JPH11162809A - 試料保持装置および露光装置 - Google Patents

試料保持装置および露光装置

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JPH11162809A
JPH11162809A JP9323621A JP32362197A JPH11162809A JP H11162809 A JPH11162809 A JP H11162809A JP 9323621 A JP9323621 A JP 9323621A JP 32362197 A JP32362197 A JP 32362197A JP H11162809 A JPH11162809 A JP H11162809A
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JP9323621A
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Takeshi Sato
剛 佐藤
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置
において、レチクルステージの移動速度を高速化する
と、バキュームパッドのみではレチクルを保持すること
が困難になり、レチクルが所定の位置からずれてしまう
恐れがある。 【解決手段】 レチクルRに対してレチクルステージ1
0の移動方向前方および後方にそれぞれ配置され、レチ
クルステージ10上に軸支されるとともに回転中心Oの
両側にウエイト部2、3を有し一方のウエイト部2より
も質量の小さい他方のウエイト部3をレチクルRに当接
させた状態に配設されるバランスウエイト1と、他方の
ウエイト部3を回転させてレチクルRに押圧させる引っ
張りばね4とを備える試料保持装置をレチクルRの保持
手段として走査露光装置に採用することにより、レチク
ルRがより確実に固定保持されるので、レチクルステー
ジ10の移動速度を高速化してスループットを向上させ
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体回路
パターンや液晶素子パターン等が形成されたレチクルや
マスク、あるいはこれらと同様のパターン投影露光され
る感光基板をステージ上で保持する感光基板の保持装置
等、少なくとも一直線方向に移動可能なステージに載置
される試料を所定の位置に保持する試料保持装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の露光装置においては、256M-
DRAM等の次世代ICの生産効率の向上を目的とし
て、半導体素子の高集積化のための解像度の向上と半導
体チップサイズの拡大に合わせた広い露光範囲との両立
が追及されている。
【0003】そこで、レチクルとウエハとを投影光学系
に対して同期走査して露光を行うステップ・アンド・ス
キャン方式の露光装置(以下走査露光装置とする)が注
目を集めている。この走査露光装置は、レチクル側とウ
エハ側とにそれぞれスキャニングステージを設け、双方
を相反する方向(もしくは同方向)に移動させ、スリッ
ト状に制限された光を使いレチクルのパターンを投影レ
ンズを介してスキャニング露光する構造を備えるもので
ある。この走査露光装置によれば、従来の一括露光型の
露光装置と比較して格段に高い解像度と広い露光範囲と
を実現することができる。
【0004】上記の走査露光装置においては、レチクル
やウエハはレチクルステージやウエハステージの移動に
伴って生じる慣性力によっても所定の位置からずれるこ
とのないようにレチクルステージに設けたバキュームパ
ッドによって真空吸着されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルー
プットを向上させるためにレチクルステージの移動速度
を高速化すると、レチクルに作用する慣性力に対してバ
キュームパッドのみではレチクルを保持することが困難
になり、レチクルが所定の位置からずれてしまう恐れが
ある。もしレチクルが僅かでも所定の位置からずれる
と、レチクルのアライメント精度が著しく低下する等の
問題が生じてしまう。これに対し、バキュームパッドが
