WO2006006318A1 - マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法 - Google Patents

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WO2006006318A1
WO2006006318A1 PCT/JP2005/010076 JP2005010076W WO2006006318A1 WO 2006006318 A1 WO2006006318 A1 WO 2006006318A1 JP 2005010076 W JP2005010076 W JP 2005010076W WO 2006006318 A1 WO2006006318 A1 WO 2006006318A1
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dust
mask blank
thin film
resist
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Hideo Kobayashi
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Hoya Corporation
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Definitions

  • the present invention relates to a mask blank that is a material for a pattern transfer mask stamper, a manufacturing method thereof, and a transfer plate manufacturing method.
  • Mask blanks are used as a material for pattern transfer masks of the photolithography method and stampers of the nano-imprint method.
  • the mask blank is a mask for pattern transfer
  • a resist film is formed on various mask functional thin films formed on the substrate surface, or an antireflection film or a conductive film is formed on or below the resist film.
  • a protective film may be formed to protect these thin films from the surrounding environment (for example, chemical contamination).
  • a nanoimprint stamper for example, a thin film used in a mask manufacturing process for forming fine irregularities on a substrate surface, that is, a mask layer and a Z or resist film may be formed.
  • the mask functional thin film formed on the substrate surface includes a light shielding film, a phase shift film (in the case of a phase shift mask), a reflective film, and an absorption film (an X-ray mask, In the case of EUV masks), there are antireflection films. These thin films are used to form a predetermined transfer pattern image on the transfer object by performing some action on the transfer exposure light, such as allowing the transfer exposure light to pass, blocking the passage, or reflecting it. It is.
  • the mask blank with resist is formed by sequentially forming a light shielding film and an antireflection film on a substrate made of synthetic quartz or the like by a sputtering method or the like, and applying a resist thereon by a spin coating method or the like.
  • a resist film formed in this way an unnecessary raised portion is generated at the peripheral portion of the substrate (a portion along the four sides of the main surface of the substrate), and the side end surface of the substrate is not defective. In many cases, the necessary resist is formed!
  • the mask blank with resist is stored in a storage container or the like during transportation or storage.
  • a glass substrate storage container described in Patent Document 1 is used as the storage container.
  • the storage container described in Patent Document 1 includes an inner box and an outer container that stores the inner box. On the inner side wall of the inner box, a pair of opposing storage grooves that hold and slide-guide while holding both side edges of the substrate in a restrained position are disposed at regular intervals.
  • the outer box stores and fixes the inner box.
  • the mask blank with resist has an undesired rising force S portion at the peripheral portion thereof, and unnecessary resist is also formed on the side end surface of the substrate. For this reason, when the mask blank with resist is stored in or removed from the inner box, it is inevitable that the unnecessary raised portion or unnecessary resist will rub against the storage groove. . Even when held in the storage groove, it is inevitable that the unnecessary raised portion and unnecessary resist will rub against the storage groove of the inner box when vibration or impact is applied by transportation, transportation, or the like.
  • Patent Document 1 JP 2003-264225 PR
  • Patent Document 2 Japanese Patent Publication No.57-13863
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 63-160332
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-259502
  • the elapsed time (or elapsed days) from the application of the resist to the exposure process in the mask manufacturing process varies.
  • the variation in elapsed time and the number of days until the exposure process affects the variation in the resist sensitivity, and when the resist process (so-called patterning) conditions such as exposure and development are fixed, the elapsed time and the like are not known.
  • the resist film formed on the mask brandus has a so-called post-coating delay (PCD: Post-Coating Delay) resist type that has little change in sensitivity after coating and has excellent stability after coating. A good resist type is selected and used.
  • PCD Post-Coating Delay
  • quencher an additive (for example, amines) called “quencher” is intentionally used as a resist having good post-coating stability, which has been widely used recently. Many have been added. However, while this quencher improves the stability after coating, the resist sensitivity cannot be raised to a certain extent, and there are restrictions in resist design or selection of mask blank resist.
  • resist Higher sensitivity is desirable.
  • the force that can change the sensitivity of the resist due to resist heating caused by the electron beam exposure It is desirable that such fluctuations be as small as possible. In other words, it is desirable to have exposure stability.
  • the amount of change in resist sensitivity with time after coating which has conventionally been accepted, is required to achieve a higher level of miniaturization and does not meet the sensitivity stability. It is coming. Therefore, it is desirable to form the resist film immediately before the exposure process in the mask manufacturing process.
  • mask blanks with a mask functional thin film that optically acts on the transfer exposure light on the substrate surface are stored in the storage container described above, they are transferred to the mask manufacturing process and transported or stored. (Thin film optically acting on the transfer exposure light)
  • the adhesion of foreign matter or chemical contaminants to the surface affects the quality or performance of the resist film applied and formed immediately before the exposure process in the mask manufacturing process. Causes mask defects (including pattern size variation) or mask manufacturing yield.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and is capable of manufacturing mask blanks.
  • the present invention provides a mask blank, a method for manufacturing the mask blank, and a method for manufacturing a transfer plate, which can effectively prevent the possibility of causing inconvenience due to adhesion to the film.
  • the gist of the invention is as follows, as described in the claims.
  • the first means is A mask blank as a material for a pattern transfer mask or stamper, in which a mask functional thin film optically acting on transfer exposure light and a thin film used in a Z or mask manufacturing process are formed on a substrate surface,
  • a mask pattern for pattern transfer or unevenness for pattern transfer is formed on the main surface of the mask blank on the side where the mask functional thin film and Z or a thin film used in the mask manufacturing process are formed.
  • the mask blanks are characterized in that a lid-shaped dustproof protective device that forms a sealed space in contact with the ineffective area without being in contact with the effective area is detachably fixed.
  • the surface defect (foreign matter) can be prevented from increasing, and the quality immediately after completion of the mask blank can be provided to the mask manufacturing process, and the occurrence of the mask defect due to the surface defect (foreign matter) can be prevented.
  • a means for improving the mask manufacturing yield can be provided.
  • the resist film is not affected by the resist film (for example, it is alkaline or has a low acid gas release!) By using a constituent material, and the resist film by having the dust protector attached.
  • the mask can be manufactured by pattern formation without any functional deterioration.
  • the second means is
  • the dust-proof protective equipment is on the mask blank surface.
  • the mask blank is characterized in that it is fixed by using either a vacuum suction, a sucker sheet, or a thermoplastic adhesive that has adhesiveness at room temperature and loses or loses adhesiveness when heated.
  • the dust-proof protective device can be securely attached and fixed to the mask blunts, and the dust-proof protective device can be removed safely and easily without damaging the mask blunts.
  • a new source of dust that does not have to worry about the residue of the adhesive remaining after the dust protective device is removed does not occur.
  • it is not necessary to use an adhesive or the like it is possible to eliminate the possibility of release of the chemical substance (gas) from the adhesive that causes deterioration of the performance of the resist film.
  • the second means is:
  • the dust-proof protective device is a mask blank characterized in that a suction cup sheet is provided at the bottom part that comes into contact with the mask blank surface, and is fixed to the mass tub surface.
  • the equipment required for the vacuum adsorption method as described above is not necessary.
  • this means since no adhesive is required, it is possible to eliminate the possibility of releasing chemical substances that cause deterioration of the performance of the resist film.
  • the resin material constituting the sucker sheet as the means a material that does not contain a chemical substance that causes the performance deterioration of the resist film may be selected in advance.
  • the second means is:
  • the dust-proof protective device is a mask blank characterized by having an adhesive property at normal temperature on the mask blank surface and being fixed by a thermoplastic adhesive whose adhesiveness is reduced or lost when heated.
  • the equipment required for the vacuum adsorption method as described above is not necessary.
  • the dust protection device very safely and easily.
  • heat treatment using a hot plate type heat treatment device widely used in the mask manufacturing process is possible, and the adhesive function (decrease in adhesiveness due to heating) allows the heat treatment to be mounted and fixed on the mask brand.
  • the dust-proof protective equipment that had been removed can be removed.
  • the third means is:
  • thermoplastic adhesive is an adhesive that allows the dustproof protector to be peeled off from the mask blank surface at a temperature higher than normal temperature and lower than a heat treatment temperature after resist film formation. It is a mask blank.
  • the equipment required for the vacuum adsorption method which is the second means, is unnecessary, and in contrast to the third means, the dust protection device is pulled when the dust protection device is removed. Therefore, almost no mechanical force is required to peel off the suction cup of the suction cup sheet, and it is possible to remove the dust-proof protective equipment very easily.
  • the heat treatment temperature (pre-beta temperature) after the application of the resist film formed on the mask grantas is used as a temperature at which the adhesiveness of the thermoplastic adhesive that decreases its adhesiveness when heated.
  • PB temperature heat treatment temperature
  • the fourth means is:
  • the dust-proof protective device is a mask blank characterized in that a surface facing the mask blank surface is transparent to visible light or inspection light.
  • the fifth means is: A mask blank according to any one of the first to fourth means,
  • the mask blank is characterized in that the resist film on the surface of the substrate on which the dustproof protector contacts is removed.
  • Mask blanks for manufacturing mask blanks which are mask transfer materials or stamper materials, on which mask functional thin films that optically act on transfer exposure light and thin films used for Z or mask manufacturing processes are formed on the substrate surface
  • mask transfer materials or stamper materials on which mask functional thin films that optically act on transfer exposure light and thin films used for Z or mask manufacturing processes are formed on the substrate surface
  • a dust-proof device mounting process for mounting a lid-shaped dust-proof protective device that forms a closed space in contact with the ineffective area without contact;
  • the mask blanks and the storage container due to the dust generated by rubbing both when the mask blanks are put in and out of the storage container, and the vibration or impact when the mask blanks are stored, moved or transported in the storage container.
  • dust generation due to rubbing between the constituent members of the storage container, and foreign matter contamination (increase in foreign matter) on the mask blanks (that is, the uppermost surface of various thin films formed on the mask blanks) due to them are greatly reduced.
  • the quality immediately after mask blanks manufacturing foreign particle defect quality
  • the seventh means is:
  • the mask blanks according to any one of the above means 1 to 5 are used. Forming the mask pattern after removing the dust-proof protective device of the mask brandus,
  • the mask blanks and the storage container due to the dust generated by rubbing both when the mask blanks are put in and out of the storage container, and the vibration or impact when the mask blanks are stored, moved or transported in the storage container.
  • dust generation due to rubbing between the constituent members of the storage container, and foreign matter contamination (increase in foreign matter) on the mask blanks (that is, the uppermost surface of various thin films formed on the mask blanks) due to them are greatly reduced. That is, a mask manufacturing process capable of maintaining and ensuring the quality immediately after manufacturing mask blanks (foreign particle defect quality) is provided.
  • mask blanks due to foreign matter contamination (increased foreign matter) on the mask blanks (that is, the uppermost surface of various thin films formed on the mask grantas) after the mask blanks are manufactured.
  • a mask manufacturing method that prevents the occurrence of a depression and prevents a reduction in mask manufacturing yield.
  • the mask brand in the present invention is used in a broad sense, and is formed with a light shielding film having a function of shielding the transfer exposure light, and the phase difference with respect to the transfer exposure light.
