KR100819708B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는, 반도체 기판 위에 형성된 컬러필터층과, 컬러필터층 위에 형성되며 LTO층으로 형성된 제 1 마이크로 렌즈와 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법은, 컬러필터층 위에 LTO층을 형성하는 단계와, LTO층 위에 제 1 감광성막을 형성하는 단계와, 제 1 감광성막을 패터닝하여 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 단계와, 희생 마이크로 렌즈 및 LTO층을 식각하여 LTO층으로 이루어진 제 1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계와, 제 1 마이크로 렌즈 사이에 제 2 감광성막을 패터닝하는 단계와, 열처리를 통하여 제 1 마이크로 렌즈 및 제 2 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
Description
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법을 개념적으로 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11... 하부구조물 13... 보호막
15... 컬러필터층 17... LTO층
17a... 제 1 마이크로 렌즈 19... 희생 마이크로 렌즈
21... 제 2 감광성막 21a... 제 2 마이크로 렌즈
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 CMOS 이미지 센서(image sensor)의 최상층에 마이크로 렌즈(Micro-lens)가 형성된다. 상기 마이크로 렌즈에서 집광된 빛은 컬러필터 어레이 층(Color filter array layer)과 평탄화층(Planarization layer)을 투과하여 포토 다이오드(Photo diode)와 같은 수광부에서 전기적 신호로 바뀌게 된다. 이미지 센서에서는 이와 같은 과정을 통하여 전기적 신호로 변환된 신호를 이용하여 영상을 표시할 수 있게 된다. 이때, 마이크로 렌즈(Micro-lens)의 촛점길이(Focal-length), 컬러필터(Color filter)의 크기와 분포도, 평탄화층의 두께, 포토 다이오드(Photo diode)의 피치 크기(Pitch size) 등이 각각 연동되어 변해야 하며, 비교적 마이크로 렌즈의 촛점 길이가 변동도 심하고 표준화하기 어렵다. 그 이유는 현재 마이크로 렌즈 공정이 렌즈 형성용 감광막을 스캐너(scanner)의 디포커스(defocus)를 통하여 기본적 모양을 형성하고 그것을 써멀 리플로우(thermal reflow) 라는 공정을 통하여 제작되기 때문에 마이크로 렌즈 모양의 재연성이 매우 좋지 않은 문제가 발생한다.
본 발명은 마이크로 렌즈를 구성하는 이웃하는 렌즈 간의 간격을 제로 갭(zero gap)으로 형성함으로써 감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는, 반도체 기판 위에 형성된 컬러필터층; 상기 컬러필터층 위에 형성되며, LTO층으로 형성된 제 1 마이크로 렌즈와 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈; 를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 컬러필터층과 상기 마이크로 렌즈 사이에 형성된 평탄화층을 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 LTO층은 감광성막에 비하여 경도가 높은 값을 갖도록 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 컬러필터층 하부에 형성되며, 반도체 기판에 형성된 수광부를 더 포함하며, 상기 수광부는 포토 다이오드로 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 마이크로 렌즈는 이웃하는 렌즈 간에 간격이 없도록(gapless) 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈의 픽셀 피치에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈의 픽셀 피치가 더 크게 형성되며, 상기 제 2 마이크로 렌즈의 픽셀 피치가 상기 제 1 마이크로 렌즈의 픽셀 피치에 비하여 10% 더 크게 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 제 2 마이크로 렌즈는 적색 컬러필터 위에 형성되고, 상기 제 1 마이크로 렌즈는 녹색 컬러필터와 청색 컬러필터 위에 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈의 곡률반경에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈의 곡률반경이 더 크게 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법은, 컬러필터층 위에 LTO층을 형성하는 단계; 상기 LTO층 위에 제 1 감광성막을 형성하는 단계; 상기 제 1 감광성막을 패터닝하여 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층을 식각하여, 상기 LTO층으로 이루어진 제 1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 상기 제 1 마이크로 렌즈 사이에 제 2 감광성막을 패터닝하는 단계; 열처리를 통하여 상기 제 1 마이크로 렌즈 및 상기 제 2 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법은, 컬러필터층 위에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 위에 LTO층을 형성하는 단계; 상기 LTO층 위에 제 1 감광성막을 형성하는 단계; 상기 제 1 감광성막을 패터닝하여 