JPS597952A - 半導体装置製造用フオトマスク - Google Patents
半導体装置製造用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS597952A JPS597952A JP57117531A JP11753182A JPS597952A JP S597952 A JPS597952 A JP S597952A JP 57117531 A JP57117531 A JP 57117531A JP 11753182 A JP11753182 A JP 11753182A JP S597952 A JPS597952 A JP S597952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- photomask
- pattern
- dust
- quartz glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置を製造する時に用いる写真食刻用フ
ォトマスクに関する。
ォトマスクに関する。
従来、例えはプレーナ方式で形成される半導体装置は、
フォトレジスト加工を繰シ返えして製造される。即ち例
えば表面を酸化被膜で覆われたシリコンウェハの上に紫
外線に感光するフォトレジスト膜を均一に塗布し、８０
℃程度の温度に保管して前焼き締めを行い、次いで集積
回路の平面パターンを有すフォトマスクをウェハ表面に
合わせて紫外線を蕗光する。その彼そのフォトレジスト
膜を溶かす溶剤で現像し、フォトマスクのパターンをウ
ェハ上のレジストに転写する。次いでそのレジストパタ
ーンを約１５０℃にて焼き締め、エツチング工程へ送シ
込んで、ウェハにパターンを転写する、という工程を繰
シ返して半導体装置を製造する。
フォトレジスト加工を繰シ返えして製造される。即ち例
えば表面を酸化被膜で覆われたシリコンウェハの上に紫
外線に感光するフォトレジスト膜を均一に塗布し、８０
℃程度の温度に保管して前焼き締めを行い、次いで集積
回路の平面パターンを有すフォトマスクをウェハ表面に
合わせて紫外線を蕗光する。その彼そのフォトレジスト
膜を溶かす溶剤で現像し、フォトマスクのパターンをウ
ェハ上のレジストに転写する。次いでそのレジストパタ
ーンを約１５０℃にて焼き締め、エツチング工程へ送シ
込んで、ウェハにパターンを転写する、という工程を繰
シ返して半導体装置を製造する。
近年この半導体装置の製造加工寸法が微細化しその寸法
精度は１ミクロン−サブミクロンの領域迄進んでいる。
精度は１ミクロン−サブミクロンの領域迄進んでいる。
従ってこのフォトマスク上に１ミクロン−サブミクロン
のゴミが付着すると、そのゴミの形がウェハ上のレジス
トや、ひいてはウェハに転写され、そのチップの不良原
因の一つとなる。
のゴミが付着すると、そのゴミの形がウェハ上のレジス
トや、ひいてはウェハに転写され、そのチップの不良原
因の一つとなる。
このようなフォトマスク上のゴミを避けるため、縮小投
影臓出の場合、フォトマスク上にペリクルと称す膜を厚
く形成し、この上に付着するゴミは蕗九機の光学系の焦
点深度外に結像するようにしておくと、ウェハ上にはゴ
ミの像は転写されないという技術も提案されている。然
し乍らフォトマスク上にフォトマスク材料と異なる物質
を厚くつけることは熱膨張係数の差などの観点からも好
ましくない。
影臓出の場合、フォトマスク上にペリクルと称す膜を厚
く形成し、この上に付着するゴミは蕗九機の光学系の焦
点深度外に結像するようにしておくと、ウェハ上にはゴ
ミの像は転写されないという技術も提案されている。然
し乍らフォトマスク上にフォトマスク材料と異なる物質
を厚くつけることは熱膨張係数の差などの観点からも好
ましくない。
本発明の目的は、投影露光用フォトマスク上のゴミがウ
ェハ上でフォトマスクのパターンとは異なる位置に結像
するようにし、しかも露光用の光が通過しても、フォト
マスクにかかるその光の熱歪を少なくする技術を提供す
ることになる。
ェハ上でフォトマスクのパターンとは異なる位置に結像
するようにし、しかも露光用の光が通過しても、フォト
マスクにかかるその光の熱歪を少なくする技術を提供す
ることになる。
本発明はフォトマスクを構成する材料と同じ材料をフォ
トマスクのパターン面上に重ねる構造を特徴とする。そ
れによシ、露光用の強い光が通過してもその光の熱によ
りフォトマスクが反る割合を著しく減少させることがで
きる。
トマスクのパターン面上に重ねる構造を特徴とする。そ
れによシ、露光用の強い光が通過してもその光の熱によ
りフォトマスクが反る割合を著しく減少させることがで
きる。
次に本発明を図面を診照して説明する。第１図は従来の
フォトマスクの断面を模式的に示したものであり、例え
ば石英ガラス１１の上にクロムと酸化クロムの積層機造
の平面パターン１２がある。
フォトマスクの断面を模式的に示したものであり、例え
ば石英ガラス１１の上にクロムと酸化クロムの積層機造
の平面パターン１２がある。
そこにゴミ１３が付着していると、そのゴミ１３の形状
も露光用の光によシウエハ上のレジストに結像されてし
まう。
も露光用の光によシウエハ上のレジストに結像されてし
まう。
第２図は第１図の欠点を解除するだめの一つの技術であ
る。即ち石英ガラス２１の上に第１図同様、平面パター
ン２２があり、その上にペリクル枠２３を設置しそのペ
リクル枠２３内にペリクル材を流し込みペリクル２４を
形成する。このようにしておくと仮りにゴミ２５が付着
しても平面パターン２２と結像位置が異なるため、レジ
スト膜上にはこのゴミ２５の像は結ばないので、ゴミの
像が転与されることはない。しかし、この場合はフォト
マスクを形成する石英ガラス２】とペリクル２４との材
料が異なるので、無光用の強い光が通過するとその熱に
よる膨張係数が異なるためフォトマスクに反りの力の成
分が加わることはまぬがれない。
る。即ち石英ガラス２１の上に第１図同様、平面パター
ン２２があり、その上にペリクル枠２３を設置しそのペ
リクル枠２３内にペリクル材を流し込みペリクル２４を
形成する。このようにしておくと仮りにゴミ２５が付着
しても平面パターン２２と結像位置が異なるため、レジ
スト膜上にはこのゴミ２５の像は結ばないので、ゴミの
像が転与されることはない。しかし、この場合はフォト
マスクを形成する石英ガラス２】とペリクル２４との材
料が異なるので、無光用の強い光が通過するとその熱に
よる膨張係数が異なるためフォトマスクに反りの力の成
分が加わることはまぬがれない。
第３図は本発明の実施例のフォトマスクの断面を示す図
である。即ち、石英ガラス３１上に平面パターン３２が
あり、その上に石英ガラス３１と同じ材質の石英ガラス
３３を重ね、石英ガラス３１の周囲を接着用低融点ガラ
ス３４で石英ガラス３３と接合した形になっている。
である。即ち、石英ガラス３１上に平面パターン３２が
あり、その上に石英ガラス３１と同じ材質の石英ガラス
