JPS6231855A - ペリクル付マスクブランク - Google Patents
ペリクル付マスクブランクInfo
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- JPS6231855A JPS6231855A JP60171433A JP17143385A JPS6231855A JP S6231855 A JPS6231855 A JP S6231855A JP 60171433 A JP60171433 A JP 60171433A JP 17143385 A JP17143385 A JP 17143385A JP S6231855 A JPS6231855 A JP S6231855A
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- Japan
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- mask blank
- pellicle
- mask
- film
- blank
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
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- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
本発明は、ペリクル付マスクブランクであって、レジス
ト膜が被着されたマスクブランクの表面に塵埃が付着し
てパターニングに欠陥を生ずることを防止するために、
マスクブランクの形成工程で、レジスト膜を形成した直
後に、ペリクルをマスクブランクに装着固定してしまい
、その後のマスクブランクの移送、保管、露光時におい
て、塵埃がマスクブランク表面に付着するのを防止する
と共に、ペリクル付きのマスクブランクをそのまま露光
することにより、製造工程の合理化を計ったものである
。
ト膜が被着されたマスクブランクの表面に塵埃が付着し
てパターニングに欠陥を生ずることを防止するために、
マスクブランクの形成工程で、レジスト膜を形成した直
後に、ペリクルをマスクブランクに装着固定してしまい
、その後のマスクブランクの移送、保管、露光時におい
て、塵埃がマスクブランク表面に付着するのを防止する
と共に、ペリクル付きのマスクブランクをそのまま露光
することにより、製造工程の合理化を計ったものである
。
［産業上の利用分野］
本発明は、ペリクル付マスクブランクに係り、特にマス
クブランクを形成後、直ちにペリクルを装着し、そのま
まの状態で、移送、保管、露光することにより、マスク
ブランクに被着する塵埃の影響を防止するものである。
クブランクを形成後、直ちにペリクルを装着し、そのま
まの状態で、移送、保管、露光することにより、マスク
ブランクに被着する塵埃の影響を防止するものである。
近時、半導体装置の高集積化が進み、半導体装置の製造
工程では、既に高精度で緻密なサブミクロンのパターニ
ングが行われている。
工程では、既に高精度で緻密なサブミクロンのパターニ
ングが行われている。
このような高精度のパターニングを実現するためには、
マスク製造工程からウェハの露光にいたるあらゆる製造
工程で、厳密な工程管理が必要であるが、そのなかで防
塵が完全でないために、マスフやマスク基板に塵埃が付
着し、パターンに欠陥が発生する不良もかなり多く、従
って、露光用マスクを製造するには、表面が清浄なマス
クブランクスが必要になる。
マスク製造工程からウェハの露光にいたるあらゆる製造
工程で、厳密な工程管理が必要であるが、そのなかで防
塵が完全でないために、マスフやマスク基板に塵埃が付
着し、パターンに欠陥が発生する不良もかなり多く、従
って、露光用マスクを製造するには、表面が清浄なマス
クブランクスが必要になる。
１ｆｆｌ當、露光用マスクの製造工程は、最初に実パタ
ーンの１０倍の寸法であるレチクルを製作し、これをフ
ォトリピータによって繰り返し縮小投影露光を行って、
マスクマスクを製作した後、このマスクを使用して、ワ
ーキングマスクを量産することがなされるが、それぞれ
のマスクのマスク基板になるマスクブランクに塵埃が付
着しないようにすることが必要である。
ーンの１０倍の寸法であるレチクルを製作し、これをフ
ォトリピータによって繰り返し縮小投影露光を行って、
マスクマスクを製作した後、このマスクを使用して、ワ
ーキングマスクを量産することがなされるが、それぞれ
のマスクのマスク基板になるマスクブランクに塵埃が付
着しないようにすることが必要である。
通常マスクを製作する露光工程では、露光する側のマス