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층을 식각하여, 상기 LTO층으로 이루어진 제 1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 상기 제 1 마이크로 렌즈 사이에 제 2 감광성막을 패터닝하는 단계; 열처리를 통하여 상기 제 1 마이크로 렌즈 및 상기 제 2 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층에 대한 식각은, 반응성 이온 식각(RIE) 방법으로 전면 식각된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 LTO층은 CVD 방법에 의하여 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층에 대한 식각은 CHF3:C4F8:Ar:O2 간의 공급 비율이 5:2.5:50:1의 식각조건으로 수행되며, 상기 CHF3은 15~25sccm, C4F8는 5~15sccm, Ar은 180~220sccm, O2는 3~5sccm 의 범위에서 공급된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 마이크로 렌즈는 이웃하는 렌즈 간에 간격이 없도록(gapless) 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈의 픽셀 피치에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈의 픽셀 피치가 더 크게 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 제 2 마이크로 렌즈는 적색 컬러필터 위에 형성되고, 상기 제 1 마이크로 렌즈는 녹색 컬러필터와 청색 컬러필터 위에 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈의 곡률반경에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈의 곡률반경이 더 크게 형성된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 마이크로 렌즈를 구성하는 이웃하는 렌즈 간의 간격을 제로 갭(zero gap)으로 형성함으로써 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위"에 또는 "아래"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 그 의미는 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들에 접촉되어 형성되는 경우로 해석될 수도 있으며, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 그 사이에 추가적으로 형성되는 경우로 해석될 수도 있다. 따라서, 그 의미는 발명의 기술적 사상에 의하여 판단되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법을 개념적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 하부구조물(11) 위에 보호막(13)을 형성하고, 상기 보호막(13) 위에 컬러필터층(15)을 형성한다.
상기 하부구조물(11)은 포토 다이오드와 같은 수광부와 배선을 포함한다. 상기 컬러필터층(15)은 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 청색 컬러필터를 포함할 수 있다. 또한 상기 컬러필터층(15)이 형성되기 이전에, 상기 컬러필터층(15) 하부에 열경화성 수지층이 형성되는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 컬러필터층(15) 위에 LTO(Low Temperature Oxide)층(17)을 형성한다.
상기 LTO층(17)은 CVD 방식에 의하여 형성되도록 할 수 있다. 상기 LTO층(17)은 감광성막에 비하여 경도가 높은 물질로 형성되도록 할 수 있으며, 또한 투명한 재질로 형성되도록 할 수 있다.
이어서, 상기 LTO층(17) 위에 감광성막을 형성한다. 상기 감광성막에 대한 노광공정 및 현상공정을 통하여 패터닝된 감광성막을 형성한다. 상기 패터닝된 감광성막에 대한 열처리를 통하여 상기 LTO층(17) 위의 일부 영역에만 희생 마이크로 렌즈(19)가 형성될 수 있게 된다.
이어서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 희생 마이크로 렌즈(19) 및 상기 LTO층(17)을 식각하여, 상기 LTO층(17)으로 이루어진 제 1 마이크로 렌즈(17a)를 형성한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 희생 마이크로 렌즈(19) 및 상기 LTO층(17)에 대한 식각은, 상기 희생 마이크로 렌즈(19)와 상기 LTO층(17)에 대하여 반응성 이온 식각(RIE) 방식으로 전면 식각되도록 할 수 있다.
상기 희생 마이크로 렌즈(19) 및 상기 LTO층(17)에 대한 식각은 CHF3:C4F8:Ar:O2 간의 공급 비율이 5:2.5:50:1의 식각조건으로 수행될 수 있다. 상기 CHF3는 15~25sccm, C4F8은 5~15sccm, Ar은 180~220sccm, O2는 3~5sccm의 범위에서 공급되도록 할 수 있다.
하나의 예로서, 상기 LTO층(17)에 대한 식각조건의 예로서 다음과 진행할 수 있다.
| Pressure [mT] | 88 |
| Source POWER [W] | 300 |
| CHF3 [sccm] | 20 |
| C4F8 [sccm] | 10 |
| Ar [sccm] | 200 |
| O2 [sccm] | 4 |
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 희생 마이크로 렌즈(19)와 LTO층(17) 간의 선택비를 낮추어 상기 희생 마이크로 렌즈(19)를 이루는 감광성막을 소모해 가면서 그 모양을 LTO층(17)에 전사함으로서 제 1 마이크로 렌즈(17)를 형성할 수 있게 된다.
