JP2001068657A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2001068657A JP2001068657A JP24034799A JP24034799A JP2001068657A JP 2001068657 A JP2001068657 A JP 2001068657A JP 24034799 A JP24034799 A JP 24034799A JP 24034799 A JP24034799 A JP 24034799A JP 2001068657 A JP2001068657 A JP 2001068657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- manufacturing
- film
- lens
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】下地の平坦化にプラズマアッシングにより溝を
形成し、その溝により区画されるマイクロレンズを形成
する場合、溝の形成が等方性エッチングであるためと、
半導体表面に発生するプラズマ密度、酸素ラジカル密
度、真空度等のばらつきとにより、半導体ウェハ面内の
アッシングレートがばらつくため面内における溝の平面
形状のばらつき、従って、マイクロレンズ形状のばらつ
きが大きくなり、レンズ特性、即ち、受光部毎に開口
率、感度がばらついていた。 【解決手段】マイクロレンズ１０の形状を決定するベー
ス層６を形成するに当たり、ベース層６をエッチング工
程によらず、通常のフォトリソグラフィ技術により形成
するので、ベース層６の形状ばらつきが２次元的、３次
元的に低減でき、それにより均一性の良いマイクロレン
ズが得られ、安定したレンズ特性及び歩留まりの向上が
実現できる。
形成し、その溝により区画されるマイクロレンズを形成
する場合、溝の形成が等方性エッチングであるためと、
半導体表面に発生するプラズマ密度、酸素ラジカル密
度、真空度等のばらつきとにより、半導体ウェハ面内の
アッシングレートがばらつくため面内における溝の平面
形状のばらつき、従って、マイクロレンズ形状のばらつ
きが大きくなり、レンズ特性、即ち、受光部毎に開口
率、感度がばらついていた。 【解決手段】マイクロレンズ１０の形状を決定するベー
ス層６を形成するに当たり、ベース層６をエッチング工
程によらず、通常のフォトリソグラフィ技術により形成
するので、ベース層６の形状ばらつきが２次元的、３次
元的に低減でき、それにより均一性の良いマイクロレン
ズが得られ、安定したレンズ特性及び歩留まりの向上が
実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の製
造方法に関し、特に、受光部の上方にあって受光部の開
口率及び感度の向上に大きく関与するマイクロレンズの
製造方法に関するものである。
造方法に関し、特に、受光部の上方にあって受光部の開
口率及び感度の向上に大きく関与するマイクロレンズの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロレンズの製造方法の一形
態について、図３〜４を参照しながら説明する。図は、
光電変換部、電荷転送電極、遮光膜等の素子が既に半導
体基板内、或いは、半導体基板上に形成され、更にそれ
らの素子を覆う保護絶縁膜が形成された後の工程に関す
るものである。
態について、図３〜４を参照しながら説明する。図は、
光電変換部、電荷転送電極、遮光膜等の素子が既に半導
体基板内、或いは、半導体基板上に形成され、更にそれ
らの素子を覆う保護絶縁膜が形成された後の工程に関す
るものである。
【０００３】半導体基板２１内に光電変換部２２、電荷
転送チャネル（図示せず）、チャネルストッパー等の半
導体基板内部素子２３が形成されており、半導体基板２
１上には、各構成部分の図示はしないが、電荷転送部の
ゲート酸化膜、電荷転送電極、遮光膜、保護絶縁膜、透
明平坦化樹脂層、カラーフィルタ等からなる半導体基板
上部素子２４が形成されている。半導体基板上部素子２
４の表面には、透明樹脂等からなる平坦化膜２５を形成
する（図３（ａ））。
転送チャネル（図示せず）、チャネルストッパー等の半
導体基板内部素子２３が形成されており、半導体基板２
１上には、各構成部分の図示はしないが、電荷転送部の
ゲート酸化膜、電荷転送電極、遮光膜、保護絶縁膜、透
明平坦化樹脂層、カラーフィルタ等からなる半導体基板
上部素子２４が形成されている。半導体基板上部素子２
４の表面には、透明樹脂等からなる平坦化膜２５を形成
する（図３（ａ））。
【０００４】次に、光電変換部２２の上方の平坦化膜２
５の上にレジストパターン２６を通常のリソグラフィ技
術を用いて形成する（図３（ｂ））。
５の上にレジストパターン２６を通常のリソグラフィ技
術を用いて形成する（図３（ｂ））。
【０００５】続いて、光真空状態で酸素（Ｏ２）ガスを
流し、高電圧を印加して酸素プラズマを発生させ、酸素
ラジカルと平坦化膜２５の材料である樹脂を反応させる
ことで、平坦化膜２５の一部をレジストパターン２６を
マスクとしてアッシングする。この場合のアッシングは
異方性エッチングにはならず等方性エッチングとなり、