レチクルに対して真空吸着する面積を拡大することでレ
チクルのずれを防止することも考えられるが、レチクル
の表面は露光パターンの占有率が高く、真空吸着が可能
な周縁部分を拡大できる余地が少なく、慣性力によるず
れを防止するだけの吸着力を得ることは困難なのが現状
である。
【0006】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、ステージの移動に際してこのステージに載置さ
れる試料のずれを防止することが可能な試料保持装置を
提供するとともに、当該試料保持装置を備えることで特
にレチクルステージの移動速度の高速化を図りスループ
ットを向上させることが可能な露光装置を提供すること
を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの手段として、少なくとも一直線方向に移動可能なス
テージに載置される試料を所定の位置に保持する試料保
持装置を採用する。本発明の試料保持装置は、試料に対
してステージの移動方向前方および後方にそれぞれ配置
され、ステージ上に回転自在に軸支されるとともに回転
中心の両側にウエイト部を有し一方のウエイト部よりも
質量の小さい他方のウエイト部を試料に当接させた状態
に配設されるバランスウエイトと、他方のウエイト部を
回転させて試料に押圧させる付勢部とを備えている。
【0008】ここで、図1および図2に基づいて本発明
の試料保持装置の基本的な作動原理を説明する。図1は
試料保持装置を構成するバランスウエイト1であり、一
方のウエイト部2の質量をML,他方のウエイト部3の
質量をMU,一方のウエイト部2の重心GLから回転中心
Oまでの距離をDGL,他方のウエイト部3の重心GUか
ら回転中心Oまでの距離をDGUとし、回転中心Oから他
方のウエイト部3側へ距離Dだけ離れた点A(試料Rに
対する他方のウエイト部の力の作用点に相当する)に図
の左方向に仮想的な力Fが加わった状態でバランスウエ
イト1が図の右方向へ加速度αで運動する場合を考え
る。
【0009】バランスウエイト1が図の右方向へ加速度
αで運動すると、一方のウエイト部2の重心GLには左
方向に大きさα・MLの慣性力が作用し、同時に他方の
ウエイト部3の重心GUには左方向に大きさα・MUの慣
性力が作用する。また、他方のウエイト部3の点Aには
左方向に前記の力Fが作用する。
【0010】したがって、バランスウエイト1の回転中
心Oまわりの回転モーメントの釣り合い式は、右回りを
正とすると、α・ML・DGL−α・MU・DGU−F・D=
0 すなわち F=α(ML・DGL−MU・DGU)/D … (I) となる。
【0011】(I)式において、ML・DGL−MU・DGU
=0(すなわちML・DGL=MU・DGU)であればバラン
スウエイト1は単体で回転モーメントが釣り合いの状態
となり、力Fの大きさは加速度αがいかなる大きさであ
っても0となる。しかしながら、ML・DGL−MU・DGU
>0(すなわちML・DGL>MU・DGU)であればバラン
スウエイト1単体では回転モーメントが釣り合いの状態
とはならず、力Fの大きさは正の値をとることになる。
言い換えれば、ML・DGL−MU・DGU>0であれば加速
度αが加わった状態でバランスウエイト1が加重Fを受
けることが可能となる。
【0012】次に、図2に示すようにステージ上に載置
されて移動方向前方および後方にそれぞれ配置されたバ
ランスウエイト1に前後を挟まれた質量MRの試料Rに
ついて、回転中心Oから一方のウエイト部2側へ距離D
Sだけ離れた点Bに、付勢力Tを発揮して他方のウエイ
ト部3を試料Rに押し当てる方向にバランスウエイト1
を回転させる付勢部4を取り付けた状態でステージが試
料Rとともに図の右方向へ加速度αで運動する場合を考
える。
【0013】ステージが右方向へ加速度αで運動する
と、試料Rの移動方向後端には(I)式の力Fが右方向
に作用すると同時に、バランスウエイト1の回転中心O
まわりの回転モーメントの釣り合いから大きさT・DS
/Dの力が右方向に作用する。したがって試料Rの移動
方向後端には右方向に大きさF+T・DS/Dの力が作
用することになる。また、試料Rの移動方向前端にはバ
