚至約10.0微米。複數個瘤節506中每一者的半徑可為約200.0微米。在一些態樣中，複數個瘤節506可包括至少約三萬個瘤節。在一些態樣中，複數個瘤節506可藉由圖案化且蝕刻第三層(例如，DLC層)以形成複數個瘤節506來形成。
實例靜電夾500可進一步包括安置於複數個瘤節506上方的複數個瘤節頂部507 (例如，CrN瘤節頂部)。複數個瘤節頂部507可藉由圖案化及蝕刻第四層(例如，CrN層)以形成複數個瘤節頂部507來形成。在一些態樣中，複數個瘤節506、複數個瘤節頂部507或兩者可為導電的。
複數個瘤節506中之每一瘤節可包括第四表面506a及與第四表面506a相對的第五表面506b。瘤節之第五表面506b可安置於第二層504的第二表面504a上。複數個瘤節頂部507中之每一瘤節頂部可包括第六表面507a及與第六表面507a相對的第七表面507b。瘤節頂部之第七表面507b可安置於瘤節的第四表面506a上。
視需要，物件508 (例如，晶圓W或圖案化裝置MA)可定位於複數個瘤節頂部507上。舉例而言，物件508之第八表面508a可以可移除方式安置(例如，置放、定位)於複數個瘤節頂部507中之一或多者的第六表面507a上。
圖6展示實例靜電夾600之區，諸如實例靜電夾600之頂部夾之一部分(或在一些態樣中，實例靜電夾700或701之實例頂部夾702的一部分)的橫截面圖示。實例靜電夾600可包括第一層602 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO 2層)，該第一層包括第一表面602a。
實例靜電夾600可進一步包括安置於第一層602之第一表面602a上方的複數個瘤節606 (例如，CrN、AlN或SiN瘤節)。舉例而言，複數個瘤節606可安置於第一層602之第一表面602a上。複數個瘤節606之子集之硬度可大於約6.0 GPa，且在一些情況下大於約10.0 GPa，約15.0 GPa或甚至大約20.0 GPa。複數個瘤節606之厚度可大於約2.0微米，且在一些情況下大於約6.0微米，7.5微米或甚至約10.0微米。在一些態樣中，複數個瘤節606可包括至少約三萬個瘤節。在一些態樣中，複數個瘤節606可藉由圖案化及蝕刻第二層(例如，CrN、圖AlN或SiN層)以形成複數個瘤節606來形成。
複數個瘤節606中之每一瘤節可包括第二表面606a及與第二表面606a相對的第三表面606b。瘤節之第三表面606b可安置於上第一層602的第一表面602a上。
視需要，物件608 (例如，晶圓W或圖案化裝置MA)可定位於複數個瘤節606上方。舉例而言，物件608之第四表面608a可以可移除方式安置(例如，置放、定位)於複數個瘤節606中之一或多者的第二表面606a上。在一些態樣中，複數個瘤節606可為導電的。
實例靜電夾
圖7A為根據本發明之一些態樣的實例靜電夾700之分解橫截面視圖的示意性說明。實例靜電夾700可包括例如實例頂部夾702、實例核心704、實例底部夾706、任何其他合適組件或其任何組合。在一些態樣中，實例靜電夾700、實例頂部夾702、實例核心704、實例底部夾706或其組合可在無陽極接合情況下形成。在一些態樣中，實例頂部夾702可具有約0.5毫米的第一厚度，實例核心704可具有約8.0毫米的第二厚度，且實例底部夾706可具有約0.5毫米的第三厚度。
實例頂部夾702可包括層720 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽)、層724 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO 2層)及安置於層720與層724之間且在層720與層724之間形成一或多個電極的一或多個層722。一或多個層722可包括結構，諸如一或多個複合層的任何組合，其中一或多個複合層中之每一者包括以交替組態配置的一或多個導電層及一或多個絕緣層。
在一些態樣中，實例頂部夾702之層724可經薄化達約100.0微米的厚度。在層724經薄化達小於約100.0微米的厚度之一些態樣中，SiO 2層(例如，約5.0微米)可經由氣相沈積(例如，PECVD)而沈積於層724的表面上。在其中層724為玻璃(例如，硼矽酸鹽玻璃)層的一些態樣中，第一複數個瘤節728可藉由圖案化及蝕刻層724以形成第一複數個玻璃瘤節來形成。
