JP2003149792A - 防塵装置付きフォトマスク及びこれを用いた露光方法 - Google Patents
防塵装置付きフォトマスク及びこれを用いた露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】短波長領域の紫外線透過性、耐光性にすぐれ、
不活性ガス置換操作が不要の防塵装置付きフォトマスク
及びこれを用いた露光方法を提供する。 【解決手段】フォトマスクの遮光膜パタ−ン面側に紫外
線を透過する透明基板を重ね合わせ、フォトマスクと透
明基板との間の空気を排気除去することにより、フォト
マスクと透明基板とを密着して貼り合わせたことを特徴
とする防塵装置付きフォトマスク。遮光膜パタ−ン面側
に紫外線を透過する透明膜を形成し、次に紫外線を透過
する透明基板を重ね合わせ、透明膜と透明基板との間の
空気を排気除去して貼り合わせてもよい。
不活性ガス置換操作が不要の防塵装置付きフォトマスク
及びこれを用いた露光方法を提供する。 【解決手段】フォトマスクの遮光膜パタ−ン面側に紫外
線を透過する透明基板を重ね合わせ、フォトマスクと透
明基板との間の空気を排気除去することにより、フォト
マスクと透明基板とを密着して貼り合わせたことを特徴
とする防塵装置付きフォトマスク。遮光膜パタ−ン面側
に紫外線を透過する透明膜を形成し、次に紫外線を透過
する透明基板を重ね合わせ、透明膜と透明基板との間の
空気を排気除去して貼り合わせてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ，超ＬＳＩ
等の高密度集積回路の製造工程で使用されるフォトマス
クに異物付着防止の目的で装着される防塵装置に関し、
さらに詳しくは、短波長領域の紫外線透過性、耐光性に
すぐれた防塵装置付きフォトマスク及びこれを用いた露
光方法に関するものである。
等の高密度集積回路の製造工程で使用されるフォトマス
クに異物付着防止の目的で装着される防塵装置に関し、
さらに詳しくは、短波長領域の紫外線透過性、耐光性に
すぐれた防塵装置付きフォトマスク及びこれを用いた露
光方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積回
路の製造工程で使用されるフォトマスクに塵埃等の異物
付着防止の目的で装着される防塵装置としては、図３に
示すように、ニトロセルロ−スやフッ素系樹脂等から形
成された厚さ数μｍの有機薄膜を、金属製等のフレ−ム
の片側に接着剤等で貼った構造を有するペリクルが一般
的に使用されてきた。ペリクルはフレ−ムの他方に接着
剤を塗布し、フォトマスクに接着し固定される。フレ−
ムの高さは、通常３〜５ｍｍ程度であり、ペリクル膜面
はフレ−ムの高さ分だけフォトマスクパタ−ン面から離
れているので、微細な塵埃がペリクル膜面上に付着して
も、露光時に塵埃の像はレジストを塗布した半導体用ウ
エ−ハ上には結像されず、転写されない。
路の製造工程で使用されるフォトマスクに塵埃等の異物
付着防止の目的で装着される防塵装置としては、図３に
示すように、ニトロセルロ−スやフッ素系樹脂等から形
成された厚さ数μｍの有機薄膜を、金属製等のフレ−ム
の片側に接着剤等で貼った構造を有するペリクルが一般
的に使用されてきた。ペリクルはフレ−ムの他方に接着
剤を塗布し、フォトマスクに接着し固定される。フレ−
ムの高さは、通常３〜５ｍｍ程度であり、ペリクル膜面
はフレ−ムの高さ分だけフォトマスクパタ−ン面から離
れているので、微細な塵埃がペリクル膜面上に付着して
も、露光時に塵埃の像はレジストを塗布した半導体用ウ
エ−ハ上には結像されず、転写されない。
【０００３】しかしながら、近年超ＬＳＩの集積度向上
のために、より微細な線幅で集積回路を形成するリソグ
ラフィ技術が求められてきており、露光光源の短波長化
が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの
光源は、従来のｇ線（436ｎｍ）、ｉ線（365ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマレ−ザ（248ｎｍ）から進んで、ＡｒＦ（1
93ｎｍ）エキシマレ−ザ、Ｆ2 レ−ザ（157ｎｍ）が用
いられようとしている。
のために、より微細な線幅で集積回路を形成するリソグ
ラフィ技術が求められてきており、露光光源の短波長化
が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの
光源は、従来のｇ線（436ｎｍ）、ｉ線（365ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマレ−ザ（248ｎｍ）から進んで、ＡｒＦ（1
93ｎｍ）エキシマレ−ザ、Ｆ2 レ−ザ（157ｎｍ）が用
いられようとしている。
【０００４】露光波長が短くなり、特に１８０ｎｍ以下
の真空紫外領域になると、ニトロセルロ−ス等の有機物
は光透過性が十分でなくなるという欠点があった。また
ＡｒＦエキシマレ−ザやＦ2 レ−ザは高いエネルギ−を
持つので、有機物から構成されたペリクルは膜の変質や
損失が生じるなどの欠点があった。
の真空紫外領域になると、ニトロセルロ−ス等の有機物
は光透過性が十分でなくなるという欠点があった。また
ＡｒＦエキシマレ−ザやＦ2 レ−ザは高いエネルギ−を
持つので、有機物から構成されたペリクルは膜の変質や
損失が生じるなどの欠点があった。
【０００５】短波長領域において、高い光透過性を得る
ために、特開２００１-８３６９０号公報に記載されて
いるように、合成石英ガラスを厚さ１ｍｍ以下の薄膜と
したガラス製ペリクルを使用する方法がある。しかしな
がら、フォトマスク上に設けた石英ガラス製ペリクルの
内部には、酸素等を含む通常の大気が存在しており、短
波長光源、特に１５７ｎｍのＦ2 レ−ザでは酸素が光を
吸収してしまうという問題があり、ペリクル内部を窒素
等の光吸収性のない不活性ガスで置換するなどの工夫が
必要とされていた。さらに、従来の方法では、フレ−ム
とペリクルおよびフレ−ムとフォトマスクは接着剤で固
定しなければならず、露光を繰り返すことにより接着剤
からの脱ガスや接着剤の分解により、フォトマスクパタ
−ン上に異物が付着して欠陥を生じてしまうなどの問題
があった。接着剤が原因となる異物付着の問題は、露光
波長が短くなるほどより顕著になっている。
ために、特開２００１-８３６９０号公報に記載されて
いるように、合成石英ガラスを厚さ１ｍｍ以下の薄膜と
したガラス製ペリクルを使用する方法がある。しかしな
がら、フォトマスク上に設けた石英ガラス製ペリクルの
内部には、酸素等を含む通常の大気が存在しており、短
波長光源、特に１５７ｎｍのＦ2 レ−ザでは酸素が光を
吸収してしまうという問題があり、ペリクル内部を窒素
等の光吸収性のない不活性ガスで置換するなどの工夫が
必要とされていた。さらに、従来の方法では、フレ−ム
とペリクルおよびフレ−ムとフォトマスクは接着剤で固
定しなければならず、露光を繰り返すことにより接着剤
からの脱ガスや接着剤の分解により、フォトマスクパタ
−ン上に異物が付着して欠陥を生じてしまうなどの問題
があった。接着剤が原因となる異物付着の問題は、露光
波長が短くなるほどより顕著になっている。
【０００６】ペリクルを用いない方法としては、特公昭
61-54211号公報にフォトマスクの有効部のみに光硬化型
接着剤により薄板ガラスを貼り合わせた構造のフォトマ
スクや、特開昭55-121443号公報にフォトマスクの全面
もしくは一部に接着剤を塗布し、接着剤により透明基板
を貼り合わせた構造が記載されている。しかしながら、
フォトマスクの露光される領域に接着剤が存在すると、
露光を繰り返すことにより接着剤からの脱ガスや接着剤
の分解が生じ、異物付着によるフォトマスク欠陥の発
生、および接着剤の変質による部分的着色や紫外線透過
率の減少等の問題があった。接着剤が原因となるこれら
の問題は、露光波長が短くなるほどより顕著になり、実
用に供しにくいという欠点があった。
61-54211号公報にフォトマスクの有効部のみに光硬化型
接着剤により薄板ガラスを貼り合わせた構造のフォトマ
スクや、特開昭55-121443号公報にフォトマスクの全面
もしくは一部に接着剤を塗布し、接着剤により透明基板
を貼り合わせた構造が記載されている。しかしながら、
フォトマスクの露光される領域に接着剤が存在すると、
露光を繰り返すことにより接着剤からの脱ガスや接着剤
の分解が生じ、異物付着によるフォトマスク欠陥の発
生、および接着剤の変質による部分的着色や紫外線透過
率の減少等の問題があった。接着剤が原因となるこれら
の問題は、露光波長が短くなるほどより顕著になり、実
用に供しにくいという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこの
ような問題点を解消するためになされたものである。そ
の目的は、高い紫外線透過性を有しかつ耐紫外線性に優
