JPH04285957A - 露光方法及びレチクルの製造方法 - Google Patents
露光方法及びレチクルの製造方法Info
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- JPH04285957A JPH04285957A JP3049985A JP4998591A JPH04285957A JP H04285957 A JPH04285957 A JP H04285957A JP 3049985 A JP3049985 A JP 3049985A JP 4998591 A JP4998591 A JP 4998591A JP H04285957 A JPH04285957 A JP H04285957A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法に係り、詳し
くは半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィ
ー技術に適用することができ、特にウェーハ表面の段差
上下でフォーカスずれを生じ難くすることができる露光
方法に関する。
くは半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィ
ー技術に適用することができ、特にウェーハ表面の段差
上下でフォーカスずれを生じ難くすることができる露光
方法に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩは高集積化が要求されており
、回路パターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型化
することが要求されている。そのため、ＬＳＩを構成す
る各層の数を増してきて、その結果としてウェーハ表面
の段差が非常に大きくなってきている。そのため、ウェ
ーハ表面の段差上下において良好なパターンを形成して
いく必要がある。
、回路パターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型化
することが要求されている。そのため、ＬＳＩを構成す
る各層の数を増してきて、その結果としてウェーハ表面
の段差が非常に大きくなってきている。そのため、ウェ
ーハ表面の段差上下において良好なパターンを形成して
いく必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図９は従来の露光方法を説明する図であ
る。図９において、３１は照明系、３２は表面に段差３
３ａを有するウェーハ３３上に転写するレチクルパター
ン３２ｂが形成されたレチクルであり、このレチクル３
２は平面状の透明板３２ａ（例えば合成石英板）上にＣ
ｒ等のレチクルパターン３２ｂ（遮光膜パターン）が形
成されてなっている。３４は投影レンズ、３５はレチク
ル３２の結像面である。
る。図９において、３１は照明系、３２は表面に段差３
３ａを有するウェーハ３３上に転写するレチクルパター
ン３２ｂが形成されたレチクルであり、このレチクル３
２は平面状の透明板３２ａ（例えば合成石英板）上にＣ
ｒ等のレチクルパターン３２ｂ（遮光膜パターン）が形
成されてなっている。３４は投影レンズ、３５はレチク
ル３２の結像面である。
【０００４】従来の露光方法及びレチクルでは、ウェー
ハ３３上に転写するパターン３２ｂが描かれたレチクル
３２は、平面上の合成石英板等の透明板３２ａ上にＣｒ
等の遮光膜パターンが形成されたものを用いていたため
、ウェーハ３３上でも平面状（フラット）なパターン結
像面３５になっていた。ウェーハ３３表面に段差がある
場合、段差上部にフラットな結像面を合わせると段差下
部でフォーカスがずれ易く、段差下部にフラットな結像
面を合わせると段差上部でフォーカスがずれ易い。この
ため、従来では段差上部と下部の略中心にフラットな結
像面がくるようにフォーカス合わせをして露光すること
により所望のパターンを形成していた。
ハ３３上に転写するパターン３２ｂが描かれたレチクル
３２は、平面上の合成石英板等の透明板３２ａ上にＣｒ
等の遮光膜パターンが形成されたものを用いていたため
、ウェーハ３３上でも平面状（フラット）なパターン結
像面３５になっていた。ウェーハ３３表面に段差がある
場合、段差上部にフラットな結像面を合わせると段差下
部でフォーカスがずれ易く、段差下部にフラットな結像
面を合わせると段差上部でフォーカスがずれ易い。この