視需要，實例頂部夾702可包括安置於層724之表面上(包括但不限於沈積於層724之表面上的SiO 2層之表面上)的層726 (例如，黏附層，諸如Cr、Al、Si或任何其他合適材料層)。層726可包括參看第二層504或任何其他合適層或材料所描述之態樣中的任一者。在一些態樣中，可圖案化層726作為最終或幾乎最終步驟。
實例頂部夾702可進一步包括安置於層724上方的第一複數個瘤節728。在一些態樣中，第一複數個瘤節728可由選自由以下各者組成之群的至少一種材料形成：玻璃(例如，SiO 2)、DLC、AlN、SiN或CrN。在其他態樣中，第一複數個瘤節728可藉由圖案化及蝕刻層724形成。在一些態樣中，第一複數個瘤節728可包括參看複數個瘤節506、複數個瘤節606或任何其他合適、瘤節或材料描述之態樣中的任一者。
視需要，實例頂部夾702可進一步包括安置於第一複數個瘤節728上方的複數個瘤節頂部730。在一些態樣中，複數個瘤節頂部730可由任何合適材料，諸如CrN形成。在一些態樣中，複數個瘤節頂部730可包括參看複數個瘤節頂部507或任何其他合適瘤節頂部或材料描述之態樣中的任一者。
實例核心704可包括層740、層742及經組態以攜載熱調節流體的複數個流體通道744。層740及層742中之一或兩者可包括矽化碳化矽(SiSiC)(亦被稱作反應接合碳化矽)或具有高硬度及熱導率的任何其他合適材料。
在一些態樣中，如圖7A中所展示，複數個流體通道744可藉由圖案化及蝕刻層740形成。在其他態樣(圖7A中未繪示)中，複數個流體通道744可藉由圖案化及蝕刻層742或任何其他合適層或材料形成。
實例核心704可進一步包括層748 (例如，經由PECVD或任何其他合適技術沈積的SiC)及視需要層750 (例如，經由物理氣相沈積(PVD)、PECVD或任何其他合適技術沈積的SiO 2)來增強至實例頂部夾702的光學接合。在一些態樣中，層748之表面可使用合適研磨技術來研磨，且隨後層750可沈積(例如，藉由PVD)於層748的經研磨表面上。在一些態樣中，層750之表面750a可使用合適研磨技術來研磨。
實例核心704可進一步包括安置於層740下方的第二複數個瘤節746。在一些態樣中，第二複數個瘤節746可藉由圖案化及蝕刻層740形成。在一些態樣中，第二複數個瘤節746可包括參看複數個瘤節506、複數個瘤節606、第一複數個瘤節728或任何其他合適瘤節或材料描述的態樣中之任一者。在一些態樣中，第一複數個瘤節728可被稱作「短」瘤節，第二複數個瘤節746可被稱作「長」瘤節。在一個說明性實例中，第一複數個瘤節728的第一子集可具有約10.0微米的第一厚度，且第二複數個瘤節746的第二子集可具有約1,000微米的第二厚度。換言之，第二複數個瘤節746的厚度可大於第一複數個瘤節728的厚度。在一些態樣中，第二複數個瘤節728可包括至少約一百個瘤節，約200個瘤節，或約300個瘤節。
實例底部夾706可包括層760 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽)、層764 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO 2層)及一或多個層762，該一或多個層安置於層760與層762之間且在層760與層762之間形成一或多個電極。一或多個層762可包括結構，諸如一或多個複合層的任何組合，其中一或多個複合層中之每一者包括以交替組態配置的一或多個導電層及一或多個絕緣層。
實例底部夾706可進一步界定層764中的複數個孔隙766。複數個孔隙766可經組態以收納實例核心704的第二複數個瘤節746。在一些態樣中，複數個孔隙766可為層764中鑽出的複數個孔。在其他態樣中，複數個孔隙766可為經圖案化且蝕刻至層764中的複數個開口。
在一些態樣中，實例頂部夾702、實例核心704及實例底部夾706中的每一者可在無陽極接合情況下形成。在一些態樣中，實例靜電夾700可藉由以下操作在無陽極接合情況下形成：在無陽極接合情況下將實例頂部夾702安裝至實例核心704，及之前、同時或隨後在無陽極接合情況下將實例核心704安裝至實例底部夾706。
在一些態樣中，如藉由箭頭792所指示，實例頂部夾702可在無陽極接合情況下安裝至實例核心704。舉例而言，實例頂部夾702之表面720a可以可移除方式附接(例如，光學接合)至實例核心704的表面750a。片語「以可移除方式經附接」及「以可移除方式附接」可指光學接合或任何其他合適可逆或半可逆技術。在一些態樣中，實例核心704之表面750a可在將實例頂部夾702之表面720a光學接合至實例核心704之表面750a之前予以研磨。