れ、不活性ガス置換が不要な防塵装置付きフォトマスク
およびこのフォトマスクを用いた露光方法を提供するこ
とである。
ような問題点を解消するためになされたものである。そ
の目的は、高い紫外線透過性を有しかつ耐紫外線性に優
れ、不活性ガス置換が不要な防塵装置付きフォトマスク
およびこのフォトマスクを用いた露光方法を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１の発明に係わるは、フォトマスクの遮光
膜パタ−ン面側に紫外線を透過する透明基板を重ね合わ
せ、フォトマスクの遮光膜と透明基板との間の空気を排
気除去することにより、フォトマスクと透明基板とを密
着して貼り合わせたことを特徴とする防塵装置付きフォ
トマスクである。
めに、請求項１の発明に係わるは、フォトマスクの遮光
膜パタ−ン面側に紫外線を透過する透明基板を重ね合わ
せ、フォトマスクの遮光膜と透明基板との間の空気を排
気除去することにより、フォトマスクと透明基板とを密
着して貼り合わせたことを特徴とする防塵装置付きフォ
トマスクである。
【０００９】短波長紫外線を透過する透明基板として
は、合成石英基板や単結晶ホワイトサファイア等が使用
し得る。遮光膜としては、クロム、クロム酸化物、クロ
ム酸窒化物等の通常のフォトマスク遮光材料が用いられ
る。フォトマスクの遮光膜パタ−ンと透明基板との間の
空気の除去は、クリ−ンル−ム内において、１３３×１
０-3 Ｐａ（１×１０-3 Ｔｏｒｒ）程度の真空度が確保
し得る清浄な真空チャンバ−内に、密着させたフォトマ
スクと透明基板を静置し、室温で数分から数十分の真空
排気をすることにより達成し得る。フォトマスクと透明
基板の結合強度を増すために、必要に応じて、予め双方
を真空引き等により脱ガスをしておくことも可能であ
る。フオトマスクと薄い透明基板との貼り合わせ技術は
特開平６‐２８２０６６号公報に例示されている。
は、合成石英基板や単結晶ホワイトサファイア等が使用
し得る。遮光膜としては、クロム、クロム酸化物、クロ
ム酸窒化物等の通常のフォトマスク遮光材料が用いられ
る。フォトマスクの遮光膜パタ−ンと透明基板との間の
空気の除去は、クリ−ンル−ム内において、１３３×１
０-3 Ｐａ（１×１０-3 Ｔｏｒｒ）程度の真空度が確保
し得る清浄な真空チャンバ−内に、密着させたフォトマ
スクと透明基板を静置し、室温で数分から数十分の真空
排気をすることにより達成し得る。フォトマスクと透明
基板の結合強度を増すために、必要に応じて、予め双方
を真空引き等により脱ガスをしておくことも可能であ
る。フオトマスクと薄い透明基板との貼り合わせ技術は
特開平６‐２８２０６６号公報に例示されている。
【００１０】透明基板は塵埃がフオトマスクパタ−ン上
に直接付着するのを防ぐと共に、例え透明基板上に微小
な塵埃が付着しても、透明基板の厚さのために、露光時
に塵埃の像はレジストを塗布した半導体用ウエ−ハ上に
は結像されず、転写されない。したがって、透明基板は
防塵装置として機能する。透明基板の厚さは、透明基板
上の塵埃が露光時に転写されなければよいので、通常の
ペリクル用フレ−ムの高さに近い２ｍｍ以上の厚さがあ
れば十分である。透明基板の大きさは、フォトマスクの
パタ−ン転写に影響する領域を覆っていれば十分である
が、操作性などの点からフォトマスクと同一サイズがよ
り好ましい。
に直接付着するのを防ぐと共に、例え透明基板上に微小
な塵埃が付着しても、透明基板の厚さのために、露光時
に塵埃の像はレジストを塗布した半導体用ウエ−ハ上に
は結像されず、転写されない。したがって、透明基板は
防塵装置として機能する。透明基板の厚さは、透明基板
上の塵埃が露光時に転写されなければよいので、通常の
ペリクル用フレ−ムの高さに近い２ｍｍ以上の厚さがあ
れば十分である。透明基板の大きさは、フォトマスクの
パタ−ン転写に影響する領域を覆っていれば十分である
が、操作性などの点からフォトマスクと同一サイズがよ
り好ましい。
【００１１】請求項２の発明に係わるは、フォトマスク
の遮光膜パタ−ン面側の全面に紫外線を透過する透明膜
を形成し、次に透明膜上に紫外線を透過する透明基板を
重ね合わせ、フォトマスク上の透明膜と透明基板との間
の空気を排気除去することにより、フォトマスクと透明
基板とを密着して貼り合わせたことを特徴とする防塵装
置付きフォトマスクである。
の遮光膜パタ−ン面側の全面に紫外線を透過する透明膜
を形成し、次に透明膜上に紫外線を透過する透明基板を