  • a film formed with a phase shift film having a function of causing change, a light semi-transmissive film with a halftone phase shift film having a light shielding function for transfer exposure light and a function of causing a phase difference change, transfer exposure A film formed with a reflective film having a function of reflecting light, a film formed with an absorption film having a function of absorbing reflection exposure light and suppressing reflection, etc., or a film formed of a laminated film thereof.
  • the conductive film is singly or stacked
  • the "! / ⁇ " on the resist film includes an environmental protection film formed on a laminated film including the resist film. Further, these films may not be formed.
  • the mask blank in the present invention includes a master plate used for a chromeless mask, a stamper used in nanoimprint technology, and the like.
  • This original plate is a substrate in which a thin film used in a mask manufacturing process for forming fine irregularities on the substrate surface, that is, a mask layer and / or a resist film is formed.
  • the mask layer may be a single layer film or a laminated film formed with a plurality of layers.
  • the material of the mask layer is preferably a material having an etching selection ratio of a predetermined value or more with respect to the substrate or the like under the mask layer.
  • the mask blanks include all mask materials such as LSI (semiconductor circuit) mask blanks and various PD (panel display) mask blanks.
  • the material of the substrate is not particularly limited. Synthetic quartz glass, alkali-free glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, and soda lime glass are generally used as transparent substrates.
  • the substrate material for the reflective mask is made of ultra low expansion glass or ultra low expansion ceramic.
  • the thin film formed on the substrate surface can be a light-shielding film, a phase shift film (in the case of a phase shift mask), a reflective film or an absorption film (in the case of an X-ray mask or EUV mask). Or an anti-reflective film, etc.
  • These thin films act on the transfer exposure light, such as passing or blocking the transfer exposure light, to transfer a predetermined transfer pattern image.
  • a thin film used in a mask manufacturing process such as a resist film, is also included.
  • the resist may be either a negative type or a positive type.
  • the resist type is not particularly limited. For light (ultraviolet light, far ultraviolet light, etc.) exposure drawing, electron beam exposure drawing, etc., anything is acceptable.
  • the method for forming the resist is not particularly limited. Any method such as spin coating, Capillary coating, and Scan coating may be used.
  • the dust-proof protective device does not contact the effective area where the mask pattern is formed on the main surface of the mask blank, but forms a sealed space by contacting the ineffective area, that is, effective.
  • the lid shape does not directly damage the resist film or other thin film in the region and does not damage it, anything that defines the shape may be used.
  • the enclosed space is completely shielded from the environment where it is transported, transported or stored. It is not limited to what is to be refused, but it is acceptable if the space is closed to the extent that foreign matter, scientific contaminants, etc. do not adhere to the main surface of the mask blank.
  • the dustproof protector is removed, for example, immediately before using the mask blanks, that is, prior to the resist exposure process which is the first main process of the mask manufacturing process.
  • a resist is applied just before the resist exposure process of the mask manufacturing process, or a thin film used for a mask manufacturing process such as an antireflection film and / or an antistatic film is formed. Remove dust protection before applying resist (or other thin film).
  • the mask branch is stored in the storage container, transferred, transported or stored, and then the mask branch is removed from the storage container. Maintained until just before use.
  • the material composition of the dust protection device is the function or quality of mask blanks or mask functional films that optically act on transfer exposure light, resist films used in the mask manufacturing process, and the mask manufacturing process. Those that do not have any influence are selected in advance.
  • Mask blank transfer pattern (mask stamper) manufacturing process, or mask foreign matter forms a mask pattern for pattern transfer on the main surface of the mask blank, or irregularities for pattern transfer, when storing or transporting mask blanks It is possible to effectively prevent the possibility of causing inconvenience, for example, by directly adhering to the effective area.
  • FIG. 1 and FIG. 2 are explanatory views of a mask blantas manufacturing method and a mask manufacturing method which are useful for the embodiment of the present invention.
  • mask blanks are manufactured according to a conventional method.
  • Appropriately polished 152.4 mm x 152.4 mm and 6.35 mm thick synthetic quartz glass 1 (Figure 1 (A)), as shown in Figure 1 (B)
  • a light-shielding film 2 having a thickness of 45 nm mainly composed of chromium is formed by a sputtering method, and subsequently, a film having a thickness of 25 nm mainly comprising chromium oxide is formed on the light-shielding film 2.
  • the antireflection film 3 was formed by a sputtering method.
  • a resist 4 positive chemical amplification type electron beam lithography exposure
  • FEP171 manufactured by Fujifilm Arch
  • a known unnecessary film removing apparatus for example, the apparatus described in Patent Document 5
  • an organic solvent as a solvent
  • the number of foreign matter defects on the main surface of the mask blank was measured with a laser scanning foreign matter inspection device (GM-1000, manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd.). This measurement is to count the number of foreign particles (size of 0.25 ⁇ m or more) on the surface of the 142 mm square (substrate center) effective area of the mask brand.
  • GM-1000 manufactured by Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd.
  • the shape of the dust-proof protective device 5 is specifically a lid shape that covers the main surface of the resist-coated mass tabs 101, and is large from the center of the substrate to the periphery.
  • the part has a substantially horizontal flat part (square-shaped top plate) and is bent downward substantially perpendicularly at all ends (four sides of the square plate) of this flat part to form a side wall part. ing.
  • the dust protection device 5 When the dust protection device 5 is mounted on the main surface of the mask blank 101 with a resist, a groove is formed on the bottom portion of the side wall portion of the dust protection device to maintain the airtightness. It is in contact with the ineffective area of the main surface of the mask blanks with resist 101 through the sealant 11 such as a gasket (area outside the center 142mm square of the substrate), and the area excluding the bottom of the side wall is the effective area of the mask blantas ( It has a structure that forms a sealed space that is not in direct contact with the 142mm square area of the substrate center.
  • the sealant 11 such as a gasket (area outside the center 142mm square of the substrate)
  • a tube 13 is connected to the center of the flat portion (top plate) of the dust-proof protective device 5 via a joint 12, and connected to the tip (flat portion (ceiling plate) of the dust-proof protective device).
  • Tube 13 At the opposite end), a normally closed stop valve 14 (air operated type in this example) is arranged, and from the stop valve 14 through another tube 13 to a vacuum pump 15 (diaphragm type dry pump, etc.) It is connected.
  • the dust protection protector 5 is specifically made of PEEK (poly'ether ether ketone) material 150mm square, height 2mm, wall thickness lmm, wall thickness 2mm
  • FIG. 3 is a lid-shaped dust-proof protective device shown in FIG.
  • the dust-proof protective device 5 was attached and fixed as follows.
  • the mask blank 101 with resist is fixed to a fixing jig (for example, a vacuum chuck) with the main surface facing upward,
  • the dust-proof protective device 5 was placed on the main surface of the mask blank 101 with a resist by aligning the center of the dust-proof protective device 5 with the center of the mask blank 101 with a resist.
  • the contact part between the dust-proof protective device 5 and the mask blank 101 is arranged at the part where the unnecessary resist film is removed in advance (the chromium oxide film is exposed) and the bottom of the side wall part of the dust-proof protective device as described above.
  • Sealing material 11 such as O-ring.
  • the normally closed stop valve 14 is opened, and the vacuum pump 15 is operated in a state where the normally closed stop valve 14 is opened (actuated).
  • the normally closed stop valve 14 is closed.
  • the tube 13 and the vacuum pump 15 ahead of the stop valve 14 were removed.
  • the dust-proof protective device 5 is vacuum-sucked and held on the mask blank 101 by the sealed decompression space formed by the above operation, and the photomask blank 102 with the dust-proof protective device of the present invention is completed.
  • the obtained mask blanks 102 with dust protection equipment (Fig. 1 (E)) was placed in a storage container.
  • the storage container includes an outer box and an inner box, and a storage groove is formed in the inner box (see, for example, Patent Document 1).
  • This inner box was accommodated in a predetermined holding state in the outer box. After covering the outer box and fixing it with vinyl tape, placing it in a resin-made bag and heat-sealing it to prevent the entry of foreign objects from outside, cushioning material and cardboard
  • the packaging was made up of the shipping boxes, and vibration test processing was performed assuming mask plantus transportation.
  • This vibration test is a vibration test process according to "MIL STD-810D 514.3 in general vehicle environment (however, it is processed in three directions of XYZ as acceleration twice)" as an acceleration evaluation test.
  • the storage container containing the mask brand is taken out of the above-mentioned transport packaging, placed in the above-mentioned resin bag, and heat-sealed. It was left in a clean room where temperature and humidity were controlled for 30 days (as above, transport and storage of mask blanks in the form shown in Fig. 2 (F)).
  • the storage container force of the mask blanks 102 with the dustproof protector after storage was taken out, and the dustproof protector 5 was removed.
  • the normally-closed stop valve 14 that is closed after the decompression process is connected to the top plate of the dust-proof protective device 5 to form a decompression sealed space, and the above-mentioned sealing is performed.
  • the dust protection device 5 was released from the fixed state and became removable.
  • the air supplied by opening the normally closed stop valve 14 in order to return the above-mentioned sealed pressure reducing space to normal pressure is supplied to the stop valve 14 (i.e., the other valve 13 through the filter). , The above-mentioned sealed space).
  • the number of foreign matters increased by 0.2, which was a value equivalent to the measurement reproducibility of the laser scanning foreign matter inspection device, which was very small.
  • the increase in the number of foreign objects was the average value of the increase in the number of foreign substances in the five mask brands stored in the storage container.
  • the result of obtaining the force increase tl (difference) of the foreign material before and after the vibration test process under the same conditions except that the force was not applied to the dustproof protective device 5 showed that the number of increased foreign materials was 68.
  • the dust resist protective film was not provided and at the same time the unnecessary resist film on the periphery of the mask blank was removed, the number of similar foreign matters increased to 284.
  • the resist film 4 was subjected to pattern exposure, post-exposure baking, and then development to form a resist pattern 4a.
  • the exposure of the resist film 4, the post-exposure beta, and the development treatment were performed as follows. That is, the resist film 4 (above FEP171) is exposed by an electron beam exposure apparatus (acceleration voltage 20 kV, exposure amount 3.5 ⁇ CZcm2), and after exposure, heat treatment (PEB: Post-Exposure Bake treatment, 150 ° C, 10 ° C) And processing (spray method, 2. 38% ⁇ 38 developer, processing for 60 seconds) The strike pattern 4a was formed.
  • the dimension of the space portion of the resist pattern 4a thus formed was measured with a length measuring SEM, and the result was 414 nm.
  • the resist film was patterned by patterning under the same conditions as above.
  • the size of the space portion of the space pattern was 41 lnm.
  • the difference in dimension (3 nm) in the space part of both line 'and' space 'patterns is below the range of errors due to the stability of the patterning process including the measurement means used. It is judged that the adoption of this has had no effect on the performance of the resist film.
  • the mask functional film (antireflection film 3 and light shielding film 2) is subjected to etching treatment (FIG. 2).
  • the resist pattern 4a was peeled and removed to complete the mask (reticle) 103 (02 ⁇ ).
  • the mask created with the mask blanks equipped with dust-proof protective equipment had no pattern defects.
  • the mask mask blanks without dust-proof protective equipment were used.
  • the masks produced in this way had pattern defects, and in particular, many were found to be able to remove unnecessary resist films on the periphery of the mask blanks.
  • a vacuum is formed by connecting a sealed space formed by a sealing material embedded in a groove at the bottom of the side wall of the dust-proof protective device and a stop knob.
