JPH05326900A - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置とその製造方法

Info

Publication number
JPH05326900A
JPH05326900A JP4151352A JP15135292A JPH05326900A JP H05326900 A JPH05326900 A JP H05326900A JP 4151352 A JP4151352 A JP 4151352A JP 15135292 A JP15135292 A JP 15135292A JP H05326900 A JPH05326900 A JP H05326900A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microlens
solid
boundary region
imaging device
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4151352A
Other languages
English (en)
Inventor
Hikari Kawashima
光 川島
Yasutaka Nishioka
康隆 西岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4151352A priority Critical patent/JPH05326900A/ja
Publication of JPH05326900A publication Critical patent/JPH05326900A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱フローによりマイクロレンズを形成する際
の製造マージンの増大と熱ストレスに対する信頼性の向
上を図る。 【構成】 平坦化層11に対しエッチングにより段差を
設け、凹部あるいは凸部からなる境界領域11b(11
c)を設ける。又は濡れ性の異なる膜を付加して境界領
域を設ける。上記境界領域の間にマイクロレンズパター
ン12aを形成し、熱リフローを行うことにより、境界
領域エッジで決まるマイクロレンズ12形成を行う。 【効果】 熱リフローによりマイクロレンズを形成する
際の、製造マージンの増大と熱ストレスに対する信頼性
の向上を達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子及びその
製造方法に関し、特に固体撮像素子等に設けられるマイ
クロレンズ(微小集光体)の構造及び製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、例えば特公昭60−59752
号公報に開示された従来の固体撮像素子におけるマイク
ロレンズの形成工程を示す断面フロー図であり、図にお
いて、1はN型シリコン基板、2は第1P型層よりなる
ウェル、3は第1N型層よりなる受光部、4は第2N型
層よりなるCCDチャネル、5は第2P型層よりなるチ
ャネル分離、6はシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁
膜、7はポリシリコン膜よりなるゲート電極、8はCC
Dへ入射する光を遮る遮光層、10は1〜8をまとめた
もので、Si基板上に作り込まれた下地部、11は透明
樹脂よりなる平坦化層、12は光を集めるマイクロレン
ズである。
【0003】次にマイクロレンズの形成工程を図4を用
いて説明する。N型シリコン基板1上の第1P型層より
なるウェル2上に受光部3,電荷転送用CCDチャネル
4,ポリシリコンゲート電極7等が作り込まれた下地部
10上に、下地の段差を平坦化し、かつマイクロレンズ
の集光性を向上するため、透明樹脂層をスピン塗布等に
より形成し、平坦化層11を形成する(図4(a))。
【0004】次にマイクロレンズ母材である透明熱軟化
性樹脂12aをフォトリソグラフィ技術を用いて受光部
3上に形成する(図4(b))。最後に加熱し、マイクロレ
ンズパターン12aを熱リフローさせて、マイクロレン
ズ12を形成する(図4(c))。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロレンズ
の形成方法は、以上のように熱軟化性の透光性材料から
なるマイクロレンズパターンを熱により軟化させて形成
するので、その形状はマイクロレンズ母材の熱履歴,平
