JPS63309954A - 半導体装置製造用マスク - Google Patents
半導体装置製造用マスクInfo
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- JPS63309954A JPS63309954A JP62146620A JP14662087A JPS63309954A JP S63309954 A JPS63309954 A JP S63309954A JP 62146620 A JP62146620 A JP 62146620A JP 14662087 A JP14662087 A JP 14662087A JP S63309954 A JPS63309954 A JP S63309954A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程の１つである写真食
刻工程において、半導体装置の回路パターンを転写する
ために用いられる半導体装置製造用マスクに関するもの
である。
刻工程において、半導体装置の回路パターンを転写する
ために用いられる半導体装置製造用マスクに関するもの
である。
一般に写真食刻工程では、ウェハ状の感光性樹脂に、マ
スクを通して紫外線を照射し、現像を行うことによって
マスク上の回路パターンをウェハ上に転写する。即ち、
マスク上の金属被膜パターンの部分は紫外線を遮断し、
その他の透明な部分は紫外線を通すので、パターンの転
写が行われる。
スクを通して紫外線を照射し、現像を行うことによって
マスク上の回路パターンをウェハ上に転写する。即ち、
マスク上の金属被膜パターンの部分は紫外線を遮断し、
その他の透明な部分は紫外線を通すので、パターンの転
写が行われる。
第２図は従来のマスクの断面図であり、図において、１
はクロムや酸化クロム等の金属被膜パターン、２はガラ
スや石英等の透明板、５はマスクを示す。
はクロムや酸化クロム等の金属被膜パターン、２はガラ
スや石英等の透明板、５はマスクを示す。
マスク上にゴミが付着すると、それがウェハ上に転写さ
れるので、その部分の半導体装置は不良となる。特に縮
小投影型露光装置では１シツフト毎にステップアンドリ
ピートして露光を行なうので、ショット毎に欠陥がある
いわゆる共通欠陥となり、被害が大きい、この対策のた
めの従来例としてペリクルが実用化されており、これを
第３図に示す。
れるので、その部分の半導体装置は不良となる。特に縮
小投影型露光装置では１シツフト毎にステップアンドリ
ピートして露光を行なうので、ショット毎に欠陥がある
いわゆる共通欠陥となり、被害が大きい、この対策のた
めの従来例としてペリクルが実用化されており、これを
第３図に示す。
図において、１は金属パターン、２は透明板、３はニト
ロセルロース等の有機薄膜、４は薄膜３の支持のための
金属フレーム、６は３と４からなるペリクルを示す。
ロセルロース等の有機薄膜、４は薄膜３の支持のための
金属フレーム、６は３と４からなるペリクルを示す。
露光装置のフォーカスは金属パターン１面に合わされて
いるので、それから数ｍａ＋ｊｄｌれたペリクル６上に
付着したゴミはフォーカスがぼけて転写されにくくなる
。
いるので、それから数ｍａ＋ｊｄｌれたペリクル６上に
付着したゴミはフォーカスがぼけて転写されにくくなる
。
従来例のペリクルは１〜３μｍ程度の薄膜を用いている
ので、取り扱いが不便であるという問題点があった０例
えば、ペリクル面に大きなゴミが付着するとエアーガン
で吹き飛ばしたりしなければならないので取り扱いが困
難であるとか、破れたりはがれたりし易いという欠点が
あった。
ので、取り扱いが不便であるという問題点があった０例
えば、ペリクル面に大きなゴミが付着するとエアーガン
で吹き飛ばしたりしなければならないので取り扱いが困
難であるとか、破れたりはがれたりし易いという欠点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、取り扱いが容易でしかもゴミ転写の防止効果
のある半導体装置製造用マスクを従供することを目的と
する。
たもので、取り扱いが容易でしかもゴミ転写の防止効果
のある半導体装置製造用マスクを従供することを目的と
する。
この発明に係る半導体装置製造用マスクは、ペリクルの
ように破れ易い有機薄膜を用いるのではなく、丈夫な石
英板等の第２の透明板を用いたものである。
ように破れ易い有機薄膜を用いるのではなく、丈夫な石
英板等の第２の透明板を用いたものである。
この発明においては、金属被膜パターン面に石英板等の
第２の透明板を張りつけるようにしたから、該透明板表
面にゴミが付着しても、ペリクルと同様の転写防止効果
を有し、その取扱いも容易であ４゜ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第２の透明板を張りつけるようにしたから、該透明板表
面にゴミが付着しても、ペリクルと同様の転写防止効果
を有し、その取扱いも容易であ４゜ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１は金属被膜パターン、２はガラスや
石英等の第１．第２の透明板を示す。なお、金属被膜パ
ターン１と透明板２との接着は適当な接着剤を用いて行
なう。
石英等の第１．第２の透明板を示す。なお、金属被膜パ
ターン１と透明板２との接着は適当な接着剤を用いて行
なう。
５＋ＩＩＩ厚の石英板２上に酸化クロムの回路パターン
を描き、さらにこれに石英板２を張り付けたマスク７を
もちいて、縮小投影型露光装置により転写実験を行った
結果、石英板２上の６０μｍ以内の大きさのゴミは転写
されなかった。６０μｍ以上の大きさのゴミが付着した
場合でも、エアーガンにより容易に吹き飛ばすことがで
きた。また、エアーガンで取り除き難いゴミが付着した
場合でも、マスク洗浄装置により洗浄することによって
無欠陥の良好なパターン転写を行うことができた。
を描き、さらにこれに石英板２を張り付けたマスク７を
もちいて、縮小投影型露光装置により転写実験を行った
結果、石英板２上の６０μｍ以内の大きさのゴミは転写