  • the vacuum adsorption method in which the pressure is reduced by the pump to form the reduced pressure sealed space is used, it is not limited to this constituent means.
  • the following embodiments are effective.
  • the dust-proof protective device As another means of attaching and fixing the dust-proof protective device to the mask grantas using the vacuum suction method using a vacuum sealed space, specifically, it is embedded in the groove at the bottom of the side wall of the dust-proof protective device as shown in FIG.
  • the normally closed stop valve is opened (operated) using the space formed by the sealing material 11 such as an O-ring gasket for maintaining high airtightness and the normally closed stop valve 14 provided on the top plate, etc.
  • the above mask bra with dust protection It is also possible to form a vacuum sealed space by putting the vacuum into the vacuum tight chamber 16 and operating the vacuum pump 15 connected to it to reduce the pressure, and then closing the normally closed stop knob 14 (stopping the operation). good.
  • sealing material such as an O-ring gasket for maintaining embedded airtightness 11
  • seals such as sealing and gasketing for maintaining another airtightness in an opening formed in, for example, the side wall portion of the dust protective device.
  • a dustproof protective device provided with a heat sealing resin bag 18 that can be sealed by heat (heat sealing) fixed by a fixing plate 17 through a material 11a.
  • a vacuum packing apparatus that is widely used in general (for vacuum packing of food, etc.) can be used for mounting and fixing the dust-proof protective equipment.
  • removal of the dust-proof protective equipment ie, as a means for returning the sealed decompression space to normal pressure
  • the MAST-BLANX is as simple as cutting the aforementioned heat-sealing grease bag.
  • the dust-proof protective device As another means of attaching and fixing the dust-proof protective device to the mask blantas using the vacuum suction method using the reduced pressure sealed space, specifically, it is embedded in the groove at the bottom of the side wall of the dust-proof protective device as shown in FIG. It is also possible to form a reduced pressure sealed space by using a sealing material 11 such as an O-ring gasket for maintaining airtightness and a suction cup mechanism 19 provided on the top plate.
  • a sealing material 11 such as an O-ring gasket for maintaining airtightness and a suction cup mechanism 19 provided on the top plate.
  • the position of the suction cup mechanism 19 should be Any location where a reduced pressure sealed space with an O-ring for fixing the dust protector can be formed is acceptable.
  • the suction cup mechanism 19 is provided with a suction cup vertical movement mechanism, a fixing mechanism, and an outer frame.
  • the suction cup is lowered when placing or removing the dust protection protector.
  • When mounting and fixing the unit it has a mechanism that raises the suction cup to reduce the pressure in the sealed space, and the volume required to fix the dust-proof protective device by reducing the pressure in the sealed space (due to the vertical movement of the suction cup) As long as there is a volume change amount, anything is acceptable.
  • the increase (difference) in foreign matter before and after the vibration test process was examined, but the increase in foreign matter was the same as in the first embodiment.
  • the mask pattern created using this mask brand was inspected for pattern defects.
  • the mask blunts and the dust-proof protective device 5 can be fixed.
  • a means using the suction cup sheet 20 may be taken. Specifically, as shown in FIG. 7, a suction sucker sheet 20 that has a sebum isotropic force is adsorbed in advance to the bottom of the side wall portion of the dust protection protector 5, and then this is applied to the ineffective area of the mask brandus (142 mm square at the center of the substrate). It may be adsorbed to the outer area.
  • the sucker pattern of the sucker sheet 20 may be any shape such as a mesh shape, a dimple shape, or a her cam shape.
  • the sucker pattern does not penetrate the inside and outside of the sealed space. It is preferable to do.
  • suction cup sheet 20 is a suction cup sheet on both sides
  • one side (the side in contact with the mask blanks) is the suction cup sheet
  • one side (the side on which the suction cup sheet is fixed to the dustproof protector) is composed of some adhesive. It ’s okay to be angry.
  • the increase (difference) in foreign matter before and after the vibration test process is adjusted.
  • the increase in the number of foreign matters was the same as in the first embodiment.
  • the mask pattern created using this mask brand was inspected for pattern defects.
  • the dust protection device As another means for attaching and fixing the dust protection device to the mask blank substrate, as described in the fourth means of the present invention (Claim 4), it has adhesiveness at room temperature, and the adhesiveness decreases when heated.
  • a lost thermoplastic adhesive 21 can be used. Specifically, as shown in FIG. 8, the adhesive 21 is applied to the bottom of the side wall portion of the dust-proof protective device 5, and the dust-proof protective device 5 is fixed to the mask blank 101 with the adhesive 21.
  • the above double-sided adhesive tape is coated on one side of the base material (polyester), which has adhesiveness at room temperature and deteriorates when heated, and the other side adhesive adhesive side is protected against dust. Affixed to the bottom of the side wall of the film, and then the thermoplastic adhesive side, whose adhesiveness decreases when heated, is adhered to the ineffective area of the mask blantas (area outside the 142mm square of the substrate center).
  • a hot plate type heat treatment apparatus Prior to using mask blanks in the mask manufacturing process, a hot plate type heat treatment apparatus widely used in the mask manufacturing process is used. Process at heating temperature (eg, 7.5 minutes at 150 ° C). Due to the function of the adhesive (adhesion is reduced by heating), it is possible to remove the dust / protective protective equipment that has been fixed on the mask Blanctus!
  • the above-mentioned commercially available double-sided adhesive tape which has an adhesive property at a specific room temperature and is coated on one side of the base material with adhesiveness that decreases when heated, is used.
  • the increase (difference) in foreign matter before and after the vibration test process was examined, but the increase in foreign matter was the same as in the first embodiment.
  • the mask pattern created using this mask brand was inspected for pattern defects.
  • thermoplastic adhesive 21 which has adhesiveness at room temperature and decreases in adhesiveness when heated
  • the thermoplastic adhesive used has a temperature at which the adhesiveness is reduced or lost as another configuration. It is particularly preferable to use the thermoplastic adhesive 22 at a temperature higher than normal temperature and lower of either the beta treatment after resist coating or the baking treatment after exposure, which is lower than the other temperature.
  • thermoplastic adhesive that has adhesiveness at room temperature and decreases when heated. Affixed to the bottom of the side wall of the adhesive, and then the masked adhesive with resist is attached to the side of the thermoplastic adhesive whose adhesiveness decreases when heated (the resist is a positive chemically amplified resist for electron beam exposure drawing, FEP171 (Fuji Adhere to the non-effective area of Film Arch))).
  • a hot plate type heat treatment apparatus Prior to using mask blanks in the mask manufacturing process, a hot plate type heat treatment apparatus widely used in the mask manufacturing process is used. Process at heating temperature (in this example, 7.5 minutes at 90 ° C). Due to the function of the adhesive (adhesiveness is reduced by heating), the dust-proof protective equipment can be removed when it is attached and fixed to the mask brand.
  • the resist FEP171 exhibits the maximum performance when both the beta treatment temperature after coating and the beta treatment temperature after exposure are processed at 130 to 150 ° C. Even if additional heat treatment is performed, if the heating temperature is lower than the above temperature range, the performance is not affected. It has been confirmed that it has not been received.
  • the above-mentioned commercially available double-sided adhesive tape coated with one side of the base material with a thermoplastic adhesive that has adhesiveness at a specific normal temperature and decreases when heated is used. It is preferable to select an adhesive and a base material for a double-sided tape using the adhesive without affecting the performance of the film.
  • the increase (difference) in foreign matter before and after the vibration test process was examined, but the increase in foreign matter was the same as in the first embodiment.
  • the mask pattern created using this mask brand was inspected for pattern defects.
  • FIG. 4 A pellicle having a transparent film 22 such as -trocell loose on one side can be used.
  • the pellicle is attached to the mask brand via an adhesive.
  • a dust protection device is attached to the mask blank instead of the pellicle attachment adhesive. Any one of the second and third means may be used as the means.
  • the dust-proof protector is mounted and fixed after selectively removing the unnecessary resist film on the peripheral edge of the substrate, but the unnecessary resist film on the peripheral edge of the substrate may not be removed. However, it is preferable to remove an unnecessary resist film on the peripheral green portion of the substrate before attaching and fixing the dustproof protector.
  • Resist film (mask blanks) with dust protection Although the surface is protected from the direct adhesion of dust, the unnecessary resist film is removed in advance from the peripheral edge of the substrate or the contact with the dust-proof protective device, and the generation of dust itself is suppressed. For example, when attaching or removing dust protective equipment, contamination of the mask blank surface by these dusts (increased foreign matter) can be suppressed. This applies only to the case where a dust-proof protective device is attached to mask planks in which only a resist film is formed, and even when an anti-reflection film, a conductive film, an environmental protection film, etc. are laminated.
  • the dust-proof protective device is attached after the resist film is formed.
  • the light-shielding film Alternatively, a dust protection device may be attached after the uppermost film is formed, such as an absorption film.
  • the number of foreign matters on the mask blank (resist film) surface is then measured with a laser scanning foreign matter inspection device. After that, a dust protection device was attached, but a dust protection device may be attached immediately after applying the resist. As a result, it is possible to prevent the dust from directly adhering to the surface of the mask plane (that is, the resist film) in the foreign matter inspection process after applying the resist.
  • the dust protection device is removed, and the exposure of the mask brand (resist film) surface is performed by the laser scanning type particle inspection apparatus prior to the exposure process.
  • the number of foreign objects was counted and measured, but this process is not always necessary! / ⁇
  • the mask blanks are transferred to the transfer plate while maintaining the quality of the surface defect (foreign matter) immediately after the resist application. It is possible to supply to the manufacturing process, and mask blanks (due to vibration or impact caused by storing, moving or transporting mask blanks in storage containers when storing or moving mask blanks in storage containers ( That is, contamination of the resist film surface (increased foreign matter) can be suppressed, and an increase in transfer plate (mask stamper) defects and a decrease in transfer plate (mask stamper) manufacturing yield can be suppressed.
  • Patent Document 5 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-259502
  • foreign matter may be generated on the mask blank main surface pattern during the mask blank transfer plate (mask blank stamper) manufacturing process or when mask blankus is stored and transported. Effectively prevents the risk of inconvenience by directly adhering to the transfer mask pattern or the effective area where pattern irregularities are formed. Make it possible.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram (A to E) of a mask brandus manufacturing method and a mask manufacturing method that are useful in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram (F to J) of a mask brandus manufacturing method and a mask manufacturing method that are useful in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a third embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a fourth embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a fifth embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a sixth embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an eighth embodiment of a mask grantas according to the present invention.
