KR101640766B1 - 반사형 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법 - Google Patents

반사형 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

반사형 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법들이 소개된다. 본 발명의 기술적 사상에 의한 반사형 레티클 척은 비유동부 및 유동부를 포함한다.
반사형 레티클, 반사형 레티클 척, 반사형 조명 시스템, 유동부, 승강 작동기

Description

반사형 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법{Reflective Reticle Chuck and Reflective Illumination System including the Same, Method of Improving Flatness of Reflective Reticle and Manufacturing Semiconductor Device Using the Same}
본 발명은 반사형 조명 시스템에 사용되는 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성 개선 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
점차 반도체 소자의 패턴이 미세해지면서, 보다 짧은 파장을 가진 빛을 사용하는 포토리소그래피 기술이 제안되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 반사형 레티클의 평탄성을 개선할 수 있는 반사형 레티클 척을 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 반사형 레티클의 평탄성을 개선할 수 있는 반사형 레티클 척을 포함하는 반사형 조명 시스템을 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 반사형 레티클의 평탄성을 개선할 수 있는 반사형 레티클 척을 포함하는 반사형 조명 시스템을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 반사형 레티클 척은, 비유동부 및 유동부를 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 반사형 레티클 척은, 외곽 영역의 고정된 평판형의 프레임 및 상기 외곽 영역으로 둘러싸인 중앙 영역의 상승 및 하강이 가능한 다수개의 셀들을 포함할 수 있고, 상기 셀들은 승강 작동기를 포함 할 수 있고, 및 상기 프레임의 일부는 상기 다수개의 셀들의 사이로 연장될 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 반사형 조명 시스템은, 광원, 조명 미러들, 비유동부 및 유동부를 포함하는 반사형 레티클 척, 투영 미러들, 및 웨이퍼 스테이지를 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 또 다른 과제를 달성하기 위한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법은, 반사형 레티클의 평탄성을 측정하고, 상기 반사형 레티클을 반사형 레티클 척 상에 부착하고, 및 상기 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 것을 포함하되, 상기 반사형 레티클 척은, 평판부 및 상기 평판부의 중앙 영역에 배치된 상승 가능한 셀들을 포함하고, 및 상기 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 것은, 상기 셀들이 상기 평판부의 상부 표면보다 높게 상승하거나 낮게 하강하여 상기 반사형 레티클을 물리적으로 누르거나 신장시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 또 다른 과제를 달성하기 위한 반사형 조명 시스템을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법은, 반사형 조명 시스템 내에 설치된 반사형 레티클 척 상에 반사형 레티클을 부착하고, 상기 반사형 조명 시스템 내에 설치된 웨이퍼 스테이지 상에 웨이퍼를 도입하고, 상기 반사형 조명 시스템에 포함된 광원으로터 빛을 발생시켜 상기 반사형 레티클 상에 조사하고, 및 상기 반사형 레티클로부터 반사된 빛을 상기 웨이퍼 상으로 조사하는 것을 포함할 수 있고, 상기 반사형 레티클 척은, 외곽 영역의 고정된 평판형의 프레임 및 상기 외곽 영역으로 둘러싸인 중앙 영역의 상승 및 하강이 가능한 다수개의 셀들을 포함할 수 있고, 상기 셀들은 승강 작동기를 포함할 수 있고, 및 상기 프레임의 일부는 상기 다수개의 셀들의 사이로 연장될 수 있다..