３３を重ね、石英ガラス３１の周囲を接着用低融点ガラ
ス３４で石英ガラス３３と接合した形になっている。
本発明によれは例えフォトマスク上にゴミ３５が付着し
ても先配の如くゴミ３５の結像位置と平凹パターン３２
の結像位置が異なるためゴミ３５の像はレジストに焼き
つけられない。
ても先配の如くゴミ３５の結像位置と平凹パターン３２
の結像位置が異なるためゴミ３５の像はレジストに焼き
つけられない。
しかも本発明によれはフォトマスクのノ（ターン面が熱
膨張係数の同じ材料ではさまれているので、露光用の強
い光が通過しても熱歪が小さい。
膨張係数の同じ材料ではさまれているので、露光用の強
い光が通過しても熱歪が小さい。
第３図では石英ガラス２枚を重ねる構造を示したが、＠
４図のように石英ガラス４１の上に平面パターン４２を
形成した後、石英ガラス４３を通常のスパッタ法、気相
成長法などで形成し、平面パターン４２を完全に石英ガ
ラス（４１と４３）の中に埋め込んでし１うこともでき
る。この場合必資なら石英ガラス４３の面を研磨する工
程を入れてもよい。
４図のように石英ガラス４１の上に平面パターン４２を
形成した後、石英ガラス４３を通常のスパッタ法、気相
成長法などで形成し、平面パターン４２を完全に石英ガ
ラス（４１と４３）の中に埋め込んでし１うこともでき
る。この場合必資なら石英ガラス４３の面を研磨する工
程を入れてもよい。
又、上記の例ではいずれも亨英ガラス、クロム、酸化ク
ロムによる平面ノ（ターンの例紮述べたが、本発明は単
にこのような場合のみでなく、能のガラス他の材質のマ
スクでもよく、父、酸化鉄やその他の材質の平面パター
ンでもよい。
ロムによる平面ノ（ターンの例紮述べたが、本発明は単
にこのような場合のみでなく、能のガラス他の材質のマ
スクでもよく、父、酸化鉄やその他の材質の平面パター
ンでもよい。
第１図、第２図は本発明と比較するための従来の技術を
貌、明するだめの断面図、第３図、Ｍ４図は本発明の詳
細な説明する断面図である。 １１．２１，３１，４１，３３，４３．・・・・・・石
英ガラス、１２，２２，３２，４２．・・・・・・平面
パターン、１３，２５，３５・・・・・・ゴミ、２３・
・・・・・ペリクル枠、２４・・・・・・ペリクル。 １ １″″ ２６ 羊２ 閏
貌、明するだめの断面図、第３図、Ｍ４図は本発明の詳
細な説明する断面図である。 １１．２１，３１，４１，３３，４３．・・・・・・石
英ガラス、１２，２２，３２，４２．・・・・・・平面
パターン、１３，２５，３５・・・・・・ゴミ、２３・
・・・・・ペリクル枠、２４・・・・・・ペリクル。 １ １″″ ２６ 羊２ 閏
Claims (1)
- 半導体装置製造用フォトマスクにて、該マスクの基板と
なる板と、その板の上に形成されたパターンと、該マス
ク基板の該パターンの形成されている面の上に、該マス
クの基板と実質的に同じ熱膨張係数の層を積層構造にし
た事を特徴とする該半導体装置製造用フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117531A JPS597952A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置製造用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117531A JPS597952A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置製造用フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597952A true JPS597952A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14714090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117531A Pending JPS597952A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体装置製造用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597952A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182042A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPS62161250U (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 | ||
| JPH04109395U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-22 | リズム時計工業株式会社 | 帰零時計の検出機構 |
| JPH0630795U (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | リズム時計工業株式会社 | 時計の零復帰装置 |
| JPH0630794U (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | リズム時計工業株式会社 | アナログ時計の帰零機構 |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57117531A patent/JPS597952A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182042A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPH0546534B2 (ja) * | 1985-02-07 | 1993-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS62161250U (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 | ||
| JPH04109395U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-22 | リズム時計工業株式会社 | 帰零時計の検出機構 |
| JPH0630795U (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | リズム時計工業株式会社 | 時計の零復帰装置 |
| JPH0630794U (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | リズム時計工業株式会社 | アナログ時計の帰零機構 |
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