  • Thermoplastic adhesive adheresive that has adhesiveness at room temperature and whose adhesiveness is reduced or lost by heating
  • Thermoplastic adhesive (same as above, heat treatment temperature at which the adhesiveness is reduced is higher than normal temperature, and the temperature is lower and lower than the resist heating temperature)

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Abstract

　マスクブランクスやマスクの製造工程中もしくは保管・搬送・輸送の際等に異物が基板表面に直接付着する等して不都合を起こす恐れを防止する。 　マスク機能薄膜及び／又はマスク製造プロセスに使用される薄膜が形成された側のマスクブランクス主表面上に、マスクパターンが形成される有効領域には接触せずに、非有効領域に接触して密閉空間を形成する蓋形状の防塵保護具を取り外し可能に固定する。

Description

明 細 書
マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、パターン転写用マスクゃスタンパの素材であるマスクブランクス及びその 製造方法、並びに転写プレートの製造方法に関する。
背景技術
[0002] マスクブランクスは、フォトリソグラフィ一法のパターン転写用マスクや、ナノインプリ ント法のスタンパの素材として用いられる。このマスクブランクスは、パターン転写用マ スクの場合、例えば、基板表面に形成される各種のマスク機能薄膜の上にレジスト膜 が形成され、あるいは、このレジスト膜の上または下に反射防止膜や導電性膜が形 成されたり、さらには、これらの薄膜を周囲の環境 (例えば化学汚染等)から保護する ための保護膜等が形成されたりする。また、ナノインプリント法のスタンパの場合、例 えば、基板表面に微細な凹凸を形成するためのマスク製造プロセスに使用される薄 膜、即ちマスク層及び Z又はレジスト膜が形成されたりする。
[0003] 上記マスクブランタスの具体例としては、最上層がレジスト膜であるレジスト付きマス タブランクスがある。このレジスト付きマスクブランクスは、基板表面に各種マスク機能 薄膜等が形成された後、その上にレジスト膜が回転塗布方法などで塗布され、その 後、加熱処理 (続く冷却処理を含む)等の所定の処理が施されて形成される。
[0004] 上記基板表面に形成されるマスク機能薄膜としては、マスクの種類や用途等に応じ て、遮光膜、位相シフト膜 (位相シフトマスクの場合)、反射膜や吸収膜 (X線マスクや EUVマスクの場合)、反射防止膜等がある。これらの薄膜は、転写露光光を通過させ たり、通過を阻止したり、あるいは反射させたりなど、転写露光光に何らかの作用をし て所定の転写パターン像を転写対象物上に形成させるためのものである。
[0005] 上記レジスト付マスクブランクスは、合成石英等の基板の上に、遮光膜、反射防止 膜をスパッタリング法等で順次形成し、その上にレジストを回転塗布法等で塗布して 形成される。このようにして形成されたレジスト膜では、基板の周縁部（基板の主表面 の四辺に沿った部分）に不要な盛り上がり部が生じ、また、その基板の側端面にも不 要なレジストが形成されてしまう場合が多!、。
[0006] ところで、一般に、上記レジスト付マスクブランクスは、搬送や保管等の際に収納容 器等に収納される。この収納容器としては、例えば特許文献 1に記載のガラス基板収 納容器のようなものが使用されている。特許文献 1に記載の収納容器は、内箱とこの 内箱を収納する外容器とからなる。内箱の内側壁には、基板の両側縁部を拘束'位 置決めしながらスライド案内して保持する一対の対向する収納溝が一定間隔で配設 されている。外箱はその内箱を収納固定する。
[0007] しかし、上述したように、レジスト付マスクブランクスは、その周縁部に不要な盛り上 力 Sり部が生じ、またその基板の側端面にも不要なレジストが形成される。このため、そ のレジスト付マスクブランクスを内箱に収納したり、そこから取り出したりする際に、そ の不要な盛り上がり部や不要なレジストが上記収納溝に接触して擦れることを避けら れない。また、その収納溝に保持された状態でも、移送、輸送等により振動あるいは 衝撃が加わったときに、その不要な盛り上がり部や不要なレジストが内箱の収納溝と 擦れることを避けられない。
[0008] その結果、不要な盛り上力り部や不要なレジストが、基板から剥離'脱落し、これが 塵埃となってマスクブランクス自身あるいは各種処理装置に付着し、最終的にはマス タブランクスを素材とする製品であるマスク（レチクルを含む）の欠陥の原因、あるいは 、マスクの製造歩留低下の原因となる恐れが生じてくる。
[0009] 上記問題の解決策として、基板の周縁部に形成される不要なレジスト膜を選択的に 除去する方法が一般に採用されてきた。この方法では、レジスト塗布後に基板周縁 部の不要なレジスト膜を選択的に除去する（例えば、特許文献 2、特許文献 3、特許 文献 4を参照)。
[0010] 特許文献 1：特開 2003— 264225号広報
特許文献 2 :特公昭 57— 13863号公報
特許文献 3：特開昭 63 - 160332号公報
特許文献 4：特開 2001— 259502号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0011] し力しながら、上記の方法等により基板周縁部の不要なレジスト膜を選択的に除去 したマスクブランクスであっても、以下のような不具合のあることが分力つてきた。 す なわち、例えば特許文献 1などに記載の収納容器では、マスクブランタスが内箱等に 部分的にでも直接接触することを避け得ず、また、マスクブランクスを収納容器に収 容あるいは取り出す際の擦れ、保管または移送 ·輸送中の振動あるいは衝撃による マクスブランクスと中箱との接触部位の擦れ、中箱と外箱との接触部分の擦れなど、 非常に多くの個所で擦れの発生が考えられる。さらに、擦れによる発塵は、マタスブラ ンクス側だけではなぐ収納容器側でも生じる。とくに榭脂製の収納容器では、その 容器が大きな発塵原因となる。
[0012] これら全ての発塵原因（とくに榭脂製容器からの発塵)を抑えることは極めて困難で ある。このため、上記マスクブランタスの容器への収容、保管、あるいは、移送'輸送 中にて、そのマスクブランタスの表面すなわちレジスト膜またはそのレジスト膜の上に 形成された最上層表面への異物の付着、ある!、はその付着の可能性がある異物の 増加を効果的に防止することは、極めて困難であることがわ力つてきた。
[0013] また、上述のレジスト付きマスクブランクスを使ってマスク製造を行う場合、レジスト 塗布後からマスク製造工程における露光工程に至るまでの経過時間（あるいは経過 日数）は様々である。この露光工程に至るまでの経過時間や日数のバラツキは、レジ スト感度の変動バラツキに影響し、露光及び現像等のレジストプロセス (いわゆるパタ 一ユング)条件を固定した場合、上記経過時間等のノ ラツキがパターン寸法 (CD)の ノ ラツキとなって現れる。このため、マスクブランタスに形成するレジスト膜には、なる ベぐ塗布後の感度変化の少ない、塗布後の安定性に優れたレジスト種、いわゆる塗 布後安定性 (PCD： Post-Coating Delay)の良好なレジスト種が選定され使用される。
[0014] 昨今普及して 、る化学増幅型レジストにぉ 、ては、塗布後安定性が良好なレジスト として、一般に、クェンチヤ一（quencher)と呼ばれる添加剤（例えばアミン類）が意 図的に多く加えられている。しかし、このクェンチヤ一は塗布後安定性を良好にする 一方で、レジスト感度をある程度以上に上げられない等により、レジスト設計上、また はマスクブランクス用レジストを選定する上で制約が生じる。
しかし、露光生産性すなわちマスク生産性、被露光安定性の見地からは、レジスト 感度は高い方が望ましい。電子線による露光の場合、その電子線露光により引き起 こされるレジスト加熱によりレジストの感度が変動することがある力 このような変動は できるだけ少ないことが望ましい。つまり、被露光安定性を備えていることが望ましい
[0015] また、更なるパターンの微細化ある 、は狭ピッチ化が要求されて 、る状況にお!ヽて 、レジスト塗布後から露光工程に至るまでの経過時間や日数 (すなわち塗布後の保 管期間）により引き起こされるレジスト感度の劣化あるいは変動の量が問題となりつつ ある。
[0016] つまり、従来は許容されてきた塗布後におけるレジスト感度の経時変化量では、さら に高レベルの微細化を達成するのに必要ととされて 、る感度安定性に見合わなくな つてきている。このため、レジスト膜の形成は、マスク製造工程における露光工程の直 前に行うことが望ましい。し力しながら、基板表面に転写露光光に光学的に作用する マスク機能薄膜が形成されたマスクブランクスを上述の収納容器に収納して、マスク 製造工程に移送'輸送あるいは保管する場合、マスクブランクス (転写露光光に光学 的に作用する薄膜)表面への異物あるいは化学的汚染物質等の付着により、マスク 製造工程における露光工程の直前に塗布形成するレジスト膜の品質あるいは性能 発現に影響して、マスクの欠陥 (パターン寸法バラツキを含む)あるいはマスクの製造 歩留まり低下を引き起こす。
課題を解決するための手段
[0017] 本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、マスクブランクス製造
(最上層の形成ある 、は最終検査の後）力 マスクなどの転写プレート製造工程の露 光工程に至るまでの間の、マスクブランタスの保管、搬送あるいは輸送等の際に、異 物が基板等に付着する等して不都合を引き起こす恐れを効果的に防止することを可 能にしたマスクブランクス及びその製造方法、並びに転写プレートの製造方法を提供 するものである。
その要旨とするところは、特許請求の範囲に記載したとおりの下記の内容である。
[0018] すなわち、上述の課題を解決するための手段として、
第 1の手段は、 基板表面に転写露光光に光学的に作用するマスク機能薄膜及び Z又はマスク製 造プロセスに使用される薄膜が形成された、パターン転写用マスク又はスタンパの素 材たるマスクブランクスであって、
上記マスクブランクスは、前記マスク機能薄膜及び Z又はマスク製造プロセスに使 用される薄膜が形成された側のマスクブランクス主表面上にパターン転写用のマスク ノ ターン又は、パターン転写用の凹凸が形成される有効領域には接触せずに、非有 効領域に接触して密閉空間を形成する蓋形状の防塵保護具が取り外し可能に固定 されていること、を特徴とするマスクブランクスである。
