JPS6197924A - 保護カバ− - Google Patents

保護カバ−

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JPS6197924A
JPS6197924A JP59219669A JP21966984A JPS6197924A JP S6197924 A JPS6197924 A JP S6197924A JP 59219669 A JP59219669 A JP 59219669A JP 21966984 A JP21966984 A JP 21966984A JP S6197924 A JPS6197924 A JP S6197924A
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JP
Japan
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protective film
face
pattern
glass
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59219669A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadao Yokoo
横尾　貞夫
Masa Shimomura
下邨　雅
Soichi Tsuuzawa
通沢　壮一
Masahiro Dan
檀　昌宏
Takeshi Kaneda
剛 金田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Nippon Sheet Glass Co Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Nippon Sheet Glass Co Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59219669A priority Critical patent/JPS6197924A/ja
Priority to US06/789,071 priority patent/US4634270A/en
Publication of JPS6197924A publication Critical patent/JPS6197924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はＬＳＩの製造に用いるフォトマスク等のパター
ン面への異物や傷の付着を防ぐ保護カバーに関する。
ｒ従来技術〕 ＬＳＩ製造の７オトプリンテイングエ程においで、玄 例えばガラス基板にＱｒ蒸着膜でパターン宅付したフォ
トマスクをネガとし、該フォトマスクを通してフォトレ
ジストを塗布したシリコンウェハーｖｃＮ光し、フォト
レジストを７オトマスクのパターンの相似形状に硬化さ
せるパターニング方法が用いられている。このパターニ
ング工程において、フォトマスク蒸着膜面や、シリコン
ウェハ−７オトレジスト面などのパターン面に異物や傷
などの欠陥が付くと正確にパターニングされず、ＬＳＩ
の歩留を下げることになる。
例えば米国特許第１Ｉ、ｏｔ３．ざ７２号ではフォトマ
スクをガラス板でサンドインチ状にはさみ、パターン面
に異物やキズ等が付かない様に保護している。この様に
保護すると、たとえ異物等が付着しても、保護ガラス外
面にしか付かないので、異物等の投影像はシリコンウェ
ハー上の７オトレジスト面ではピンボケ像となり、パタ
ーニングに態形きょうを起さないことになる。
しかしながらこの方法は、パターン面と保護ガラス外面
との位置のずれを利用して、異物像の焦点面でのピンボ
ケを起させるので、保護ガラスにはある厚さが必要とな
る。必要なガラス厚は欠点寸法と直線的な比例関係にあ
り、例えば欠点寸法が１０μｍの時のガラス厚は約／ｍ
ｍでよいが、欠点寸法が５０８ｍになると約５ｍｍのガ
ラス厚が必要となる。ガラス厚さが犬きくなると当然光
の吸収も大きくなり、バターニングに要する焼付時間が
太きどなったり、又光源の輝度を大きくする必要に迫ら
れる。しかし光源の輝度を大きくすることは、技術上の
問題や装置の大型化といった問題の他に、熱が大量に発
生し、装置の寿命やフォトマスクの熱膨張によるパター
ンの移動や損傷といった問題も生じる。
また保護ガラス厚さが大きくなると前記した光の吸収が
大きくなるという問題の他に、ガラス中の脈理（不均質
）による屈折率差の集積が大きくなりフォトレジスト面
上でのパターン像の乱れが大きくなるという問題もある
。
光吸収の小さい組成のガラスを使うということも考えら
れるが、組成が特殊であり、工業的に量産されていない
ので、高価であり、また寸法精度やガラスの均質性など
品質面にバラツキがあるなどといった問題もある。
近年ＬＳＩの集積化が進むにつれ、ウェハー上のパター
ン線巾を小さくする必要に迫られているが、そのために
は光源の波長を短くする事が必要となっている。そうす
ると光源の波長は紫外域の波長となり、ガラス中での吸
収は急激に増大するので例え紫外線透過ガラスなど特殊
なガラスを用いる場合でも保護ガラスによる光吸収を減
少することが望まれている。
一方フオドレジスト面に投影されるパターン像像とがあ
る。光軸中心では両投影像が完全に合致するので問題な
いが、光軸中心を外れると７オトレジスト面で位置ずれ
を起すので結像パターンに乱れを生じる。透光窓の厚さ
がμｍのオーダーの場合は位置ずれ量が極めて僅かで許
容でき、また厚さが例えばｓｍｍ以上と大きい場合は光
路長の違いにより反射光像はフォトレジスト面で結像し
ないので問題ないが、厚さが数十μｍないし数ｍｍの場