ランスウエイト1の回転中心Oまわりの回転モーメント
の釣り合いから大きさT・DS/Dの力が左方向に作用
すると同時に、(1)式の力Fが右方向に作用する。し
たがって試料Rの移動方向前端には左方向に大きさT・
DS/D−Fの力が左方向に作用する。さらに、試料R
自体にも大きさα・MRの慣性力が右方向に作用する。
【0014】したがって、試料Rの水平方向の力の釣り
合い式は、右方向を正として、(F+T・DS/D)−
α・MR−(T・DS/D−F)=0 すなわち F=α・MR/2 … (II) となり、(II)式に(I)式を代入すると、 MR=2・(ML・DGL−MU・DGU)/D … (III) となる。
【0015】(II)式もしくは(III)式が成立す
る状態では試料Rに水平方向の力は作用しない。つま
り、試料Rの質量MR、一方のウエイト部2の質量ML,
他方のウエイト部3の質量MU,重心GLから回転中心O
までの距離DGL,重心GUから回転中心Oまでの距離DG
Uとし、回転中心Oから点Aまでの距離Dの各パラメー
タを適宜選択することによって、加速度αの大きさに関
わらず試料Rに作用する慣性力を相殺することが可能と
なる。
【0016】この場合、付勢力Tは任意の大きさで構わ
ないが、付勢力Tの大きさが加速度αの大きさに比較し
て小さいと移動方向後方に位置する他方のウエイト部3
が試料から離れてしまうため、次の条件が満たされなけ
ればならない。 T・DS/D−F>0 … (IV) ここで、(IV)式に(I)式を代入すると、 T>α・(ML・DGL−MU・DGU)/DS … (V) となる。
【0017】したがって、(V)式が成立するように各
パラメータを選択すれば、他方のウエイト部3が試料R
から離れることはなく、一度離れた後に試料Rに衝突す
るようなことは起こらない。
【0018】なお、上記の説明においては加速度が図の
右方向に加わる場合について説明したが、加速度が左方
向に加わる場合でも試料保持装置は全く変わりなく作動
する。
【0019】また、上記の試料保持装置においては、他
方のウエイト部3の試料Rに当接する位置にローラ支承
部を設けることにより、他方のウエイト部3と試料との
間に抵抗が生じ難くなる他、回転中心Oから点Aまでの
距離Dが一定に保たれ、バランスウエイトに生じる力を
無駄なくレチクルに伝達することが可能となる。
【0020】さらに、ステージに試料Rを吸着して所定
の位置に固定する真空吸着機構を設けることにより、試
料Rをより確実に固定保持することが可能となる。
【0021】さらに、上記の試料保持装置を露光装置に
採用することにより、レチクルやウエハ等の試料がステ
ージ上により確実に固定保持されるので、特にレチクル
ステージの移動速度を高速化して露光装置のスループッ
トを向上させることが可能となる。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明に係る試料保持装置を露光
装置におけるレチクルステージに設置した一実施形態を
図に示して説明する。
【0023】図3は試料保持装置を備えるレチクルステ
ージの平面図、図4は図3におけるIV−IV線矢視断
面図である。レチクルステージ10は+X方向および−
X方向に移動可能に設けられており、レチクルステージ
10の中央にはレチクルを透過した露光光が通過する開
口11が設けられている。レチクルステージ10上には
開口11を挟んでX方向の両側にレチクルホルダ12が
対向配置されている。レチクルホルダ12はセラミック
等で形成されており、レチクルホルダ12の上面にはレ
チクルR(試料)を吸着する吸着孔13が開設されてい
る。吸着孔13には真空吸着機構14が接続されてお
り、レチクルRは真空吸着機構14を作動させることに
よってレチクルホルダ12上に真空吸着されている。
【0024】レチクルステージ10上には、レチクルホ
ルダ12に吸着されたレチクルRに対し、+X方向およ
び−X方向に位置するとともにレチクルホルダ12の外
側に所定の間隔を空けてブランケット15が立設されて
いる。ブランケット15には、図1および図2に示した
バランスウエイト1が取り付けられている。バランスウ
エイト1は、レチクルステージ10に対して水平かつレ
チクルステージ10の移動方向に対して垂直に配設され