상기 해결하고자 하는 또 다른 과제를 달성하기 위한 반사형 조명 시스템을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법은, 레티클이 부착된 레티클 척을 반사형 조명 시스템에 장착하고, 상기 반사형 조명 시스템 내로 웨이퍼를 도입하여 상기 반사형 조명 시스템 내에 설치된 웨이퍼 스테이지 상에 상기 웨이퍼를 안착시키고, 상기 반사형 조명 시스템 내에 설치된 광원에서 빛을 발생시켜 상기 레티클의 표면으로 조사하고, 및 상기 레티클의 표면에서 반사된 빛을 상기 웨이퍼의 표면으로 조사하는 것을 포함할 수 있고, 상기 반사형 레티클 척은, 외곽 영역의 고정된 평판형의 프레임 및 상기 외곽 영역으로 둘러싸인 중앙 영역의 상승 및 하강이 가능한 다수개의 셀들을 포함할 수 있고, 상기 셀들은 승강 작동기를 포함할 수 있고, 및 상기 프레임의 일부는 상기 다수개의 셀들의 사이로 연장될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 반사형 레티클의 평탄성을 반도체 제조 공정 중에도 정교하게 컨트롤 할 수 있으므로, 반사형 레티클을 다시 제조할 필요가 없고, 평탄성이 좋지 못한 반사형 레티클도 사용될 수 있으며, 반사형 레티클의 사용 수명이 길어지기 때문에, 반사형 레티클 및 반도체 소자의 생산성이 향상되고 수율이 높아질 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
본 명세서에서 반사형 레티클 또는 반사형 레티클 척은 EUV 빛을 사용하는 반사형 조명 시스템에서 사용되는 레티클 및 레티클 척이라는 의미로 이해되어야 한다. 상기 레티클은 반사 기능을 갖지만 상기 반사형 레티클 척은 반사 기능을 갖지 않으므로, "반사형"이라는 의미는 단지 반사형 조명 시스템에서 사용될 수 있다 는 의미로 이해되어야 한다.
본 발명의 기술적 사상은 반사형 조명 시스템에 관한 것이므로, 특별히 언급되지 않는 한, 본 발명의 기술적 사상을 설명하는 과정에서 사용되는 모든 용어들은 반사형 조명 기술에서 통용되는 용어인 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 반사형 조명 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 반사형 조명 시스템(100)은, 광원(110), 중계(relay) 미러들(120), 조명(illumination) 미러들(130a-130c), 레티클 척(140), 투영(projection) 미러들(150a-150d) 및 웨이퍼 스테이지(160)를 포함한다. 상기 광원(110)은 EUV 빛 (Li, Extreme Ultra Violet Light)을 발생할 수 있다. 상기 중계 미러들(120) 및 조명 미러들(130a, 130c)은 상기 광원(110)에서 발생된 EUV 빛(Li)을 상기 레티클 척(140) 방향으로 전달할 수 있다. 상기 레티클 척(140)에는 레티클(R)이 부착될 수 있다. 상기 레티클 척(140)은 전자기적 원리로 작동될 수 있다. 즉, 상기 레티클 척(140)의 전면에 상기 레티클(R)이 전자기적으로 부착, 고정될 수 있다. 즉, 자기력에 의해 부착될 수 있다. 상기 레티클 척(140)은 상기 레티클(R)에 물리적으로 힘을 가할 수 있다. 즉, 상기 레티클 척(140)은 상기 레티클(R)의 평탄성(flatness)을 개선할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상 및 본 명세서에서 상기 레티클(R)의 평탄성은 상기 레티클(R)의 기판의 평탄성, 반사층의 평탄성, 및 광학적 패턴의 초점 평면의 평탄성을 모두 포괄할 수 있다. 