在一些態樣中，如藉由箭頭794所指示，實例核心704可在無陽極接合情況下安裝至實例底部夾706。舉例而言，實例核心704之表面可固定地附接至實例底部夾706的表面。片語「經固定地附接」及「固定地附接」可指黏附接合技術(例如，使用兩部分環氧樹脂黏附劑的環氧樹脂接合)、黏附技術、焊接技術或任何其他合適非可逆附接技術。在一些態樣中，第二複數個瘤節746中之每一者在將實例核心704之接合表面黏附地接合至實例底部夾706的表面之前可插入至複數個孔隙766中的各別者中。
在一些態樣中，如藉由箭頭796所指示，實例頂部夾702可經組態以收納物件708 (例如，基板W或圖案化裝置MA)以夾持至實例靜電夾700。實例頂部夾702的第一複數個瘤節728且在一些態樣中複數個瘤節頂部730可經組態以在夾持操作期間與物件708接觸。第一複數個瘤節728且在一些情況下複數個瘤節頂部730可有助於提供物件708與實例頂部夾702之間的較少污染接觸。
圖7B為已根據本發明之一些態樣製造之實例靜電夾701之橫截面視圖的示意性說明。在一些態樣中，實例靜電夾701可如上文參看實例靜電夾700所描述在無陽極接合情況下製造。
用於製造靜電夾之實例製程
圖8為根據本發明之一些態樣或其一部分的製造設備之實例方法800。參看實例方法800描述之操作可藉由或根據本文所述之系統、設備、組件、技術或其組合，諸如參看以上圖1至圖7描述之彼等中的任一者來執行。
在操作802，方法可包括在包括第一時間的第一持續時間期間形成頂部夾(例如，實例頂部夾702)。頂部夾可包括第一表面(例如，層720之表面，諸如表面720a)、與第一表面相對地安置的第二表面(例如，層724或層726的表面)、側向安置於第一表面與第二表面之間的第一組電極(例如，實施於一或多個層722中的一或多個電極)，及安置於第一表面上方的複數個瘤節(例如，第一複數個瘤節728)。在一些態樣中，形成頂部夾可包括在無陽極接合情況下形成頂部夾。在一些態樣中，形成頂部夾可包括由硼矽酸鹽玻璃形成頂部夾的至少一部分。在一些態樣中，形成頂部夾可包括形成頂部夾達約0.5毫米的厚度。在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括由選自由以下各者組成之群的至少一種材料形成複數個瘤節：SiO 2、DLC、AlN、SiN或CrN。在一些態樣中，形成頂部夾可包括根據參看圖1至圖7描述之任何態樣或態樣的組合來形成頂部夾。
在操作804，方法可包括在包括與第一時間重疊之第二時間的第二持續時間期間形成核心(例如，實例核心704)。核心可包括第三表面(例如，層742、層748或層750的表面，諸如表面750a)、與第三表面相對地安置的第四表面(例如，層740或第二複數個瘤節746的表面)，及安置於第三表面與第四表面之間且經組態以攜載熱調節流體的複數個流體通道(例如，複數個流體通道744)。在一些態樣中，形成核心可包括在無陽極接合情況下形成核心。在一些態樣中，形成核心可包括形成SiSiC之核心的至少一部分。在一些態樣中，形成核心可包括形成核心達約8.0毫米的厚度。在一些態樣中，為了增強後續光學接合，形成核心可包括施加塗層(例如，藉由PVD沈積之SiO 2層)至核心的經研磨第三表面。在一些態樣中，形成核心可包括形成安置於第四表面下方的複數個瘤節(例如，第二複數個瘤節746)。在一些態樣中，於在操作802處形成之複數個瘤節為第一複數個瘤節且在操作804處形成之複數個瘤節為第二複數個瘤節之處，在操作802形成頂部夾可包括形成第一複數個瘤節的第一子集達第一厚度(例如，約10.0微米)，且在操作804形成核心可包括形成第二複數個瘤節的第二子集達大於第一厚度的第二厚度(例如，約1,000.0微米)。在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括諸如藉由圖案化及蝕刻層740而自層740形成複數個瘤節。在其他態樣中，形成複數個瘤節可包括諸如藉由圖案化及蝕刻安置於層740之表面上的層而自安置於層740之表面上的層(例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO 2層)形成複數個瘤節。在一些態樣中，形成核心可包括根據參看圖1至圖7描述之任何態樣或態樣的組合形成核心。
