JPS6053871B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS6053871B2 JPS6053871B2 JP53116534A JP11653478A JPS6053871B2 JP S6053871 B2 JPS6053871 B2 JP S6053871B2 JP 53116534 A JP53116534 A JP 53116534A JP 11653478 A JP11653478 A JP 11653478A JP S6053871 B2 JPS6053871 B2 JP S6053871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- substrate
- exposure method
- exposure mask
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光法、特にプロジエクシヨンアライナによ
る露光法に関する。
る露光法に関する。
一般にＩＣがＬＳＩ等の微細パターンを写真食刻により
形成する製品の製造では歩留が問題となる。歩留低下の
原因の一つに写真食刻工程の露光時に生じる欠陥があり
、ＬＳＩの製造では特に大きい問題である。このため露
光時に発生する欠陥の密度は露光法を決定する大きな要
素の一つである。露光の方式を大別すると、露光用マス
クと基体（ウェーハ）を密着させて露光する密着露光方
式と露光用マスクのパターンを基体（ウェーハ）上に投
影して露光するプロジェクション方式に分けられる。プ
ロジェクション方式の露光は密着方式の露光に比べ露光
用マスクの消耗がないという利点を持つが、反面、密着
方式の露光法に比較し露光用マスクのパターン面に付着
した異物が基体（ウェーハ）上に解像されやすいという
欠点を持つ。したがつて、プロジェクション方式の露光
法では露光用マスクの表面に付着する異物が歩留低下の
主要因となる。このため、従来のプロジェクション方式
の露光法では露光用マスクの洗浄を頻繁に行なわなけれ
ばならず、プ口ジエクシヨンアライナの実用性を低下さ
せている。 本発明の目的は上述した従来のプロジェク
ション方式の露光法の問題を解決し、プロジェクション
方式の露光法の実用性を高める露光法を提供することに
ある。
形成する製品の製造では歩留が問題となる。歩留低下の
原因の一つに写真食刻工程の露光時に生じる欠陥があり
、ＬＳＩの製造では特に大きい問題である。このため露
光時に発生する欠陥の密度は露光法を決定する大きな要
素の一つである。露光の方式を大別すると、露光用マス
クと基体（ウェーハ）を密着させて露光する密着露光方
式と露光用マスクのパターンを基体（ウェーハ）上に投
影して露光するプロジェクション方式に分けられる。プ
ロジェクション方式の露光は密着方式の露光に比べ露光
用マスクの消耗がないという利点を持つが、反面、密着
方式の露光法に比較し露光用マスクのパターン面に付着
した異物が基体（ウェーハ）上に解像されやすいという
欠点を持つ。したがつて、プロジェクション方式の露光
法では露光用マスクの表面に付着する異物が歩留低下の
主要因となる。このため、従来のプロジェクション方式
の露光法では露光用マスクの洗浄を頻繁に行なわなけれ
ばならず、プ口ジエクシヨンアライナの実用性を低下さ
せている。 本発明の目的は上述した従来のプロジェク
ション方式の露光法の問題を解決し、プロジェクション
方式の露光法の実用性を高める露光法を提供することに
ある。
このような目的を達成するために、本発明においては露
光用マスクのパターン面に異物が付着せず、かつ露光用
マスクの表面に付着した異物が基体（ウェーハ）上に解
像されないプロジェクション方式の露光法を実現するも
のである。 以下、本発明の実施例を用いて具体的に説
明する。
光用マスクのパターン面に異物が付着せず、かつ露光用
マスクの表面に付着した異物が基体（ウェーハ）上に解
像されないプロジェクション方式の露光法を実現するも
のである。 以下、本発明の実施例を用いて具体的に説
明する。
第１図は本発明の露光法で用いる露光用マスクの断面図
である。第１図に略示するように露光用マスクの基板１
ａ上に基体（ウェーハ）に転写するパターンｌｃがある
。本発明で用いる露光用マスクはパターンｌｃ上に透明
な遮へい板もしくは透明なコーティング膜ｌｂを持つこ
とを特徴とする。この場合、外部からの異物はパターン
ｌｃ上ではなく、透明な遮へい板もしくは透明なコーテ
ィング膜ｌｂ上に付着する。第１図の実施例では透明な
遮へい板もしくは透明なコーティング膜ｌｂとして厚さ
２００μｍの石英製ガラス板を用い、露光用マスクの周
辺部分ｌｄで基板１ａとエポキシ系接着材で接着した。
透明な遮へい板もしくは透明コーティング膜ｌｂとして
石英ガラスの他に各種酸化物や各種の有機樹脂を使用す
ることができ、基板１ａまたはパターンｌｃとの接着や
コーティングも既存の技術で容易に実現できる。透明な
遮へい板もしくは透明なコーティング膜１ｂの厚さは本
発明の異物に対する有効性を左右する重要なパラメータ
であり、通常数１０μｍ〜数１００μｍの範囲であるが