この解決手段によれば、マスクブランクスを収納容器に出し入れすることによるマス タブランクスと収納容器の当接部での擦れ、及び、マスクブランクスを収納容器に収 めて保管、移動あるいは輸送する際の振動または衝撃によるマスクブランタスと収納 容器等との擦れ、及び、収納容器の各構成部材間での当接部位の擦れ、それらに 起因して発生した塵埃がマスクブランクス自身に直接付着することが防止される。ま た、マスク製造工程の主要な第 1工程である露光工程に先立って防塵保護具を取り 外すことで、防塵保護具装着以降に防塵保護具の表面に付着した塵挨は除去され、 マスクブランタスの表面欠陥（異物）の増加を防止して、マスクブランクス完成直後の 品質をマスク製造工程に提供することができ、また、上記表面欠陥 (異物）に起因す るマスク欠陥の発生を防止して、マスク製造歩留まりを向上させる手段を提供すること ができる。また、防塵保護具にはレジスト膜に影響を与えない (例えば、アルカリ性あ るいは酸性ガスの放出の少な!ヽ)構成材料を用いることで、防塵保護具を装着して有 することによるレジスト膜の機能劣化がなくパターン形成してマスクを製作することが 出来る。
第 2の手段は、
前記第 1の手段に力かるマスクブランクスであって、
上記防塵保護具は、マスクブランクス表面に、
真空吸着、吸盤シート、または、常温で接着性を持ち、加熱すると接着性が低下あ るいは喪失する熱可塑性接着剤の何れかを用いる固定されて ヽることを特徴とする マスクブランクスである。 この解決手段によれば、防塵保護具をマスクブランタスに確実に装着固定でき、ま た、防塵保護具の取り外しもマスクブランタスに損傷を与えることなく安全容易にでき る。また、接着剤等を使用する必要がないので、防塵保護具を取り外した後に接着 剤等の残滓が残る心配がなぐ新たな塵埃の発生源を生じない。また、接着剤等を 使用する必要がないので、レジスト膜の性能劣化を引き起こすィ匕学物質 (ガス)の接 着剤からの放出の可能性を排除できる。
[0020] また、第 2の手段は、
前記第 1の手段に力かるマスクブランクスであって、
上記防塵保護具はマスクブランクス表面に当接する底部に吸盤シートを設け、マス タブランクス表面に固定されていることを特徴とするマスクブランクスである。
この解決手段によれば、上記の手段である真空吸着法に必要とする設備は不要で ある。特に、防塵保護具に継ぎ手あるいはストップバルブ等を取り付ける必要がなぐ 極めて簡便に防塵保護具の装着および取り外しが可能となる。また、当該手段によ れば、接着剤を必要としないため、レジスト膜の性能劣化を引き起こすィ匕学物質の放 出の可能性を排除できる。また、当該手段である吸盤シートを構成する榭脂材料に は、レジスト膜の性能劣化を引き起こすィ匕学物質を含まないものを予め選定すれば 良い。
[0021] また、第 2の手段は、
前記第 1の手段に力かるマスクブランクスであって、
上記防塵保護具は、マスクブランクス表面に、常温で接着性を持ち、加熱すると接 着性が低下或いは喪失する熱可塑性接着剤により固定されていることを特徴とする マスクブランクスである。
この解決手段によれば、上記の手段である真空吸着法に必要とする設備は不要で ある。特に、防塵保護具に継ぎ手あるいはストップバルブ等を取り付ける必要がなぐ 極めて簡便に防塵保護具の装着および取り外しが可能となる。また、上記の吸盤シ ートを利用した手段に対比しては、防塵保護具の取り外しに際し、防塵保護具を引つ 張って吸盤シートの吸盤を剥ぎ取るための機械的な力をほとんど必要としないことか ら、極めて安全容易に防塵保護具の取り外しが可能となる。 とりわけ、マスク製造工程で広く一般に使用されているホットプレート型加熱処理装 置を用いた加熱処理が可能であり、当該接着剤の機能 (加熱により接着性の低下） により、マスクブランタスに装着固定されていた防塵保護具は取り外しが可能である。
[0022] 第 3の手段は、
前記第 2の手段に力かるマスクブランクスであって、
上記熱可塑性接着剤は、常温より高!ヽ温度で且つレジスト膜形成後の熱処理温度 よりも低 ヽ温度で、マスクブランクス表面から上記防塵保護具が剥離可能となる接着 剤であることを特徴とするマスクブランクスである。
この解決手段によれば、第 2の手段である真空吸着法に必要とする設備は不要で あり、また、第 3の手段に対比しては、防塵保護具の取り外しに際し、防塵保護具を 引っ張って吸盤シートの吸盤を剥ぎ取るための機械的な力をほとんど必要とせず、 極めて容易に防塵保護具の取り外しが可能となる。
さらに、この解決手段によれば、加熱するとその接着性が低下する熱可塑性接着 剤に、その接着性が低下する温度として、マスクブランタスに形成されたレジスト膜の 塗布後の熱処理温度 (プリベータ温度)ある!、は露光後の熱処理温度 (PEB温度）の 何れカゝ低い方よりも低い温度をもつ接着剤を使用することから、防塵保護具の取り外 しのための加熱処理がレジスト膜に対して影響すること (感度変化、膜厚減少等)を 最小限に抑えることが可能である。
[0023] 第 4の手段は、
前記第 1の手段に力かるマスクブランクスであって、
上記防塵保護具は、マスクブランクス表面に対向する面が可視光又は検査光に対 して透明であることを特徴とするマスクブランクスである。
この解決手段によれば、防塵保護具とマスクブランタスが形成する密閉空間内 (す なわちマスクブランクス表面）を目視観察することが可能であり、また、検査装置によ つては、当該防塵保護具を装着したままレーザー表面異物検査装置でマスクブラン タス表面の異物数を計数可能である。これにより、防塵保護具を装着した後あるいは 取り外し前のマスクブランクス表面状態の検査が可能となる。
[0024] 第 5の手段は、 前記第 1乃至第 4の手段の何れかにかかるマスクブランクスであって、
上記防塵保護具が当接する基板表面のレジスト膜が除去されていることを特徴とす るマスクブランクスである。
この解決手段によれば、防塵保護具が当接するマスクブランタスの当接部にはレジ スト膜等の剥離飛散し易い膜が予め除去されていることから、防塵保護具の装着ある いは取り外しの際の防塵保護具とマスクブランタスとの接触あるいは擦れによる発塵 が排除できる。また、予め不要なレジスト膜等をマスクブランクス基板周縁部及び防 塵保護具が当接するマスクブランタスの当接部から除去しておくことで、マスクブラン タスと収納容器との接触あるいは擦れ等による塵埃の発生そのものが抑えられ、防塵 保護具の装着あるいは取り外しの際に発生した塵埃がマスクブランクス表面に直接 付着してしまう、そのようなマスクブランクス表面の汚染の可能性が低減できる。 第 6の手段は、
基板表面に、転写露光光に光学的に作用するマスク機能薄膜及び Z又はマスク製 造プロセスに使用される薄膜が形成された、パターン転写用マスク又はスタンパの素 材たるマスクブランクスを製造するマスクブランクス製造方法において、
上記基板表面上に、上記転写露光光に光学的に作用するマスク機能薄膜及び Z 又はマスク製造プロセスに使用される薄膜を形成する薄膜形成工程と、
上記マスク機能薄膜及び Z又はマスク製造プロセスに使用される薄膜が形成され た側のマスクブランクス主表面上に、パターン転写用のマスクパターン又は、パター ン転写用の凹凸が形成される有効領域には接触せずに、非有効領域に接触して密 閉空間を形成する蓋形状の防塵保護具を装着する防塵具装着工程と、
を有することを特徴とするマスクブランクス製造方法である。
この解決手段により、マスクブランクスを収納容器に出し入れする際の両者の擦れ による発塵、及び、マスクブランクスを収納容器に収めて保管、移動あるいは輸送す る際の振動または衝撃によるマスクブランタスと収納容器あるいは収納容器の各構成 部材間の擦れによる発塵、それらによるマスクブランクス (すなわち、マスクブランクス に形成さえた各種薄膜の最上層表面)への異物汚染 (異物の増加）は大きく低減さ れる。すなわち、マスクブランクス製造直後の品質 (異物欠陥品質)をマスク製造工程 に供給可能とするマスクブランクス製造方法が提供される。
[0026] 第 7の手段は、
パターン転写用マスクの素材たるマスクブランタスに、パターン転写用のマスクパタ ーンを形成するマスクパターン形成工程を有するマスクの製造方法において、 上記手段 1乃至 5の何れかに記載のマスクブランクスを用い、このマスクブランタスの 前記防塵保護具を取り外した後に、前記マスクパターン形成を行うこと、
を特徴とするマスクの製造方法である。
この解決手段により、マスクブランクスを収納容器に出し入れする際の両者の擦れ による発塵、及び、マスクブランクスを収納容器に収めて保管、移動あるいは輸送す る際の振動または衝撃によるマスクブランタスと収納容器あるいは収納容器の各構成 部材間の擦れによる発塵、それらによるマスクブランクス (すなわち、マスクブランクス に形成さえた各種薄膜の最上層表面)への異物汚染 (異物の増加）は大きく低減さ れる。すなわち、マスクブランクス製造直後の品質 (異物欠陥品質)を維持確保できる マスク製造工程が提供される。また、マスクブランクス製造後のマスクブランクス (すな わち、マスクブランタスに形成さえた各種薄膜の最上層表面)への異物汚染 (異物の 増カロ）に起因するマスク欠
陥の発生を防止し、マスク製造歩留まりの低下を防止するマスク製造方法が提供さ れる。
[0027] ここで、本発明におけるマスクブランタスとは、広義の意味で用いられるものであつ て、転写露光光を遮光する機能を有する遮光膜が形成されたもの、転写露光光に対 し位相差変化をもたらす機能を有する位相シフト膜が形成されたもの、転写露光光に 対する遮光機能と位相差変化をもたらす機能を兼ね備えた光半透過膜のハーフトー ン位相シフト膜が形成されたもの、転写露光光を反射する機能を有する反射膜が形 成されたもの、転写露光光を吸収して反射を抑える機能を有する吸収膜が形成され たもの、等々、あるいは、それらの積層膜が形成されたものであって、透過型及び反 射型マスクの機能を構成するために必要となる全ての機能膜あるいはそれらの積層 膜を含むものが形成されたもの、あるいは、それらにレジストを塗布したもの、また更 にはレジスト膜の上または下に反射防止膜、導電性膜が単独あるいは積層して形成 されたもの、レジスト膜の上ある!/ヽはレジスト膜を含む積層膜の上に耐環境性保護膜 を形成したものを含む。また、これらの膜が形成されていなくとも良い。
さらには、本発明におけるマスクブランクスは、クロムレスマスクや、ナノインプリント技 術で使われるスタンパなどに使用される原板を含む。この原板は、基板上に基板表 面に微細な凹凸を形成するためのマスク製造プロセスに使用される薄膜、即ちマスク 層及び/又はレジスト膜が形成されたものである。なお、マスク層は、単層膜でも複 数層形成された積層膜であっても良い。また、マスク層の材料は、マスク層の下にあ る基板等に対して所定以上のエッチング選択比を有する材料であることが好ましい。
[0028] また、マスクブランクスは、 LSI (半導体回路)用マスクブランクス、各種 PD (パネル ディスプレイ）用マスクブランクス等、全てのマスクの素材が含まれる。基板の材料は 特に限定されない。合成石英ガラス、無アルカリガラス、ホウケィ酸ガラス、アルミノ珪 酸ガラス、ソーダライムガラスが一般に透明基板として使用される。また、反射型マス ク用の基板材料は超低膨張ガラスあるいは超低膨張セラミックが使用される。
[0029] 基板表面に形成される薄膜には、マスクの種類に応じて、遮光膜、位相シフト膜 (位 相シフトマスクの場合）、反射膜や吸収膜 (X線マスクや EUVマスクの場合〉もしくは 反射防止膜等が含まれる。これらの薄膜は、転写露光光を通過させたり通過を阻止 したりするなど、転写露光光に対して何らかの作用をして所定の転写パターン像を転 写対象物上に形成させるためのものである。また、マスク製造プロセスに使用される 薄膜、例えば、レジスト膜等も含まれる。