在操作806，方法可包括在包括與第一時間及第二時間重疊的第三時間之第三持續時間期間形成底部夾(例如，實例底部夾706)。底部夾可包括第五表面(例如，層764或複數個孔隙766的表面)、與第五表面相對地安置的第六表面(例如，層760的表面)，及側向安置於第五表面與第六表面之間的第二組電極(例如，實施於一或多個層762中的一或多個電極)。在一些態樣中，形成底部夾可包括在無陽極接合情況下形成底部夾。在一些態樣中，形成底部夾可包括形成硼矽酸鹽玻璃之底部夾的至少一部分。在一些態樣中，形成底部夾可包括形成底部夾達約0.5毫米的厚度。在一些態樣中，底部夾可包括通孔(例如，孔隙766)，該等通孔經配置，使得安置於核心上的第二複數個瘤節通過底部夾。在一些態樣中，底部夾之表面距安置於核心上之第二複數個瘤節的表面可為約10微米。換言之，第二複數個瘤節的表面可自底部夾之表面突出約10微米。在一些態樣中，形成底部夾可包括根據參看圖1至圖7描述之任何態樣或態樣的組合形成底部夾。
在操作808，方法可包含在無陽極接合情況下將頂部夾之第二表面安裝至核心的第三表面。在一些態樣中，將頂部夾之第二表面安裝至核心的第三表面可包括以可移除方式將頂部夾的第二表面附接至核心的第三表面。在一些態樣中，將頂部夾之第二表面以可移除方式附接至核心的第三表面可包括將頂部夾之第二表面光學接合至核心的第三表面。在一些態樣中，方法可進一步包括在將頂部夾之第二表面光學接合至核心之第三表面之前研磨核心的第三表面。在一些態樣中，將頂部夾安裝至核心可包括根據參看圖1至圖7描述之任何態樣或態樣的組合安裝頂部夾至核心。
在操作810，方法可包括在無陽極接合情況下將核心之第四表面安裝至底部夾的第五表面。在一些態樣中，將核心之第四表面安裝至底部夾之第五表面可包括將核心之第四表面固定地附接至底部夾的第五表面。在一些態樣中，將核心之第四表面固定地附接至底部夾的第五表面可包括將核心之第四表面黏附接合至底部夾的第五表面。在一些態樣中，將核心之第四表面黏附接合至底部夾之第五表面可包括使用兩部分環氧樹脂黏附劑將核心之第四表面環氧樹脂地接合至底部夾的第五表面。在一些態樣中，將核心之第四表面固定地附接至底部夾之第五表面可包括將核心之第四表面焊接至底部夾的第五表面。在一些態樣中，底部夾可界定複數個孔隙(例如，複數個孔隙766)，該複數個孔隙經組態以收納複數個瘤節(例如，第二複數個瘤節746)；且將核心之第四表面安裝至底部夾的第五表面可包括將第二複數個瘤節中的每一者插入至複數個孔隙中的各別孔隙中。在一些態樣中，將核心安裝至底部夾可包括根據參看圖1至圖7描述之任何態樣或態樣的組合將核心安裝至底部夾。
在一些態樣中，第二複數個瘤節可自層760突出，如圖7B中所展示。突出的第二複數個夾可用以接觸可移動晶圓載物台。第二複數個瘤節的結構可用以指明且維持如本文所描述的摩擦性質。以此方式，當底部夾706經給予能量時，整個夾總成可夾持於可致動晶圓載物台上，使得其可運用具體而言之間的工程化的摩擦互動作為整體與晶圓載物台一起移動。
在操作812，方法可包括形成靜電夾(例如，實例靜電夾701)。在一些態樣中，形成靜電夾可包括基於操作808及810兩者之完成來形成靜電夾。在一些態樣中，形成靜電夾可包括根據參看圖1至圖7描述之任何態樣或態樣的組合來形成靜電夾。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1.     一種用於製造一設備的方法，該方法包含： 在包含一第一時間的一第一持續時間期間，形成一頂部夾，該頂部夾包含 一第一表面， 一第二表面，其與該第一表面相對地安置， 一第一組電極，其側向安置於該第一表面與該第二表面之間，及 複數個瘤節，其安置於該第一表面上方； 在包含與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心，該核心包含 一第三表面， 一第四表面，其與該第三表面相對地安置， 複數個流體通道，其安置於該第三表面與該第四表面之間且經組態以攜載一熱調節流體；及 在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底部夾，該底部夾包含 一第五表面， 一第六表面，其與該第五表面相對地安置，及 一第二組電極，其側向安置於該第五表面與該第六表面之間。 2.     如條項1之方法，其中該形成該頂部夾包含在無一陽極接合情況下形成該頂部夾。 