즉, 상기 레티클 척(140)은 상기 레티클의 평탄성을 개선할 수 있는 기능을 포함한다. 상기 레티클(R)은 상기 반사형 조명 시스템(100)의 일부는 아니다. 그러나, 본 발명의 기술 적 사상을 이해하기 쉽도록 하기 위하여 추가되었다. 상기 레티클(R)은 반사형이며, 이하에서 반사형이라는 부가 설명을 생략하고 레티클로 설명된다. 즉, 상기 레티클(R)은 레티클 기판 상에 다층의 반사층이 형성되고, 그 위에 빛을 흡수하는 패턴이 형성될 수 있다. 상기 반사형 레티클(R)의 구조는 잘 알려져 있으므로, 본 명세서에서는 상세한 설명이 생략된다. 상기 프로젝션 미러들(150a-150d)은 상기 레티클 척(140) 방향으로부터 전달되어 온 EUV 빛(Lr)을 상기 웨이퍼 스테이지(150) 방향으로 전달할 수 있다. 상기 프로젝션 렌즈들(150a-150d)이 전달하는 EUV 빛(Lr)은 상기 레티클(R)이 가진 광학적 패턴 정보를 가질 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(160)는 웨이퍼(W)가 놓여지는 것이다. 상기 웨이퍼(W)는 상기 레티클(R)이 가진 광학적 정보를 상기 투영 미러들(150a-150d)을 통해 전달받을 수 있다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척을 개념적으로 도시한 사시도이다. 도 2를 참조하면, 상기 레티클 척(140)은 비유동부(141) 및 유동부(145)를 포함한다. 상기 비유동부(141)는 외곽 영역일 수 있고, 상기 유동부(145)는 중앙 영역일 수 있다. 상기 비유동부(141)는 고정된, 즉 모양이 변하지 않는 평판 형태일 수 있다. 상기 비유동부(141)은 본 명세서에서, 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록 하기 위하여 프레임이라는 용어로 설명된다. 상기 유동부(145)는 상기 비유동부와 분리될 수 있고, 다수개의 단위 유동부로 형성될 수 있으며, 본 명세서에서는 그 단위 유동부가 셀이라는 용어로 설명된다. 즉, 상기 레티클 척(140)은 프레임(141)과 다수개의 셀들(145)을 포함한다. 본 도면은 상기 레티클 척(140)이 분리되어 상하가 바뀐 모양으로 이해될 수 있다. 즉, 본 명세서 전체에서 상/하, 또는 상승/하강이라는 설명은 도면에 따라 다르게 사용될 수 있다. 즉, 상 방향과 하 방향은 특정한 방향이 아니라, 도면 상에서만 이해될 수 있는 것이고 서로 바뀔 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 상기 프레임(141)은 상기 각 레티클 척(140)의 외곽 주변부에 해당될 수 있다. 상기 프레임(141)은 외형이 사각형의 판 모양으로 형성될 수 있고, 상면이 평평할 수 있다. 상기 프레임(141)은 상기 셀들(145) 사이로 연장될 수 있다. 즉, 상기 프레임(141)은 상기 셀들(145) 사이에 배치되는 격자형 서브 프레임(143)을 포함할 수 있다. 상기 프레임(141)은 SUS 등으로 형성될 수 있고, 일면에 테프론 또는 러버 같은 절연성 완충용 물질이 더 형성될 수 있다. 도면에서는 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽게 하기 위하여, 상기 레티클 척(140)에 수반되는 많은 구성 요소들이 생략되었다. 