クに、ペリクルが装着され、防塵対策を行って細心の注
意が払われているが、マスクブランクはレジスト膜が被
着されてから、露光工程に送られる間に、包装、移送、
保管、マスク製作のアレンジ等を含む比較的長期の工程
中に、マスクブランクのレジスト膜に塵埃が被着してし
まい、製作されたマスク表面のバターニングに欠陥を生
するという不都合があるため、その対策が要望されてい
る。
クに、ペリクルが装着され、防塵対策を行って細心の注
意が払われているが、マスクブランクはレジスト膜が被
着されてから、露光工程に送られる間に、包装、移送、
保管、マスク製作のアレンジ等を含む比較的長期の工程
中に、マスクブランクのレジスト膜に塵埃が被着してし
まい、製作されたマスク表面のバターニングに欠陥を生
するという不都合があるため、その対策が要望されてい
る。
［従来の技術］
第４図は、マスクブランクの要部断面図を示している。
マスクブランクの大きさは５〜７ンイチの直径の円板か
、または−辺が５〜７ンイチの角板であって、その構成
は、基板１として例えば厚みが２ｍａｔ〜３ｍｌ１１の
石英ガラス板が用いられ、その表面に光遮蔽膜２として
例えばクロム金属膜を約５００人〜８００人の厚さで形
成した後、更にその表面に反射防止膜３として酸化クロ
ム（Ｃｒ０２）膜を＄ＡＦｉしてから、その表面にレジ
スト膜４を厚みを５０００人〜１ｏｏｏｏ人に形成する
。
、または−辺が５〜７ンイチの角板であって、その構成
は、基板１として例えば厚みが２ｍａｔ〜３ｍｌ１１の
石英ガラス板が用いられ、その表面に光遮蔽膜２として
例えばクロム金属膜を約５００人〜８００人の厚さで形
成した後、更にその表面に反射防止膜３として酸化クロ
ム（Ｃｒ０２）膜を＄ＡＦｉしてから、その表面にレジ
スト膜４を厚みを５０００人〜１ｏｏｏｏ人に形成する
。
第５図は、従来のマスクブランクの製造工程図を示して
あり、これを番号順に内容を説明する。
あり、これを番号順に内容を説明する。
（１１のガラス基板洗浄は、ガラス表面の清浄化を行う
ために、ガラス表面を硫酸等で酸処理後、アルカリ系ま
たは中性洗剤で化学処理を行い、超音波洗浄で処理をす
るものである。
ために、ガラス表面を硫酸等で酸処理後、アルカリ系ま
たは中性洗剤で化学処理を行い、超音波洗浄で処理をす
るものである。
（２）の乾燥は、塵埃が付着しない清浄な環境で処理後
のガラス基板を自然乾燥をする。
のガラス基板を自然乾燥をする。
（３）の光吸収膜の形成は、ガラス基板の表面にスパッ
タまたは蒸着方法によりクロム金属膜を成膜するもので
、クロム膜の膜厚は５００人〜８００人に形成するもの
である。
タまたは蒸着方法によりクロム金属膜を成膜するもので
、クロム膜の膜厚は５００人〜８００人に形成するもの
である。
（４）の光反射防止膜の形成は酸化クロムを膜厚を、２
００人〜４００人に形成するもので、下地のクロム膜が
金属膜のため反射率が大きく露光光線を反射してしまう
ために、その表面に反射率が小の酸化クロム膜を成膜す
るものである。
００人〜４００人に形成するもので、下地のクロム膜が
金属膜のため反射率が大きく露光光線を反射してしまう
ために、その表面に反射率が小の酸化クロム膜を成膜す
るものである。
（５）のレジスト膜の被着は、露光種類によって電子ビ
ーム用または光露光用等が適宜使用され、必要に応じて
ポジまたはネガのレジス［・膜が被着されるが、一般に
マスクブランクに使用されるレジスト膜は、膜厚が５０
００人〜１００００人程度で、通常のレジストの粘度よ
り低粘度で被着され、被着方法は例えばスピンナーによ
り行われる。
ーム用または光露光用等が適宜使用され、必要に応じて
ポジまたはネガのレジス［・膜が被着されるが、一般に
マスクブランクに使用されるレジスト膜は、膜厚が５０
００人〜１００００人程度で、通常のレジストの粘度よ
り低粘度で被着され、被着方法は例えばスピンナーによ
り行われる。
（６）のベーキングの工程は、加熱炉内にマスクブラン
クを収納し、通常１００℃程度の温度で５分乃至４０分
間のベーキングが行われる。
クを収納し、通常１００℃程度の温度で５分乃至４０分
間のベーキングが行われる。
（７）の検査は、レジスト膜の表面に、レーザ光を投射
して、その散乱光による表面検査か、ハロゲンランプに
よる目視検査により行われ、レジスト膜の表面に異物の
付着やクラックの有無、またレジスト膜の平面性や膜厚
等の検査がなされる。
して、その散乱光による表面検査か、ハロゲンランプに
よる目視検査により行われ、レジスト膜の表面に異物の
付着やクラックの有無、またレジスト膜の平面性や膜厚
等の検査がなされる。
（８）の包装は、このように製作されたマスクブランク