平坦化膜２５は等方性エッチングによる溝２７と、溝２
７により区画された平坦部２８とに区分される（図３
（ｃ））。
流し、高電圧を印加して酸素プラズマを発生させ、酸素
ラジカルと平坦化膜２５の材料である樹脂を反応させる
ことで、平坦化膜２５の一部をレジストパターン２６を
マスクとしてアッシングする。この場合のアッシングは
異方性エッチングにはならず等方性エッチングとなり、
平坦化膜２５は等方性エッチングによる溝２７と、溝２
７により区画された平坦部２８とに区分される（図３
（ｃ））。
【０００６】次に、レジストパターン２６を剥離すると
溝２７により区画された平坦化膜２５の平坦部２８が現
れる（図４（ａ））。
溝２７により区画された平坦化膜２５の平坦部２８が現
れる（図４（ａ））。
【０００７】この平坦部２８の上に、ノボラック樹脂等
からなるレンズ材パターン２９を通常のリソグラフィ技
術を用いて形成する（図４（ｂ））。
からなるレンズ材パターン２９を通常のリソグラフィ技
術を用いて形成する（図４（ｂ））。
【０００８】最後に、半導体基板に１２０〜１４０℃の
熱処理を施して、レンズ材パターン２９を変形させ、マ
イクロレンズ３０とする（図４（ｃ））。
熱処理を施して、レンズ材パターン２９を変形させ、マ
イクロレンズ３０とする（図４（ｃ））。
【０００９】マイクロレンズアレイ３０を形成するに当
たり、従来プロセスでは平坦化膜２５に溝２７を形成
し、これをベースにレンズ材２９をパターニング後、熱
処理をかけてマイクロレンズアレイ３０を形成してい
る。この際、半導体ウエハ面内における溝２７の深さ、
形状における均一性がきわめて悪くレンズアレイ形成歩
留まりを著しく劣化させていた。
たり、従来プロセスでは平坦化膜２５に溝２７を形成
し、これをベースにレンズ材２９をパターニング後、熱
処理をかけてマイクロレンズアレイ３０を形成してい
る。この際、半導体ウエハ面内における溝２７の深さ、
形状における均一性がきわめて悪くレンズアレイ形成歩
留まりを著しく劣化させていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上に示した従来のマイ
クロレンズの製造方法の形態においては、以下のような
問題を有している。
クロレンズの製造方法の形態においては、以下のような
問題を有している。
【００１１】まず、プラズマアッシングにより溝２７を
形成する場合、等方性エッチングであるためレジストパ
ターン２６の端部において露出する平坦化膜２５は、垂
直方向だけでなく横方向にもエッチングが進行し、溝が
等方向にエッチングされる。
形成する場合、等方性エッチングであるためレジストパ
ターン２６の端部において露出する平坦化膜２５は、垂
直方向だけでなく横方向にもエッチングが進行し、溝が
等方向にエッチングされる。
【００１２】更に、半導体表面に発生するプラズマ密
度、酸素ラジカル密度、真空度等のばらつきも加わっ
て、半導体ウェハ面内のアッシングレートがばらつくた
め半導体ウェハ面内における溝の平面形状のばらつきが
大きくなる。従って、マイクロレンズ３０の形状ばらつ
きが大きくなり、レンズ特性、即ち、受光部毎に開口
率、感度がばらつくことになる。
度、酸素ラジカル密度、真空度等のばらつきも加わっ
て、半導体ウェハ面内のアッシングレートがばらつくた
め半導体ウェハ面内における溝の平面形状のばらつきが
大きくなる。従って、マイクロレンズ３０の形状ばらつ
きが大きくなり、レンズ特性、即ち、受光部毎に開口
率、感度がばらつくことになる。
【００１３】又、溝２７が浅くなったり形状不良が発生
すると、隣接するマイクロレンズが一部融合した形状を
呈し、レンズ特性を著しく劣化させ、歩留まり低下の大
きな要因となる。
すると、隣接するマイクロレンズが一部融合した形状を
呈し、レンズ特性を著しく劣化させ、歩留まり低下の大
きな要因となる。
【００１４】更に、プラズマアッシングにより発生する
パーティクルがマイクロレンズの２次元的、３次元的形
状のばらつきを大きくし、レンズ特性の劣化、歩留まり
低下を招いていた。
パーティクルがマイクロレンズの２次元的、３次元的形
状のばらつきを大きくし、レンズ特性の劣化、歩留まり
低下を招いていた。
【００１５】本発明は、固体撮像素子の製造方法におい
て、形状のばらつきが小さく、従ってレンズ特性のばら
つきも小さく、歩留まりの良いマイクロレンズの製造方
法を提供することにある。
て、形状のばらつきが小さく、従ってレンズ特性のばら
つきも小さく、歩留まりの良いマイクロレンズの製造方
法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子の
製造方法は、素子が形成された基板を用意し、前記基板
表面上に平坦化膜を形成し、前記平坦化膜の上に互いに
離間する第１の材料からなる複数のベース層を形成し、
前記ベース層の上に第２の材料からなる薄膜層を形成
し、前記薄膜層に軟化処理を施して前記薄膜層をレンズ
層に変形させ、前記レンズ層の端部が前記ベース層の周
縁により画定されることを特徴とし、前記ベース層を形
成する工程が、前記平坦化膜の上に感光剤を含む前記第
１の材料を塗布し、前記第１の材料を露光して前記感光