坦化層の表面状態,マイクロレンズパターン膜厚,寸法
等により決定する。そのため、熱フロー形成時の温度
や,マイクロレンズパターンの寸法,膜厚等のバラツキ
による製造バラツキや、形成後の熱履歴に対する信頼性
が低いなどの問題点があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、マイクロレンズ熱フロー形成時
の精度向上,及び熱に対する信頼性向上の得られる固体
撮像素子を得ることを目的としており、さらにそれに適
した製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる固体撮
像素子は、受光部及び信号転送部がその上に形成された
半導体基板と、該半導体基板表面を平坦化する平坦化層
と、上記受光部に対応する光を集光する熱リフローによ
り形成されるマイクロレンズとを有する固体撮像装置に
おいて、上記マイクロレンズ下層の上記受光部間に、隣
接するマイクロレンズ間を隔てるための境界領域を設け
たものである。
【0008】また、この発明にかかる固体撮像素子は、
上記境界領域端と上記マイクロレンズ端を一致して形成
したものである。また、この発明にかかる固体撮像素子
は、上記境界領域を平坦化層をエッチングして凹部とし
て、またはエッチングにより残った凸部として形成した
ものである。
【0009】また、この発明にかかる固体撮像素子の製
造方法は、マイクロレンズパターンを形成した後に、上
記マイクロレンズパターンをマスクとして平坦化層をエ
ッチングして凹部を形成し、上記境界領域を、該平坦化
層をエッチングした凹部に上記平坦化層よりマイクロレ
ンズ母材に対して濡れ性の悪い材料を埋め込んで形成し
たものである。
【0010】またこの発明にかかる固体撮像素子の製造
方法は、上記境界領域をマイクロレンズ母材に対して平
坦化層より濡れ性の悪い材料を上記平坦化層上に付加し
て形成し、あるいは上記境界領域を、マイクロレンズ母
材に対して平坦化層より濡れ性の良い材料をマイクロレ
ンズ形成領域の平坦化層上に付加し、あるいは上記境界
領域をマイクロレンズ形成領域の平坦化層をエッチング
した凹部にマイクロレンズ母材に対して平坦化層より濡
れ性の良い材料を埋め込んで形成したものである。
【0011】
【作用】この発明においては、マイクロレンズパターン
の周辺に設けられた境界領域のエッジは、マイクロレン
ズの熱リフロー形成時等において、熱ストレスに対し
て、マイクロレンズの広がりを抑えるため、マイクロレ
ンズの膜厚や、熱フロー時の温度時間バラツキ等に対し
て、製造マージンが増加し、熱ストレスに対する信頼性
も向上する。
【0012】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1(a) 〜(d) はこの発明の一実施例による固体
撮像装置のマイクロレンズを形成するフローを示し、図
において、1〜9は従来技術の図4で示されたものと同
様であり、10はSi基板1上に作り込まれた下地部で
ある。11,11aは下地部10の表面を平坦化する平
坦化層、13は平坦化層11に凹部11bを形成するた
めのフォトレジスト、12aはマイクロレンズパター
ン、12は凹部11bからなる境界領域により隔てて形
成されるマイクロレンズである。
【0013】次に製造方法について説明する。まず、従
来例と同様に、受光部3,電荷転送部4,ゲート電極7
等が作り込まれたSi基板10上に下地の段差を平坦化
し、かつマイクロレンズの集光性を向上(光路長を確
保)するため、透明樹脂層をスピン塗布法等により形成
し、平坦化層11を形成する。
【0014】次にフォトレジスト13をスピン塗布法等
により塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて各受光
部間の境界領域を開孔し(図1(a))、平坦化層11をエ
ッチングした後、フォトレジスト13を剥離して境界領
域に凹部11bを設ける(図1(b))。
【0015】続いて、マイクロレンズ母材である透明熱
軟化性樹脂をスピン塗布法等により積層し、フォトリソ
グラフィ技術等を用いて、上記境界領域凹部11bの内
側にマイクロレンズパターン12aを形成する(図1
(c))。最後に加熱し、マイクロレンズパターン12aを
熱リフローさせてマイクロレンズ12を形成する(図1
(d))。
【0016】図9に熱リフロー時のマイクロレンズパタ
ーンの形状変化を模式的に表わす。横軸tは温度固定時
の加熱時間、あるいは加熱時間固定時の温度を示し、縦