상기 레티클 척(140)의 규격은 상기 반사형 조명 시스템(100) 및 레티클(R)의 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다. 구체적으로, 상기 프레임(140)의 외변의 길이는 특별한 제약이 존재하지 않으므로, 각 시스템의 특성에 따라 다양하게 설정될 수 있다. 또, 정해진 규격도 부착되는 레티클(R)의 규격 및 특성 변화에 따라 달라지게 될 것이다. 즉, 수치적 설명을 제시하는 것은 무의미하다. 상기 셀들(145)은 각각 승강 작동기들(elevating actuators)을 포함할 수 있다. 이에 의해, 상기 셀들(145)은 각각 독립적으로 상승 및 하강될 수 있다. 상기 셀들(145)의 상승에 의해 상기 레티클 척(140)에 부착된 레티클(R)은 물리적으로 누르는 힘을 받게 되고, 상기 셀들(145)의 하강에 의해 상기 레티클(R)은 잡아 당기는 힘을 받을 수 있다. 이에 따라, 상기 레티클(R)은 국소적으로 평탄성에 영향을 받아 돌출부 또는 리세스부가 형성될 수 있다. 또, 특정 영역에 위치된 셀들(145)이 상승 또는 하강하거나, 어떤 경향성을 가질 경우, 상기 레티클(R)은 넓은 영역이 돌출되거나 리세스되는 모양이 될 수 있다. 상기 셀들(145)이 상승 또는 하강하는 단계들이 세분화 되거나 아날로그적인 경향을 가질 수 있으며, 이 경우, 상기 레티클(R)의 평탄성은 보다 정교하게 아날로그적으로 컨트롤 될 수 있다. 상기 셀들(145)은 다양하게 형성될 수 있다. 본 도면에서는 사각형으로 형성된 것이 예시되었다. 상기 셀들(145)의 크기도 다양하게 설정, 제조될 수 있다. 이것은 부착될 레티클(R)의 특성에 따라 각각 다르게 응용될 수 있다는 것을 의미한다. 예를 들어, 상기 레티클(R)이 가진 광학적 패턴이 상대적으로 덜 정교하거나, 상기 레티클(R)의 평탄도가 정교하게 컨트롤될 필요가 없을 경우, 상기 셀들(145)은 상대적으로 크거나 그 간격들이 상대적으로 넓게 형성될 수 있을 것이다. 반면, 상기 레티클(R)의 광학적 패턴이 상대적으로 정교하거나, 상기 레티클(R)의 평탄도가 상대적으로 정교하게 컨트롤되어야 할 경우, 상기 셀들(145)은 상대적으로 작거나 그 간격들이 상대적으로 좁게 형성될 수 있을 것이다. 본 발명의 구체적 실험에서는 한 변의 길이가 약 3㎜ 정도의 크기로 제조되어 다양한 실험이 수행되었다. 상기 실험은 본 발명의 기술적 사상을 최적으로 실시하기 위한 수치가 아니고 단지 본 발명의 기술적 사상이 구현될 수 있음을 실험하기 위한 것이다. 상기 셀들(145)이 작을수록 상기 레티클 척(140)을 제조하기 어렵고 컨트롤하기 어려워지고, 상기 셀들(145)이 클수록 상기 레티클(R)의 평탄도를 개선하는 효과가 작아진다. 따라서, 상기 셀들(145)의 크기는 적절하게 선택될 수 있다. 상기 셀들(145)은 다양한 표면 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 도면에 보이는 것과 같 이 사각형으로 형성될 수도 있고, 원형, 타원형 및/또는 다양한 다각형으로 형성될 수 있다. 상기 셀들(145)이 상승하여 레티클(R)에 물리적 힘을 가할 경우, 가해지는 힘은 상기 셀들(145)이 상승하는 높이에 따라 셀들(145)의 표면 모양으로 고르게 퍼진 상태부터 궁극적으로 하나의 점(point)으로 집중될 수 있다. 