ため、従来では段差上部と下部の略中心にフラットな結
像面がくるようにフォーカス合わせをして露光すること
により所望のパターンを形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の露光方
法では、ウェーハ３３表面に段差がある場合、ウェーハ
３３上に平面状の結像面を持ってきてフォーカス合わせ
するという方法であったため、特に近時の厳しい高集積
化の要求に伴ない、フォーカス深度が浅くなってくると
フォーカスずれが生じ易く、ウェーハ３３表面の段差上
下で同等のパターン性能が得られ難いという問題があっ
た。
法では、ウェーハ３３表面に段差がある場合、ウェーハ
３３上に平面状の結像面を持ってきてフォーカス合わせ
するという方法であったため、特に近時の厳しい高集積
化の要求に伴ない、フォーカス深度が浅くなってくると
フォーカスずれが生じ易く、ウェーハ３３表面の段差上
下で同等のパターン性能が得られ難いという問題があっ
た。
【０００６】そこで本発明は、ウェーハ表面の段差上下
でフォーカスずれを生じ難くすることができ、ウェーハ
表面の段差上下で同等のパターン性能を得ることができ
る露光方法及びレチクルを提供することを目的としてい
る。
でフォーカスずれを生じ難くすることができ、ウェーハ
表面の段差上下で同等のパターン性能を得ることができ
る露光方法及びレチクルを提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法は
上記目的達成のため、縮小投影型露光装置を用いて段差
を有するウェーハ表面のレジスト膜にレチクル上のパタ
ーンを転写露光する露光方法において、該ウェーハ表面
の段差に対応した段差を有するように形成された該レチ
クル上のパターンを該ウェーハ表面のレジスト膜に転写
露光するものである。
上記目的達成のため、縮小投影型露光装置を用いて段差
を有するウェーハ表面のレジスト膜にレチクル上のパタ
ーンを転写露光する露光方法において、該ウェーハ表面
の段差に対応した段差を有するように形成された該レチ
クル上のパターンを該ウェーハ表面のレジスト膜に転写
露光するものである。
【０００８】
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図１（ａ）
に示すように、例えばレチクルパターン面位置を投影レ
ンズ側（下方）にΔＲだけずらすと、レチクルパターン
結像面位置はそれに対応してウェーハ側（下方）にΔＷ
だけずれる。本発明では、投影レンズ（位置は固定）に
対するレチクルの光軸方向の位置によってレチクルパタ
ーン結像面位置が変化することを利用し、レチクルパタ
ーンの光軸方向移動量とレチクルパターン結像面の光軸
方向の変化量に、各々レチクルパターン上の段差とウェ
ーハ表面の段差を対応させるようにする。
に示すように、例えばレチクルパターン面位置を投影レ
ンズ側（下方）にΔＲだけずらすと、レチクルパターン
結像面位置はそれに対応してウェーハ側（下方）にΔＷ
だけずれる。本発明では、投影レンズ（位置は固定）に
対するレチクルの光軸方向の位置によってレチクルパタ
ーン結像面位置が変化することを利用し、レチクルパタ
ーンの光軸方向移動量とレチクルパターン結像面の光軸
方向の変化量に、各々レチクルパターン上の段差とウェ
ーハ表面の段差を対応させるようにする。
【０００９】このように、本発明では、ウェーハ表面の
段差に対応した段差を有するように形成されたレチクル
上のパターンをウェーハ表面のレジスト膜に転写露光す
るようにしたため、ウェーハ表面の段差に対応させてレ
チクルパターン結像面を補正することができる。このた
め、従来のウェーハ上にフラットな結像面を持ってきて
フォーカス合わせをする場合よりもウェーハ表面の段差
上下でフォーカスずれを生じ難くすることができ、ウェ
ーハ表面の段差上下で同等のパターン性能を得ることが
できる。なお、図１（ｂ）はレチクルパターンの１８０
度回転像が得られる場合を例示したものである。
段差に対応した段差を有するように形成されたレチクル
上のパターンをウェーハ表面のレジスト膜に転写露光す
るようにしたため、ウェーハ表面の段差に対応させてレ
チクルパターン結像面を補正することができる。このた
め、従来のウェーハ上にフラットな結像面を持ってきて
フォーカス合わせをする場合よりもウェーハ表面の段差
上下でフォーカスずれを生じ難くすることができ、ウェ
ーハ表面の段差上下で同等のパターン性能を得ることが
できる。なお、図１（ｂ）はレチクルパターンの１８０
