JPS6380257A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
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- JPS6380257A JPS6380257A JP61223586A JP22358686A JPS6380257A JP S6380257 A JPS6380257 A JP S6380257A JP 61223586 A JP61223586 A JP 61223586A JP 22358686 A JP22358686 A JP 22358686A JP S6380257 A JPS6380257 A JP S6380257A
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- Japan
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- photomask
- pellicle
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程において用いられるホ
トマスクに適用して有効な技術に関するもので、たとえ
ばホトマスク上でのペリクルの交換技術に利用して有効
な技術に関するものである。
トマスクに適用して有効な技術に関するもので、たとえ
ばホトマスク上でのペリクルの交換技術に利用して有効
な技術に関するものである。
レチクル等のホトマスクのペリクル保護については、た
とえば株式会社工業關査会、昭和56年11月10日発
行、「電子材料1981年別冊、超LSI製造・試験装
置ガイドブックJP103〜P109に説明されている
。その概要は、縮小投影露光における欠陥密度低減の手
段として、クロム(Cr)等で所定の回路パターンが形
成されたレチクルの表面に4〜6關程度の高さを有する
金属製のフレームを粘着テープ等で接着し、このフレー
ムの上端面にペリクル膜と呼ばれるニトロセルロースの
透明の薄膜を張設するというものである。
とえば株式会社工業關査会、昭和56年11月10日発
行、「電子材料1981年別冊、超LSI製造・試験装
置ガイドブックJP103〜P109に説明されている
。その概要は、縮小投影露光における欠陥密度低減の手
段として、クロム(Cr)等で所定の回路パターンが形
成されたレチクルの表面に4〜6關程度の高さを有する
金属製のフレームを粘着テープ等で接着し、このフレー
ムの上端面にペリクル膜と呼ばれるニトロセルロースの
透明の薄膜を張設するというものである。
本発明者は、上記のようなレチクルあるいはホトマスク
(以下、特に注記しない限り単に「ホトマスク」と総
称する)のペリクル保護技術について検討した。以下は
、本発明者によって検討された技術であり、その概要は
次の通りである。
(以下、特に注記しない限り単に「ホトマスク」と総
称する)のペリクル保護技術について検討した。以下は
、本発明者によって検討された技術であり、その概要は
次の通りである。
すなわち、半導体装置の製造工程の一つであるホトリン
グラフィ工程では、石英ガラス等からなる基板の表面に
クロム等の蒸着膜で回路パターンを形成したホトマスク
を用いて、この回路パターンを露光手段等により半導体
ウェハ上に転写する作業が行われる。
グラフィ工程では、石英ガラス等からなる基板の表面に
クロム等の蒸着膜で回路パターンを形成したホトマスク
を用いて、この回路パターンを露光手段等により半導体
ウェハ上に転写する作業が行われる。
このときに、上記基板上の回路パターンに塵埃等の異物
が付着した状態で露光が行われると、半導体ウェハ上に
も該異物の陰影がそのまま転写されてしまい、製品不良
の原因となることがある。
が付着した状態で露光が行われると、半導体ウェハ上に
も該異物の陰影がそのまま転写されてしまい、製品不良
の原因となることがある。
特に、上記基板が縮小投影露光用のレチクルである場合
には半導体ウェハ上に形成される全回路区分が不良とな
ってしまう可能性が高く、回路パターンへの異物の付着
は大きな問題である。
には半導体ウェハ上に形成される全回路区分が不良とな
ってしまう可能性が高く、回路パターンへの異物の付着
は大きな問題である。
このような観点からホトマスク上の回路パターンを保護
するためにホトマスク上に透明なペリクル膜の張設され
たペリクルフレームの装着が行われる。このようにして
、たとえ塵埃等の異物がペリクル膜上に付着しても、デ
フォーカスにより半導体ウェハ上にはこの異物の陰影が
結像されないようにするものである。
するためにホトマスク上に透明なペリクル膜の張設され
たペリクルフレームの装着が行われる。このようにして
、たとえ塵埃等の異物がペリクル膜上に付着しても、デ
フォーカスにより半導体ウェハ上にはこの異物の陰影が
結像されないようにするものである。
ところで、上記のようなペリクルも、装着後にホトマス
クから取り外す必要の生じる場合がある。
クから取り外す必要の生じる場合がある。