軸xはマイクロレンズパターン12aのエッジからの熱
リフローによるエッジの広がり幅を示しており、x1 は
マイクロレンズパターン12aのエッジから境界領域凹
部11bエッジまでの幅を示す。また、x2 は隣接する
マイクロレンズパターン12a間の幅の1/2であり、
隣接するマイクロレンズがお互いに合体する点を示す。
【0017】従来技術のように平坦な層上にマイクロレ
ンズパターンを形成した場合は、マイクロレンズパター
ン12aのエッジからの熱リフローによるエッジの広が
り幅xは、マイクロレンズパターン膜厚や下地層の膜質
等により、温度(時間)の増加とともに一義的に増加
し、x2 で飽和する(実線a)。このため、例えば所望
とするマイクロレンズのエッジをx1 とすると、温度
(時間)はt1 の1点で決定する。
【0018】これに対し、本実施例では、境界領域凹部
を設けたため、x1 までは同様に広がり、エッジx1 で
は表面張力の影響を受け広がりが抑えられる。そのた
め、一点鎖線bで示すような変化を示し、エッジがx1
でとまるために、温度(時間)t1 ≦t≦t3 のマージ
ンが得られる。そのため、エッジがx1 でとまることに
よって膜厚のバラツキ等に対しても均一な,膜厚のバラ
ツキの少ないマイクロレンズを形成することができる。
【0019】また、上記実施例では図1(a),(c) で2回
のフォトリソグラフィ工程が入るが、境界領域凹部11
bとマイクロレンズ12間は上記マージンがあるため、
セルフアライン的に決めることができるため、アライメ
ント精度の劣化にはならない。
【0020】一方、信頼性等の長期経時変化において、
マイクロレンズの性能劣化は隣接画素間のマイクロレン
ズがお互いに合体する点t4 (従来例ではt2 )で顕著
となる。このため、t4 までのマージンを大きくとりた
い場合にはt0 <t<t1 として、境界領域エッジの内
側にマイクロレンズを形成してもよい。なお、上記実施
例では、受光部断面を一方から見た図で説明している
が、受光部がアレイ状に配列されている場合、上記断面
と垂直な方向に対しても同様にして境界領域を設けても
よい。
【0021】実施例2.図2は本発明の第2の実施例に
よる固体撮像装置の製造方法のフローを示し、以下その
製造方法について説明する。受光部3,電荷転送部4,
ゲート電極7等が作り込まれたSi基板10上に下地の
段差を平坦化し、かつマイクロレンズの集光性を向上す
るため、透明樹脂層をスピン塗布等により形成し、平坦
化層11を形成する工程までは上記実施例1と同様であ
る。
【0022】次にフォトレジストをスピン塗布法等によ
り積層し、フォトリソグラフィ技術を用いて各受光部間
境界領域にレジストパターン13を形成し(図2(a))、
平坦化層11をエッチングした後、フォトレジスト13
を剥離して境界領域に凸部11cを設ける(図2(b))。
【0023】続いて、マイクロレンズ母材である透明性
熱軟化性樹脂をスピン塗布法等により積層し、フォトリ
ソグラフィ技術等を用いて、上記境界領域凸部11cの
内側にマイクロレンズパターン12aを形成する(図2
(c))。最後に加熱し、マイクロレンズパターン12aを
熱リフローさせてマイクロレンズ12を形成する。
【0024】本実施例で得られた境界領域凸部11cの
エッジはリフローに対してストッパとなるため、前記実
施例1と同様、図9における、エッジがx1 でとまるた
めに、温度(時間)t1 〜t3 のマージンを得ることが
でき、上記と同様の効果を奏する。
【0025】実施例3.図3に本発明の第3の実施例に
よる固体撮像装置を示す。図3(a) に示すマイクロレン
ズパターン12a形成までは従来法の図4(a),(b) の工
程と同様である。
【0026】次に、上記マイクロレンズパターン12a
をフォトマスクとして等方性エッチングを行い、平坦化
層11に凹部11cを形成する(図3(b))。最後に加熱
し、マイクロレンズパターン12aを熱リフローさせて
マイクロレンズ12を形成する。本実施例では、1回の
フォトリソグラフィ工程で第1の実施例と同様の効果を
得ることができる。
【0027】実施例4.また、本発明の第4の実施例を
図5について説明する。図5(a) に示された半導体基板
10には上記実施例と同様に、受光部3や分離部5等が
形成されており、その上部には平坦化膜11が形成され
ている。この上部に写真製版の手法を用いて遮光膜8上
で所望のフォトレジストのパターン13を形成し、平坦
化膜11の一部を、例えばO2 プローブカード等でドラ