3.     如條項1之方法，其中該形成該核心包含在無一陽極接合情況下形成該核心。 4.     如條項1之方法，其中該形成該底部夾包含在無一陽極接合情況下形成該底部夾。 5.     如條項1之方法，其中該形成該頂部夾包含由硼矽酸鹽玻璃形成該頂部夾的至少一部分。 6.     如條項1之方法，其中該形成該核心包含由矽化碳化矽(SiSiC)形成該核心的至少一部分。 7.     如條項1之方法，其中該形成底部夾包含由硼矽酸鹽玻璃形成該底部夾的至少一部分。 8.     如條項1之方法，其中： 該形成該頂部夾包含形成該頂部夾達約0.5毫米的一第一厚度； 該形成該核心包含形成該核心達約8.0毫米之一第二厚度；且 該形成該底部夾包含形成該底部夾達約0.5毫米的一第三厚度。 9.     如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含由選自由以下各者組成之群的至少一種材料形成該複數個瘤節：類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)，或氮化鉻(CrN)。 10.   如條項1之方法，其進一步包含在一無陽極接合情況下將該頂部夾之該第二表面安裝至該核心的該第三表面。 11.    如條項10之方法，其中該將該頂部夾之該第二表面安裝至該核心的該第三表面包含將該頂部夾的該第二表面以可移除方式附接至該核心的該第三表面。 12.   如條項11之方法，其中該將該頂部夾之該第二表面以可移除方式附接至該核心的該第三表面包含將該頂部夾之該第二表面光學接合至該核心的該第三表面。 13.   如條項12之方法，其進一步包含在該將該頂部夾之該第二表面光學接合至該核心之該第三表面之前研磨該核心的該第三表面。 14.   如條項1之方法，其中： 該複數個瘤節為第一複數個瘤節； 該形成該核心包含形成安置於該第四表面下方的第二複數個瘤節； 該形成該頂部夾包含形成該第一複數個瘤節的一第一子集達一第一厚度；及 該形成該核心包含形成該第二複數個瘤節的一第二子集達大於該第一厚度的一第二厚度。 15.   如條項14之方法，其進一步包含在一無陽極接合情況下將該核心之該第四表面安裝至該底部夾的該第五表面，其中： 該底部夾界定複數個孔隙，該複數個孔隙經組態以收納該第二複數個瘤節；及 該將該核心之該第四表面安裝至該底部夾之該第五表面包含將該第二複數個瘤節中之每一者插入至該複數個孔隙中的一各別者中。 16.   如條項1之方法，其中該將核心之該第四表面安裝至該底部夾之該第五表面包含將該核心之該第四表面固定地附接至該底部夾的該第五表面。 17.   如條項16之方法，其中該將該核心之該第四表面固定地附接至該底部夾的該第五表面包含將該核心之該第四表面黏附接合至該底部夾的該第五表面。 18.   如條項17之方法，其中該將該核心之該第四表面黏附接合至該底部夾之該第五表面包含使用一兩部分環氧樹脂黏附劑將該核心之該第四表面環氧樹脂地接合至該底部夾的該第五表面。 19.   一種用於製造一設備的方法，該方法包含： 在包含一第一時間的一第一持續時間期間形成一頂部夾，該頂部夾包含一第一表面； 在包含與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心，該核心包含一第二表面及與該第二表面相對地安置的一第三表面； 在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底部夾，該底部夾包含一第四表面； 在無一陽極接合情況下將該頂部夾之該第一表面安裝至該核心的該第二表面；及 在無一陽極接合情況下將該核心之該第三表面安裝至該底部夾的該第四表面。 20.   一種設備，其包含： 一頂部夾，該頂部夾包含一第一組電極及複數個瘤節； 一核心，該核心包含複數個流體通道，該複數個流體通道經組態以攜載一熱調節流體；及 一底部夾，該底部夾包含一第二組電極， 其中該頂部夾並不包括一陽極接合， 其中該核心並不包括一陽極接合，且 其中該底部夾並不包括一陽極接合。
結論
儘管在本文中可特定參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如整合光學系統之製造，用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代性應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文中所使用之術語「基板」描述材料層經添加至上面之材料。在一些態樣中，基板自身可經圖案化，且添加於其頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。
