TWI559092B - 包含基板台的微影裝置 - Google Patents

Description

包含基板台的微影裝置

本發明係關於一種包含經建構以固持基板之基板台之微影裝置。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況中，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

在微影中，存在使基板具有較大直徑之趨勢，此趨勢要求基板台具有大直徑。同時，存在較高掃描速度及掃描加速度之趨勢，此趨勢要求基板台為輕型。為了能夠達成所要加速度，需要相對輕型基板台結構。假如此等輕型結構 所經受之加速度高，則此等輕型結構可趨向於展現彎曲模式激勵、扭轉模式激勵，或其他效應。由此，在基板上圖案之投影時可發生聚焦誤差。

需要提供一種實現基板之聚焦定位之準確度的微影裝置。

根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一定位器件，其經建構以定位該基板台；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；一基板表面致動器，該基板表面致動器經組態以嚙合面對該投影系統的該基板之一表面之一部分以對該基板之該表面之該部分施加一力；及一控制器，其經組態以控制該基板台之一位置，該控制器以操作方式連接至該定位器件及該基板表面致動器以驅動該定位器件及該基板表面致動器。

現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明 之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；圖案化器件支撐件或光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語 「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況中，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況中，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA的情況中，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器件或定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況中，圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動 器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於光罩台MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

圖2描繪投影系統PS之下游部件、固持基板W之基板台WT及諸如浸潤罩之液體供應系統IH的示意性側視圖，液體供應系統IH將浸潤液體供應於投影系統PS之最後(下游)透鏡與基板W之間。投影系統係藉由微影裝置之度量衡框架MF而被支撐件(圖2中未繪示)固持。基板台WT係藉由定位器件或定位器PD(諸如，圖1所識別之定位器件PW)定位。定位器件或定位器可包含經組態以遍及大移動範圍而粗略地定位基板台WT之長衝程致動器(圖2中未描繪)，及用以提供基板台WT之精細定位之短衝程致動器SSM，短衝程致動器SSM經組態以相對於該長衝程致動器而移動。液體供應系統IH係藉由該液體供應系統之一或多個致動器(圖2中未繪示)定位，該等致動器相對於度量衡框架來定位該液體供應系統。

歸因於基板台及基板之大的大小，結合高掃描速度且由此結合基板台所經受之高加速度力，可發生基板台之內部模式形狀(諸如，扭轉模式、彎曲模式，等等)之激勵。由於此等激勵，在投影系統之最後(下游)透鏡下方且待輻照的基板台之表面之部分可展現位置不準確度(特別是在垂直於基板W之表面之垂直方向上)。因而，藉由干涉計或其他構件對晶圓台WT相對於投影透鏡PS或度量衡框架MF之習知位置量測不為晶圓W相對於投影透鏡PS之垂直位置之準確量度。

此效應可至少部分地藉由基板表面致動器抵制，基板表面致動器將力提供至基板之表面上，諸如，在垂直方向上。結果，可縮減基板表面相對於投影系統之聚焦平面之定位的不準確度。可提供用以控制基板台之位置之控制器件或位置控制器。根據本發明之一態樣，位置控制器可經配置以驅動基板表面致動器以及定位器(基板載物台之短衝程及/或長衝程馬達)兩者。

回到圖2，根據本發明之一態樣，基板表面致動器包含於液體供應系統中。基板表面致動器及定位器(在此實例中為短衝程致動器SSM及可能地為長衝程致動器)受到控制器CON驅動。因為基板表面致動器包含於液體供應系統中，所以不需要分離致動器。如圖3所描繪，液體供應系統將能夠在強耦合存在於液體供應系統之結構與基板W之表面之間的區域中將力施加至基板W之表面上。此強耦合存在於圓形區域WSP中，其中液體供應系統之結構接近基 板，且其中窄間隙提供於液體供應系統之結構與基板之間。因為圓形區域WSP處於在基板之彼特定位置中藉由投影系統輻照的基板之表面之部分外部，所以可避免對成像之影響。