[0030] レジストは、ネガ型、ポジ型どちらでも構わな ヽ。また、レジスト種も特に限定されな い。光 (紫外線、遠紫外線等)露光描画用、電子線露光描画用等々、何でも良い。レ ジストの形成方法も特に限定されない。回転塗布法、 Capillary塗布法、 Scan塗布 法等々、何でも良い。
[0031] また、本発明において、防塵保護具は、マスクブランクス主表面上にマスクパターン が形成される有効領域には接触せず、非有効領域に接触して密閉空間を形成する もの、すなわち有効領域のレジスト膜その他の薄膜等に直接接することなく損傷を与 えない蓋形状であれば、その形状を規定するものではなぐ何でも良い。
また、本発明において密閉空間は、移送 ·輸送あるいは保管される環境と完全に遮 断するものに限られず、異物や、科学的汚染物質等がマスクブランクス主表面に付 着しな 、程度に閉さされた空間であれば良 、。
[0032] また、防塵保護具は、例えば、マスクブランクス使用の直前に、すなわちマスク製造 工程の第 1の主要な工程であるレジスト露光工程に先立ち、取り外される。また、マス ク製造工程のレジスト露光工程の直前にレジストを塗布する、あるいはさらに反射防 止膜及び又は帯電防止膜等のマスク製造プロセスに使用される薄膜を形成する、こ れらの場合においては、レジスト塗布 (あるいは他の薄膜の形成に)先立ち、防塵保 護具を取り外す。
[0033] 従って、その作用は、マスクブランクス製造工程での最上層形成の直後から、マスク ブランタスが収納容器に収められ、移送 ·輸送あるいは保管されて、その後マスクブラ ンタスが収納容器から取り出されて、使用される直前まで維持される。また、当該防塵 保護具の材質組成は、マスクブランクスあるいは転写露光光に光学的に作用するマ スク機能膜やマスク製造プロセスに使用されるレジスト膜等の機能あるいは品質、及 び、マスク製造工程に、何らの影響も与えないものが予め選定される。
発明の効果
[0034] マスクブランクスゃ転写プレート（マスクゃスタンパ）の製造プロセスもしくは、マスク ブランタスの保管'搬送の際等に異物がマスクブランクス主表面のパターン転写用の マスクパターン又は、パターン転写用の凹凸が形成される有効領域に直接付着する 等して不都合をおこす恐れを効果的に防止することを可能にする。
発明を実施するための最良の形態
[0035] 図 1と図 2は本発明の実施の形態に力かるマスクブランタスの製造方法、マスクの製 造方法の説明図である。以下、図 1 (A〜E)と図 2 (F〜J)を参照しながら本発明の実 施の形態を説明する。
[0036] (第 1の実施の形態）
まず、従来法に従ってマスクブランクスを製造する。適宜に研磨を施した 152. 4m m X 152. 4mmで厚さが 6. 35mmの合成石英ガラスからなる基板 1 (図 1 (A) )の上 に、図 1 (B)に示すように、クロムを主成分とする厚さ 45nmの遮光膜 2をスパッタリン グ法により形成し、続けて、遮光膜 2の上に、酸化クロムを主成分とする厚さ 25nmの 反射防止膜 3をスパッタリング法で形成した。
[0037] 次に、図 1 (C)に示すように、反射防止膜 3の上に、加熱乾燥処理後の膜厚が 400 nmとなるようにレジスト 4 (ポジ型化学増幅型電子線描画露光用レジスト FEP171 :フ ジフィルムアーチ社製)を回転塗布した。次に、図 1 (D)に示すように、基板 1の周縁 部に形成された不要なレジスト膜を除去した。
[0038] この場合、不要なレジストの除去は、公知の不要膜除去装置 (例えば、特許文献 5 に記載の装置)を用い、溶剤として有機溶剤を用いて基板周縁部の不要なレジスト膜 を (基板端より約 3mmの除去幅で)溶解除去することで行った。また、不要なレジスト 膜を溶解除去した後に、 150°Cに設定したホットプレート（プロキシミティーギャップ = 0. 2mm)を用いて 10分間、レジスト塗布後の加熱乾燥処理を行ってレジスト付きマ スタブランクス 101を作製した。
[0039] その後、レーザー走査型異物検査装置（日立電子エンジニアリング社製、 GM- 1 000)でマスクブランクス主表面の異物欠陥数を測定した。この測定は、マスクブラン タスの有効領域 142mm角（基板中央)の表面の異物数 (大きさ 0. 25 μ m以上）を計 数するものである。
[0040] 次に、図 1 (E)に示すように、防塵保護具 5を装着した。
[0041] ここで、防塵保護具 5の形状は、具体的には図 3に示されるように、レジスト付きマス タブランクス 101の主表面を覆う蓋形状であり、基板中心部から周縁にかけての大部 分は略水平な平坦部 (正方形状の天板)を有し、この平坦部の全ての端部 (前記正 方形板の四辺）で略垂直に下方に折れ曲げられて側壁部が形成されている。
[0042] 防塵保護具 5は、レジスト付きマスクブランクス 101の主表面に搭載されたときに、 防塵保護具の側壁部の底部に溝を形成して固定された気密性を保っためのォーリ ングゃガスケット等のシール材 11を介してレジスト付きマスクブランクス 101の主表面 の非有効領域 (基板中央 142mm角より外側の領域）に接し、また、側壁部の底部を 除く部位はマスクブランタスの有効領域 (基板中央 142mm角の領域）に直接接する ことなぐ密閉空間を形成する構造となっている。
[0043] また、防塵保護具 5の平坦部 (天板)の中心には継ぎ手 12を介してチューブ 13が 接続されており、その先 (防塵保護具の平坦部 (天井板）に接続されたチューブ 13の 反対の端）には、常時閉型ストップバルブ 14 (この例ではエアオペレート式）が配置さ れ、さらにストップバルブ 14から別のチューブ 13を介して真空ポンプ 15 (ダイアフラ ム式ドライポンプ等）に接続されている。ここで防塵保護具 5は、具体的には、 PEEK (ポリ'エーテル ·エーテル .ケトン)材カもなる外形 150mm角、高さ 2mm、天井部の 肉厚 lmm、側壁部の肉厚 2mmの、図 3に記載の蓋形状の防塵保護具である。
[0044] また、防塵保護具 5の装着固定は、以下のように行った。
既述のようにレーザー走査型異物検査装置で主表面の異物欠陥数を計数測定し た後、レジスト付きマスクブランクス 101を、固定治具 (例えば真空チャック）に主表面 を上にして固定し、次いで、上記の防塵保護具 5の中心とレジスト付きマスクブランク ス 101の中心とを合わせて、防塵保護具 5をレジスト付きマスクブランクス 101の主表 面に載せた。この場合、防塵保護具 5とマスクブランクス 101との接触部位は、既述の 通りに不要なレジスト膜を予め除去した (酸化クロム膜が露出した)部位と防塵保護具 の側壁部の底部に配置されたオーリング等のシール材 11である。
[0045] 次に、上記常時閉型ストップバルブ 14を開 、た (作動させた)状態で上記真空ボン プ 15を作動させ、所定の減圧圧力に達したところで常時閉型ストップバルブ 14を閉 じて（動作を止めて）、該ストップバルブ 14より先のチューブ 13及び真空ポンプ 15を 外した。上記の作業によって形成された密閉された減圧空間により、防塵保護具 5は マスクブランクス 101に真空吸着されて保持されて、本発明の防塵保護具付きフォト マスクブランク 102は完成された。
[0046] この段階で、得られた防塵保護具付きマスクブランクス 102 (図 1 (E) )を収納容器 に納めた。収納容器は外箱と中箱からなり、中箱には収納溝が形成されている（例え ば特許文献 1参照)。この中箱を外箱内に所定の保持状態で収容した。この外箱の 蓋をしてビニールテープで固定し、榭脂製の袋に入れて熱シールして外部からの異 物の侵入を防ぐ措置を施した後、発砲スチロール力 なる緩衝材とダンボール力 な る輸送用梱包箱で構成される輸送用の梱包を行い、マスクプランタスの輸送を想定し て、振動試験処理を行った。この振動試験は、加速評価試験として、 「MIL STD- 810D 514· 3の一般車両環境での処理（ただし、加速度 2倍として XYZの 3方向で 処理)」に従った振動試験処理である。 [0047] 次に、マスクブランタスの保管を想定して、上記の振動試験処理の後、マスクブラン タス入り収納容器を上述の輸送用梱包から取り出し、上記の榭脂製の袋に入れて熱 シールされたままの状態で 30日間、温度及び湿度管理されたクリーンルーム中に放 置した (以上、図 2 (F)の示される形態でのマスクブランクス輸送及び保管)。
[0048] 次に、上記保管後の防塵保護具付きマスクブランクス 102を収納容器力も取り出し 、防塵保護具 5を取り外した。具体的には、前記の防塵保護具 5の天板に接続されて 減圧密閉空間を形成するために減圧処理後に閉じられた常時閉型ストップバルブ 1 4を開放して (作動させて)上記密閉空間を常圧に戻すことで、防塵保護具 5は固定 された状態から開放されて、取り外し可能となった。ここで実際には、上記の密閉減 圧空間を常圧に戻すために常時閉型ストップバルブ 14の開放によって供給された空 気は、フィルターを経由した別のチューブ 13より該ストップバルブ 14 (すなわち、上記 密閉空間）に供給した。
[0049] 防塵保護具付きマスクブランクス 102から防塵保護具 5を取り外した後（図 1 (G) )、 再び前記レーザー走査型異物検査装置でマスクプランクス表面の異物数を測定し、 振動試験処理前後の異物の増加 (差異)を求めた。
その結果は、異物の増加数が 0. 2個であって、極めて少なぐレーザー走査型異 物検査装置の測定再現性能に等しい値であった。この場合、異物の増加数は、収納 容器に納められた 5枚のマスクブランタスの異物増加の平均値を用いた。
なお、比較として、防塵保護具 5を装着しな力 たほかは同様の条件で振動試験処 理前後の異物の増力 tl (差異〉を求めた結果では、異物の増加数が 68個であった。ち なみに、防塵保護膜を設けないのと同時に、マスクブランクス周縁部の不要なレジス ト膜の除去を予め行わな力つた場合には、同様の異物の増加数は 284個であった。
[0050] 次に、図 2 (H)に示すように、レジスト膜 4にパターン露光を施し、露光後べーク処 理し、次いで現像処理することで、レジストパターン 4aを形成した。ここで、レジスト膜 4の露光、露光後ベータ、現像処理は、以下のようにして行った。すなわち、電子線 露光装置によりレジスト膜 4 (上記 FEP171)を露光し (加速電圧 20kV、露光量 3. 5 μ CZcm2)、露光後、加熱処理（PEB : Post— Exposure Bake処理、 150°C、 10 分処理）し、現像処理 (スプレー法、 2. 38% ·ΤΜΑΗ現像液、 60秒処理）して、レジ ストパターン 4aを形成した。
[0051] こうして形成されたレジストパターン 4a (設計値 400nmのライン'アンド 'スペース' パターン）のスペース部の寸法を測長 SEMで計測した結果は 414nmであった。これ に対して、比較例として、防塵保護具を用いずに作製したマスクプランクスにおいて、 レジスト膜に対し、上記と同一な条件でパターユング加工して出来上がった設計値 4 OOnmのライン ·アンド ·スペース'パターンのスペース部の寸法は 41 lnmであった。 両者のライン'アンド 'スペース'パターンのスペース部での寸法の差異（3nm)は、使 用した計測手段を含むパターユングプロセスの安定性に起因する誤差の範囲以下 であり、従って、防塵保護具の採用によるレジスト膜の性能への影響はな力つたと判 断される。
[0052] 次いで、マスク機能膜 (反射防止膜 3および遮光膜 2)にエッチング処理を施し（図 2