されなかった。６０μｍ以上の大きさのゴミが付着した
場合でも、エアーガンにより容易に吹き飛ばすことがで
きた。また、エアーガンで取り除き難いゴミが付着した
場合でも、マスク洗浄装置により洗浄することによって
無欠陥の良好なパターン転写を行うことができた。
なお、上記実施例では縮小投影型露光装置で用いるマス
ク（いわゆるレティクル）について説明したが、本発明
は一般的なマスクについても同様に適用できる。また、
透明板、金属被膜パターン、両者を接着する接着材など
の本発明において使用される材料は、何ら特定のものに
限定されるものではない。
ク（いわゆるレティクル）について説明したが、本発明
は一般的なマスクについても同様に適用できる。また、
透明板、金属被膜パターン、両者を接着する接着材など
の本発明において使用される材料は、何ら特定のものに
限定されるものではない。
以上のようにこの発明によれば、金属被膜パターンの両
側を透明板で保護するように構成したので、自由に洗浄
できる等取り扱いが容易で、しかもペリクルと同様の転
写防止効果が得られる等の効果がある。
側を透明板で保護するように構成したので、自由に洗浄
できる等取り扱いが容易で、しかもペリクルと同様の転
写防止効果が得られる等の効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるマスクを示す断面図
、第２図は一般的なマスクを示す断面図、第３図は従来
例のペリクルを示す断面図である。 １は金属被膜パターン、２は透明板、７はマスクである
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第２図は一般的なマスクを示す断面図、第３図は従来
例のペリクルを示す断面図である。 １は金属被膜パターン、２は透明板、７はマスクである
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）第１の透明板と、 該第１の透明板上に形成された半導体装置の回路パター
ンを転写するための金属被膜パターンと、該金属被膜パ
ターンの表面側に設けられた第２の透明板とを備えたこ
とを特徴とする半導体装置製造用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146620A JPS63309954A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体装置製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146620A JPS63309954A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体装置製造用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63309954A true JPS63309954A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15411854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146620A Pending JPS63309954A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体装置製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63309954A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100682762B1 (ko) * | 2004-12-15 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 실란트 경화용 마스크 |
| KR100705315B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2007-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 마스크장치와 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법및 제조장치 |
| KR100743941B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2007-07-30 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Ｕｖ 차단마스크 |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP62146620A patent/JPS63309954A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100705315B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2007-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 마스크장치와 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법및 제조장치 |
| KR100682762B1 (ko) * | 2004-12-15 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 실란트 경화용 마스크 |
| KR100743941B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2007-07-30 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Ｕｖ 차단마스크 |
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