JPS6371853A - ホトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程において用いられるホ
トマスクに適用して有効な技術に関するもので、たとえ
ばホトマスクのペリクル保護技術に利用して有効な技術
に関するものである。

〔従来の技術〕

レチクル等のホトマスクのペリクル保護については、た
とえば株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発
行、「電子材料１９８１年別冊、超ＬＳＩ製造・試験装
置ガイドブック、ｔ　Ｐ１０３〜Ｐ］０９に説明されて
いる。その概要は、半導体ウェハの縮小投影露光工程に
おける欠＠密度低減の一手段として、クロム（Ｃｒ）等
で所定の回路パターンが形成されたレチクルの表面に４
〜６ｆｆｉｌｌｌ程度の高さを有するレチクルフレーム
を粘ｉｆ−ブ等で接着し、このレチクルフレームの上端
面にペリクル膜と呼ばれるニトロセルロースの透明の薄
膜を張設するというものである。

本発明者は、上記のようなレチクルあるいはホトマスク
（以下、特に注記しない限り単に「ホトマスク」と総称
する）のペリクル保護技術について検討した。以下は、
本発明者によって検討された技術であり、その概要は次
の通りである。

すなわち、半導体装置の製造工程のひとつであるホトリ
トグラフィ工程では、石英ガラス等からなる透明基板の
表面に、クロム等の蒸着により形成された遮光膜によっ
て所定の回路パターンの形成されたホトマスクを用いて
、この回路パターンを露光手段により半導体ウェハ上に
転写する作業が行われる。

このときに、上記透明基板上の回路パターンに塵埃等の
異物が付着した状態で露光が行われると、半導体ウェハ
上にも該異物の陰影がそのまま転写されてしまい、半導
体ウェハの製品不良の原図となることがある。特に、上
記ホトマスクが縮小投影露光用のレチクルである場合に
は、半導体ウェハ上に形成される全回路区分が不良とな
ってしまう可能性が高く、回路パターンへの異物の付着
は大きな問題である。

このような観点から、ホトマスク上の回路パターンを保
護するために、回路パターンを覆うように透明のペリク
ル膜の張設されたペリクルフレームをホトマスク本体に
装着することが知られている。このようなペリクル保護
は、ペリクルフレームとペリクル膜とで回路パターン上
への異物の侵入を防止するとともに、ペリクル膜の表面
に異物が付着したとしても、デフォーカスにより半導体
ウェハにはこの異物の陰影が結像されないようにするも
のである。

ところで、上記のようなペリクル膜も、その装着後にホ
トマスク本体から取り外す必要の生じる場合がある。た
とえば、装着後にペリクルフレームの内側面に付着して
いた異物が回路パターン上に移動してしまった場合、あ
るいは移送等の衝撃によ゛リベリクル膜が破損してしま
った場合等がこれにあたる。

上記のような場合、ホトマスク本体からペリクルフレー
ムを引き剥がして、新たなペリクル膜の張設されたペリ
クルフレームと交換する作業が必要となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、ペリクルフレームはその端面に貼り付けられ
た粘着テープの作用によりホトマスク本体上に強固に接
着されており、取り外しが困難なばかりか、ペリクルフ
レームを取り外した後にホトマスク本体に粘着剤が残着
し、この粘着剤の一部が洗浄剤等の薬剤に溶けて回路パ
ターンを汚染する危険のあることが本発明者によって明
らかにされた。

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的はホトマスク本体上のペリクル膜の交換を容易
に行うことのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１１
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、ホトマスク本体の回路パターンの周囲に磁性
部を形成し、この磁性部の磁力によってペリクルホルダ
ーをホトマスク本体に対して保持するものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、ペリクル膜の張設されたペリク
ルホルダーが磁性力によってホトマスク本体に保持され
ているため、ペリクル膜の交換が極めて容易になるとと
もに、粘着剤が原因となるホトマスク本体の回路パター
ンの汚染を防止できる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示すものであり、ペリクル
膜の張設されたペリクルフレームがレチクルに装着され
る状態を示す斜視図、第２図はその装着状態を示す第１
図の■−■線における断面図である。

本実施例のレチクル１　（ホトマスク本体）は、石英ガ
ラス２　（透明基板）の表面に形成された回路パターン
３を半導体ウェハ（図示せず）上に、たとえば１０：１
の縮小率で多数転写するためのものである。

レチクル１の一生面の中央にはクロムの遮光膜からなる
所定の回路パターン３が形成されてふり、この回路パタ
ーン３の周囲には磁性材料を被着して形成される磁性部
としてのレフト部４　（第１図において斜線で示す部分
）が形成されている。ここで、このようなレフト部４を
形成する磁性材料としては、鉄、ニッケル合金等の通常
強磁性材料として用いられる種々の材料を利用できる。