因此，致動器嚙合基板之表面之一區，在沿著投影系統之下游透鏡之光軸之方向查看的情況中，該區環繞投影系統之下游透鏡。

在液體供應系統之結構與基板之間的間隙中之浸潤液體提供流體靜力或流體動力耦合(軸承)，到某一最小頻率時為止，流體靜力或流體動力耦合(軸承)使能夠向下以及向上在垂直方向上對基板施加力，以因此與基板之表面嚙合。

為了提供與基板之表面之良好嚙合，需要在水平方向上寬且具有低高度之間隙，以便在液體供應系統之窄間隙結構與基板之表面之間提供強耦合，此係因為在基板之表面與液體供應系統之結構之間的窄通路抵抗浸潤液體之流逝。

許多替代實施例係可能的。基板表面致動器可(例如)藉由一或多個分離致動器形成。在一實例(諸如圖4所描繪)中，基板表面致動器SSA提供於相對側面上或提供於圍繞投影系統PS之圓形區域中。基板表面致動器可各自包含勞侖茲(Lorentz)致動器，以便在垂直(z)方向上施加力。可提供諸如流體(亦即，液體或氣體)軸承之耦合以接觸基板之表面，此將在下文予以稍微更詳細地解釋。致動器可包含 勞侖茲致動器：勞侖茲致動器允許軸承在致動器定子於垂直方向上之位移具有對藉由勞侖茲致動器產生之致動器力(該力係實質上僅取決於驅動電流之致動器)之最小效應的情況中追隨基板之表面。在零電流流動通過致動器的情況中，軸承追蹤基板表面而不將力施加至基板表面。力僅取決於致動器電流，而不取決於基板表面高度變化或可連接至度量衡框架MF之致動器定子中之振動。應注意，一般而言，可應用流體靜力、空氣靜力、流體動力或任何其他合適軸承。如圖4所描繪，提供兩個基板表面致動器SSA。或者，可提供三個或三個以上基板表面致動器，其(例如)等距地配置於環繞投影系統(在投影系統之光軸之方向上查看的情況中)之圓形區中。

參看圖5A及圖5B來解釋用以接觸基板W之表面之流體軸承的實例。在圖5A中，描繪面對基板W之表面的基板表面致動器之末端的高度示意性側視圖。圖5B中描繪對應仰視圖。致動器包含中心出口開口PRA，加壓空氣或任何其他流體(亦即，液體或氣體)可通過中心出口開口PRA而被導引朝向基板。圍繞中心出口開口PRA提供複數個入口開口VAC，真空吸入係經由複數個入口開口VAC而進行。供應至在基板表面致動器與基板之表面之間的間隙中之加壓空氣或其他流體係經由開口VAC而釋放。當施加空氣(或相似於環繞基板台之氣體之另一氣體混合物)時，可不需要另外乾燥、清潔等等，且可避免基板之表面之污染。

在以上實例中，為了在對基板表面致動器之致動之反作 用時防止基板表面致動器SSA使度量衡框架經受反作用力，可將基板表面致動器連接至熟知平衡質量塊，平衡質量塊又係藉由彈性而連接至度量衡框架或基座框架。

在根據圖2及圖4之實施例兩者中，基板表面致動器作用於基板之表面之一部分，在投影系統之光軸之方向上查看的情況中，該部分環繞投影系統。藉此，基板表面致動器可有效地作用於待保持處於投影系統之下游透鏡下方之聚焦平面中的基板之表面之部分上。

現在將參看圖6來解釋控制基板表面致動器之控制系統之實施例。控制系統包含控制器，諸如，用以自基板台之經量測位置產生諸如基板載物台力信號Fws之控制器輸出信號的基板載物台控制器Cws，在此實例中，基板台之經量測位置為在z方向Zws上基板台之經量測位置及藉由設定點(圖中未繪示)表示之所要位置。根據本發明之一態樣之控制系統進一步包含分配配置DST，分配配置DST用以將控制器之控制器輸出信號Fws分配至基板表面致動器IH及定位器件或定位器PD。載物台之力學在控制圖中係藉由力學轉移函數MCH表示。