따라서, 상기 셀들(145)의 표면 모양은 다양하게 설정, 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 레티클(R)의 광학적 패턴이 2차원적인 모양, 즉 컨택 패턴일 경우 원형 또는 정사각형 모양으로 설정, 형성될 수 있고, 상기 레티클(R)의 광학적 패턴이 1차원적 모양, 즉 라인 앤 스페이스 패턴일 경우 타원형 또는 직사각형 모양으로 설정, 형성될 수 있다. 다른 관점에서, 본 발명의 기술적 사상에 의한 셀들(145)이 피스톤과 유사한 형태인 것으로 이해될 수 있다. 부가하여, 상기 레티클 척(140)은 내부에 도시되지 않은 전자기력 발생 장치를 더 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척의 종단면도이다. 도 3을 참조하면, 상기 셀들(145)은 서브 프레임(143)들 사이에 배치되고, 승강 작동기들(149)을 포함하며, 각각 독립적으로 상승 또는 하강될 수 있다. 상기 셀들(145)은 승강 작동기들(149)의 동작에 의해 상승 또는 하강될 수 있다. 상기 셀들(145)은 다양한 높이로 상승 또는 하강될 수 있다. 즉, 아날로그적으로 상승 또는 하강될 수 있다. 이것은 상기 승강 작동기들(149)을 구동하는 방법에 따라 다양하게 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 승강 작동기들(149)은 스크류, 스텝 모터, 베벨 기어, 또는 유압 실린더 등 다양한 방법으로 구동될 수 있다. 상기 셀들(145)의 상승 또는 하강된 거리가 상기 레티클(R)의 평탄성에 동일한 영향을 미치지는 않는다. 이것은 상기 레티클(R)의 기판, 반사층 및/또는 흡광층이 그 압력을 흡수할 수 있어서 상기 셀들(145)의 이동 거리가 상기 레티클(R)의 평탄성에 미치는 영향이 선형적이지 않기 때문이다. 그러므로, 상기 셀들(145)이 상승/하강하는 거리를 수치로 제시하는 것은 무의미하다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 셀들의 상부 표면을 개략적으로 예시한 종단면도들이다. 도 4a를 참조하면, 상기 셀들(145a-145c)은 계단형 상부 표면들(146a-146c)을 포함할 수 있다. 상기 계단들의 수는 특별히 정해지지 않는다. 따라서, 도면에는 다양한 개수의 계단들을 가진 상부 표면들(146a-146c)이 예시되었다. 상기 계단들의 수가 많을수록 상기 레티클(R)의 평탄성이 물리적 손상을 받지 않고 컨트롤 될 수 있다. 도 4b를 참조하면, 상기 셀들(145)은 반구형 상부 표면들(146d-146e)을 포함할 수 있다. 상기 반구형 상부 표면들(146d-146e)이 되도록 완만한 곡률을 가질수록 상기 레티클(R)에 주는 물리적 손상이 적을 수 있다. 상기 상부 표면들(146d-145e)의 곡률은 다양하게 설정될 수 있다. 도 4c를 참조하면, 상기 셀들(145f-145h)은 굴곡진 모서리를 가진 평평한 상부 표면들(146f-146h)을 포함 할 수 있다. 상기 굴곡진 모서리들의 곡률은 다양하게 설정될 수 있으며, 클수록 상기 레티클(R)에 주는 물리적 손상이 적을 수 있다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척으로 레티클의 평탄성이 개선되는 것을 보여주는 도면들이다. 도 5a를 참조하면, 레티클(200)은 레티클의 기판 (210) 또는 반사층(220)에 결함들(Ds, Hs, Sl, Vl)이 발생될 수 있다. 상기 기판(210)의 표면에는 기판 덴트(Ds) 또는 기판 험프(Hs) 등이 발생될 수 있다. 