剤を分解させ、その後前記第１の材料を現像して所定の
パターンに形成し、続いて熱処理して前記第１の材料の
架橋反応を促進させることにより行われる、というもの
であり、又、前記第１の材料及び前記第２の材料が、共
に可視光領域で透明である、というものである。
製造方法は、素子が形成された基板を用意し、前記基板
表面上に平坦化膜を形成し、前記平坦化膜の上に互いに
離間する第１の材料からなる複数のベース層を形成し、
前記ベース層の上に第２の材料からなる薄膜層を形成
し、前記薄膜層に軟化処理を施して前記薄膜層をレンズ
層に変形させ、前記レンズ層の端部が前記ベース層の周
縁により画定されることを特徴とし、前記ベース層を形
成する工程が、前記平坦化膜の上に感光剤を含む前記第
１の材料を塗布し、前記第１の材料を露光して前記感光
剤を分解させ、その後前記第１の材料を現像して所定の
パターンに形成し、続いて熱処理して前記第１の材料の
架橋反応を促進させることにより行われる、というもの
であり、又、前記第１の材料及び前記第２の材料が、共
に可視光領域で透明である、というものである。
【００１７】又、上記固体撮像素子の製造方法におい
て、前記平坦化膜は、可視光領域で透明であり、かつ、
低導電率であり、一つの具体的形態として、前記平坦化
膜の下にはカラーフィルタ層が形成されており、更に、
前記レンズ層の下方に光電変換部が形成されている、と
いうものである。
て、前記平坦化膜は、可視光領域で透明であり、かつ、
低導電率であり、一つの具体的形態として、前記平坦化
膜の下にはカラーフィルタ層が形成されており、更に、
前記レンズ層の下方に光電変換部が形成されている、と
いうものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、図１〜２を
参照しながら説明する。平坦化膜を形成する工程までは
従来の製造方法と同じであるので、平坦化膜を形成した
後の工程に焦点を当てて説明する。
参照しながら説明する。平坦化膜を形成する工程までは
従来の製造方法と同じであるので、平坦化膜を形成した
後の工程に焦点を当てて説明する。
【００１９】まず、半導体基板１に光電変換部２、電荷
転送チャネル（図示せず）、チャネルストッパー等の半
導体基板内部素子３が形成されており、半導体基板１上
には、各構成部分の図示はしないが、電荷転送部のゲー
ト酸化膜、電荷転送電極、遮光膜、保護絶縁膜、透明平
坦化樹脂層、カラーフィルタ等からなる半導体基板上部
素子４が形成されている。半導体基板上部素子４の表面
には、透明樹脂等からなる平坦化膜５が形成されている
（図１（ａ））。
転送チャネル（図示せず）、チャネルストッパー等の半
導体基板内部素子３が形成されており、半導体基板１上
には、各構成部分の図示はしないが、電荷転送部のゲー
ト酸化膜、電荷転送電極、遮光膜、保護絶縁膜、透明平
坦化樹脂層、カラーフィルタ等からなる半導体基板上部
素子４が形成されている。半導体基板上部素子４の表面
には、透明樹脂等からなる平坦化膜５が形成されている
（図１（ａ））。
【００２０】次に、光電変換部２の上方の平坦化膜５の
上に、感光剤を含むノボラック樹脂、アクリル樹脂等か
らなる透明樹脂層を塗布し、露光、現像、１５５〜１６
５℃、２０分前後のポストベークにより透明なレンズベ
ース層６を形成する（図１（ｂ））。
上に、感光剤を含むノボラック樹脂、アクリル樹脂等か
らなる透明樹脂層を塗布し、露光、現像、１５５〜１６
５℃、２０分前後のポストベークにより透明なレンズベ
ース層６を形成する（図１（ｂ））。
【００２１】続いて、可視光域で透過率が良く、熱を加
えるとレンズ形状になりやすいノボラック樹脂等のレジ
ストを塗布し、通常のフォトリソグラフィ技術によりレ
ンズ材パターン９を形成する（図２（ａ））。
えるとレンズ形状になりやすいノボラック樹脂等のレジ
ストを塗布し、通常のフォトリソグラフィ技術によりレ
ンズ材パターン９を形成する（図２（ａ））。
【００２２】最後に、半導体基板１が１２０〜１５０℃
になるような熱処理をホットプレートの上で２０〜４０
秒間施すと、レンズベース層６で区画されるマイクロレ
ンズ１０が得られる（図２（ｂ））。
になるような熱処理をホットプレートの上で２０〜４０
秒間施すと、レンズベース層６で区画されるマイクロレ
ンズ１０が得られる（図２（ｂ））。
【００２３】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、マイクロレンズを熱軟化させるベース層をエッチン
グによらず、通常のフォトリソグラフィ技術により形成
するので、従来のプラズマアッシングによるマイクロレ
ンズ形状のばらつきが低減でき、レンズ特性のチップ
内、ウェハ内での均一性の向上を図ることができる。
ば、マイクロレンズを熱軟化させるベース層をエッチン
グによらず、通常のフォトリソグラフィ技術により形成
するので、従来のプラズマアッシングによるマイクロレ
ンズ形状のばらつきが低減でき、レンズ特性のチップ
内、ウェハ内での均一性の向上を図ることができる。
【００２４】又、従来のプラズマアッシング工程におい
て発生するパーティクルの発生がなくなり、マイクロレ
ンズ形状の３次元的な形状不良を低減することもでき
る。
て発生するパーティクルの発生がなくなり、マイクロレ