次式（１）の関係をみたすようにきめることが望ましい
。例えば、３μｍ程度の大きさの異物に対しては１ｂの
厚さを約３０μｍ以上とし、２μｍ程度の大きさの異物
が問題になる時には２０μｍ以上の厚さにすることが望
ましい。ここで、Ｄ ；透明な遮へい板もしくは遮へ
い膜の厚さ ｄ ；問題とする異物の
サイズ Ｌ（ｄ）；ｄに対するアライナの焦点深
度 ｎ ；透明な遮へい板もしくは遮へ
い膜の屈折率 次に本発明のプロジェクション方式の露光法を従来のプ
ロジェクション方式の露光法ど比較して説明する。
である。第１図に略示するように露光用マスクの基板１
ａ上に基体（ウェーハ）に転写するパターンｌｃがある
。本発明で用いる露光用マスクはパターンｌｃ上に透明
な遮へい板もしくは透明なコーティング膜ｌｂを持つこ
とを特徴とする。この場合、外部からの異物はパターン
ｌｃ上ではなく、透明な遮へい板もしくは透明なコーテ
ィング膜ｌｂ上に付着する。第１図の実施例では透明な
遮へい板もしくは透明なコーティング膜ｌｂとして厚さ
２００μｍの石英製ガラス板を用い、露光用マスクの周
辺部分ｌｄで基板１ａとエポキシ系接着材で接着した。
透明な遮へい板もしくは透明コーティング膜ｌｂとして
石英ガラスの他に各種酸化物や各種の有機樹脂を使用す
ることができ、基板１ａまたはパターンｌｃとの接着や
コーティングも既存の技術で容易に実現できる。透明な
遮へい板もしくは透明なコーティング膜１ｂの厚さは本
発明の異物に対する有効性を左右する重要なパラメータ
であり、通常数１０μｍ〜数１００μｍの範囲であるが
次式（１）の関係をみたすようにきめることが望ましい
。例えば、３μｍ程度の大きさの異物に対しては１ｂの
厚さを約３０μｍ以上とし、２μｍ程度の大きさの異物
が問題になる時には２０μｍ以上の厚さにすることが望
ましい。ここで、Ｄ ；透明な遮へい板もしくは遮へ
い膜の厚さ ｄ ；問題とする異物の
サイズ Ｌ（ｄ）；ｄに対するアライナの焦点深
度 ｎ ；透明な遮へい板もしくは遮へ
い膜の屈折率 次に本発明のプロジェクション方式の露光法を従来のプ
ロジェクション方式の露光法ど比較して説明する。
第２図には従来のプロジェクション方式の露光法を示し
第３図に本発明にかかるプロジェクション方式の露光法
を略示する。第２図〜第３図中、２はプロジエクシヨン
アライナの光学系全体を代表させたものであり、一般的
にはレンズ群もしくは反射鏡群て構成されている。第２
図中の１は従来の露光用マスクであり、第３図中の１は
透明な遮へい板もしくは透明なコーティング膜を持つた
本発明に用いた第１図の構造の露光用マスクである。第
２図〜第３図において露光用マスクのパターン１ｃを通
過した光は、光学系２により、反射もしくは屈折され、
ホトレジストを塗布した基体（ウェーハ）３の表面にパ
ターン１ｃの実像５を結ぶ。第２図〜第３図においてア
ライナの光学系２は、露光用マスクのパターン１ｃが基
体（ウェーハ）上に実像５を結ぶように調整されている
。第２図の従来の露光法では異物４は露光用マスクのパ
ターン１ｃと同じ位置に付着している。したがつてパタ
ーン１ｃの像５が基体（ウェーハ）３の表面に結像する
と、異物４の像６も基体（ウェーハ）３の表面に結像す
るため、露光時の欠陥となり歩留の低下をまねく。一方
、本発明の露光法を示した第３図ではパターン１ｃと付
着異物４が離れているため、異物４の像は基体（ウェー
ハ）３の表面上には結像しない。この場合、基体（ウェ
ーハ）３の表面の異物４の像６にはボケが生じボケた像
６は現像により解像されない。このため、第３図の異物
４は露光工程の欠陥とならず異物４による歩留の低下を
防ぐことができる。
第３図に本発明にかかるプロジェクション方式の露光法
を略示する。第２図〜第３図中、２はプロジエクシヨン
アライナの光学系全体を代表させたものであり、一般的
にはレンズ群もしくは反射鏡群て構成されている。第２
図中の１は従来の露光用マスクであり、第３図中の１は
透明な遮へい板もしくは透明なコーティング膜を持つた
本発明に用いた第１図の構造の露光用マスクである。第
２図〜第３図において露光用マスクのパターン１ｃを通
過した光は、光学系２により、反射もしくは屈折され、
ホトレジストを塗布した基体（ウェーハ）３の表面にパ
ターン１ｃの実像５を結ぶ。第２図〜第３図においてア
ライナの光学系２は、露光用マスクのパターン１ｃが基
体（ウェーハ）上に実像５を結ぶように調整されている
。第２図の従来の露光法では異物４は露光用マスクのパ
ターン１ｃと同じ位置に付着している。したがつてパタ
ーン１ｃの像５が基体（ウェーハ）３の表面に結像する
と、異物４の像６も基体（ウェーハ）３の表面に結像す
るため、露光時の欠陥となり歩留の低下をまねく。一方
、本発明の露光法を示した第３図ではパターン１ｃと付
着異物４が離れているため、異物４の像は基体（ウェー
ハ）３の表面上には結像しない。この場合、基体（ウェ
ーハ）３の表面の異物４の像６にはボケが生じボケた像
６は現像により解像されない。このため、第３図の異物
４は露光工程の欠陥とならず異物４による歩留の低下を
防ぐことができる。
第１図は本発明に用いた露光用マスク構造を示す断面図