이후, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a) 사이에 제 2 감광성막(21)을 패터닝하여 형성한다.
이어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 열처리를 통하여 상기 제 2 감광성막(21)으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈(21a)를 형성한다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하며, LTO층으로 형성된 제 1 마이크로 렌즈(17a)와 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈(21a)를 포함하는 마이크로 렌즈를 형성할 수 있게 된다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a)의 픽셀 피치에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈(21a)의 픽셀 피치가 더 크게 형성되도록 할 수 있다. 예컨대 상기 제 2 마이크로 렌즈(21a)의 픽셀 피치가 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a)의 픽셀 피치에 비하여 약 10% 정도 더 크게 형성되도록 할 수 있다.
이와 같이 상기 제 2 마이크로 렌즈(21a)의 픽셀 피치가 더 큰 상태에서 써러 리플로우(thermal reflow)와 같은 열처리를 수행함으로서, 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 렌즈는 이웃하는 렌즈 간에 간격이 없도록(gapless) 형성될 수 있게 된다.
또한 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a)의 곡률반경에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈(21a)의 곡률반경이 더 크게 형성되도록 할 수 있다.
하나의 예로서, 상대적으로 파장이 긴 적색 컬러필터의 위에는 곡률반경이 더 큰 상기 제 2 마이크로 렌즈(21a)가 위치되도록 할 수 있다. 이때, 상대적으로 파장이 짧은 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터의 위에는 곡률반경이 상대적으로 작은 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a)가 위치되도록 할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면 감광성 재질에 비하여 딱딱한 재질로 제 1 마이크로 렌즈(17a)를 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 웨이퍼 백 그라인딩(back grinding) 공정과 소잉(sawing) 공정 등에서 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a)에 폴리머 등의 파티클이 부착되는 현상을 방지할 수 있게 된다. 결과적으로 본 발명에 의하면 소자의 감도 및 제조 수율을 향상시킬 수 있게 된다. 또한 마이크로 렌즈(17a)의 재연성을 확보할 수 있게 된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a)가 형성되기 이전에 상기 하부구조물(11) 위에 형성된 패드부를 먼저 오픈시킬 수도 있다. 이러한 경우에는 이후 공정에서 감광성막을 상기 오픈된 패드부 위에 형성시킴으로써, 오픈된 패드부가 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 제 1 마이크로 렌즈(17a) 및 제 2 마이크로 렌즈(21a)가 형성된 이후에, 상기 보호막(13)을 식각하여 상기 하부구조물(11) 위에 형성된 패드부를 노출시키는 단계가 수행되도록 할 수도 있다. 이러한 공정은, 하나의 예로서 상기 제1 마이크로 렌즈(17a) 및 제 2 마이크로 렌즈(21a) 위에 감광성막 패턴을 형성하고 식각을 수행함으로 상기 패드부를 노출시킬 수 있게 된다.
이와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 패드부를 노출시킴에 있어서, 한 번의 패드 오픈 공정을 통하여 상기 패드부를 용이하게 노출시킬 수 있게 된다. 또한 본 발명의 실시 예에서는 패드 오픈 공정을 마지막으로 진행하도록 함으로써, 패드가 최종 공정 전에 노출되는 경우에 패드 부식이 발생되는 문제점을 극복할 수 있게 된다.
이상의 설명에서는 컬러필터층 위에 마이크로 렌즈가 형성되는 경우를 기준으로 설명하였다. 그러나, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법은 이에 한정되는 것이 아니며, 예로서 상기 컬러필터층 위에 평탄화층을 형성하고, 그 평탄화층 위에 마이크로 렌즈가 형성되도록 할 수도 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하여 제조된 이미지 센서는 포토 다이오드와 배선이 구비된 하부구조물(11)과, 상기 하부구조물(11) 위에 형성된 보호막(13)을 포함한다. 상기 하부구조물(11) 위에 패드부가 형성되어 있으며, 상기 패드부는 외부와의 신호를 연결하는 기능을 수행한다.