상기 기판 덴트(Ds)는 상기 반사층 표면의 덴트(Dla)를 유발할 수 있고, 상기 기판 험프(Ds)는 상기 반사층 표면의 험프(Hla)를 유발할 수 있다. 상기 반사층 표면의 덴트 (Dla) 및/또는 상기 반사층 표면의 험프(Hlb)는 상기 기판 덴트(Ds) 및/또는 기판 험프(Hl)와 상관없이 독립적으로 발생할 수 있다. 상기 반사층(220) 내에 발생된 스팟 결함(Sl)은 상기 반사층 표면의 험프(Hlb)를 유발할 수 있고, 상기 반사층 내에 발생된 베이컨시 결함(Vl)은 상기 반사층 표면의 덴트(Hlb)를 유발할 수 있다. 상기 반사층 표면의 험프(Hlb) 및/또는 상기 반사층 표면의 덴트(Dlb)는 상기 스팟 및 베이컨시 결함들(Sl, Vl)이 상기 기판(210) 내에 발생했을 경우에도 발생할 수 있다. 상기 반사층(220) 상에는 광학적 정보를 위해 빛을 흡수하기 위한 흡수 패턴들(230)이 형성될 수 있다. 도 5b를 참조하면, 상기 레티클(200)의 결함부들이 발생된 위치에 해당되는 상기 레티클 척(240)의 셀들(245)이 상승 또는 하강하여 상기 레티클(200)의 평탄성이 교정될 수 있다. 상기 셀들(245)이 상승한 부분은 상기 레티클 기판(210)의 뒷면에 물리적으로 압력을 가하여 상기 반사층(220)의 표면의 평탄성이 개선, 교정할 수 있다. 상기 셀들(245)이 하강한 부분은 상기 레티클 기판(210)의 뒷면을 지지하지 않음으로써, 상기 레티클 척(240)의 전자기력으로 인한 인력으로 상기 반사층(220)의 표면의 평탄성이 개선, 교정할 수 있다.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척으로 레티클의 전체적인 평탄성을 개선, 교정한 것을 보여주는 도면들이다. 6a를 참조하면, 레티클의 경사진 표면이 전체적으로 평탄하게 교정될 수 있다. (a)에서, 화살표 방향으로 오르막 경사를 가진 레티클 기판이 (b)에서 전체적인 평탄성이 개선될 수 있다. 도 6b를 참조하면, 레티클의 뒤틀린 모양이 전체적으로 평탄하게 교정될 수 있다. 도 6c를 참조하면, 레티클의 네거티브 방향으로 휘어진 모양이 전체적으로 평탄하게 교정될 수 있다. 본 도면에서는 본 발명의 기술적 사상을 이해하는데 어려움이 없으므로 화살표들이 표시되지 않는다. 도 6c 및 6d를 참조하면, 레티클의 포지티브 또는 네거티브 방향으로 휘어진 모양이 전체적으로 평탄하게 교정될 수 있다. 본 도면에서도 본 발명의 기술적 사상을 이해하는데 어려움이 없으므로 화살표들이 표시되지 않는다. 종합하여, 레티클의 평탄하지 못한 표면이 전체적으로 평탄하게 교정될 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 조명 시스템을 이용하여 레티클의 평탄성을 개선하는 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 7을 참조하면, 레티클의 평탄성을 개선하는 방법은, 레티클의 평탄성을 측정하는 단계, 상기 레티클이 셀들을 가진 레티클 척 상에 부착하는 단계, 상기 레티클 척의 셀들을 선택적으로 상승 또는 하강시키는 단계, 및 상기 레티클의 평탄성이 개선되는 단계들을 포함한다. 상기 레티클의 평탄성은 다양한 테스트 시뮬레이션과 실 노광 등, 다양한 방법으로 측정될 수 있다. 상기 레티클의 평탄성 정보는 전체적으로 파악될 수 있으며, 좌표를 이용하여 세부적으로 파악, 표시될 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 의해 레티클의 평탄성을 개선하는 방법은 상기 레티클의 평탄성 정보를 이용할 수 있다.