ブランケット15を貫通して回転自在に支持された回転
軸16と、回転軸16の一端に取り付けられた一方のウ
エイト部2と、回転軸16の他端に取り付けられた他方
のウエイト部3とから構成されている。
【0025】一方のウエイト部2の重心は、回転軸16
の軸心(以下は回転中心Oとする)から距離DGLだけ離
れた点GLに設定されている。他方のウエイト部3は、
回転軸16の他端に取り付けられたアームを介して取り
付けられ回転中心Oから距離Dだけ離れた点Aを中心と
して回転自在に支持された押圧コロ(ローラ支承部)5
とから構成されている。他方のウエイト部3の重心は、
回転中心Oから距離DGUだけ離れた点GUに設定されて
いる。
【0026】一方のウエイト部2には回転中心Oから一
方のウエイト部2側へ距離DSだけ離れた点Bに引っ張
りばね(付勢部)4の一端が取り付けられ、他端がレチ
クルステージ10上に設けられたばね掛け部18に取り
付けられている。バランスウエイト1は、一方のウエイ
ト部2を引っ張りばね4によって+X方向(もしくは−
X方向)に付勢されて他方のウエイト部3を回転させ、
押圧コロ5を−X方向(もしくは+X方向)に面したレ
チクルRの端面に当接させている。バランスウエイト1
の近傍にはバランスウエイト1が過度に回転しないよう
にストッパ19が配置されている。
【0027】上記の試料保持装置においては、レチクル
Rの質量をMR,一方のウエイト部2の質量をML,他方
のウエイト部3の質量をMU,一方のウエイト部2の重
心GLから回転中心Oまでの距離をDGL,他方のウエイ
ト部3の重心GUから回転中心Oまでの距離をDGU,レ
チクルRに対する他方のウエイト部3の作用点Aから回
転中心Oまでの距離をD、引っ張りばね4の付勢力をT
とするとき、 MR=2・(ML・DGL−MU・DGU)/D かつ T>α・(ML・DGL−MU・DGU)/DS が成立するように上記の各パラメータが設定されてい
る。
【0028】上記のレチクルステージ10を備える走査
露光装置の概略構成を図5に示す。この走査露光装置
は、レチクルステージ10の他に、光源20、照明光学
系21、投影光学系25、ウエハステージ26等から構
成されている。
【0029】光源20にはエキシマレーザ等のパルス発
振型光源が採用され、照明光学系30に向けて露光用照
明光を照射する。
【0030】照明光学系21はビーム整形光学系、減光
光学系、オプティカルインテグレータ、視野絞りおよび
コンデンサレンズ等から構成され、光源20からの露光
用照明光を均一な照度分布のパルス露光光ILとしてレチ
クルRに照射する。
【0031】レチクルステージ10には先に説明した試
料保持装置と真空吸着機構14とが設けられ、これらに
よってレチクルRが固定保持されている。
【0032】レチクルステージ10は、リニアモータ等
のステージ駆動源によって照明光学系21の光軸と垂直
な面内でX方向およびY方向に移動可能に設けられてい
る。ステージ駆動源はレチクルステージ制御装置22に
制御されて作動され、露光に際してレチクルステージ1
0を+X方向および−X方向に移動させてレチクルRを
透過する露光光を走査させる。
【0033】レチクルステージ10の下方にはレチクル
R上に照明領域を設定するレチクルブラインド23が設
けられている。レチクルブラインドには矩形の開口24
が設けられ、この開口24がレチクルRを透過した露光
光を制限することで実質的に矩形スリット状の照明領域
が設定される。
【0034】投影光学系25はレチクルブラインド23
の下方に設置され、レチクルブラインド23を通過した
露光光を収縮してレチクルRに形成されたパターン像を
ウエハW上に縮小投影する。
【0035】ウエハステージ26は、ウエハWをX方向
およびY方向に走査するXYステージ27とウエハWを
Z方向にレベル調整するZレベリングステージ28とを
備えている。
【0036】XYステージ27は、ウエハWをウエハホ
ルダ上に固定保持した状態で+X方向および−X方向に
走査するXステージと、Xステージを載せて+Y方向お
よび−Y方向に走査するYステージとによって構成され
ている。Xステージ、Yステージはともにエアベアリン
グによって保持され、リニアモータ等のステージ駆動源