イエッチングして凹部11bを形成する(図5(b))。こ
の時の段差としては、約0.5〜1.0μm程度である
ことが望ましい。この値は多少はずれても特に問題には
ならないが、次工程以降の平坦化や平坦化膜を形成する
意味から考えても、あまり大きくすることは望ましくな
い。
【0028】続いて、平坦化膜11よりもマイクロレン
ズ材料に対して濡れ性の悪い材料14を塗布し、全面を
エッチバックして、段差の凹部に図5(d) のように樹脂
14aを埋め込む。樹脂14dの材料としては種々ある
が、例えば旭硝子(株)製サイトップ等、フッ素系樹脂
が有効である。この場合エッチングはCF4 ガスなどの
ドライエッチングが有効である。
【0029】最後に、平坦化膜11の表面がでている部
分に、所定のマイクロレンズの元パターン12aを形成
し、これを熱リフローさせてマイクロレンズ12を形成
する。この時の温度は前記のマイクロレンズ材料では1
50〜170℃程度が望ましい。こうして形成したマイ
クロレンズ12は樹脂14aがレンズ12に対して濡れ
性が悪いことにより、樹脂14a上にレンズ材が流れ出
すのを抑える働きが生じ、ストッパとしての役割を持
つ。即ち、マイクロレンズ12形状の熱安定性を向上さ
せることが可能となり、上記実施例と同様の効果が得ら
れる。また、マイクロレンズ材料を塗布する時の下地の
平坦性も十分に確保される。
【0030】また、上記実施例ではエッチバックを用い
たが、フォトレジストパターンを形成してドライエッチ
ングで樹脂14aのパターンを形成することもできるこ
とは言うまでもない。
【0031】実施例5.また、図6は本発明の第5の実
施例を示す。図6(a) に示すように、基板10には、上
記実施例と同様に、受光部3や分離部5などが作り込ま
れており、その上部に平坦化膜11が形成されている。
そのさらに上部にマイクロレンズとなる材料に対して濡
れ性の悪い材料14を塗布し、そのさらに上面に写真製
版の手法で受光部3上に形成されたフォトレジストの所
定のパターン13をマスクにしてCF4 などのドライエ
ッチング等でストッパ14aを形成する。ストッパ14
としては前記実施例と同様のものでよい。ストッパ14
aの厚さとしては後工程での平坦性も考慮すると、0.
5〜1μm程度の間に設定するのが望ましいが、必ずし
もこの限りではない。
【0032】最後に、表面の露出している平坦化膜11
上に所定のマイクロレンズ材料のパターン12aを写真
製版等の手法で形成し、熱フローさせてマイクロレンズ
12を形成する。このようにして形成したマイクロレン
ズはストッパ14aの段差及びその濡れ性の悪さから樹
脂14a上にレンズ材が流れ出すのを防ぐ働きがある。
即ち、マイクロレンズ形状の熱安定性を向上させること
が可能となり、上記実施例と同様の効果が得られる。
【0033】実施例6.図7は本発明の第6の実施例を
示す。図7(a) に示すように、基板10には上記実施例
と同様に、受光部3等が形成されており、その上部には
平坦化膜11が形成されている。この平坦化膜11の上
面に平坦化膜11よりもマイクロレンズとなる材料に対
して濡れ性が同等か、さらによい材料15を塗布し、そ
のさらに上面に写真製版の手法でフォトレジストの所定
のパターン13を形成して、これをマスクにしてエッチ
ングなどの手法を用いてストッパ15aを形成する。1
5の材料としては、種々あるが、上記のマイクロレンズ
材料に対しては同じアクリル系樹脂であるPMMAなど
が有効である。この場合、PMMA自身もフォトレンズ
としての機能を有するので、写真製版の手法を用いるこ
とができる。
【0034】最後にストッパ15a上に所定の大きさの
マイクロレンズの元パターン12aを写真製版の手法を
用いて形成し、熱フローさせてマイクロレンズ12を形
成する。こうして形成されたマイクロレンズ12はスト
ッパ15aの段差により平坦化膜11上へのレンズ材の
流れ出しを抑える働きを生じる。即ち、マイクロレンズ
形状の熱安定性を向上させることが可能となり、上記の
実施例と同様の効果が得られる。
【0035】実施例7.図8は本発明の第7の実施例を
示し、以下その製造方法について説明する。図8(a) に
示すように、基板10には上記実施例と同様に、受光部
3などが形成されており、その上部には平坦化膜11が
形成されている。この上部に写真製版の手法を用いて遮
光膜上に所望のフォトレジストのパターン13を形成
し、平坦化膜11の一部を図8(c) のようにエッチング
する。この時の段差としては、上記実施例と同じく0.