本文中所揭示之實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適係在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考設備及/或系統在IC製造中的使用，但應明確理解，此類設備及/或系統具有許多其他可能的應用。舉例而言，此類設備及/或系統可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及檢測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等中。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之上下文中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替代。
雖然上文已描述了本發明之特定態樣，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐態樣。描述不意欲本發明之實施例。
應瞭解，[實施方式]章節而非[先前技術]、[發明內容]及[摘要]章節意欲用於解釋申請專利範圍。[發明內容]及[摘要]章節可闡述如由發明人預期的一或多個但並非所有實例實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。
上文已藉助於功能建置區塊描述本發明之一些態樣，該等功能建置區塊說明指定功能及其關係之實施。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置組塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
對本發明之特定態樣之前述描述將因此完全地揭露態樣之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此類特定態樣，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，該等調適及修改意欲在所揭示態樣之等效物的意義及範圍內。
本發明之廣度及範疇不應受上述實例態樣或實施例中之任一者限制，而是應僅根據以下申請專利範圍及其等效物來界定。
100:微影設備 100':微影設備 100'':微影設備 210:EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡面裝置 224:琢面化光瞳鏡面裝置 226:圖案化光束 228:反射元件 229:反射元件 230:可選氣體障壁/污染物截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影製造單元 400:實例基板載物台 402:基板台 404:支撐塊體 406:感測器結構 408:基板 500:實例靜電夾 502:第一層 502a:第一表面 504:第二層 504a:第二表面 504b:第三表面 506:瘤節 506a:第四表面 506b:第五表面 507:瘤節頂部 507a:第六表面 507b:第七表面 508:物件 508a:第八表面 600:實例靜電夾 602:第一層 602a:第一表面 606:瘤節 606a:第二表面 606b:第三表面 608:物件 608a:第四表面 700:實例靜電夾 701:實例靜電夾 702:實例頂部夾 704:實例核心 706:實例底部夾 708:物件 720:層 720a:表面 722:層 724:層 726:層 728:瘤節 730:瘤節頂部 740:層 742:層 744:流體通道 746:瘤節 748:層 750:層 750a:表面 760:層 762:層 764:層 766:孔隙 792:箭頭 794:箭頭 796:箭頭 800:製造設備之實例方法 802:操作 804:操作 806:操作 808:操作 810:操作 812:操作 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:輻射收集器/輻射收集器 