(1) )、最後に、レジストパターン 4aを剥離除去することで、マスク（レチクル） 103 (02 ω )は完成した。マスク検査装置で、マスクパターンを検査したところ、防塵保護具を 設けたマスクブランクスを使って作成したマスクにはパターン欠陥はな力つた力 防 塵保護具を設けなカゝつたマスクマスクブランクスを使って作成したマスクには、パター ン欠陥が発生し、特に、マスクブランクス周縁部の不要なレジスト膜の除去を行わな 力つたものについては、多く発見された。
[0053] ここで、上記実施例では、防塵保護具の装着固定手段として、防塵保護具の側壁 底部の溝に埋め込まれたシール材とストップノ レブによって形成させる密閉空間をそ れにつながった真空ポンプで減圧させて減圧密閉空間を形成する真空吸着法を用 いたが、この構成手段に限るものではない。例えば、以下のような実施形態が有効で ある。
[0054] (第 2の実施の形態）
減圧密閉空間を利用した真空吸着法を用いて防塵保護具をマスクブランタスに装 着固定する別の手段として、具体的には図 4に示すような、防塵保護具の側壁底部 の溝に埋め込まれた気密性を保っためのオーリングゃガスケット等のシール材 11と 天板等に設けられた常時閉型ストップバルブ 14によって形成される空間を用い、常 時閉型ストップバルブを開放した (作動させた)後、上記の防塵保護具付きマスクブラ ンクスを真空気密室 16に入れて、それにつながった真空ポンプ 15を動作させて減 圧させ、次いで常時閉型ストップノ レブ 14を閉じる（作動を止める）ことで、減圧密閉 空間を形成する方法でも良い。
[0055] (第 3の実施の形態）
さらに、減圧密閉空間を利用した真空吸着法を用いて防塵保護具をマスクブランク スに装着固定する別の手段として、具体的には図 5に示すような、防塵保護具の側壁 底部の溝に埋め込まれた気密性を保っためのオーリングゃガスケット等のシール材 1 1と、防塵保護具の例えば側壁部に形成した開口部に別の気密性を保っためのォ 一リングやガスケット等のシール材 11aを介して固定板 17により固定された加熱によ る封止 (熱シール)が可能な熱封止用榭脂袋 18を備え付けて作製した防塵保護具を 用いる方法がある。
[0056] まず、上記熱封止用榭脂袋 18の端 (シール材 11aで押さえられている側とは反対 の端)を開放としたまま、該防塵保護具を載せたマスクブランクスを真空気密室 16に 入れて、それにつながった真空ポンプ 15で真空気密室内を減圧させる。その後、上 記熱封止用榭脂袋の端部（図中、熱封止部 18a)を加熱封止し、最後に真空気密室 16を常圧に戻すことで形成される減圧密閉空間を利用する方法でも良い。
当該方法によれば、防塵保護具の装着固定は、広く一般に (食品等の真空梱包に )使用されている真空梱包装置を用いることができる。また、ストップバルブ等を防塵 保護具に備えたままマスクブランクスを輸送あるいは保管する必要がない。また、マス タブランクス使用時の防塵保護具の取り外し (すなわち密閉減圧空間を常圧に戻す 手段として）は、既述の熱封止用榭脂袋を切り破るだけで良ぐ極めて簡便である。
[0057] (第 4の実施の形態）
減圧密閉空間を利用した真空吸着法を用いて防塵保護具をマスクブランタスに装 着固定する別の手段として、具体的には図 6に示すような、防塵保護具の側壁底部 の溝に埋め込まれた気密性を保っためのオーリングゃガスケット等のシール材 11と 天板に設けられた吸盤機構 19による減圧密閉空間の形成によっても良い。
当該方法によれば、真空ポンプ、ストップバルブ等の設備を必要とせず、簡便に防 塵保護具の装着および取り外しが可能となる。また、吸盤機構 19の配置位置は、防 塵保護具の固定のためのオーリングとの減圧密閉空間が形成できる位置であれば、 どこでも良い。
[0058] 吸盤機構 19は、吸盤に吸盤の上下動作機構と固定機構と外枠を備えたものであつ て、防塵保護具を載置するあるいは取り外す際には吸盤を下げておき、防塵保護具 を装着固定する際には吸盤を上げて密閉空間内を減圧する機構を持つものであつ て、上記密閉空間を減圧して防塵保護具を確実に固定するに必要な容積 (吸盤の 上下動による容積変化量)があれば、何でも良い。また、吸盤素材等の吸盤機構の 構成材は、レジスト膜の性能に影響を与えな ヽ材料を選定使用することが好まし 、。 上述の第 1の実施の形態と同様に、振動試験処理前後の異物の増加 (差異)を調 ベたが、異物の増加数は第 1の実施の形態と変わりがな力つた。又、このマスクブラン タスを使って作成したマスクのパターン欠陥を検査したがなカゝつた。
[0059] (第 5の実施の形態）
密閉空間を減圧して防塵保護具をマスクブランタスに装着固定する別の手段として は、本発明の第 3の手段 (請求項 3)として記載のように、マスクブランタスと防塵保護 具 5の固定に吸盤シート 20を用いる手段を取っても良い。具体的には図 7に示すよう に、防塵保護具 5の側壁部の底に榭脂等力 なる吸盤シート 20を予め吸着させ、次 に、これをマスクブランタスの非有効領域 (基板中央 142mm角より外側の領域）に吸 着させれば良い。
[0060] 吸盤シート 20の吸盤パターン (空洞室の形状）は、メッシュ形状、ディンプル形状、 ハ-カム形状等々、何でも良いが、防塵保護具がマスクブランタスに吸盤シート 20に よって装着されたときに、防塵保護具とマスクブランクスとで形成される空間が密閉さ れるように（外部からの異物の進入を抑止するために）、吸盤シートの空洞部が上記 密閉空間の内外で貫通しない吸盤パターンとすることが好ましい。また、防塵保護具 の側壁部の底に、必要に応じた装着固定強度が得られる高密度で形成するのが好 ましい。また、吸盤シート 20は、両面が吸盤シートであっても、片面（マスクブランクス に接する側）が吸盤シートであって、片側（防塵保護具に吸盤シートが固定させる側） が何らかの接着剤で構成されて ヽても良 、。
上述の第 1の実施の形態と同様に、振動試験処理前後の異物の増加 (差異)を調 ベたが、異物の増加数は第 1の実施の形態と変わりがな力つた。又、このマスクブラン タスを使って作成したマスクのパターン欠陥を検査したがなカゝつた。
[0061] (第 6の実施の形態）
防塵保護具をマスクブランクス基板に装着固定するさらに別の手段としては、本発 明の第 4の手段 (請求項 4)として記載のように、常温では接着性を持ち、加熱すると 接着性が低下あるいは喪失する熱可塑性接着剤 21を用いることができる。具体的に は図 8に示すように、防塵保護具 5の側壁部の底に上記の接着剤 21を塗布し、該接 着剤 21により防塵保護具 5をマスクブランクス 101に固着させる。
[0062] 一例として、 日東電工社製「熱はくりシート'リバアルファ」を粘着シートとして用いた 例を以下に示す。
常温では接着性を持ち、加熱すると接着性が低下する熱可塑性接着剤を基材 (ポ リエステル)の片側に塗布した上記の両面接着テープを、もう片方の台座接着用粘 着剤側を防塵保護膜の側壁部の底にして貼り、次いで、加熱すると接着性が低下す る熱可塑性接着剤側をマスクブランタスの非有効領域 (基板中央 142mm角より外側 の領域）に接着させる。
[0063] マスク製造工程において、マスクブランクスを使用するに先立っては、マスク製造ェ 程で広く一般に使用されているホットプレート型加熱処理装置を用い、上記の防塵保 護具付きマスクブランクスを所定の加熱温度で処理する（例えば 150°Cで 7. 5分)。 当該接着剤の機能 (加熱により接着性が低下する）により、マスクブランタスに装着固 定されて!/ヽた防塵保護具は取り外しが可能となる。
[0064] 実施例では、特定の常温では接着性を持ち、加熱すると接着性が低下する熱可塑 性接着剤を基材の片側に塗布した上記市販の両面接着テープを使用したが、レジス ト付マスクブランタスの場合、レジスト膜の性能に影響を与えな 、接着剤及びその接 着剤を用いた両面テープの基材を選定することが好まし 、。
上述の第 1の実施の形態と同様に、振動試験処理前後の異物の増加 (差異)を調 ベたが、異物の増加数は第 1の実施の形態と変わりがな力つた。又、このマスクブラン タスを使って作成したマスクのパターン欠陥を検査したがなカゝつた。
[0065] (第 7の実施の形態） 上記の防塵保護具をマスクブランクス基板に装着固定する別の手段としては、本発 明の第 5の手段 (請求項 5)として記載のような手段が好ましい。すなわち、常温では 接着性を持ち、加熱すると接着性が低下する熱可塑性接着剤 21を用いる場合、そ の別の構成として、使用する熱可塑性接着剤が、その接着性が低下或いは喪失する 温度が、常温より高い温度で且つレジスト塗布後のベータ処理あるいは露光後のベ ーク処理の何れか低 、方の温度より低 、熱可塑性接着剤 22を用いることが特に好ま しい。
[0066] 上記接着剤 22を用いた場合、その作用機構は、図 8に示したものと全く同様である 1S 接着性を低下させて防塵保護具 5を取り外すための加熱処理温度が、レジスト塗 布後のベータ処理あるいは露光後のベータ処理の何れ力低 、方の温度より低 、こと で、特にレジスト付きマスクブランス 102に防塵保護具 5を装着固定する場合には、 防塵保護具 5の取り外しのための加熱処理のレジスト膜への影響 (例えば、感度変化 、パターン形状変化、膜厚減少等)を最小限に抑えることが出来る。
[0067] 一例として、 日東電工社製「熱はくりシート'リバアルファ（剥離時の加熱温度が 90 °Cのもの）」を粘着シートとして用いた例を以下に示す。上記の、常温では接着性を 持ち、加熱すると接着性が低下する熱可塑性接着剤を基材 (ポリエステル)の片側に 塗布した両面接着テープを、もう片方の台座接着用粘着剤側を防塵保護膜の側壁 部の底にして貼り、次いで、加熱すると接着性が低下する熱可塑性接着剤側をレジ スト付きマスクブランクス（レジストは、電子線露光描画用ポジ型化学増幅型レジスト である、 FEP171 (富士フィルムアーチ社製) )の非有効領域に接着させる。
[0068] マスク製造工程において、マスクブランクスを使用するに先立っては、マスク製造ェ 程で広く一般に使用されているホットプレート型加熱処理装置を用い、上記の防塵保 護具付きマスクブランクスを所定の加熱温度で処理する（この例では、 90°Cで 7. 5分 )。当該接着剤の機能 (加熱により接着性が低下する）により、マスクブランタスに装着 固定されて 、た防塵保護具は取り外しが可能となる。
[0069] 上記のレジスト FEP171は、塗布後のベータ処理温度、露光後のベータ処理温度 とも 130〜150°Cで処理された場合に最大の性能を発現する。また、追加の加熱処 理がなされても、上記温度範囲以下の加熱温度であれば、その性能に何らの影響を 受けな 、ことが確認されて 、る。
[0070] 上記の例では、特定の常温では接着性を持ち、加熱すると接着性が低下する熱可 塑性接着剤を基材の片側に塗布した上記市販の両面接着テープを使用したが、レ ジスト膜の性能に影響を与えな 、接着剤及びその接着剤を用いた両面テープの基 材を選定することが好まし 、。
上述の第 1の実施の形態と同様に、振動試験処理前後の異物の増加 (差異)を調 ベたが、異物の増加数は第 1の実施の形態と変わりがな力つた。又、このマスクブラン タスを使って作成したマスクのパターン欠陥を検査したがなカゝつた。
[0071] (第 8の実施の形態）