도 8a 및 8b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 반사형 조명 시스템을 이용하여 반도체 소자를 가공하는 방법들을 설명하기 위한 플로우 차트들이다. 도 1, 내 지 3 및 도 8a를 참조하면, 상기 반사형 조명 시스템(100)의 상기 레티클 척(140) 상에 반사형 레티클(R)을 부착하는 단계, 상기 반사형 조명 시스템(100) 내로 웨이퍼(W)를 도입(load)하여 상기 웨이퍼 스테이지(160) 상에 상기 웨이퍼(W)를 안착(mounting)하는 단계, 상기 광원(110)에서 빛(Li)을 발생시켜 상기 레티클(R)의 표면으로 조사하는 단계, 및 상기 레티클(R)의 표면에서 반사된 빛(Lr)을 상기 웨이퍼(W)의 표면으로 조사하는 단계를 포함한다. 상기 레티클 척(140)은 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클의 평탄성을 개선할 수 있는 기능을 갖는다. 상기 레티클(R)은 상기 레티클 척(140)에 의해 평탄성이 개선된 상태일 수 있다. 또는, 상기 레티클(R)이 상기 레티클 척(140) 상에 부착된 다음, 상기 레티클 척의 셀들(145)이 선택적으로 상승 또는 하강하여 상기 레티클(R)의 평탄성을 개선하는 단계를 더 포함할 수 있다. 도 1, 내지 3 및 8b를 참조하면, 레티클(R)이 부착된 레티클 척(140)을 반사형 조명 시스템(100)에 장착하는 단계, 상기 반사형 조명 시스템(100) 내로 웨이퍼(W)를 도입하여 상기 웨이퍼 스테이지(160) 상에 상기 웨이퍼(W)를 안착하는 단계, 상기 광원(110)에서 빛(Li)을 발생시켜 상기 레티클(R)의 표면으로 조사하는 단계, 및 상기 레티클(R)의 표면에서 반사된 빛(Lr)을 상기 웨이퍼(W)의 표면으로 조사하는 단계들을 포함한다. 상기 레티클 척(140)은 상기 레티클(R)의 평탄성을 개선하기 위한 기능을 포함한다. 즉, 상기 레티클 척(140)은 독립적으로 상승 및 하강이 가능한 셀들(145)을 포함한다. 일반적으로 포토리소그래피 공정에서, 상기 레티클 척(140) 상에 레티클(R)을 부착하는 공정은 매번 수행되지 않는다. 공정 중에 특이한 사항이 발견되지 않는다면, 상기 레티클 척(140) 상에 상기 레티클(R)이 부착된 다음, 상기 레티클(R)의 평탄성이 개선되고, 이후 정기 점검 시까지 상기 웨이퍼(W)를 도입하는 단계와 상기 광원(110)에서 발생된 빛(Li)을 상기 레티클(R)을 거쳐 상기 웨이퍼(W) 상에 조사하는 단계들이 반복된다. 상기 레티클(R)은 상기 레티클 척(140)에 의해 평탄성이 개선된 상태일 수 있다.
그 외, 도면에 참조 부호가 표시되지 않은 구성 요소들은 본 명세서의 다른 도면들 및 그 설명들로부터 그 이름과 기능 등이 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 개략적으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 반사형 조명 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척을 개념적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척의 종단면도이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 셀들의 상부 표면을 개략적으로 예시한 종단면도들이다.
도 5a 및 5b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척으로 레티클의 평탄성이 개선되는 것을 보여주는 도면들이다.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 기술적 사상에 의한 레티클 척으로 레티클의 전체적인 평탄성을 개선, 교정한 것을 보여주는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 조명 시스템을 이용하여 레티클의 평탄성을 개선하는 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 8a 및 8b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 반사형 조명 시스템을 이용하여 반도체 소자를 가공하는 방법들을 설명하기 위한 플로우 차트들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 반사형 조명 시스템
110: 광원 120: 중계 미러들
130: 조명 미러들 140: 레티클 척
141: 비유동부, 프레임 143: 서브 프레임
145: 유동부, 셀 146: 상부 표면
149: 승강 작동기 150: 투영 미러들
160: 레티클 스테이지 200: 레티클
210: 레티클 기판 220: 반사층
230: 빛을 흡수하는 패턴 240: 레티클 척
Li, Li: 빛 R: 레티클
W: 웨이퍼

Claims (10)

  1. 외곽 영역의 프레임; 및
    상기 프레임으로 둘러싸인 중앙 영역의 다수 개의 셀들을 포함하고,
    상기 프레임은 상기 다수 개의 셀들 사이로 연장하는 격자형 서브 프레임들을 포함하고,
    상기 프레임과 상기 서브 프레임들의 상면들은 평평한 공면이고,
    상기 다수 개의 셀들은 승강 작동기에 의해 상기 서브 프레임들의 상면들보다 낮게 하강하고 및 높게 상승하도록 유동할 수 있는 반사형 레티클 척.
  2. 제1항에서,
    상기 서브 프레임들의 상면들 상에 형성된 절연성 완충용 물질을 더 포함하는 반사형 레티클 척.