例えば、装着後にペリクルフレームの内側面に付着して
いた異物が自由移動し、ホトマスク側の回路パターン上
に再付着したのが発見された場合、あるいは移送等の衝
撃によりペリクル膜が破損した場合等がこれにあたる。
いた異物が自由移動し、ホトマスク側の回路パターン上
に再付着したのが発見された場合、あるいは移送等の衝
撃によりペリクル膜が破損した場合等がこれにあたる。
上記のような場合、ペリクル膜のみの再張設のためには
技術と時間が必要であるため、ペリクルフレーム毎ホト
マスク上から引き剥がして交換することになる。
技術と時間が必要であるため、ペリクルフレーム毎ホト
マスク上から引き剥がして交換することになる。
ところが、ペリクルフレームはその端面に貼り付けられ
た粘着テープの作用によりホトマスク上に強固に接着さ
れており、取り外しが困難なばかりか、ペリクルフレー
ムを取り外した後にホトマスク上に粘着剤が残着し、こ
の粘着剤の一部が洗浄剤等の薬剤に溶けて回路パターン
を汚染する危険のあることが本発明者によって明らかに
された。
た粘着テープの作用によりホトマスク上に強固に接着さ
れており、取り外しが困難なばかりか、ペリクルフレー
ムを取り外した後にホトマスク上に粘着剤が残着し、こ
の粘着剤の一部が洗浄剤等の薬剤に溶けて回路パターン
を汚染する危険のあることが本発明者によって明らかに
された。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的はホトマスク上のペリクル膜の交換を容易に行
うことのできる技術を提供することにある。
その目的はホトマスク上のペリクル膜の交換を容易に行
うことのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ホトマスク上に装着されるペリクルフレーム
をペリクル膜の張設される膜張設部とホトマスク本体側
に接着される接着部とに分割するとともに、この膜張設
部と接着部とを取り外しが容易な構造としたものである
。
をペリクル膜の張設される膜張設部とホトマスク本体側
に接着される接着部とに分割するとともに、この膜張設
部と接着部とを取り外しが容易な構造としたものである
。
上記した手段によれば、着脱が容易な膜粘着部のみを交
換することにより、ペリクル膜の再装着を極めて容易に
行うことが可能になるとともに、粘着剤が原因となるホ
トマスク上の回路パターンの汚染を防止することができ
る。
換することにより、ペリクル膜の再装着を極めて容易に
行うことが可能になるとともに、粘着剤が原因となるホ
トマスク上の回路パターンの汚染を防止することができ
る。
第1図は本発明の一実施例であり、ペリクル膜の張設さ
れたペリクルフレームをレチクルに取付けた状態で示す
断面図である。
れたペリクルフレームをレチクルに取付けた状態で示す
断面図である。
本実施例のレチクルl (ホトマスク本体)は石英ガラ
ス2(透明基板)の表面にクロム(Cr)の蒸着により
所定の回路パターン3が形成されてなるものであり、当
該回路パターン3を図示しない半導体ウェハ上に、たと
えば10:1の縮小率で多数転写するためのものである
。
ス2(透明基板)の表面にクロム(Cr)の蒸着により
所定の回路パターン3が形成されてなるものであり、当
該回路パターン3を図示しない半導体ウェハ上に、たと
えば10:1の縮小率で多数転写するためのものである
。
ペリクルフレーム4は上記レチクル1の回路パターン3
の形成面側に両面粘着テープ5等の接着手段により取付
けられており、このペリクルフレーム4において両面粘
着テープ5の貼付されている面とは反対側の端面にはべ
りタル膜6 (透明膜)が張設されている。このペリク
ル膜6は、たとえばニトロセルロース等の透明な薄膜か
らなるものであり、レチクル1上の回路形成面への入射
光の乱反射を防止するため、この回路形成面とほぼ平行
状態を維持するよう張設されている。
の形成面側に両面粘着テープ5等の接着手段により取付
けられており、このペリクルフレーム4において両面粘
着テープ5の貼付されている面とは反対側の端面にはべ
りタル膜6 (透明膜)が張設されている。このペリク
ル膜6は、たとえばニトロセルロース等の透明な薄膜か
らなるものであり、レチクル1上の回路形成面への入射
光の乱反射を防止するため、この回路形成面とほぼ平行
状態を維持するよう張設されている。
ペリクルフレーム4はア/)ミニラム合金またはステン
レス等の金属、またはフッ素樹脂等の合成樹脂、あるい
はセラミック等の部材により形成されており、上記両面
粘着テープ5の貼付されている接着部4aと、ペリクル
膜6の張設されている膜張設置i!’1S4bとが着脱
可能に結合された状態となっている。本実施例ではこの
接着部4aと膜張設部4bとの当接端面にはそれぞれ磁
石7a、7bが取付けられており、この両磁石7a、7
bの磁力吸引作用によって接着部4aと膜張設部4bと
が結合された状態となっている。また、この接着部4a
と膜張設部4bとの当接部分の磁石面はそれぞれ対応す
る凹凸形状に加工されており、結合状態での接着部4.