を、防塵包装をして、移送、保管、開梱等がなされてマ
スク製作工程で露光されるが、マスクブランクが製作さ
れてからマスクの露光に至る工程で、マスクブランクに
塵埃が付着する恐れが多分にあり、そのためマスクブラ
ンクの取扱は極めて厳重にする必要がある。
を、防塵包装をして、移送、保管、開梱等がなされてマ
スク製作工程で露光されるが、マスクブランクが製作さ
れてからマスクの露光に至る工程で、マスクブランクに
塵埃が付着する恐れが多分にあり、そのためマスクブラ
ンクの取扱は極めて厳重にする必要がある。
第６図は、レチクルからマスクマスクを製作するための
マスクブランクへの露光を示す模式要部断面図である。
マスクブランクへの露光を示す模式要部断面図である。
露光光源１１として、例えば水銀ランプがあり、そこか
ら投射された矢印の光線は、レチクル１２とその両側に
装着したペリクル１３．１４の光透明の保護膜１５．１
６を通過して、光学レンズ１７により、１１５または１
／１０に縮小され、縮小されたパターンは、基台１８
上のマスクブランク２０の表面のレジスト膜を露光する
。
ら投射された矢印の光線は、レチクル１２とその両側に
装着したペリクル１３．１４の光透明の保護膜１５．１
６を通過して、光学レンズ１７により、１１５または１
／１０に縮小され、縮小されたパターンは、基台１８
上のマスクブランク２０の表面のレジスト膜を露光する
。
このように露光で使用されるペリクルは、レチクルの上
下面の約４ｍｍ〜５ｍｍの円筒の端面に、厚さが０．７
μｍ程度のニトロセルローズ膜で形成された透明な保護
膜が張架され、マスクとペリクルとの間隔は上記の円筒
の高さによって決定されるが、例えば、ニトロセルロー
ズの保護膜上に塵埃が付着しても、その保護膜の位置に
おける光学的焦点が、マスクブランク上に像を結ぶこと
がな（、従って保護膜上に塵埃が存在しても、マスク基
板上に塵埃の像が転写されることがない。
下面の約４ｍｍ〜５ｍｍの円筒の端面に、厚さが０．７
μｍ程度のニトロセルローズ膜で形成された透明な保護
膜が張架され、マスクとペリクルとの間隔は上記の円筒
の高さによって決定されるが、例えば、ニトロセルロー
ズの保護膜上に塵埃が付着しても、その保護膜の位置に
おける光学的焦点が、マスクブランク上に像を結ぶこと
がな（、従って保護膜上に塵埃が存在しても、マスク基
板上に塵埃の像が転写されることがない。
一般に、マスクにペリクルを使用すると、ペリクル上の
塵埃の大ききが１０μｍ程度であっても、露光されたパ
ターンに欠陥が生じないといわれ、マスク面への異物付
着の保護と、保護膜表面に塵埃が付着しても、マスク基
板に塵埃を転写しないという大きな特徴がある。
塵埃の大ききが１０μｍ程度であっても、露光されたパ
ターンに欠陥が生じないといわれ、マスク面への異物付
着の保護と、保護膜表面に塵埃が付着しても、マスク基
板に塵埃を転写しないという大きな特徴がある。
然しながら、従来、マスクブランクの製造後から露光工
程迄の間に、マスクブランクの表面に塵埃が被着し、そ
れらが原因となって、マスクブランクに形成されたパタ
ーンに欠陥を発生するという欠点がある。
程迄の間に、マスクブランクの表面に塵埃が被着し、そ
れらが原因となって、マスクブランクに形成されたパタ
ーンに欠陥を発生するという欠点がある。
［発明が解決しようとする問題点］
マスクブランクを製作した後、そのマスクブランクにマ
スクパターンを形成する露光工程間は、マスクブランク
の表面に塵埃か付着する機会が多いことが問題である。
スクパターンを形成する露光工程間は、マスクブランク
の表面に塵埃か付着する機会が多いことが問題である。
Ｅ問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解決するためのペリクル付マス
クブランクを提供するもので、その解決の手段は、マス
ク基板の表面に、クロム金属等からなる光遮蔽膜かが形
成され、その表面に所定のレジスト膜が被着されたマス
クブランクで、マスクブランクの製造工程で、最終のレ
ジスト膜が被 １着された直後に、直ちにレジスト
膜の上面に所定の間隔で保護膜を設けたペリクルを装着
固定して、レジスト膜の表面に塵埃が付着することを防
止するものであって、このマスクブランク面に露光を行
う際には、ペリクルを装着したまま露光をすることによ
り、防塵及び工程の簡略化を計ったものであり、この方
法は、Ｘ線露光の場合でも同様に通用できる。
クブランクを提供するもので、その解決の手段は、マス
ク基板の表面に、クロム金属等からなる光遮蔽膜かが形
成され、その表面に所定のレジスト膜が被着されたマス
クブランクで、マスクブランクの製造工程で、最終のレ
ジスト膜が被 １着された直後に、直ちにレジスト