度回転像が得られる場合を例示したものである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
２は本発明の一実施例に則した露光方法を説明する図で
ある。図２において、１は照明系、２は表面に段差３ａ
を有するウェーハ３上に転写するレチクルパターン２ｃ
が形成されたレチクルであり、このレチクル２は段差２
ｂが形成された合成石英等の透明板２ａにＣｒ等のレチ
クルパターン２ｃ（遮光膜パターン）が形成されてなっ
ている。４は投影レンズ、５はパターン結像面である。
２は本発明の一実施例に則した露光方法を説明する図で
ある。図２において、１は照明系、２は表面に段差３ａ
を有するウェーハ３上に転写するレチクルパターン２ｃ
が形成されたレチクルであり、このレチクル２は段差２
ｂが形成された合成石英等の透明板２ａにＣｒ等のレチ
クルパターン２ｃ（遮光膜パターン）が形成されてなっ
ている。４は投影レンズ、５はパターン結像面である。
【００１１】ここでのウェーハ３は例えば露光チップ周
辺で段差３ａが低く中心部で高い場合であるため、この
ウェーハ３段差３ａに対応するようにレチクル２段差２
ｂを形成している。具体的には、レチクルパターン２ｃ
の光軸方向移動量とレチクルパターン結像面５の光軸方
向の変化量に、各々レチクルパターン２ｃの段差２ｂと
ウェーハ表面３の段差３ａを対応させるようにする。レ
チクル２上の段差２ｂは、ウェーハ３上の段差３ａがΔ
、露光装置の縮小率が１／Ｍとした時にＭ２ ×Δであ
るのが好ましい。通常、５：１の縮小投影レンズの場合
、ウェーハ３側でのパターン結像面５位置の光軸方向の
変化量に対し、レチクルパターン２ｃ面の光軸方向の変
化量は５×５倍（２５倍）であるため、ウェーハ３表面
の段差３ａに対応させてレチクル２表面の段差２ｂを形
成する。
辺で段差３ａが低く中心部で高い場合であるため、この
ウェーハ３段差３ａに対応するようにレチクル２段差２
ｂを形成している。具体的には、レチクルパターン２ｃ
の光軸方向移動量とレチクルパターン結像面５の光軸方
向の変化量に、各々レチクルパターン２ｃの段差２ｂと
ウェーハ表面３の段差３ａを対応させるようにする。レ
チクル２上の段差２ｂは、ウェーハ３上の段差３ａがΔ
、露光装置の縮小率が１／Ｍとした時にＭ２ ×Δであ
るのが好ましい。通常、５：１の縮小投影レンズの場合
、ウェーハ３側でのパターン結像面５位置の光軸方向の
変化量に対し、レチクルパターン２ｃ面の光軸方向の変
化量は５×５倍（２５倍）であるため、ウェーハ３表面
の段差３ａに対応させてレチクル２表面の段差２ｂを形
成する。
【００１２】次に、図３は図２に示すレチクルの形成方
法を説明する図である。図３において、図２と同一符号
は同一または相当部分を示し、６は透明板２ａ上に形成
されたレジスト、６ａはレジスト６がパターニングされ
形成された開口部７を有するレジストパターン、８はＣ
ｒ等からなる遮光膜、９は遮光膜８上に形成されたレジ
スト、９ａはレジスト９がパターニングされ形成された
レジストパターンである。
法を説明する図である。図３において、図２と同一符号
は同一または相当部分を示し、６は透明板２ａ上に形成
されたレジスト、６ａはレジスト６がパターニングされ
形成された開口部７を有するレジストパターン、８はＣ
ｒ等からなる遮光膜、９は遮光膜８上に形成されたレジ
スト、９ａはレジスト９がパターニングされ形成された
レジストパターンである。
【００１３】次に、そのレチクルの形成方法について説
明する。まず、図３（ａ）に示すように、合成石英透明
板２ａ上にレジスト６を塗布し、図３（ｂ）に示すよう
に、このレジスト６を露光・現像しパターニングして透
明板２ａが露出された開口部７を有するレジストパター
ンを形成し、図３（ｃ）に示すように、このレジストパ
ターン６ａをマスクとして用い、透明板２ａを異方性エ
ッチングして透明板２ａ表面に２５μｍ程度の段差２ｂ
を形成した後、マスクとして用いたレジストパターン６
ａを除去する。
明する。まず、図３（ａ）に示すように、合成石英透明
板２ａ上にレジスト６を塗布し、図３（ｂ）に示すよう
に、このレジスト６を露光・現像しパターニングして透
明板２ａが露出された開口部７を有するレジストパター
ンを形成し、図３（ｃ）に示すように、このレジストパ
ターン６ａをマスクとして用い、透明板２ａを異方性エ
ッチングして透明板２ａ表面に２５μｍ程度の段差２ｂ
を形成した後、マスクとして用いたレジストパターン６
ａを除去する。