控制器輸出信號可包含多維控制器輸出信號，諸如，包含在x、y及z方向上及/或圍繞此等軸線之旋轉方向上之分量的3維輸出信號。因為在一些實施例中基板表面致動器可僅在垂直(Z)方向上對基板表面致動力，所以分配配置可遍及基板表面致動器及定位器件或定位器而分配控制器輸出信號之z分量，同時將控制器輸出信號之剩餘分量僅 提供至定位器件或定位器。在Z方向上起作用之多個基板表面致動器存在的情況中，另外可控制圍繞X軸及Y軸之旋轉。定位器件或定位器可包含複數個致動器，諸如，用以準確地定位基板台之短衝程致動器，結合用以在大移動範圍內粗略地定位基板台之長衝程致動器。

為了規定在可發生基板台之扭轉模式、諧振模式等等之某些頻帶中啟動基板表面致動器，分配配置可包含在頻域中之選擇配置，諸如，濾波器。藉此，分配配置可在基板台諧振模式或基板台扭轉模式之頻帶中將控制器輸出信號選擇性地提供至基板表面致動器，以便特定地在此頻帶中啟動基板表面致動器。在一實施例中，至基板表面致動器之控制器輸出信號可經低通濾波以防止投影透鏡系統PS之不當激勵。

亦可應用基板表面致動器以抵制在基板台與短衝程致動器之間的彈性之諧振。另外，在一實施例中，分配配置可經配置以在基板台與定位器件或定位器之短衝程致動器之間的彈性之諧振之頻帶中將控制器輸出信號實質上選擇性地提供至基板表面致動器。

為了考量基板台之行為中之位置相依性，可配置分配配置以取決於基板台之位置(例如，在(X、Y)平面中)而判定控制器輸出信號之分配。

為了獲得關於扭轉模式、諧振模式等等之激勵之資訊，可提供合適感測，諸如，用於感測基板台之位置之超定位置感測配置。或者，控制器可包含估計器，估計器用以自 表示在一時期內基板台相對於時間之位置之位置量測資料來估計扭轉模式或諧振模式(諸如，基板台之扭轉模式或諧振模式，及/或在基板台與短衝程致動器之間的彈性)之激勵。

在基板表面致動器與基板之表面之間的耦合可取決於在基板表面致動器與基板之表面(或其周圍結構)之間的距離。可提供實質上平坦結構，以便避免耦合之實質變化，從而(例如)使高度差保持至20微米至30微米之最大值。另外，在基板與基板台之間的溝槽可藉由所謂MES(機械邊緣密封)(US2011/0013169)而封閉，感測器可在頂部上具備合適黏著劑，可提供橋接器以用於橋接液體供應系統自雙載物台微影裝置中之第一基板台至第二基板台之轉移。或者，可取決於基板台位置而量化耦合(或距離)，且應用耦合(或距離)以校正致動路徑。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭 示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲 存於其中之此電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況中對所描述之本發明進行修改。

AD‧‧‧調整器

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

CON‧‧‧控制器

Cws‧‧‧基板載物台控制器

DST‧‧‧分配配置

IF‧‧‧位置感測器

IH‧‧‧液體供應系統

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

M1‧‧‧圖案化器件對準標記

M2‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MF‧‧‧度量衡框架

MT‧‧‧圖案化器件支撐件/光罩支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PD‧‧‧定位器件/定位器