膜の上面に所定の間隔で保護膜を設けたペリクルを装着
固定して、レジスト膜の表面に塵埃が付着することを防
止するものであって、このマスクブランク面に露光を行
う際には、ペリクルを装着したまま露光をすることによ
り、防塵及び工程の簡略化を計ったものであり、この方
法は、Ｘ線露光の場合でも同様に通用できる。
［作用１
本発明は、マスクブランクとペリクルを同一化した製品
であって、レジスト膜を被着したマスクブランクの製造
直後に、直ちにマスクブランクにペリクルを装着して防
塵を行なうと共に、従来のマスクブランクに通常のペリ
クルを装着したものであるので、ペリクルを装着したま
ま、マスクブランクを露光してマスクを形成することに
より、完全な防塵により欠陥の無いマスクパターンを形
成することができ、高精度で高集積化マスクを提供でき
ると共に、製造工程の合理化を行ったものである。
であって、レジスト膜を被着したマスクブランクの製造
直後に、直ちにマスクブランクにペリクルを装着して防
塵を行なうと共に、従来のマスクブランクに通常のペリ
クルを装着したものであるので、ペリクルを装着したま
ま、マスクブランクを露光してマスクを形成することに
より、完全な防塵により欠陥の無いマスクパターンを形
成することができ、高精度で高集積化マスクを提供でき
ると共に、製造工程の合理化を行ったものである。
［実施例］
第１図は、本発明のマスクブランクの製造工程図である
。
。
（１）のガラス洗浄、（２）の乾燥、（３）の光遮蔽膜
の形成、（４）の光反射防止膜の形成、（５）のレジス
ト膜の被着、（６）のベーキング工程、（７）の検査は
従来例と全く同様であるが、（８）のペリクルの装着が
レジスト膜の検査後に、直ちに行われて、次の（９）の
包装がなされる。
の形成、（４）の光反射防止膜の形成、（５）のレジス
ト膜の被着、（６）のベーキング工程、（７）の検査は
従来例と全く同様であるが、（８）のペリクルの装着が
レジスト膜の検査後に、直ちに行われて、次の（９）の
包装がなされる。
このような工程で製作されたマスクブランクは、ペリク
ルによって防塵がなされているために従来のような、特
に厳重な防塵包装をする必要がな（、また露光工程では
、直ちにペリクル付きのマスクブランクスとしてマスク
の製作ができるので製造工程も著しく省力化される。
ルによって防塵がなされているために従来のような、特
に厳重な防塵包装をする必要がな（、また露光工程では
、直ちにペリクル付きのマスクブランクスとしてマスク
の製作ができるので製造工程も著しく省力化される。
第２図は、本発明のマスクブランクスとペリクルの一体
化された配置を示す平面図、第３図はその断面図である
。
化された配置を示す平面図、第３図はその断面図である
。
ガラス基板２１の表面にクロム膜で形成された、光遮蔽
膜２２と反射防止膜２３の表面にレジスト股２４を被着
したマスクブランク２５があり、その上面にペリクル２
６を装着しているが、通常ペリクルの構造は、アルミニ
ウム等で製作された高さ４ｍｍ〜５ｍｍの円？［？ｉ２
７の端面に、厚さが０．７ μｍ程度のニトロセルロー
ズ膜で形成された、透明な保護膜２８が張架され、マス
クとペリクルとの間隔は上記の円筒の高さによって決定
されるが、上記のペリクルの機能により、パターン欠陥
の無い優れたマスクを製作することができる。
膜２２と反射防止膜２３の表面にレジスト股２４を被着
したマスクブランク２５があり、その上面にペリクル２
６を装着しているが、通常ペリクルの構造は、アルミニ
ウム等で製作された高さ４ｍｍ〜５ｍｍの円？［？ｉ２
７の端面に、厚さが０．７ μｍ程度のニトロセルロー
ズ膜で形成された、透明な保護膜２８が張架され、マス
クとペリクルとの間隔は上記の円筒の高さによって決定
されるが、上記のペリクルの機能により、パターン欠陥
の無い優れたマスクを製作することができる。
このマスクブランクとペリクルとの接合部は、接着方法
として両面テープ等が使用することで接合をすることが
できる。
として両面テープ等が使用することで接合をすることが
できる。
このペリクル付きマスクブランクに対する露光は、例え
ば第６図のような縮小投影露光、或いは１対１投影露光
装置で行う。
ば第６図のような縮小投影露光、或いは１対１投影露光
装置で行う。
上記マスク−ペリクル間隔は投１６ ｎ光装置の光学系
において、ペリクル保護膜上に付着する塵埃がマスクブ
ランクのレジスト膜上で結像しない程度の距離に設定さ
れる。
において、ペリクル保護膜上に付着する塵埃がマスクブ
ランクのレジスト膜上で結像しない程度の距離に設定さ
れる。
露光処理後、ペリクルは取り除かれ、露光済みのマスク
ブランクに対する現像処理がなされる。