重ね合わせ、フォトマスク上の透明膜と透明基板との間
の空気を排気除去することにより、フォトマスクと透明
基板とを密着して貼り合わせたことを特徴とする防塵装
置付きフォトマスクである。
【００１２】フォトマスクの遮光膜パタ−ンの形状、密
度は様々であり、遮光膜パタ−ンの面積が小さいフォト
マスクも存在する。本発明における透明膜は、遮光膜パ
タ−ンによる段差を緩和して透明基板との貼り合わせ時
のパタ−ン依存性をなくし、透明基板との密着強度をよ
り向上させるために設けられる。フォトマスク上に設け
る透明膜としては、露光波長に対する紫外線透過性、お
よび耐光性に優れた特性を有することが求められ、酸化
アルミニウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム
等が示される。例えば、フォトマスク基板に合成石英ガ
ラス基板を用いた場合には、その組成に近いシリコン酸
化物が透明膜としてより好ましい。シリコン酸化物はＳ
ｉＯ2タ−ゲットを用いたＡｒガスによるスパッタリン
グ等の真空成膜法、または塗布ガラス（スピンオングラ
ス；ＳＯＧ）法を用いることにより形成し得る。ＳＯＧ
は市販品として、例えば東京応化社製ＯＣＤ Ｔｙｐｅ
‐２やアライドシグナル社製アキュグラス２１１Ｓ等が
使用できる。
度は様々であり、遮光膜パタ−ンの面積が小さいフォト
マスクも存在する。本発明における透明膜は、遮光膜パ
タ−ンによる段差を緩和して透明基板との貼り合わせ時
のパタ−ン依存性をなくし、透明基板との密着強度をよ
り向上させるために設けられる。フォトマスク上に設け
る透明膜としては、露光波長に対する紫外線透過性、お
よび耐光性に優れた特性を有することが求められ、酸化
アルミニウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム
等が示される。例えば、フォトマスク基板に合成石英ガ
ラス基板を用いた場合には、その組成に近いシリコン酸
化物が透明膜としてより好ましい。シリコン酸化物はＳ
ｉＯ2タ−ゲットを用いたＡｒガスによるスパッタリン
グ等の真空成膜法、または塗布ガラス（スピンオングラ
ス；ＳＯＧ）法を用いることにより形成し得る。ＳＯＧ
は市販品として、例えば東京応化社製ＯＣＤ Ｔｙｐｅ
‐２やアライドシグナル社製アキュグラス２１１Ｓ等が
使用できる。
【００１３】請求項３の発明に係わるは、フォトマスク
の遮光膜パタ−ン面側の全面に紫外線を透過する透明膜
を形成し、次に透明膜を平坦化した後に、透明膜上に紫
外線を透過する透明基板を重ね合わせ、フォトマスク上
の平坦化した透明膜と透明基板との間の空気を排気除去
することにより、フォトマスクと透明基板とを密着して
貼り合わせたことを特徴とする防塵装置付きフォトマス
クである。
の遮光膜パタ−ン面側の全面に紫外線を透過する透明膜
を形成し、次に透明膜を平坦化した後に、透明膜上に紫
外線を透過する透明基板を重ね合わせ、フォトマスク上
の平坦化した透明膜と透明基板との間の空気を排気除去
することにより、フォトマスクと透明基板とを密着して
貼り合わせたことを特徴とする防塵装置付きフォトマス
クである。
【００１４】フォトマスク上に形成した透明膜は一定の
平坦度を有しているが、微細な凹凸が存在することが多
い。遮光膜パタ−ンの段差によって生じた透明膜の微細
な凹凸を研磨除去することにより平坦化し、透明膜と透
明基板との間の空気を排気除去すれば、透明膜と透明基
板は全面において密着し貼り合わさる。透明膜の平坦化
方法としては特開平７‐２６１３６９号公報に示される
技術であり、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎ
ｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の研磨装置にて所定
の条件で研磨を行い、平坦化する。
平坦度を有しているが、微細な凹凸が存在することが多
い。遮光膜パタ−ンの段差によって生じた透明膜の微細
な凹凸を研磨除去することにより平坦化し、透明膜と透
明基板との間の空気を排気除去すれば、透明膜と透明基
板は全面において密着し貼り合わさる。透明膜の平坦化
方法としては特開平７‐２６１３６９号公報に示される
技術であり、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎ
ｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の研磨装置にて所定