ンズ形状の３次元的な形状不良を低減することもでき
る。
【００２５】更に、従来のプラズマアッシング工程が不
要となり、製造工程の簡略化も図ることができる。
要となり、製造工程の簡略化も図ることができる。
【００２６】
【発明の効果】上述のように、本発明の製造方法によれ
ば、マイクロレンズの形状を決定するベース層を形成す
るに当たり、ベース層をエッチング工程によらず、通常
のフォトリソグラフィ技術により形成するので、ベース
層の形状ばらつきが２次元的、３次元的に低減でき、そ
れにより均一性の良いマイクロレンズが得られ、安定し
たレンズ特性及び歩留まりの向上が実現できる。
ば、マイクロレンズの形状を決定するベース層を形成す
るに当たり、ベース層をエッチング工程によらず、通常
のフォトリソグラフィ技術により形成するので、ベース
層の形状ばらつきが２次元的、３次元的に低減でき、そ
れにより均一性の良いマイクロレンズが得られ、安定し
たレンズ特性及び歩留まりの向上が実現できる。
【図１】本発明の固体撮像素子の製造方法の製造工程を
示す製造フローである。
示す製造フローである。
【図２】図１に続く工程を示す断面図である。
【図３】従来の固体撮像素子の製造方法の製造工程を示
す製造フローである。
す製造フローである。
【図４】図３に続く工程を示す断面図である。
１、２１ 半導体基板 ２、２２ 光電変換部 ３、２３ 半導体基板内部素子 ４、２４ 半導体基板上部素子 ５、２５ 平坦化膜 ６ レンズベース層 ９、２９ レンズ材パターン １０、３０ マイクロレンズ ２７ 溝 ２８ 平坦部
Claims (6)
- 【請求項１】 素子が形成された基板を用意し、前記基
板表面上に平坦化膜を形成し、前記平坦化膜の上に互い
に離間する第１の材料からなる複数のベース層を形成
し、前記ベース層の上に第２の材料からなる薄膜層を形
成し、前記薄膜層に軟化処理を施して前記薄膜層をレン
ズ層に変形させ、前記レンズ層の端部が前記ベース層の
周縁により画定されることを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項２】 前記ベース層を形成する工程が、前記平
坦化膜の上に感光剤を含む前記第１の材料を塗布し、前
記第１の材料を露光して前記感光剤を分解させ、その後
前記第１の材料を現像して所定のパターンに形成し、続
いて熱処理して前記第１の材料の架橋反応を促進させる
ことにより行われる請求項１記載の固体撮像素子の製造
方法。 - 【請求項３】 前記第１の材料及び前記第２の材料が、
共に可視光領域で透明である請求項１又は２記載の固体
撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記平坦化膜は、可視光領域で透明であ
り、かつ、低導電率である請求項１、２又は３記載の固
体撮像素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記平坦化膜の下にはカラーフィルタ層
が形成されている請求項１、２、３又は４記載の固体撮
像素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記レンズ層の下方に光電変換部が形成
されている請求項１、２、３、４又は５記載の固体撮像
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24034799A JP2001068657A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24034799A JP2001068657A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068657A true JP2001068657A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17058144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24034799A Pending JP2001068657A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005107243A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 撮像装置及び微小レンズアレイの製造方法 |
| CN1311250C (zh) * | 2003-08-13 | 2007-04-18 | 精工爱普生株式会社 | 微型透镜及其制造方法、光学装置、光传送装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05326900A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH06132505A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその作製方法 |