ペリクルフレーム５はその一端面をレチクル１のレフト
部４に当接させるようにしてレフト部４の磁力により保
持されている。一方、ペリクルフレーム５の他端面には
ペリクル膜６が張設されている。ここで、ペリクル膜６
は、たとえばニトロセルロース等の透明な薄膜からなる
ものであり、レチクル１上の回路パターン３の面への入
射光の乱反射を防止するために、この回路パターン３と
ほぼ平行状態を維持するように張設されている。

一方、ペリクルフレーム５はたとえば鉄、ニッケル合金
等の強磁性材料として用いられるものにより形成されて
いるが、これらの磁性材料以外のもの、たとえばフッ素
樹脂等の合成樹脂あるいはセラミック等により形成して
もよい。この場合には、ペリクルフレーム５のレフト部
４との当接部部分を磁石あるいは磁化された強磁性材料
で形成する必要がある。

上記のようなペリクル膜６とペリクルフレーム５とによ
ってレチクル１の回路パターン３の上方には第２図に示
すような所定の保護空間Ｓが形成され、この保護空間Ｓ
内への異物の侵入が防止されることにより、回路パター
ン３上に異物が付着されるのを防止する構造となってい
る。

なお、ペリクル膜６の外側表面に異物の付着される場合
があるが、この場合にはべりタル膜６が回路パターン３
の上方に所定の高さで張設されているため、当該異物の
陰影はデフォーカスとなって半導体ウェハ上には転写さ
れない。

なお、第１図および第２図ではレチクル１の回路パター
ン３の形成されている側にのみペリクルフレーム５が装
着された状態となっているが、回路パターン３の形成面
とは反対側の面にも同様の構造のペリクルフレーム５を
装着することが可能である。このように、レチクル１の
表裏両面にそれぞれペリクル膜の張設されたペリクルフ
レーム５を装着することにより、さらに信頼性の高いペ
リクル保護を実現できるとともに、レチクル１に対する
ｇ　ＩＪタルフレーム５の保持力を高めることができる
。

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。

〔１〕、レチクル１のレフト部４に強磁性材料を°被着
してこの磁力によってペリクルフレーム５を保持するこ
とにより、ペリクルフレーム５の交換を極めて容易に行
うことができる。

（２）、上記〔１）により、粘着テープが不要となるた
め、粘着剤が原因となる回路パターン３の汚染を防止で
きる。

（３）、上記（１）により、ペリクルフレーム５の交換
の際のレチクル１の洗浄が不要となり、ペリクルフレー
ム５の交換の作業効率を向上させることができる。

（４）。上記（１）により、ペリクル膜６またはべりタ
ルフレーム５の規格の変更に対して、レチクル１自体を
再度作成することなく、従前のレチクル１をそのまま使
用することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、実施例ではレ
フト部４に磁性材料を被着して磁性部を形成した場合に
ついて説明したが、このレフト部４に強磁性材料からな
る枠体等の別体の部材を取付けて磁性部としてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、１０：１の縮小投影露光用のレ
チクル１に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、たとえば１：１の等倍投影露光
用のマスクにも適用できることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、透明基板の主Ｉ中夫に形成された回路パター
ンとその周囲の全領域に設けられた磁性部とからなるホ
トマスク本体と、該ホトマスク本体に対して少なくとも
回路パターン形成面を覆うようにして装着されその端面
に透明膜の張設されたペリクルフレームとからなり、こ
のペリクルフレームが上記磁性体の磁力によりホトマス
ク本体に対して保持されたホトマスク構造とすることに
よって、ペリクル膜の交換が極めて容易になるとともに
、粘着テープが不要となるためにこの粘着剤が原因とな
るホトマスク本体の回路パターンの汚染を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例であり、ペリクル膜の張設
されたペリクルフレームがレチクルに装着される状態を
示す斜視図、 第２図は、ペリクルフレームがレチクルに装着された状
態を示す第１図におけるｎ−ｆｆ線断面図である。 １・・・レチクル（ホトマスク本体）、２・・・石英ガ
ラス、３・・・回路パターン、４・・・レフト部（磁性
部）、５・・・ペリクルフレーム、６・・・ペリクル膜
（透明膜）、Ｓ・・・保護空間。 ・　゛）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板の主面中央に形成された回路パターンとそ
   の周囲の余領域に設けられた磁性部とからなるホトマス
   ク本体と、該ホトマスク本体に対して少なくとも回路パ
   ターン形成面を覆うようにして装着されその端面に透明
   膜の張設されたペリクルフレームとからなり、このペリ
   クルフレームが上記磁性部の磁力によりホトマスク本体
   に対して保持されていることを特徴とするホトマスク。 ２、上記磁性部が余領域上に被着された磁性材料によっ
   て形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載のホトマスク。