PM‧‧‧第一定位器件

PRA‧‧‧中心出口開口

PS‧‧‧投影系統/投影透鏡/投影透鏡系統

PW‧‧‧第二定位器件

SO‧‧‧輻射源

SSA‧‧‧基板表面致動器

SSM‧‧‧短衝程致動器

VAC‧‧‧入口開口

W‧‧‧基板

WSP‧‧‧圓形區域

WT‧‧‧基板台/晶圓台

圖1描繪可提供本發明之一實施例的微影裝置；圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件的示意性側視圖；圖3描繪基板之表面之部分的俯視圖，根據圖2之微影裝置可作用於該部分；圖4描繪根據本發明之另一實施例的微影裝置之部件的示意性側視圖；圖5A及圖5B描繪根據本發明之一實施例的基板表面致動器之空氣軸承的側視圖及仰視圖；及圖6描繪根據本發明之一實施例的用以解釋基板表面致動器之控制之控制方案。

CON‧‧‧控制器

IH‧‧‧液體供應系統

MF‧‧‧度量衡框架

PD‧‧‧定位器件/定位器

PS‧‧‧投影系統/投影透鏡/投影透鏡系統

SSM‧‧‧短衝程致動器

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台/晶圓台

Claims (15)

1. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一定位器，其經建構以定位該基板台；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；一基板表面致動器，其經配置以嚙合面對該投影系統的該基板之一表面之一部分以對該基板之該表面之該部分施加一力；及一位置控制器，其經組態以控制該基板台之一位置，該位置控制器以操作方式連接至該定位器及該基板表面致動器以驅動該定位器及該基板表面致動器。
2. 如請求項1之微影裝置，其中該致動器經配置以嚙合該基板之該表面之一區之至少部分，在沿著該投影系統之一下游透鏡之一光軸之一方向查看的情況中，該區環繞該投影系統之該下游透鏡。
3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該基板表面致動器包含一流體靜力軸承，該流體靜力軸承經組態以與該基板之該表面之該部分嚙合。
4. 如請求項3之微影裝置，其中該流體靜力軸承之一間隙 之一寬度係在5微米至300微米之一範圍內。
5. 如請求項1或2之微影裝置，其中該致動器包含於一液體供應系統中，該液體供應系統經配置以將一液體施加於該投影系統之一下游透鏡與該基板之一待輻照部分之間。
6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該基板表面致動器包含一流體循環器件，該流體循環器件經組態以將一流體施加至鄰接於該基板之該表面之該部分的一間隙及自該間隙移除該流體。
7. 如請求項1或2之微影裝置，其中該致動器包含一勞侖茲致動器。
8. 如請求項1或2之微影裝置，其包含一平衡質量塊，該平衡質量塊將該致動器連接至該微影裝置之一框架。
9. 如請求項1或2之微影裝置，其中該位置控制器包含經配置以提供一控制器輸出信號之一控制器，及用以將該控制器輸出信號分配至該定位器及該基板表面致動器之一分配配置。
10. 如請求項9之微影裝置，其中該分配配置包含一頻域選擇配置，諸如，一濾波器。
11. 如請求項9之微影裝置，其中該分配配置經配置以在一基板台諧振模式或一基板台扭轉模式之一頻帶中將該控制器輸出信號實質上選擇性地提供至該基板表面致動器。
12. 如請求項9之微影裝置，其中該分配配置經配置以在該 基板台與該定位器之一短衝程致動器之間的一彈性之一諧振之一頻帶中將該控制器輸出信號實質上選擇性地提供至該基板表面致動器。
13. 如請求項9之微影裝置，其中該分配配置經配置以取決於該基板台之一位置而判定該控制器輸出信號之該分配。
14. 如請求項1或2之微影裝置，其中該控制器包含一估計器，該估計器經組態以自表示該基板台之一位置之位置量測資料來估計諸如一扭轉模式或諧振模式之一內部模式形狀之一振幅。
15. 如請求項14之微影裝置，其中該內部模式形狀為諸如該基板台之一扭轉模式或諧振模式及/或在該基板台與該短衝程致動器之間的該彈性的一內部模式形狀。