또한 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는 상기 보호막(13) 위에 형성된 컬러필터층(15)과, 상기 컬러필터층(15) 위에 LTO층으로 형성된 제 1 마이크로 렌즈(17a) 및 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈(21a)를 포함한다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면 감광성 재질에 비하여 딱딱한 재질로 제 1 마이크로 렌즈(17a)를 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 웨이퍼 백 그라인딩(back grinding) 공정과 소잉(sawing) 공정 등에서 제 1 마이크로 렌즈(17a)에 폴리머 등의 파티클이 부착되는 현상을 방지할 수 있게 된다.
또한 본 발명의 실시 예에 의하면 LTO층으로 형성된 제 1 마이크로 렌즈(17a)와 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈(21a)를 순차적으로 형성함으로서, 이웃하는 렌즈 간에 간격이 없는 갭리스(gapless) 마이크로 렌즈를 형성할 수 있게 된다. 본 발명의 실시 예에 의하면 결과적으로 소자의 감도 및 제조 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 마이크로 렌즈를 구성하는 이웃하는 렌즈 간의 간격을 제로 갭(zero gap)으로 형성함으로써 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Claims (20)
- 반도체 기판 위에 형성된 컬러필터층;상기 컬러필터층 위에 형성되며, LTO층으로 형성된 제 1 마이크로 렌즈와, 상기 제 1 마이크로 렌즈 사이에 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈;를 포함하고,상기 제 1 마이크로 렌즈와 상기 제 2 마이크로 렌즈는 서로 교대로 배치된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 컬러필터층과, 상기 제 1 마이크로 렌즈와 상기 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 상기 마이크로 렌즈 사이에 형성된 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 LTO층은 상기 감광성막에 비하여 경도가 높은 값을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 컬러필터층 하부에 형성되며, 반도체 기판에 형성된 수광부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 4항에 있어서,상기 수광부는 포토 다이오드로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1 마이크로 렌즈와 상기 제 2 마이크로 렌즈 간에 간격이 없도록(gapless) 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
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- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 2 마이크로 렌즈는 적색 컬러필터 위에 형성되고, 상기 제 1 마이크로 렌즈는 녹색 컬러필터와 청색 컬러필터 위에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1 마이크로 렌즈의 곡률반경에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈의 곡률반경이 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 컬러필터층 위에 LTO층을 형성하는 단계;상기 LTO층 위에 제 1 감광성막을 형성하는 단계;상기 제 1 감광성막을 패터닝하여 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층을 식각하여, 상기 LTO층으로 이루어진 제 1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;상기 제 1 마이크로 렌즈 사이에 제 2 감광성막을 패터닝하는 단계;열처리를 통하여 상기 제 1 마이크로 렌즈 및 상기 제 2 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 컬러필터층 위에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층 위에 LTO층을 형성하는 단계;상기 LTO층 위에 제 1 감광성막을 형성하는 단계;상기 제 1 감광성막을 패터닝하여 희생 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층을 식각하여, 상기 LTO층으로 이루어진 제 1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;상기 제 1 마이크로 렌즈 사이에 제 2 감광성막을 패터닝하는 단계;열처리를 통하여 상기 제 1 마이크로 렌즈 및 상기 제 2 감광성막으로 형성된 제 2 마이크로 렌즈를 구비하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층에 대한 식각은, 반응성 이온 식각(RIE) 방법으로 전면 식각되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 LTO층은 CVD 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 희생 마이크로 렌즈 및 상기 LTO층에 대한 식각은 CHF3:C4F8:Ar:O2 간의 공급 비율이 5:2.5:50:1의 식각조건으로 수행되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 제 15항에 있어서,상기 CHF3은 15~25sccm, C4F8는 5~15sccm, Ar은 180~220sccm, O2는 3~5sccm 의 범위에서 공급되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 제 1 마이크로 렌즈와 상기 제 2 마이크로 렌즈 간에 간격이 없도록(gapless) 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
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- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 제 2 마이크로 렌즈는 적색 컬러필터 위에 형성되고, 상기 제 1 마이크로 렌즈는 녹색 컬러필터와 청색 컬러필터 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 제 1 마이크로 렌즈의 곡률반경에 비하여 상기 제 2 마이크로 렌즈의 곡률반경이 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
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