の条件で研磨を行い、平坦化する。
【００１５】請求項４に係わるは、請求項１ないし３に
おける防塵装置付きフォトマスクを用い、露光装置の中
で透明基板のみを取り外して露光し、露光終了後に露光
装置からフォトマスクを取り出す際に、再度透明基板を
取りつけたことを特徴とする露光方法である。
おける防塵装置付きフォトマスクを用い、露光装置の中
で透明基板のみを取り外して露光し、露光終了後に露光
装置からフォトマスクを取り出す際に、再度透明基板を
取りつけたことを特徴とする露光方法である。
【００１６】本発明における防塵装置付きフォトマスク
は、通常のペリクルと同じように防塵装置を付けたまま
で露光に使用し得るが、再度フォトマスクを真空下に置
くことにより、簡単に防塵装置を剥離することが可能で
ある。フォトマスク上に付着する塵埃の影響は、一般に
大気中での取り扱い中に付着することが最も多い。真空
紫外領域の露光では、フォトマスクにおける紫外線の透
過率を少しでも向上させ、露光光の利用効率を上げるこ
とが求められている。本発明の露光方法の目的の一つ
は、Ｆ2 レ−ザ等の真空紫外領域の露光時に、露光装置
内で防塵装置付きフォトマスから透明基板を取り外して
露光することにより、露光光の利用効率を上げることに
ある。露光終了後は、露光装置からフォトマスクを取り
出す際に、再度透明基板を取り付け密着させてから大気
に戻す。
は、通常のペリクルと同じように防塵装置を付けたまま
で露光に使用し得るが、再度フォトマスクを真空下に置
くことにより、簡単に防塵装置を剥離することが可能で
ある。フォトマスク上に付着する塵埃の影響は、一般に
大気中での取り扱い中に付着することが最も多い。真空
紫外領域の露光では、フォトマスクにおける紫外線の透
過率を少しでも向上させ、露光光の利用効率を上げるこ
とが求められている。本発明の露光方法の目的の一つ
は、Ｆ2 レ−ザ等の真空紫外領域の露光時に、露光装置
内で防塵装置付きフォトマスから透明基板を取り外して
露光することにより、露光光の利用効率を上げることに
ある。露光終了後は、露光装置からフォトマスクを取り
出す際に、再度透明基板を取り付け密着させてから大気
に戻す。
【００１７】本発明の露光方法の他の目的は、高価な透
明基板を何度も再使用できるという点にある。短波長紫
外線を透過する材料は限られており、透明基板は高価で
あるが、本発明では必要に応じて再研磨することを含め
て透明基板が何度でも再利用できるので、経済的にも利
点がある。
明基板を何度も再使用できるという点にある。短波長紫
外線を透過する材料は限られており、透明基板は高価で
あるが、本発明では必要に応じて再研磨することを含め
て透明基板が何度でも再利用できるので、経済的にも利
点がある。
【００１８】本発明の露光方法に用いる透明基板は露光
時に取り外すため、必ずしも露光光に対して透明でなく
とも良いが、フォトマスクと密着し貼り合わせた後に行
われる検査光に対しては透明性が求められる。
時に取り外すため、必ずしも露光光に対して透明でなく
とも良いが、フォトマスクと密着し貼り合わせた後に行
われる検査光に対しては透明性が求められる。
【００１９】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を以下の実施例
にもとづき図面を参照して説明する。
にもとづき図面を参照して説明する。
【００２０】
【実施例１】図１は本発明の防塵装置付きフォトマスク
の一例を示す断面図である。図１において、光学研磨さ
れた６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英ガラス
基板１上に、厚さ８０ｎｍのクロム薄膜と４０ｎｍの低
反射クロム薄膜の２層構造で遮光膜パタ−ン２が設けら
れたフォトマスクを洗浄し、乾燥して表面を清浄にした
後、フォトマスクと同一サイズの光学研磨し洗浄乾燥し
た平面度２μｍの合成石英ガラス基板３をフォトマスク
の遮光膜パタ−ン面側に、位置合わせをし、接着剤等を
用いることなく重ね合わせた。次に、重ねた状態で真空
装置内に入れ、真空度１３３×１０-3 Ｐａ（１×１０
-3 Ｔｏｒｒ）で10分間真空引きを行い、2枚の基板を強
固に密着せしめた。本方法で貼り合わせた2枚の基板は
十分に密着しており、防塵装置付きフォトマスクとして
ＡｒＦエキシマレ−ザ露光に使用可能であった。
の一例を示す断面図である。図１において、光学研磨さ