DE:顯影器 IF:虛擬源點 IFD:位置感測器 IFD1:位置感測器 IFD2:位置感測器 IL:照明系統/照明器 IN:積光器 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 L:透鏡/透鏡群組 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構/遮罩台 MP:遮罩圖案 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑裝置 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 PPU:光瞳共軛物 RO:基板處置器 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:脈衝式輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 WT:基板台 W:基板
併入本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式說明本發明，且連同描述一起進一步用以解釋本發明之態樣的原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明之態樣。
圖1A為根據本發明之一些態樣的實例反射微影設備的示意性說明。
圖1B為根據本發明之一些態樣的實例透射性微影設備的示意性說明。
圖2為根據本發明之一些態樣的圖1A中所展示之反射微影設備之更詳細的示意性說明。
圖3為根據本發明之一些態樣的實例微影製造單元的示意性說明。
圖4為根據本發明之一些態樣的實例基板載物台之示意性說明。
圖5為根據本發明之一些態樣的實例靜電夾之區的橫截面說明。
圖6為根據本發明之一些態樣的另一實例靜電夾之區的橫截面說明。
圖7A為根據本發明之一些態樣的實例靜電夾之分解橫截面視圖的示意性說明。
圖7B為根據本發明之一些態樣的實例靜電夾之橫截面視圖的示意性說明。
圖8為根據本發明之一些態樣或其部分的用於製造設備之實例方法。
根據下文結合圖式所闡述之實施方式，本發明之特徵及優勢將變得更顯而易見，在該等圖式中相似參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，除非另外指明，否則相同參考標號大體指明相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另外指明，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例繪製的圖式。
500:實例靜電夾 502:第一層 502a:第一表面 504:第二層 504a:第二表面 504b:第三表面 506:瘤節 506a:第四表面 506b:第五表面 507:瘤節頂部 507a:第六表面 507b:第七表面 508:物件 508a:第八表面

Claims (20)

  1. 一種用於製造一設備的方法，該方法包含：在包含一第一時間的一第一持續時間期間，形成一頂部夾(top clamp)，該頂部夾包含一第一表面，一第二表面，其與該第一表面相對地安置，一第一組電極，其側向安置於該第一表面與該第二表面之間，及複數個瘤節(burls)，其安置於該第一表面上方；在包含與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心，該核心包含一第三表面，一第四表面，其與該第三表面相對地安置，複數個流體通道(fluid channels)，其安置於該第三表面與該第四表面之間且經組態以攜載一熱調節流體(thermally conditioned fluid)；及在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底部夾(bottom clamp)，該底部夾包含一第五表面，一第六表面，其與該第五表面相對地安置，及一第二組電極，其側向安置於該第五表面與該第六表面之間。
  2. 如請求項1之方法，其中該形成該頂部夾包含：在無一陽極接合 (anodic bond)情況下形成該頂部夾。
  3. 如請求項1之方法，其中該形成該核心包含：在無一陽極接合情況下形成該核心。