【００１４】次に、図３（ｄ）に示すように、スパッタ
法等により段差２ｂが形成された透明板２ａ表面にＣｒ
遮光膜８を形成し、図３（ｅ）に示すように、Ｃｒ遮光
膜８上にレジスト９を塗布した後、図３（ｆ）に示すよ
うに、このレジスト９を露光・現像しパターニングして
段差２ｂ上下にレジストパターン９ａを形成する。
法等により段差２ｂが形成された透明板２ａ表面にＣｒ
遮光膜８を形成し、図３（ｅ）に示すように、Ｃｒ遮光
膜８上にレジスト９を塗布した後、図３（ｆ）に示すよ
うに、このレジスト９を露光・現像しパターニングして
段差２ｂ上下にレジストパターン９ａを形成する。
【００１５】そして、このレジストパターン９ａをマス
クとして用い、Ｃｒ遮光膜８を異方性エッチングして段
差２ｂ上下に所望のレチクルパターン２ｃを形成した後
、マスクとして用いたレジストパターン９ａを除去する
ことにより、図３（ｇ）に示すようなレチクル２を得る
ことができる。
クとして用い、Ｃｒ遮光膜８を異方性エッチングして段
差２ｂ上下に所望のレチクルパターン２ｃを形成した後
、マスクとして用いたレジストパターン９ａを除去する
ことにより、図３（ｇ）に示すようなレチクル２を得る
ことができる。
【００１６】すなわち、本実施例では、ウェーハ３表面
の段差３ａに対応した段差２ｂを有するように形成され
たレチクル２上のパターン２ｃをウェーハ３表面のレジ
スト膜に転写露光するようにしたため、ウェーハ３表面
の段差３ａに対応させてレチクルパターン結像面５を補
正することができる。このため、従来のウェーハ上にフ
ラットな結像面を持ってきてフォーカス合わせする場合
よりもウェーハ３表面の段差３ａ上下でフォーカスずれ
を生じ難くすることができ、ウェーハ３表面の段差３ａ
上下で同等のパターン性能を得ることができ、ＬＳＩ等
の歩留り向上に寄与するところが大きい。
の段差３ａに対応した段差２ｂを有するように形成され
たレチクル２上のパターン２ｃをウェーハ３表面のレジ
スト膜に転写露光するようにしたため、ウェーハ３表面
の段差３ａに対応させてレチクルパターン結像面５を補
正することができる。このため、従来のウェーハ上にフ
ラットな結像面を持ってきてフォーカス合わせする場合
よりもウェーハ３表面の段差３ａ上下でフォーカスずれ
を生じ難くすることができ、ウェーハ３表面の段差３ａ
上下で同等のパターン性能を得ることができ、ＬＳＩ等
の歩留り向上に寄与するところが大きい。
【００１７】また、従来技術の一つとしてウェーハ表面
を平坦化してパターン形成するという多層レジスト法が
あるが、これは各ウェーハ毎に多層にしなくてはならな
いのに対して本実施例ではレチクルに段差を形成するこ
とで単層でできるようになるため、スループットを向上
させることができる。
を平坦化してパターン形成するという多層レジスト法が
あるが、これは各ウェーハ毎に多層にしなくてはならな
いのに対して本実施例ではレチクルに段差を形成するこ
とで単層でできるようになるため、スループットを向上
させることができる。
【００１８】次に、本発明においては、図４（ａ）、（
ｂ）、図５（ａ）に示すように、エッジが角ばっている
と、遮光膜の断線や（図４（ａ））や、透明の場合（図
４（ｂ）、レチクルパターンが２個以上の段差上に跨が
って配置される場合）段差部の光の干渉によって暗部（
図４（ｃ））になったりするため、図５（ａ）に示す如
く角ばったエッジを図５（ｂ）に示す如くエッジを滑ら
かにするのが好ましい。
ｂ）、図５（ａ）に示すように、エッジが角ばっている
と、遮光膜の断線や（図４（ａ））や、透明の場合（図
４（ｂ）、レチクルパターンが２個以上の段差上に跨が
って配置される場合）段差部の光の干渉によって暗部（
図４（ｃ））になったりするため、図５（ａ）に示す如
く角ばったエッジを図５（ｂ）に示す如くエッジを滑ら
かにするのが好ましい。
【００１９】このようにエッジを滑らかに形成する方法
は具体的には、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、レチ
クルにエッチングによって段差を形成した後、ＳＯＧを
塗布・ベークしたり（図６（ａ））、ＣＶＤ法でＳｉＯ
２ 膜を付ける（図６（ｂ））といった膜の付加によっ
て段差エッジを滑らかにする場合であってもよい。なお
、図６（ａ）は段差形成後のレチクル基板にＳＯＧ（例
えばＯＣＤ、東京応化社製）を塗布ベークしたものであ
り、ここでのＯＣＤはハードベークすると擬似ＳｉＯ２
となり、合成石英と似たような材料になり光透過率も