れた６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英ガラス
基板１上に、厚さ８０ｎｍのクロム薄膜と４０ｎｍの低
反射クロム薄膜の２層構造で遮光膜パタ−ン２が設けら
れたフォトマスクを洗浄し、乾燥して表面を清浄にした
後、フォトマスクと同一サイズの光学研磨し洗浄乾燥し
た平面度２μｍの合成石英ガラス基板３をフォトマスク
の遮光膜パタ−ン面側に、位置合わせをし、接着剤等を
用いることなく重ね合わせた。次に、重ねた状態で真空
装置内に入れ、真空度１３３×１０-3 Ｐａ（１×１０
-3 Ｔｏｒｒ）で10分間真空引きを行い、2枚の基板を強
固に密着せしめた。本方法で貼り合わせた2枚の基板は
十分に密着しており、防塵装置付きフォトマスクとして
ＡｒＦエキシマレ−ザ露光に使用可能であった。
【００２１】
【実施例２】図２に本発明の一例を示す。光学研磨され
た６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英ガラス基
板４に、厚さ６０ｎｍのクロム薄膜を中心にして上下に
それぞれ４０ｎｍの低反射クロム薄膜が設けられた３層
構造で遮光膜パタ−ン５が形成されたフォトマスクを洗
浄し、その遮光膜パタ−ン面側の全面に市販の塗布ガラ
ス（スピンオンガラス；ＳＯＧ）であるアライドシグナ
ル社製アキュグラス２１１Ｓをスピンコ−ト法で塗布
し、窒素雰囲気中３００度で１時間焼成し、焼成後の膜
厚が約８００ｎｍのＳＯＧ膜を得た。次に岡本工作機械
製作所製ＣＭＰ装置ＳＰＰ６００ＳによりＳＯＧを研磨
し、厚さ約６００ｎｍの平坦なＳＯＧ膜６を形成した。
研磨条件としては、研磨用スラリ−にロデ−ルニッタ社
製ＩＬＤ１３００、研磨布は同ＩＣ１１００を使用し、
負荷荷重は５０ｇ／ｃｍ2 、スピンドル速度３０ｒｐ
ｍ、テ−ブル速度３０ｒｐｍであった。 次にフォトマ
スクの平坦化したＳＯＧ膜面側に、同一サイズの光学研
磨された６インチ角の合成石英ガラス基板７を重ね合わ
せ、真空装置に入れて常温で２０分間真空引きし、強固
に密着した防塵装置付きフォトマスクを得た。このフォ
トマスクはＫｒＦエキシマレ−ザ露光に使用可能であっ
た。
た６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英ガラス基
板４に、厚さ６０ｎｍのクロム薄膜を中心にして上下に
それぞれ４０ｎｍの低反射クロム薄膜が設けられた３層
構造で遮光膜パタ−ン５が形成されたフォトマスクを洗
浄し、その遮光膜パタ−ン面側の全面に市販の塗布ガラ
ス（スピンオンガラス；ＳＯＧ）であるアライドシグナ
ル社製アキュグラス２１１Ｓをスピンコ−ト法で塗布
し、窒素雰囲気中３００度で１時間焼成し、焼成後の膜
厚が約８００ｎｍのＳＯＧ膜を得た。次に岡本工作機械
製作所製ＣＭＰ装置ＳＰＰ６００ＳによりＳＯＧを研磨
し、厚さ約６００ｎｍの平坦なＳＯＧ膜６を形成した。
研磨条件としては、研磨用スラリ−にロデ−ルニッタ社
製ＩＬＤ１３００、研磨布は同ＩＣ１１００を使用し、
負荷荷重は５０ｇ／ｃｍ2 、スピンドル速度３０ｒｐ
ｍ、テ−ブル速度３０ｒｐｍであった。 次にフォトマ
スクの平坦化したＳＯＧ膜面側に、同一サイズの光学研
磨された６インチ角の合成石英ガラス基板７を重ね合わ
せ、真空装置に入れて常温で２０分間真空引きし、強固
に密着した防塵装置付きフォトマスクを得た。このフォ
トマスクはＫｒＦエキシマレ−ザ露光に使用可能であっ
た。
【００２２】
【実施例３】実施例１で作製した防塵装置付きフォトマ
スクをＦ2 レ−ザ露光装置内に静置し、装置内を排気し
て真空にした後、露光装置内で防塵装置付きフォトマス
クから透明基板を取り外し、次にＦ2 レ−ザ露光して半
導体用ウェ−ハ上のレジストにフォトマスクパタ−ンを
転写した。露光終了後、露光装置からフォトマスクを取
り出す際に、再度透明基板をフォトマスクに取り付け密
着させてから大気圧に戻し、再び防塵装置付きフォトマ
スクとして露光装置から取り出した。
スクをＦ2 レ−ザ露光装置内に静置し、装置内を排気し
て真空にした後、露光装置内で防塵装置付きフォトマス
クから透明基板を取り外し、次にＦ2 レ−ザ露光して半
導体用ウェ−ハ上のレジストにフォトマスクパタ−ンを
転写した。露光終了後、露光装置からフォトマスクを取
り出す際に、再度透明基板をフォトマスクに取り付け密
着させてから大気圧に戻し、再び防塵装置付きフォトマ
スクとして露光装置から取り出した。
【００２３】