  4. 如請求項1之方法，其中該形成該底部夾包含：在無一陽極接合情況下形成該底部夾。
  5. 如請求項1之方法，其中該形成該頂部夾包含：由硼矽酸鹽玻璃(borosilicate glass)形成該頂部夾的至少一部分。
  6. 如請求項1之方法，其中該形成該核心包含：由矽化碳化矽(SiSiC)形成該核心的至少一部分。
  7. 如請求項1之方法，其中該形成底部夾包含：由硼矽酸鹽玻璃形成該底部夾的至少一部分。
  8. 如請求項1之方法，其中：該形成該頂部夾包含形成該頂部夾達約0.5毫米的一第一厚度；該形成該核心包含形成該核心達約8.0毫米之一第二厚度；且該形成該底部夾包含形成該底部夾達約0.5毫米的一第三厚度。
  9. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含由選自由以下各者 組成之群的至少一種材料形成該複數個瘤節：類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)，或氮化鉻(CrN)。
  10. 如請求項1之方法，其進一步包含在一無陽極接合情況下將該頂部夾之該第二表面安裝至該核心的該第三表面。
  11. 如請求項10之方法，其中該將該頂部夾之該第二表面安裝至該核心的該第三表面包含：將該頂部夾的該第二表面以可移除方式附接(removably attaching)至該核心的該第三表面。
  12. 如請求項11之方法，其中該將該頂部夾之該第二表面以可移除方式附接至該核心的該第三表面包含：將該頂部夾之該第二表面光學接合至該核心的該第三表面。
  13. 如請求項12之方法，其進一步包含在該將該頂部夾之該第二表面光學接合至該核心之該第三表面之前研磨(polishing)該核心的該第三表面。
  14. 如請求項1之方法，其中：該複數個瘤節為第一複數個瘤節；該形成該核心包含形成安置於該第四表面下方的第二複數個瘤節；該形成該頂部夾包含形成該第一複數個瘤節的一第一子集達一第一厚度；及該形成該核心包含形成該第二複數個瘤節的一第二子集達大於該第 一厚度的一第二厚度。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包含在一無陽極接合情況下將該核心之該第四表面安裝至該底部夾的該第五表面，其中：該底部夾界定複數個孔隙(apertures)，該複數個孔隙經組態以收納該第二複數個瘤節；及該將該核心之該第四表面安裝至該底部夾之該第五表面包含將該第二複數個瘤節中之每一者插入(inserting)至該複數個孔隙中的一各別者中。
  16. 如請求項1之方法，其中該將核心之該第四表面安裝至該底部夾之該第五表面包含：將該核心之該第四表面固定地(fixably)附接至該底部夾的該第五表面。
  17. 如請求項16之方法，其中該將該核心之該第四表面固定地附接至該底部夾的該第五表面包含：將該核心之該第四表面黏附接合(adhesive bonding)至該底部夾的該第五表面。
  18. 如請求項17之方法，其中該將該核心之該第四表面黏附接合至該底部夾之該第五表面包含：使用一兩部分環氧樹脂黏附劑(two-part epoxy adhesive)將該核心之該第四表面環氧樹脂地接合(epoxy bonding)至該底部夾的該第五表面。
  19. 一種用於製造一設備的方法，該方法包含：在包含一第一時間的一第一持續時間期間形成一頂部夾，該頂部夾包含一第一表面；在包含與該第一時間重疊之一第二時間的一第二持續時間期間形成一核心，該核心包含一第二表面、與該第二表面相對地安置的一第三表面及複數個流體通道，該複數個流體通道安置於該第二表面與該第三表面之間且經組態以攜載一熱調節流體；在包含與該第一時間及該第二時間重疊的一第三時間之一第三持續時間期間形成一底部夾，該底部夾包含一第四表面；在無一陽極接合情況下將該頂部夾之該第一表面安裝至該核心的該第二表面；及在無一陽極接合情況下將該核心之該第三表面安裝至該底部夾的該第四表面。
  20. 一種設備，其包含：一頂部夾，該頂部夾包含一第一組電極及複數個瘤節；一核心，該核心包含複數個流體通道，該複數個流體通道經組態以攜載一熱調節流體；及一底部夾，該底部夾包含一第二組電極，其中該頂部夾並不包括一陽極接合，其中該核心並不包括一陽極接合，且其中該底部夾並不包括一陽極接合。
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