高い。図６（ｂ）はＣＶＤ法でＳｉＯ２ 膜を形成した
ものであり、合成石英の成長法を適用している。
は具体的には、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、レチ
クルにエッチングによって段差を形成した後、ＳＯＧを
塗布・ベークしたり（図６（ａ））、ＣＶＤ法でＳｉＯ
２ 膜を付ける（図６（ｂ））といった膜の付加によっ
て段差エッジを滑らかにする場合であってもよい。なお
、図６（ａ）は段差形成後のレチクル基板にＳＯＧ（例
えばＯＣＤ、東京応化社製）を塗布ベークしたものであ
り、ここでのＯＣＤはハードベークすると擬似ＳｉＯ２
となり、合成石英と似たような材料になり光透過率も
高い。図６（ｂ）はＣＶＤ法でＳｉＯ２ 膜を形成した
ものであり、合成石英の成長法を適用している。
【００２０】また、図６（ｃ）に示すように、レチクル
にエッチングによって段差を形成した後、エッチングマ
スクを除去し、更に全面を等方性エッチングを施すこと
によって段差エッジを滑らかにする場合であってもよい
。
にエッチングによって段差を形成した後、エッチングマ
スクを除去し、更に全面を等方性エッチングを施すこと
によって段差エッジを滑らかにする場合であってもよい
。
【００２１】次に、本発明においては、実際に段差を形
成するパターンの場合であっても、予めウェーハ表面若
しくはチップ内表面の段差を測定しておよそ近似的なパ
ターンを新たに作り出す場合であってもよい。
成するパターンの場合であっても、予めウェーハ表面若
しくはチップ内表面の段差を測定しておよそ近似的なパ
ターンを新たに作り出す場合であってもよい。
【００２２】次に、本発明においては、レチクル上段差
を形成するパターンを、ＩＣ製造工程において所望のレ
チクルよりも先に使用するレチクルのパターンを用いて
形成する場合であってもよい。元々、ウェーハ表面の段
差は、それまでに使用してきたレチクル上のパターンに
対応して形成されているため、既存のＥＢデータの露光
によっても形成できるし、既存のレチクルを用いても形
成できる。
を形成するパターンを、ＩＣ製造工程において所望のレ
チクルよりも先に使用するレチクルのパターンを用いて
形成する場合であってもよい。元々、ウェーハ表面の段
差は、それまでに使用してきたレチクル上のパターンに
対応して形成されているため、既存のＥＢデータの露光
によっても形成できるし、既存のレチクルを用いても形
成できる。
【００２３】今、２層目のレチクルを形成するとウェー
ハ上の段差は１層目のレチクルパターンで形成されてい
るはずなので、■ １層目のＥＢデータを用いて２層
目レチクルの段差形成時のパターニングを行う。
ハ上の段差は１層目のレチクルパターンで形成されてい
るはずなので、■ １層目のＥＢデータを用いて２層
目レチクルの段差形成時のパターニングを行う。
【００２４】■ １層目のレチクルを用いて等倍露光
装置で２層目レチクルの段差形成時のパターニングを行
う。
装置で２層目レチクルの段差形成時のパターニングを行
う。
【００２５】等の場合が挙げられる。次に、本発明にお
いては、図７に示すように、ウェーハ上段差を形成する
ＬＳＩの各層の段差に対応させてレチクル上の段差を順
次形成していくために、パターニング、エッチング、膜
付けを複数回繰り返して行う場合であってもよく、具体
的には、図７（ａ）に示すように、レチクル基板上にレ
ジストパターンを形成し、図７（ｂ）に示すように、こ
のレチクルパターンをマスクとしてレチクル基板を異方
性エッチングして段差を形成し、図７（ｃ）に示すよう
に、ＳｉＯ２ 膜を形成した（形成しなくてもよい）後
、図７（ｄ）に示すように、段差上下でレジストパター
ンを形成し、図７（ｅ）に示すように、このレジストパ
ターンをマスクとしてレジスト基板を異方性エッチング
して大きな段差の中に更に小さな段差を形成する。この
ように、図７（ｃ）〜（ｅ）までの工程を繰り返すこと
によって図７（ｆ）に示すようなウェーハ表面に対応し
た段差を有するパターンを得ることができる。そして、
各段差に遮光膜のレチクルパターンを形成することによ
りレチクルが完成する。
いては、図７に示すように、ウェーハ上段差を形成する
ＬＳＩの各層の段差に対応させてレチクル上の段差を順
次形成していくために、パターニング、エッチング、膜
付けを複数回繰り返して行う場合であってもよく、具体
的には、図７（ａ）に示すように、レチクル基板上にレ
ジストパターンを形成し、図７（ｂ）に示すように、こ