によってベース上をX方向およびY方向に移動可能に設
けられている。ステージ駆動源はステージ制御装置29
に制御されて作動され、露光に際してXステージを+X
方向および−X方向に移動させてウエハWに照射される
露光光を走査させる。
【0037】Zレベリングステージ28は、Z方向に変
位する3個のアクチュエータを介してYステージ上に設
置されている。アクチュエータにはカムをロータリモー
タで駆動してZ方向に直線駆動する方式や積層型圧電素
子を伸縮させてZ方向に直線移動する方式が採用されて
おり、3個のアクチュエータを同量変位させればZレベ
リングステージ28のZ方向の位置を調整可能、各アク
チュエータを個別に変位させればZレベリングステージ
28のX軸まわり、Y軸まわりの傾斜角を調整可能に設
けられている。各アクチュエータもステージ制御装置2
9に制御されて作動され、露光に際してZレベリングス
テージ28をZ方向に変位させたり傾斜角を変化させた
りしてウエハWの露光面が投影光学系25の光軸に対し
て垂直となるように調節する。
【0038】レチクルステージ10の側方にはレーザ干
渉計30が設置され、レチクルステージ10上には移動
鏡31が固定されている。レーザ干渉計30は移動鏡3
1に向けてレーザビームを照射し移動鏡31に反射され
た反射ビームを受光してレチクルステージ10のX方向
の位置座標を計測する。また、レチクルステージ10の
Y方向の位置座標を計測するためのレーザ干渉計および
移動鏡も設けられており、レーザ干渉計30等によって
計測されたレチクルステージ10のX方向およびY方向
の位置座標信号S1は主制御系32に入力される。主制
御系32においてはレチクルステージ10の位置座標信
号S1に基づいてレチクルステージ制御装置22が制御
され、これによってレチクルRの位置および走査速度が
制御される。
【0039】Zレベリングステージ28の側方にはレー
ザ干渉計34が設置され、Zレベリングステージ28上
には移動鏡35が固定されている。レーザ干渉計34は
移動鏡35に向けてレーザビームを照射し移動鏡35に
反射された反射ビームを受光してZレベリングステージ
28のX方向の位置座標を計測する。また、Zレベリン
グステージ28のY方向の位置座標を計測するためのレ
ーザ干渉計および移動鏡も設けられており、レーザ干渉
計34等によって計測されたX方向およびY方向の位置
座標信号S2も主制御系32に入力される。主制御系3
2においてはZレベリングステージ28の位置座標信号
S2に基づいてステージ制御装置29が制御され、これ
によってウエハWの位置および走査速度が制御される。
【0040】各アクチュエータにはZ方向変位を計測す
る光学式や静電容量式のエンコーダがそれぞれ付設され
ている。エンコーダによって計測されたアクチュエータ
のZ方向の変位信号S3は位置検出装置37に入力され
る。位置制御装置37においては各アクチュエータの変
位信号S3に基づいてウエハWのZ方向位置、X軸まわ
りの傾斜角およびY軸まわりの傾斜角が算出され、これ
らの情報が主制御系32に入力される。主制御系32に
おいてはこれらウエハWのZ方向位置、X軸まわりの傾
斜角およびY軸まわりの傾斜角の情報に基づいてステー
ジ制御装置29が制御され、これによってウエハWのZ
方向の位置および傾斜角が制御される。
【0041】投影光学系25のX方向の両側にはウエハ
Wの表面の高さを計測する多点フォーカス検出器38が
設置されている。多点フォーカス検出器38によって計
測されたフォーカス信号S4が演算装置39に入力され
る。演算装置39においては先に入力されたフォーカス
信号S4に基づき、次の露光領域内で露光される被露光
領域に対してZレベリングステージ28で設定すべき高
さと傾き(目標高さと目標傾き)が算出され、これらの
情報が主制御系32に入力される。主制御系32におい
てはこれら目標高さと目標傾きの情報に基づいてステー
ジ制御装置29が制御され、これによってZレベリング
ステージ28の動作が制御される。
【0042】上記のように構成された走査露光装置にお
いて、光源20から発せられた露光用照明光は照明光学
系21を通過する過程で均一な照度分布を有するパルス
露光光ILとなってレチクルRに照射される。レチクルR