aと膜張設部4bとの位置ずれが防止される構造となっ
ている。
レス等の金属、またはフッ素樹脂等の合成樹脂、あるい
はセラミック等の部材により形成されており、上記両面
粘着テープ5の貼付されている接着部4aと、ペリクル
膜6の張設されている膜張設置i!’1S4bとが着脱
可能に結合された状態となっている。本実施例ではこの
接着部4aと膜張設部4bとの当接端面にはそれぞれ磁
石7a、7bが取付けられており、この両磁石7a、7
bの磁力吸引作用によって接着部4aと膜張設部4bと
が結合された状態となっている。また、この接着部4a
と膜張設部4bとの当接部分の磁石面はそれぞれ対応す
る凹凸形状に加工されており、結合状態での接着部4.
aと膜張設部4bとの位置ずれが防止される構造となっ
ている。
このように、接着部4aと膜張設部4bとが磁力の吸引
作用により結合されている構造であるため、接着部4a
と膜張設部4bとの分離は極めて簡単である。
作用により結合されている構造であるため、接着部4a
と膜張設部4bとの分離は極めて簡単である。
なお、膜張設部4bの側のフレーム部分については、フ
レーム高さhの異なるものを数種類用意しておくことが
望ましい。このようにフレーム高さhの異なる膜張設部
4bの交換により、回路パターン3を転写する縮小投影
露光の際の焦点距離の変更に対して、回路形成面からペ
リクル膜6までの高さを変更できるため、単一のレチク
ル1で焦点距離の変更に対処できる。
レーム高さhの異なるものを数種類用意しておくことが
望ましい。このようにフレーム高さhの異なる膜張設部
4bの交換により、回路パターン3を転写する縮小投影
露光の際の焦点距離の変更に対して、回路形成面からペ
リクル膜6までの高さを変更できるため、単一のレチク
ル1で焦点距離の変更に対処できる。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)、レチクル1に装着されるペリクルフレーム4を
両面粘着テープ5の貼付された接着部4aとペリクル膜
6の張設された膜張設部4bとの着脱可能な構造として
、この接着部4aと膜張設部4bとの結合を磁石7a、
7bの磁力吸引作用によって行うことにより、ペリクル
膜6の交換を膜張設部4bを取り外すのみで極めて容易
に行うことができる。
両面粘着テープ5の貼付された接着部4aとペリクル膜
6の張設された膜張設部4bとの着脱可能な構造として
、この接着部4aと膜張設部4bとの結合を磁石7a、
7bの磁力吸引作用によって行うことにより、ペリクル
膜6の交換を膜張設部4bを取り外すのみで極めて容易
に行うことができる。
(2)、上記(1)により、レチクル1の表面から両面
粘着テープ5を剥離することなくペリクル膜6の交換が
可能となるため、レチクル1の表面に残着した粘着剤が
原因となる回路パターン3の汚染を防止できる。
粘着テープ5を剥離することなくペリクル膜6の交換が
可能となるため、レチクル1の表面に残着した粘着剤が
原因となる回路パターン3の汚染を防止できる。
(3)、上記(2)により、ウニハネ良を防止でき、ウ
ェハの歩留りを向上させることができる。
ェハの歩留りを向上させることができる。
(4)、上記(1)により、ペリクル膜6の交換の際の
レチクル1の表面洗浄が不要となり、ペリクル膜6の交
換の際の作業効率を向上させることができる。
レチクル1の表面洗浄が不要となり、ペリクル膜6の交
換の際の作業効率を向上させることができる。
(5)、上記(1)により、レチクル1に対してペリク
ル膜6の張設高さの変更を、異なった高さhを有する膜
張設部4bと交換することにより容易に行うことができ
る。
ル膜6の張設高さの変更を、異なった高さhを有する膜
張設部4bと交換することにより容易に行うことができ
る。
(6)、上記(1)により、ペリクル膜6の規格の変更
に際してもレチクル1を再作成することなく、膜張設部
4bの交換のみで対処できる。
に際してもレチクル1を再作成することなく、膜張設部
4bの交換のみで対処できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、本実施例では
接着部4aと膜張設部4bとの結合が磁石7a、7bの
磁力吸引作用による場合について説明したが、これに限
らず嵌め込み等の機械的な結合による場合であってもよ
・ い。′ また、ペリクルフレームを合成樹脂で形成するときには
1.帯電防止のためにカーボン等の導電性フィラーを混
入してもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、本実施例では
接着部4aと膜張設部4bとの結合が磁石7a、7bの
磁力吸引作用による場合について説明したが、これに限
らず嵌め込み等の機械的な結合による場合であってもよ
・ い。′ また、ペリクルフレームを合成樹脂で形成するときには
1.帯電防止のためにカーボン等の導電性フィラーを混
入してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、10:1の縮小率を有する縮小
露光用レチクルに適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば1:1の等信置
光用のホトマスクにも適用できることは勿論である。
をその利用分野である、10:1の縮小率を有する縮小
露光用レチクルに適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば1:1の等信置