ブランクに対する現像処理がなされる。
この段階以降は、塵埃付着に対して洗浄処理などによる
対処が比較的容易であり、致命的欠陥には至らない。
対処が比較的容易であり、致命的欠陥には至らない。
［発明の効果〕
以上、詳細に説明したように本発明にるマスクブランク
にペリクルを装着して一体化することにより、マスクブ
ランクの防塵保護すると共に製造工程の合理化にもなり
、露光したパターンには欠陥のない優れたマスクを製作
することができ、効果大なるものがある。
にペリクルを装着して一体化することにより、マスクブ
ランクの防塵保護すると共に製造工程の合理化にもなり
、露光したパターンには欠陥のない優れたマスクを製作
することができ、効果大なるものがある。
第１図は、本発明のマスクブランクの製造方法を示す工
程図、 第２図は、本発明のマスクブランクとペリクルの一体化
された平面図、 第３図は、本発明のマスクブランクとペリクルの一体化
された断面図、 第４図は、マスクブランクの断面図、 第５図は、従来のマスクブランクの製造方法を示す工程
図、 第６図は、従来のマスクブランクの露光方法を示す工程
図、 図において、 ２１はガラス基板、 ２２は光遮蔽膜、２３と反射
防止膜、 ２４はレジスト膜、２５はマスクブラン
クス、２６はペリクル、２７ば円筒、 ２８
は保護膜、をそれぞれ示している。
程図、 第２図は、本発明のマスクブランクとペリクルの一体化
された平面図、 第３図は、本発明のマスクブランクとペリクルの一体化
された断面図、 第４図は、マスクブランクの断面図、 第５図は、従来のマスクブランクの製造方法を示す工程
図、 第６図は、従来のマスクブランクの露光方法を示す工程
図、 図において、 ２１はガラス基板、 ２２は光遮蔽膜、２３と反射
防止膜、 ２４はレジスト膜、２５はマスクブラン
クス、２６はペリクル、２７ば円筒、 ２８
は保護膜、をそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスク基板（２１）の表面に光遮蔽膜（２２）が形成さ
れ、表面にレジスト膜（２４）が被着されたマスクブラ
ンク（２５）に対し、 該レジスト膜（２４）の上面にペリクル（２６）を装着
固定して一体化し、該レジスト膜（２６）の表面に塵埃
が付着することを防止するようにしたことを特徴とする
ペリクル付マスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171433A JPS6231855A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | ペリクル付マスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171433A JPS6231855A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | ペリクル付マスクブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231855A true JPS6231855A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15923033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171433A Pending JPS6231855A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | ペリクル付マスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| WO2006006318A1 (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Hoya Corporation | マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60171433A patent/JPS6231855A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
| WO2006006318A1 (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Hoya Corporation | マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法 |
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