  3. 제2항에서,
    상기 절연성 완충용 물질은 테프론 및 러버 중 어느 하나를 포함하는 반사형 레티클 척.
  4. 제1항에서,
    상기 프레임 및 상기 서브 프레임들의 상면들은 레티클이 직접적으로 놓이는 면인 반사형 레티클 척.
  5. 제1항에서,
    전자기력 발생 장치를 더 포함하는 반사형 레티클 척.
  6. 외곽 영역의 프레임;
    상기 프레임으로 둘러싸인 중앙 영역의 격자형 서브 프레임들;
    상기 격자형 서브 프레임들 사이에 배치된 다수 개의 셀들; 및
    상기 프레임과 상기 서브 프레임들의 상면들은 평평한 공면이고,
    상기 다수 개의 셀들은 승강 작동기에 의해 상기 프레임과 상기 서브 프레임들의 상면들보다 낮게 하강하고 및 높게 상승하는 반사형 레티클 척.
  7. 광원;
    조명 미러들;
    반사형 레티클 척,
    상기 반사형 레티클 척은:
    외곽 영역의 프레임; 및
    상기 프레임으로 둘러싸인 중앙 영역의 다수 개의 셀들을 포함하고,
    상기 프레임은 상기 다수 개의 셀들 사이로 연장하는 격자형 서브 프레임들을 포함하고,
    상기 프레임과 상기 서브 프레임들의 상면들은 평평한 공면이고,
    상기 다수 개의 셀들은 승강 작동기에 의해 상기 프레임 및 상기 서브 프레임들의 상면들보다 낮게 하강하고 및 높게 상승하도록 유동할 수 있고;
    투영 미러들; 및
    웨이퍼 스테이지를 포함하는 반사형 조명 시스템.
  8. 반사형 레티클의 평탄성을 측정하고,
    상기 반사형 레티클을 반사형 레티클 척 상에 부착하고, 및
    상기 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 것을 포함하되,
    상기 반사형 레티클 척은,
    외곽 영역의 프레임; 및
    상기 프레임으로 둘러싸인 중앙 영역의 다수 개의 셀들을 포함하고,
    상기 프레임은 상기 다수 개의 셀들 사이로 연장하는 격자형 서브 프레임들을 포함하고,
    상기 프레임과 상기 서브 프레임들의 상면들은 평평하고,
    상기 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 것은,
    상기 셀들이 상기 격자형 서브 프레임들의 상면들보다 높게 상승하거나 낮게 하강하여 상기 반사형 레티클을 물리적으로 누르거나 신장시키는 것을 포함하는 반사형 레티클의 평탄성 개선 방법.
  9. 반사형 조명 시스템 내에 설치된 반사형 레티클 척 상에 반사형 레티클을 부착하고,
    상기 반사형 조명 시스템 내에 설치된 웨이퍼 스테이지 상에 웨이퍼를 도입하고,
    상기 반사형 조명 시스템에 포함된 광원으로터 빛을 발생시켜 상기 반사형 레티클 상에 조사하고, 및
    상기 반사형 레티클로부터 반사된 빛을 상기 웨이퍼 상으로 조사하는 것을 포함하고,
    상기 반사형 레티클 척은,
    외곽 영역의 프레임; 및
    상기 프레임으로 둘러싸인 중앙 영역의 다수 개의 셀들을 포함하고,
    상기 프레임은 상기 다수 개의 셀들 사이로 연장하는 격자형 서브 프레임들을 포함하고,
    상기 프레임과 상기 서브 프레임들의 상면은 평평하고,
    상기 다수 개의 셀들은 승강 작동기에 의해 상기 프레임 및 상기 서브 프레임들의 상면들보다 낮게 하강하고 및 높게 상승하도록 유동할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 빛은 EUV 빛이고, 및
    상기 반사형 레티클은 상기 반사형 레티클 척 상에 전자기력으로 부착되는 반도체 소자의 제조 방법.
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