である。 第２図は従来のプロジェクション方式の露光法を説明す
るための露光装置の要部断面図、第３図は本発明のプロ
ジェクション方式の露光法を説明するための露光装置の
要部断面図である。１ａ・・・・・露光用マスクの基板
、１ｂ・・・・・透明な遮へい板（石英ガラス板２００
μ）、１ｃ・・・・・・露光用マスクのパターン、１ｄ
・・・・・透明遮へい板と基板の接着部分、２・・・・
・・プロジエクシヨンアライナの全光学系を代表する光
学系、３・・・・・・ホトレジストを塗布した基体（ウ
ェーハ）、４・・・・・・露光用マスクに付着した異物
、５・・・・・・ホトレジスト塗布膜上の露光用マスク
のパターンの像、６・・・・・・ホトレジスト塗布膜上
の異物像。
である。 第２図は従来のプロジェクション方式の露光法を説明す
るための露光装置の要部断面図、第３図は本発明のプロ
ジェクション方式の露光法を説明するための露光装置の
要部断面図である。１ａ・・・・・露光用マスクの基板
、１ｂ・・・・・透明な遮へい板（石英ガラス板２００
μ）、１ｃ・・・・・・露光用マスクのパターン、１ｄ
・・・・・透明遮へい板と基板の接着部分、２・・・・
・・プロジエクシヨンアライナの全光学系を代表する光
学系、３・・・・・・ホトレジストを塗布した基体（ウ
ェーハ）、４・・・・・・露光用マスクに付着した異物
、５・・・・・・ホトレジスト塗布膜上の露光用マスク
のパターンの像、６・・・・・・ホトレジスト塗布膜上
の異物像。
Claims (1)
- １ 基板のパターン表面を覆い一方の面が基板の表面か
ら所定の距離にある膜を有する露光用マスクを用い、上
記膜表面上に付着した異物の像が被露光体に結像しない
ように露光することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53116534A JPS6053871B2 (ja) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53116534A JPS6053871B2 (ja) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | 露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176655A Division JPS60121449A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5543542A JPS5543542A (en) | 1980-03-27 |
| JPS6053871B2 true JPS6053871B2 (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14689498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53116534A Expired JPS6053871B2 (ja) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053871B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027641Y2 (ja) * | 1980-07-08 | 1985-08-21 | 山陽国策パルプ株式会社 | 緩衝性強靭シ−ト |
| JPS57112341U (ja) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | ||
| JPH0652704B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-07-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4063812A (en) * | 1976-08-12 | 1977-12-20 | International Business Machines Corporation | Projection printing system with an improved mask configuration |
-
1978
- 1978-09-25 JP JP53116534A patent/JPS6053871B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4063812A (en) * | 1976-08-12 | 1977-12-20 | International Business Machines Corporation | Projection printing system with an improved mask configuration |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5543542A (en) | 1980-03-27 |
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