5μm−1μm程度がよい。
【0036】続いて、平坦化膜11よりもマイクロレン
ズ材料に対して濡れ性の良い材料15を塗布し、全面を
エッチバックして段差の凹部に、図8(e) のように材料
15の一部15aを埋め込む。ここで材料15としては
上記実施例と同様のものを用いればよい。
【0037】最後に、上記濡れ性の良い材料の一部15
a上に所定のマイクロレンズ元パターン12aを形成
し、熱フローさせてマイクロレンズ12を形成する。こ
の時の温度は上記実施例4よりも10〜20℃低くす
る。即ち140℃前後が理想的である。こうして形成さ
れたマイクロレンズは材料15aがレンズに対して濡れ
性が高いことから、平坦化膜上にレンズ材が流れ出すの
を防ぐ働きがある。即ち、マイクロレンズ形状の熱安定
性を向上させることが可能となり、上記実施例と同様の
効果が得られるとともに、マイクロレンズ材塗布時の下
地の平坦性も十分に確保される。
【0038】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、受光
部及び信号転送部がその上に形成された半導体基板と、
該半導体基板表面を平坦化する平坦化層と、上記受光部
に対応する光を集光する熱リフローにより形成されるマ
イクロレンズとを有する固体撮像装置において、上記マ
イクロレンズ下層の上記受光部間に隣接するマイクロレ
ンズ間を隔てるための境界領域を設けたため、熱リフロ
ーによるマイクロレンズ形成時の精度向上、及び信頼性
向上において熱ストレスに対しマージンができ、高精
度,高信頼性のマイクロレンズが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例による固体撮像装置に
おけるマイクロレンズの形成方法を示す断面フロー図。
【図2】この発明の第2の実施例におけるマイクロレン
ズの形成方法を示す断面フロー図。
【図3】この発明の第3の実施例におけるマイクロレン
ズの形成方法を示す断面フロー図。
【図4】従来のマイクロレンズの形成方法を示す断面フ
ロー図。
【図5】この発明の第4の実施例におけるマイクロレン
ズの形成方法を示す断面フロー図。
【図6】この発明の第5の実施例におけるマイクロレン
ズの形成方法を示す断面フロー図。
【図7】この発明の第6の実施例におけるマイクロレン
ズの形成方法を示す断面フロー図。
【図8】この発明の第7の実施例におけるマイクロレン
ズの形成方法を示す断面フロー図。
【図9】この発明の第1の実施例における動作を説明す
るグラフ図。
【符号の説明】
1 N型シリコン基板 2 第1P型層よりなるウェル 3 第1N型層よりなる受光部 4 第2N型層よりなるCCDチャネル 5 第2P型層よりなるチャネル分離 6 シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜 7 ポリシリコン膜よりなるゲート電極 8 CCDへ入射する光を遮る遮光層 10 Si基板上に作り込まれた下地部 11 透明樹脂よりなる平坦層 12 光を集めるマイクロレンズである。 11a 境界領域を設けた平坦化層 12 マイクロレンズ 12a マイクロレンズパターン 14a 境界領域 15a マイクロレンズ形成領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年8月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1(a) 〜(d) はこの発明の一実施例による固体
撮像装置のマイクロレンズを形成するフローを示し、図
において、1〜は従来技術の図4で示されたものと同
様であり、10はSi基板1上に作り込まれた下地部で
ある。11,11aは下地部10の表面を平坦化する平
坦化層、13は平坦化層11に凹部11bを形成するた
めのフォトレジスト、12aはマイクロレンズパター
ン、12は凹部11bからなる境界領域により隔てて形
成されるマイクロレンズである。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】実施例4.また、本発明の第4の実施例を
図5について説明する。図5(a) に示された半導体基板
10には上記実施例と同様に、受光部3や分離部5等が
形成されており、その上部には平坦化膜11が形成され
ている。この上部に写真製版の手法を用いて遮光膜8上
で所望のフォトレジストのパターン13を形成し、平坦
化膜11の一部を、例えばO2 プラズマ等でドライエッ
チングして凹部11bを形成する(図5(b))。この時の
段差としては、約0.5〜1.0μm程度であることが
望ましい。この値は多少はずれても特に問題にはならな
いが、次工程以降の平坦化や平坦化膜を形成する意味か
ら考えても、あまり大きくすることは望ましくない。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】続いて、平坦化膜11よりもマイクロレン
ズ材料に対して濡れ性の悪い材料14を塗布し、全面を
エッチバックして、段差の凹部に図5(d) のように樹脂
14aを埋め込む。樹脂14の材料としては種々ある
が、例えば旭硝子(株)製サイトップ等、フッ素系樹脂
が有効である。この場合エッチングはCF4 ガスなどの
ドライエッチングが有効である。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0033
【補正方法】変更
【補正内容】
【0033】実施例6.図7は本発明の第6の実施例を
示す。図7(a) に示すように、基板10には上記実施例
と同様に、受光部3等が形成されており、その上部には
平坦化膜11が形成されている。この平坦化膜11の上
面に平坦化膜11よりもマイクロレンズとなる材料に対
して濡れ性が同等か、さらによい材料15を塗布し、そ
のさらに上面に写真製版の手法でフォトレジストの所定
のパターン13を形成して、これをマスクにしてエッチ
ングなどの手法を用いてストッパ15aを形成する。1
5の材料としては、種々あるが、例えば、マイクロレン
ズ材料がアクリル系樹脂であるならば、同じアクリル系
樹脂であるPMMAなどが有効である。この場合、PM
MA自身もフォトレンズとしての機能を有するので、写
真製版の手法を用いることができる。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受光部及び信号転送部がその上に形成さ
    れた半導体基板と、該半導体基板表面を平坦化する平坦
    化層と、上記受光部に対応する光を集光する熱リフロー
    により形成されるマイクロレンズとを有する固体撮像装
    置において、 上記マイクロレンズ下層の上記受光部間に、隣接するマ
    イクロレンズ間を隔てるための境界領域を設けたことを