のレチクルパターンをマスクとしてレチクル基板を異方
性エッチングして段差を形成し、図７（ｃ）に示すよう
に、ＳｉＯ２ 膜を形成した（形成しなくてもよい）後
、図７（ｄ）に示すように、段差上下でレジストパター
ンを形成し、図７（ｅ）に示すように、このレジストパ
ターンをマスクとしてレジスト基板を異方性エッチング
して大きな段差の中に更に小さな段差を形成する。この
ように、図７（ｃ）〜（ｅ）までの工程を繰り返すこと
によって図７（ｆ）に示すようなウェーハ表面に対応し
た段差を有するパターンを得ることができる。そして、
各段差に遮光膜のレチクルパターンを形成することによ
りレチクルが完成する。
【００２６】次に、本発明においては、図８（ａ）に示
すように、遮光膜で形成されたパターンの表面を透明薄
膜で被覆されるように形成してもよく、この場合、特に
段差エッジ部での遮光膜をはがれ難くすることができ好
ましい。なお、透明薄膜にはＳＯＧ、ＣＶＤ−ＳｉＯ２
等の薄膜が挙げられる。また、この遮光膜を保護する
透明薄膜が同じ厚さで形成できればよいが、図８（ｂ）
に示すように、異なる場合、段差Δは実効的にｎ・Δ（
ｎ≧１）になるため、透明薄膜を付けない場合の所望の
段差Δｘに対して、１／ｎ倍の段差にして形成すればよ
く、この場合、形成される段差が低減でき好ましい。
すように、遮光膜で形成されたパターンの表面を透明薄
膜で被覆されるように形成してもよく、この場合、特に
段差エッジ部での遮光膜をはがれ難くすることができ好
ましい。なお、透明薄膜にはＳＯＧ、ＣＶＤ−ＳｉＯ２
等の薄膜が挙げられる。また、この遮光膜を保護する
透明薄膜が同じ厚さで形成できればよいが、図８（ｂ）
に示すように、異なる場合、段差Δは実効的にｎ・Δ（
ｎ≧１）になるため、透明薄膜を付けない場合の所望の
段差Δｘに対して、１／ｎ倍の段差にして形成すればよ
く、この場合、形成される段差が低減でき好ましい。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハ表面の段差上
でフォーカスずれを生じ難くすることができ、ウェーハ
表面の段差上下で同等のパターン性能を得ることができ
るという効果がある。
でフォーカスずれを生じ難くすることができ、ウェーハ
表面の段差上下で同等のパターン性能を得ることができ
るという効果がある。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例に則した露光方法を説明する
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例に則したレチクルの形成方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図４】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図５】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図６】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図７】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図８】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図９】従来例の露光方法を説明する図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 縮小投影型露光装置を用いて段差を有
するウェーハ表面のレジスト膜にレチクル上のパターン
を転写露光する露光方法において、該ウェーハ表面の段
差に対応した段差を有するように形成された該レチクル
上のパターンを該ウェーハ表面のレジスト膜に転写露光
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記レチクル上のパターンは２個以上
の段差上に跨がって配置されていることを特徴とする請
求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記レチクルの段差はウェーハ上の段
差がΔ、露光装置の縮小率が１／Ｍとした時にＭ２ ×
Δであることを特徴とする請求１乃至２記載の露光方法
。 - 【請求項４】 レチクル上の段差部の端が滑らかに形
成されていることを特徴とする請求項１乃至３記載の露
光方法。 - 【請求項５】 レチクル上段差を形成するパターンは
、ＩＣ製造工程において、所望レチクルよりも先に使用
するレチクルのパターンを用いて形成されることを特徴
とするレチクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049985A JPH04285957A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 露光方法及びレチクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049985A JPH04285957A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 露光方法及びレチクルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285957A true JPH04285957A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12846314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3049985A Pending JPH04285957A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 露光方法及びレチクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04285957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075675A (ja) * | 1993-03-04 | 1995-01-10 | Samsung Electron Co Ltd | マスク及びその製造方法 |
| JP2008047873A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59160144A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS63131143A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Toshiba Corp | フオトマスク |
| JPH02140914A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03203737A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Ltd | マスクおよび露光装置 |
| JPH04216553A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造用マスク |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3049985A patent/JPH04285957A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59160144A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS63131143A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Toshiba Corp | フオトマスク |
| JPH02140914A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03203737A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Ltd | マスクおよび露光装置 |
| JPH04216553A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造用マスク |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075675A (ja) * | 1993-03-04 | 1995-01-10 | Samsung Electron Co Ltd | マスク及びその製造方法 |
| JP2008047873A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000208 |