また、蓋形状をなす防塵保護具の別の形態として、本発明の第 4の手段 (請求項 4) として記載の具体例として、図 9に示すように、アルミ等の金属力もなるフレーム 23の 片側に-トロセルルース等の透明膜 22を貼ったペリクルを用いることができる。
[0072] この解決手段によれば、防塵保護具とマスクブランタスが形成する密閉空間内（す なわちマスクブランクス表面)を、透明膜を経て目視観察することが可能であり、また、 検査装置によっては、当該防塵保護具を装着したまま (ニトロセルロース等の透明膜 を経て）、レーザー表面異物検査装置でマスクブランクス表面の異物数を計数可能 である。これにより、防塵保護具を装着した後あるいは取り外し前のマスクブランクス 表面状態の検査が可能となる。
[0073] また、ペリクルは接着剤を介してマスクブランタスに装着されるのが一般的であるが 、この解決手段では、ペリクル装着用接着剤に代えて、防塵保護具をマスクブランク スに装着する手段として、前記第 2や第 3の手段の何れかを用いれば良 、。
[0074] 上述の第 1の実施の形態と同様に、振動試験処理前後の異物の増加 (差異)を調 ベたが、異物の増加数は第 1の実施の形態と変わりがな力つた。又、このマスクブラン タスを使って作成したマスクのパターン欠陥を検査したがなカゝつた。
[0075] 上記実施の形態では、基板周縁部の不要なレジスト膜を選択的に除去した後に防 塵保護具を装着固定したが、基板周縁部の不要なレジスト膜は除去しなくとも良い。 ただし、上記防塵保護具を装着固定する前には、基板周緑部の不要なレジスト膜を 除去しておくことが好ましい。防塵保護具の装着によりレジスト膜 (マスクブランクス） 表面は塵埃の直接的な付着力ゝら保護されるが、予め不要なレジスト膜を基板周縁部 あるいは防塵保護具との当接部力 除去しておくことで塵埃の発生そのものが抑えら れ、例えば防塵保護具の装着あるいは取り外しの際に、これら塵埃によるマスクブラ ンクス表面の汚染 (異物増カロ）を抑止できる。このことは、レジスト膜のみを形成したマ スクプランクスに防塵保護具を装着する場合に限らす、更に反射防止膜、導電性膜、 耐環境保護膜等々を積層した場合であっても適用される。
[0076] また、上記実施の形態では、レジスト膜の成膜後に防塵保護具を装着したが、レジ スト膜を塗布形成しないでマスクブランクスを保管あるいは移送'輸送する場合は、例 えば、遮光膜あるいは吸収膜等、最上層の成膜形成後に防塵保護具を装着すれば 良い。
[0077] また、上記実施の形態では、防塵保護具の効果を検証するために、レジストを塗布 した後に、次いで、レーザー走査型異物検査装置でマスクブランクス (レジスト膜)表 面の異物数を測定し、その後に防塵保護具を装着したが、レジスト塗布直後に防塵 保護具を装着して良い。これによつて、レジスト塗布後の異物検査工程でのマスクプ ランクス (すなわちレジスト膜)表面への塵埃の直接的な付着を防止できる。
[0078] また、上記実施の形態では、輸送を想定した振動試験処理を経て、防塵保護具の 取り外しの後に、露光処理に先立ってレーザー走査型異物検査装置でマスクブラン タス (レジスト膜)表面の異物数を計数測定したが、この工程は必ずしも必要としな!/ヽ
[0079] 以上の通り、従来広く一般に用いられている技術である「レジスト塗布後に基板周 縁部の不要なレジスト膜を選択的に除去する方法」で作製したマスクブランクスでは、 振動によるマスクブランタスと収納容器との擦れによるレジスト膜の剥離 ·脱離はな ヽ のであるから、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去しな力つたマスクブランタスに対 比すると、振動試験処理前後の異物増加は明らかに抑えられている。しかしながら、 基板周縁部の不要なレジスト膜を除去しても、振動試験処理前後の異物増加はゼロ にはなっていない。
[0080] これは、振動試験処理 (移送'輸送を想定した加速評価）により、マスクブランタスと 収納容器、収納容器の構成部材どうしの接触部位 (例えば、中箱と外箱の内側との 接触部位)の擦れによって塵埃が発生して基板主表面を汚染したものと考えられる。 これら塵埃は、収納容器の構成部材どうしの擦れにより発生したもの、あるいは、レジ スト膜形成前にマスクブランタスに形成された各種の膜が剥離'脱落したものと考えら れ、これらがマスクプランクス表面（レジスト膜上）に付着したものと考えられる。それら の汚染異物が、最終的にはマスクプランクスを素材とする製品であるマスク（レチクル を含む）の欠陥の原因あるいはマスクの製造歩留低下の原因となることは明らかであ る。
[0081] 従って、上記の実施の形態に示すように、本発明の防塵保護具を装着して有する マスクブランクス、及び、本発明のマスクブランクス製造方法、並びに、マスク製造方 法により、マスクブランクスを収納容器に出し入れする際の両者の擦れによる発塵、 及び、マスクブランクスを収納容器に収めて保管、移動あるいは輸送する際の振動ま たは衝撃によるマスクブランタスと収納容器あるいは収納容器の各構成部材間の擦 れによる発塵、これらによるマスクブランクス (すなわちレジスト膜 (あるいはマスクブラ ンクス最上層）表面の異物汚染 (異物の増加）は大きく低減される。
[0082] 本発明のマスクブランクス、マスクブランタスの製造方法、並びに、転写プレート（マ スクゃスタンパ）の製造方法により、レジスト塗布直後の表面欠陥 (異物）品質を維持 したまま、マスクブランクスを転写プレート製造工程に供給することが可能となり、マス タブランクスを収納容器に出し入れする際、及び、マスクブランクスを収納容器に収 めて、保管、移動あるいは輸送することによる振動または衝撃に起因するマスクブラ ンクス (すなわちレジスト膜)表面の異物汚染 (異物の増加〉は抑えられて、転写プレ ート（マスクゃスタンパ)欠陥の増加及び転写プレート（マスクゃスタンパ)製造歩留の 低下は抑えられる。
[0083] 特許文献 5 :特開 2001— 259502号公報
産業上の利用可能性
[0084] 以上詳述したように、本発明によれば、マスクブランクスゃ転写プレート（マスクゃス タンパ）の製造プロセスもしくは、マスクブランタスの保管 ·搬送の際等に異物がマスク ブランクス主表面のパターン転写用のマスクパターン又は、パターン転写用の凹凸が 形成される有効領域に直接付着する等して不都合をおこす恐れを効果的に防止す ることを可能にする。
図面の簡単な説明
[0085] [図 1]本発明の実施形態に力かるマスクブランタスの製造方法、マスクの製造方法の 説明図 (A〜E)である。
[図 2]本発明の実施形態に力かるマスクブランタスの製造方法、マスクの製造方法の 説明図 (F〜J)である。
[図 3]本発明に係るマスクブランタスの第 1の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
[図 4]本発明に係るマスクブランタスの第 2の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
[図 5]本発明に係るマスクブランタスの第 3の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
[図 6]本発明に係るマスクブランタスの第 4の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
[図 7]本発明に係るマスクブランタスの第 5の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
[図 8]本発明に係るマスクブランタスの第 6の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
[図 9]本発明に係るマスクブランタスの第 8の実施形態を模式ィ匕して示す断面図であ る。
符号の説明
[0086] 1 基板
2 遮光膜
3 反射防止膜
4 レジスト膜
4a レジストノ ターン
5 防塵保護具
11 シール材 (防塵保護具の側壁底部） 11a シール材 (熱封止用榭脂製袋の固定用）
12 継ぎ手
13 チューブ
14 常時閉型ストップバルブ
15 真空ポンプ
16 真空気密室
17 熱封止袋の固定板
18 熱封止用樹脂袋
18a 熱封止部
19 吸盤機構
20 熱可塑性接着剤（常温で接着性を有し、加熱により接着性が低下或いは喪失 する接着剤）
21 熱可塑性接着剤（上記と同様で、かつ、接着性が低下する加熱処理温度が常 温より高!、温度で且つレジストの加熱温度の低 、方よりも低 、ものである）
22 透明膜
23 アルミ製フレーム

Claims

請求の範囲
[1] 基板表面に転写露光光に光学的に作用するマスク機能薄膜及び Z又はマスク製 造プロセスに使用される薄膜が形成された、パターン転写用マスク又はスタンパの素 材たるマスクブランクスであって、
上記マスクブランクスは、前記マスク機能薄膜及び Z又はマスク製造プロセスに使 用される薄膜が形成された側のマスクブランクス主表面上にパターン転写用のマスク ノ ターン又は、パターン転写用の凹凸が形成される有効領域には接触せずに、非有 効領域に接触して密閉空間を形成する蓋形状の防塵保護具が取り外し可能に固定 されていること、を特徴とするマスクブランクス。
[2] 請求項 1に記載のマスクブランクスであって、
上記防塵保護具は、マスクブランクス表面に、
真空吸着、吸盤シート、または、常温で接着性を持ち、加熱すると接着性が低下あ るいは喪失する熱可塑性接着剤の何れかを用いる固定されて ヽることを特徴とする マスクブランクス。
[3] 請求項 2に記載のマスクブランクスであって、
上記熱可塑性接着剤は、常温より高!ヽ温度で且つレジスト膜形成後の熱処理温度 よりも低 ヽ温度で、マスクブランクス表面から上記防塵保護具が剥離可能となる接着 剤であることを特徴とするマスクブランクス。
[4] 請求項 1に記載のマスクブランクスであって、
上記防塵保護具は、マスクブランクス表面に対向する面が可視光又は検査光に対 して透明であることを特徴とするマスクブランクス。
[5] 請求項 1乃至請求項 4に記載のマスクブランクスであって、
上記防塵保護具が当接する基板表面のレジスト膜が除去されていることを特徴とす るマスクブランクス。
[6] 基板表面に、転写露光光に光学的に作用するマスク機能薄膜及び Z又はマスク製 造プロセスに使用される薄膜が形成された、パターン転写用マスク又はスタンパの素 材たるマスクブランクスであって、
上記基板表面上に上記転写露光光に光学的に作用するマスク機能薄膜及び Z又 はマスク製造プロセスに使用される薄膜を形成する薄膜形成工程と、
上記マスク機能薄膜及び Z又はマスク製造プロセスに使用される薄膜が形成され た側のマスクブランクス主表面上に、パターン転写用のマスクパターン又は、パター ン転写用の凹凸が形成される有効領域には接触せずに、非有効領域に接触して密 閉空間を形成する蓋形状の防塵保護具を装着する防塵具装着工程と、
を特徴とするマスクブランクス製造方法。
ノターン転写用マスクの素材たるマスクブランクスを使用して、基板表面上にパタ ーン転写用のマスクパターン又は、パターン転写用の凹凸を形成する転写パターン 形成工程を有する転写プレートの製造方法にお！ヽて、
請求項 1乃至 5の何れかに記載のマスクブランクスを用い、このマスクブランクスの前 記防塵保護具を取り外した後に、前記マスクパターン形成工程を行うこと、を有するこ とを特徴とする転写プレートの製造方法。
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