合には反射光像が７オトレジスト面近くで結像するので
結像ノぐターンに乱れを生じる。
近年フォトマスクパターン面保護カバーとして、スペー
サーに数μｍ厚の有機樹脂製保護膜を取付り けだものがべりＸルカバーと称せられ用いられている。
ヘリ〆ル力バーの保護膜は非常に薄いので光の吸収は小
さくかつ反射光による結像パターンの乱れも極めて小さ
く無視出来る程度である。
しかしながら有機樹脂で作られているので静電気を生じ
易く異物が付着しやすい。保護膜は異物の付着位置をパ
ターン面からずらせるためのものであるが、多数付着す
ると当然パターン像にも態形きょうを及ぼすので洗浄が
必要となり、傷が発生したり破損したりする。また有機
樹脂故に紫外線照射を受けると材質劣化を起し、透明性
を損ったり脆性化したりして寿命が短いとか、熱膨張係
数が大きいので使用中に膨張し、たるみやしわを生する
といった欠点を有する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は光吸収が小さく、かつ反射光による結像パター
ンの乱れを生じさせない、かつ長寿命のフォトマスクや
ウェハーフォトレジスト面保護カバーを廉価に提供する
ことを目的とする〔発明の構成〕 つ１ 蓋となるスペーサー（２）と、少くとも内外いずれか７
面に反射防止多層膜（４）を被着した透明無機質板から
なる保護膜（３）とが固着された保護カバー（１）をそ
の構成要旨とする。
本発明で反射防止多層膜と被着させるのは、透光窓内外
面での反射によるパターニング像の乱れを防止するため
、および透光窓の光透過量を増大させるためであり、後
記するように光源の波長に応じて膜物質および膜厚を選
ぶ必要がある。膜の被着は真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法などで行われる。
本発明保護カバーのスペーサーは金属、無機材、プラス
ティック、木材などの固体材料からなり、発生熱応力を
小さくする上で透光窓や７オトマスーク基板と熱膨張率
の近い材料が好ましい。
保護膜は普通板ガラス、紫外線透過ガラス、石英ガラス
等の無機ガラスや無機透光性結晶質材料からなる。無機
質と限定するのは、有機質に比して熱膨張率が小さいの
で反りやしわの発生が少くかつ紫外線照射による劣化が
なく硬度が高いので洗浄時の傷発生が少い。また耐熱性
も大きいので多層膜フーティング時に加熱することがで
き、剥離や擦傷に対して優れた多層膜を被着させること
ができる。
スペーサーと保護膜とは、別個に作ったものを有機、無
機の接着剤で接着したり加熱により融着させてもよいし
、または７枚の板ガラスを加熱下でプレスして一体成形
してもよい。
〔実　施　例〕
第１辰実施例１〜３の透光窓は光源に≠Ｂｍｍ〔 の可視光を用いるので普通板ガラスの使用が可能である
。それぞれの厚さの普通板ガラス両面に第１表に記載の
多層膜を真空蒸着するといずれも非常に高い総合透過率
を有する透光窓が得られる。
それぞれの反射率特性は第３図〜左図に示した通りであ
る。実施例≠〜Ｓの透光窓は、光源に≠００ｎｍ以下の
紫外光を用いる場合の例である。普通板ガラスは紫外光
に対する透過率が小さいので、石英ガラスを用いる。／
ｍｍ厚の石英ガラスを用いる場合の総合透過率はどちら
もタデ、５％で、反射率特性は第３．７図に示した通り
である。
発明の効果〕 本発明の保護カバーはスペーサーを介して保護膜がパタ
ーン面をカバーするので、保護膜を薄くすることができ
、光の吸収を小さくすることができる上に、保護膜に反
射防止多層膜を有しているので、保護膜内外面の反り、
↑光によるパターン像の孔れを防止できる。さらに保護
膜が透明無機材質でできているので耐熱性が高く、壬意
の物質の多層膜を精密に膜厚コントロールしなから被着
する
【図面の簡単な説明】
第１図ｆａｔは本発明の保護カバー斜視図、第１図［ｂ
）は同側断面図で、 ／・・・保護カバー　２・・・スペーサー３・・・保護
膜　グ・・・反射防止多層膜第２図はフォトプリンティ
ングの概略説明図、第３〜７図は本発明実施例の反射防
止多層膜の反射率特性を表したグラフである。 ９　　　　　第１図 第２図 ｒ 波　長　　　　（μｍン 波長　　（／’ｍｌ 第６ＦｊＡ ％ （ｌＬｍ） 波長　（／’ｍ） 自１頁の続き 多発　明　者　　金　　１）　　　　剛　　小平市上水
木町１４７９アリング株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）フォトプリンティングにおけるパターン面保護カ
    バー（１）であって、保護カバー周辺部に立設され、パ
    ターン面（６）と保護膜（３）の内面とを離隔させると
    ともにその間隙の蓋となるスペーサー（２）と、少くと
    も内外面のいずれか１面に反射防止多層膜（４）を被着
    した透明無機質板からなる保護膜とが固着された保護カ
    バー。
  2. （２）前記無機質板が厚さ０．０３〜１ｍｍのガラスで
    ある特許請求の範囲第１項に記載の保護カバー。
JP59219669A 1984-10-19 1984-10-19 保護カバ− Pending JPS6197924A (ja)

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JP59219669A JPS6197924A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 保護カバ−
US06/789,071 US4634270A (en) 1984-10-19 1985-10-18 Protective cover

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