には半導体回路パターンや液晶素子パターンが形成され
ており、レチクルRを透過した露光光ILが投影光学系2
5を通過する過程で収縮され、レチクルRに形成された
パターン像がウエハW上に縮小投影される。ウエハWの
表面にはフォトレジストが塗布されており、投影された
レチクルRのパターン像がレジスト上に露光されて潜像
が形成される。
【0043】投影光学系25が投影倍率β(例えば1/
4)で倒立像を投影する場合には、レチクルステージ1
0が照明領域に対して+X方向あるいは−X方向に速度
VRで移動することでレチクルRが走査されるのと同期
して、Xステージが+X方向あるいは−X方向に速度V
Wで移動することでウエハが走査される。ここで、ウエ
ハの走査速度VWは(1/β)・VRで表される。
【0044】また、上記のようなスリットスキャン露光
を行う場合、レチクルステージ10およびXYステージ
27の移動速度はレチクルRに照射される露光光の光
量、レチクルブラインド23の開口24およびウエハW
に塗布されたフォトレジストの感度等によって決定され
る。すなわち、レチクルステージ10の移動によってレ
チクルRに形成されたパターンがレチクルブラインド2
3の開口24を横切る時間内にウエハW上のフォトレジ
ストが十分感光するようにステージ速度が制御される。
【0045】上記のように構成された走査露光装置によ
れば、レチクルRが真空吸引機構14によってレチクル
ステージ10上に真空吸着されることに加え、レチクル
Rがバランスウエイト1に設けられた押圧コロ5でX方
向の両側から挟まれて保持されており、レチクルステー
ジ10を大きな加速度で移動させたとしても、移動方向
とは逆方向に作用する力をバランスウエイト1に生じさ
せこの力でレチクルRを押圧することでレチクルRに作
用する慣性力が相殺されるので、レチクルステージ10
に大きな加速度が加わったとしてもレチクルステージ1
0に対するレチクルRのずれが防止されてレチクルRが
当初の位置に留まる。これにより、レチクルステージ1
0の移動速度をさらに高速化して走査露光装置のスルー
プットを向上させることができる。
【0046】なお、本実施形態においては試料保持装置
をレチクルRの保持手段として走査露光装置に採用した
例について説明したが、本発明の試料保持装置をウエハ
Wの保持手段としてウエハステージ26側に採用し、ウ
エハステージ26の移動速度の向上に伴うウエハWのず
れを防止することも可能である。また、ウエハWに限ら
ず、露光対象として液晶用のガラス基板を使用する場合
にはこのガラス基板の保持手段でして基板用ステージ側
に採用してもよい。
【0047】さらに、本実施形態においてはエキシマレ
ーザ等のパルス発振型光源を用いた走査露光装置につい
て説明したが、本発明の試料保持装置は、X線を用いた
露光装置はもとより、露光パターンが形成されたステン
シルマスク等に電子ビーム等の荷電粒子線を照射し電磁
レンズや偏向器等により露光パターンを感応基板に投影
露光する荷電粒子線露光装置にも適用可能である。加え
て、本発明の試料保持装置は上記のような露光装置以外
にも、移動可能なステージ上に試料が載置されるものの
試料に対して強い保持力を発揮できない各種装置に適用
可能である。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の試料保持
装置は、試料に対してステージの移動方向前方および後
方にそれぞれ配置され、ステージ上に回転自在に軸支さ
れるとともに回転中心の両側にウエイト部を有し一方の
ウエイト部よりも質量の小さい他方のウエイト部を試料
に当接させた状態に配設されるバランスウエイトと、他
方のウエイト部を回転させて試料に押圧させる付勢部と
を備えており、ステージを移動させたとき、移動方向と
は逆方向に作用する力をバランスウエイトに生じさせ、
この力で試料を押圧することで試料に作用する慣性力が
弱められるので、ステージに大きな加速度が加わっても
ステージに対する試料のずれを防止することができる。
【0049】これに加え、試料の質量をMR,一方のウ
エイト部の質量をML,他方のウエイト部の質量をMU,
一方のウエイト部の重心から回転中心までの距離をDG