【発明の効果】本発明の防塵装置付きフォトマスクは、
波長１５０〜２００ｎｍの短波長光源であるＡｒＦ（19
3ｎｍ）エキシマレ−ザ、Ｆ2 レ−ザ（157ｎｍ）におい
ても優れた光透過性を有し、かつ同波長域の紫外線に対
しても耐久性が高く、さらに従来のペリクルのように、
内部を窒素等の不活性ガスで置換するなどの工夫も不要
となった。また、本発明に関わる防塵装置は、従来のペ
リクルのようにフレ−ムを接着剤でフォトマスク上に固
定する構造と異なるので、防塵装置付きフォトマスクを
再度真空下に置くことにより、簡単に剥離することが可
能である。したがって、防塵装置を構成する透明基板が
塵埃等で汚染した場合には、透明基板を交換したり、あ
るいはフォトマスクと透明基板の双方を洗浄して再使用
することが容易に可能である。
波長１５０〜２００ｎｍの短波長光源であるＡｒＦ（19
3ｎｍ）エキシマレ−ザ、Ｆ2 レ−ザ（157ｎｍ）におい
ても優れた光透過性を有し、かつ同波長域の紫外線に対
しても耐久性が高く、さらに従来のペリクルのように、
内部を窒素等の不活性ガスで置換するなどの工夫も不要
となった。また、本発明に関わる防塵装置は、従来のペ
リクルのようにフレ−ムを接着剤でフォトマスク上に固
定する構造と異なるので、防塵装置付きフォトマスクを
再度真空下に置くことにより、簡単に剥離することが可
能である。したがって、防塵装置を構成する透明基板が
塵埃等で汚染した場合には、透明基板を交換したり、あ
るいはフォトマスクと透明基板の双方を洗浄して再使用
することが容易に可能である。
【００２４】また、本発明の露光方法は、露光光の利用
効率を上げることにより露光時間を短縮して生産性を上
げること、および高価な透明基板を何度も再使用できる
という効果を有する。
効率を上げることにより露光時間を短縮して生産性を上
げること、および高価な透明基板を何度も再使用できる
という効果を有する。
【図１】 実施例１の防塵装置付きフォトマスクの断面
模式図である。
模式図である。
【図２】 実施例２の防塵装置付きフォトマスクの断面
模式図である。
模式図である。
【図３】 従来のペリクル付きフォトマスクを示す模式
図である。
図である。
１、４、８ 合成石英ガラス基板
２、５、９ 遮光膜パタ−ン
３、７透明基板
６ 平坦化透明膜
１０ ペリクル膜
１１ フレ−ム
Claims (4)
- 【請求項１】 フォトマスクの遮光膜パタ−ン面側に紫
外線を透過する透明基板を重ね合わせ、フォトマスクの
遮光膜パタ−ンと透明基板との間の空気を排気除去する
ことにより、フォトマスクと透明基板とを密着して貼り
合わせたことを特徴とする防塵装置付きフォトマスク。 - 【請求項２】 フォトマスクの遮光膜パタ−ン面側の全
面に紫外線を透過する透明膜を形成し、次に透明膜上に
紫外線を透過する透明基板を重ね合わせ、フォトマスク
上の透明膜と透明基板との間の空気を排気除去すること
により、フォトマスクと透明基板とを密着して貼り合わ
せたことを特徴とする防塵装置付きフォトマスク。 - 【請求項３】 フォトマスクの遮光膜パタ−ン面側の全
面に紫外線を透過する透明膜を形成し、次に透明膜を平
坦化した後に、透明膜上に紫外線を透過する透明基板を
重ね合わせ、フォトマスク上の平坦化した透明膜と透明
基板との間の空気を排気除去することにより、フォトマ
スクと透明基板とを密着して貼り合わせたことを特徴と
する防塵装置付きフォトマスク。 - 【請求項４】 請求項１ないし３における防塵装置付き
フォトマスクを用い、露光装置の中で透明基板を取り外
して露光し、露光終了後、再度透明基板を取り付け、露
光装置から防塵装置付きフォトマスクを取り出すことを
特徴とする露光方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2001343673A JP3711063B2 (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 防塵装置付きフォトマスク及びこれを用いた露光方法 |
| TW091125012A TW552484B (en) | 2001-11-08 | 2002-10-25 | Photomask with dust-proofing device and exposure method using the same |
| KR1020020066174A KR100875948B1 (ko) | 2001-11-08 | 2002-10-29 | 방진 장치 부착 포토마스크 및 이것을 사용한 노광 방법 |