    特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の固体撮像装置において、 上記境界領域の端と上記マイクロレンズの端が一致して
    形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 上記境界領域は、平坦化層をエッチング
    して凹部として形成したものであることを特徴とする請
    求項1又は2記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 上記境界領域は、平坦化層のマイクロレ
    ンズ形成領域をエッチングして残った凸部として形成し
    たものであることを特徴とする請求項1又は2記載の固
    体撮像装置。
  5. 【請求項5】 請求項3記載の固体撮像装置を製造する
    方法において、 マイクロレンズパターンを形成した後に、上記マイクロ
    レンズパターンをマスクとして平坦化層をエッチングし
    て境界領域となる凹部を形成する工程を含むことを特徴
    とする固体撮像装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 上記境界領域は、平坦化層をエッチング
    した凹部に、マイクロレンズ母材に対して上記平坦化層
    より濡れ性の悪い材料を埋め込んで形成したものである
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
  7. 【請求項7】 上記境界領域は、マイクロレンズ母材に
    対して平坦化層より濡れ性の悪い材料を上記平坦化層上
    に付加して形成したものであることを特徴とする請求項
    1又は2記載の固体撮像装置。
  8. 【請求項8】 上記境界領域は、マイクロレンズ母材に
    対して平坦化層より濡れ性の良い材料をマイクロレンズ
    形成領域の平坦化層上に付加してその間に残った領域と
    して形成したものであることを特徴とする請求項1又は
    2記載の固体撮像装置。
  9. 【請求項9】 上記境界領域は、マイクロレンズ形成領
    域の平坦化層をエッチングした凹部にマイクロレンズ母
    材に対して平坦化層より濡れ性の良い材料を埋め込んで
    形成したものであることを特徴とする請求項1又は2記
    載の固体撮像装置。
JP4151352A 1992-05-18 1992-05-18 固体撮像装置とその製造方法 Pending JPH05326900A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4151352A JPH05326900A (ja) 1992-05-18 1992-05-18 固体撮像装置とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4151352A JPH05326900A (ja) 1992-05-18 1992-05-18 固体撮像装置とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05326900A true JPH05326900A (ja) 1993-12-10

Family

ID=15516680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4151352A Pending JPH05326900A (ja) 1992-05-18 1992-05-18 固体撮像装置とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05326900A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0753765A2 (en) * 1995-07-11 1997-01-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method for forming multiple-layer microlenses and use thereof
JP2001068657A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Nec Kyushu Ltd 固体撮像素子の製造方法
US6623668B1 (en) 1999-05-11 2003-09-23 Nec Electronics Corporation Method of forming micro lenses of a solid-state image pick-up device
KR100449951B1 (ko) * 2001-11-14 2004-09-30 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서 및 그 제조 방법
KR100672698B1 (ko) * 2004-12-24 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100710181B1 (ko) * 2004-12-30 2007-04-20 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR20080060450A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100847832B1 (ko) * 2006-12-29 2008-07-23 동부일렉트로닉스 주식회사 마이크로 렌즈 어레이를 제조하는 방법
JP2008304622A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Sumitomo Electric Hardmetal Corp レーザ用マイクロレンズ
KR100935762B1 (ko) * 2007-12-27 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 Cmos이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성용 마스크 및상기 마스크를 이용한 마이크로 렌즈 형성 방법
JP2012128444A (ja) * 2012-02-08 2012-07-05 Sumitomo Electric Hardmetal Corp レーザ用マイクロレンズ
WO2020171037A1 (ja) * 2019-02-22 2020-08-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラパッケージ、カメラパッケージの製造方法、および、電子機器