L,他方のウエイト部の重心から回転中心までの距離を
DGU,試料に対する他方のウエイト部の作用点から回転
中心までの距離をDとするとき、 MR=2・(ML・DGL−MU・DGU)/D が成立するように上記の各パラメータを適宜選択すれ
ば、加速度αの大きさに関わらず試料に作用する慣性力
が相殺されるので、ステージに大きな加速度が加わって
もステージに対する試料のずれを防止することができ
る。
【0050】また、他方のウエイト部に試料に当接する
位置にローラ支承部が設けられることにより、他方のウ
エイト部と試料との間に抵抗が生じ難くなる他、回転中
心から試料に対する他方のウエイト部の力の作用点まで
の距離が一定に保たれるので、バランスウエイトに生じ
る力を無駄なく試料に伝達することができる。
【0051】さらに、ステージに試料を吸着して所定の
位置に固定する真空吸着機構が設けられることにより、
試料がステージ上により確実に固定保持されるので、試
料保持装置と共同して試料のずれを防止することができ
る。
【0052】本発明の露光装置は試料保持装置を備えて
おり、試料がステージ上により確実に固定保持されて試
料のずれが防止されるので、ステージの移動速度を高速
化してスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る試料保持装置を構成するバラン
スウエイトの作動原理を説明する図である。
【図2】 本発明に係る試料保持装置の作動原理を説明
する図である。
【図3】 本発明に係る試料保持装置が設けられたレチ
クルステージの平面図である。
【図4】 図3におけるIV−IV線矢視断面図であ
る。
【図5】 本発明に係る試料保持装置を備える走査露光
装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
1 バランスウエイト 2 一方のウエイト部 3 他方のウエイト部 4 引っ張りばね(付勢部) 5 押圧コロ(ローラ支承部) 10 レチクルステージ 12 レチクルホルダ 14 真空吸着機構 20 光源 21 照明光学系 22 レチクルステージ制御装置 23 レチクルブラインド 25 投影光学系 26 ウエハステージ R レチクル(試料) W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 518

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一直線方向に移動可能なステ
    ージに載置される試料を所定の位置に保持する試料保持
    装置であって、前記試料に対して前記ステージの移動方
    向前方および後方にそれぞれ配置され、ステージ上に回
    転自在に軸支されるとともに回転中心の両側にウエイト
    部を有し一方のウエイト部よりも質量の小さい他方のウ
    エイト部を試料に当接させた状態に配設されるバランス
    ウエイトと、他方のウエイト部を回転させて試料に押圧
    させる付勢部とを備えることを特徴とする試料保持装
    置。
  2. 【請求項2】 前記試料の質量をMR,前記一方のウエ
    イト部の質量をML,前記他方のウエイト部の質量をM
    U,一方のウエイト部の重心から前記回転中心までの距
    離をDGL,他方のウエイト部の重心から回転中心までの
    距離をDGU,試料に対する他方のウエイト部の作用点か
    ら回転中心までの距離をDとするとき、 MR=2・(ML・DGL−MU・DGU)/D が成り立つことを特徴とする請求項1記載の試料保持装
    置。
  3. 【請求項3】 前記他方のウエイト部には、前記試料に
    当接する位置にローラ支承部が設けられることを特徴と
    する請求項1または2記載の試料保持装置。
  4. 【請求項4】 前記ステージには、前記試料を吸着して
    所定の位置に固定する真空吸着機構が設けられることを
    特徴とする請求項1、2または3記載の試料保持装置。
  5. 【請求項5】 請求項1、2、3または4記載の試料保
    持装置を備えることを特徴とする露光装置。
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