光用のホトマスクにも適用できることは勿論である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、透明基板の主面に所定の回路パターンの形成
されたホトマスク本体と、このホトマスク本体の少なく
とも回路パターン形成面側に装着されたペリクルフレー
ムとからなり、このベリクルフレームは、上記ホトマス
ク本体に対して接着された接着部と、この接着部とは着
脱可能でかつ端面に透明膜の張設された膜張設部とから
なるホトマスク構造とすることによって、ペリクル膜の
再装着を極めて容易に行うことができ、また粘着剤に起
因するホトマスク上の回路パターンの汚染を防止できる
。
されたホトマスク本体と、このホトマスク本体の少なく
とも回路パターン形成面側に装着されたペリクルフレー
ムとからなり、このベリクルフレームは、上記ホトマス
ク本体に対して接着された接着部と、この接着部とは着
脱可能でかつ端面に透明膜の張設された膜張設部とから
なるホトマスク構造とすることによって、ペリクル膜の
再装着を極めて容易に行うことができ、また粘着剤に起
因するホトマスク上の回路パターンの汚染を防止できる
。
第1図は本発明の一実施例であるホトマスクを示す断面
図である。 1・・・レチクル(ホトマスク本体)、2・・・石英ガ
ラス(透明基板)、3・・・回路パターン、4・・・ペ
リクルフレーム、4a・・・接着部、4b・・・膜張設
部、5・・・両面粘着テープ、6・・・ペリクル膜(透
明膜)、7a、7b・・・磁石。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第 1 図 4−へ°iノフルフし−、乙、
図である。 1・・・レチクル(ホトマスク本体)、2・・・石英ガ
ラス(透明基板)、3・・・回路パターン、4・・・ペ
リクルフレーム、4a・・・接着部、4b・・・膜張設
部、5・・・両面粘着テープ、6・・・ペリクル膜(透
明膜)、7a、7b・・・磁石。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 第 1 図 4−へ°iノフルフし−、乙、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明基板の主面に所定の回路パターンの形成された
ホトマスク本体と、このホトマスク本体の少なくとも回
路パターン形成面側に装着されたペリクルフレームとか
らなり、このペリクルフレームは、上記ホトマスク本体
に対して接着された接着部と、この接着部とは着脱可能
でかつ端面に透明膜の張設された膜張設部とからなるこ
とを特徴とするホトマスク。 2、上記ペリクルフレームの接着部と膜張設部との結合
が磁力によってなされていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のホトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61223586A JPS6380257A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61223586A JPS6380257A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ホトマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6380257A true JPS6380257A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16800486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61223586A Pending JPS6380257A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ホトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6380257A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013097308A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
JP2014228868A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | ペリクルフレーム、フォトマスク、及びその取り付け方法 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223586A patent/JPS6380257A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013097308A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
JP2014228868A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | ペリクルフレーム、フォトマスク、及びその取り付け方法 |
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