| JPH08288482A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP24034799A patent/JP2001068657A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05326900A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH06132505A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその作製方法 |
| JPH08288482A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1311250C (zh) * | 2003-08-13 | 2007-04-18 | 精工爱普生株式会社 | 微型透镜及其制造方法、光学装置、光传送装置 |
| WO2005107243A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 撮像装置及び微小レンズアレイの製造方法 |
| US7894139B2 (en) | 2004-04-28 | 2011-02-22 | Panasonic Corporation | Imaging apparatus and method for manufacturing microlens array |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI473258B (zh) | 固態成像裝置、固態成像裝置製造方法、電子裝置及透鏡陣列 | |
| TWI328862B (en) | Method for fabricating pixel structure | |
| JP2000164837A (ja) | 層内レンズの形成方法 | |
| JPH06244392A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US8048768B2 (en) | Joined wafer, fabrication method thereof, and fabrication method of semiconductor devices | |
| KR101010375B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JP2002118790A (ja) | ゲーテッドフォトダイオードを有する固体イメージャ及びその製造方法 | |
| JP2007088459A (ja) | イメージセンサの形成方法及びそれによって形成されたイメージセンサ | |
| JPH05326900A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JP3672663B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4067175B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2001068657A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR20200059061A (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 | |
| JP2003229551A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS5928065B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH0722599A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| TWI227037B (en) | Method of forming planar color filters in an image sensor | |
| JPH03500834A (ja) | 感光装置用のレンズアレー | |
| JPH10173159A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2018205685A (ja) | 固体撮像素子の製造方法およびナノインプリントリソグラフィー用原版 | |
| JP4915135B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH06112454A (ja) | マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS59202777A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JPH06302794A (ja) | 固体撮像素子の製法 | |
| JPH0474471A (ja) | マイクロレンズの作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050427 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070703 |