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0753765A2 (en) * 1995-07-11 1997-01-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method for forming multiple-layer microlenses and use thereof
EP0753765A3 (en) * 1995-07-11 1997-05-28 Imec Inter Uni Micro Electr Manufacturing process for multilayer microlenses and their use
US6623668B1 (en) 1999-05-11 2003-09-23 Nec Electronics Corporation Method of forming micro lenses of a solid-state image pick-up device
JP2001068657A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Nec Kyushu Ltd 固体撮像素子の製造方法
KR100449951B1 (ko) * 2001-11-14 2004-09-30 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서 및 그 제조 방법
KR100672698B1 (ko) * 2004-12-24 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100710181B1 (ko) * 2004-12-30 2007-04-20 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR20080060450A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100847832B1 (ko) * 2006-12-29 2008-07-23 동부일렉트로닉스 주식회사 마이크로 렌즈 어레이를 제조하는 방법
JP2008304622A (ja) * 2007-06-06 2008-12-18 Sumitomo Electric Hardmetal Corp レーザ用マイクロレンズ
KR100935762B1 (ko) * 2007-12-27 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 Cmos이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성용 마스크 및상기 마스크를 이용한 마이크로 렌즈 형성 방법
JP2012128444A (ja) * 2012-02-08 2012-07-05 Sumitomo Electric Hardmetal Corp レーザ用マイクロレンズ
WO2020171037A1 (ja) * 2019-02-22 2020-08-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラパッケージ、カメラパッケージの製造方法、および、電子機器
CN113348064A (zh) * 2019-02-22 2021-09-03 索尼半导体解决方案公司 相机封装件、相机封装件的制造方法和电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001760B1 (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP2006140475A (ja) 集積回路光検出器の光学的強化方法および装置
JP3254759B2 (ja) 光学素子およびオンチップレンズの製造方法
JPH05326900A (ja) 固体撮像装置とその製造方法
US6582988B1 (en) Method for forming micro lens structures
KR100526466B1 (ko) 시모스 이미지센서 제조 방법
KR101010375B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100971207B1 (ko) 마이크로렌즈 및 그 제조 방법
US7538949B2 (en) Image sensor and manufacturing method thereof
KR100394304B1 (ko) 고체 촬상 장치의 마이크로 렌즈 형성 방법
US7081998B2 (en) Solid-state imaging apparatus
US7474350B2 (en) Solid state image pickup device comprising lenses for condensing light on photodetection parts
KR100819708B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
KR20050072350A (ko) 무기물 마이크로 렌즈 제조방법
JP2007019308A (ja) マイクロレンズ、その製造方法、マイクロレンズを用いた固体撮像素子およびその製造方法
TW202220197A (zh) 影像感測器及其形成方法
KR20000044590A (ko) 높은광감도를 갖는 이미지센서 및 그 제조방법
JPS60262458A (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN101419941B (zh) Cmos图像传感器装置及其形成方法
KR100734688B1 (ko) 이미지 센서의 제조 방법
JPH1098173A (ja) オンチップマイクロレンズの形成方法
JPH0722599A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US20080157248A1 (en) Image sensor and fabricating method thereof
JP2001358320A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法、並びにオンチップレンズ金型の製造方法
JP2005203526A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法