| US10/288,936 US6933082B2 (en) | 2001-11-08 | 2002-11-06 | Photomask with dust-proofing device and exposure method using the same |
| DE60216882T DE60216882T2 (de) | 2001-11-08 | 2002-11-07 | Photomaske mit Vorrichtung zum Schutz vor Staub und Belichtungsmethode unter Verwendung dieser Photomaske |
| EP02257730A EP1310827B1 (en) | 2001-11-08 | 2002-11-07 | Photomask with dust-proofing device and exposure method using the same |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005316492A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | モノリシック・ハード・ペリクル |
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|---|---|---|---|---|
| US20060243300A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Patrick Klingbeil | Method for cleaning lithographic apparatus |
| US20070128240A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Peter Krulevitch | Compliant biocompatible packaging scheme based on NiTi shape memory alloys for implantable biomedical microsystems |
| US20070264582A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Double-decker mask-pellicle assembly |
| US20080199783A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double-Decker Pellicle-Mask Assembly |
| ES2473216B1 (es) * | 2014-02-20 | 2015-06-02 | Universitat De Barcelona | Superficie con propiedades de reducción de la luz difusa por condensación de agua y procedimiento de obtención de esta |
| US10983430B2 (en) * | 2018-02-22 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask assembly and haze acceleration method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7907643A (nl) | 1978-10-17 | 1980-04-21 | Censor Patent Versuch | Fotomasker. |
| JPS55121443A (en) | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask base plate |
| JPS5629238A (en) | 1979-08-15 | 1981-03-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask |
| US4833051A (en) | 1984-08-20 | 1989-05-23 | Nippon Kogaku K.K. | Protective device for photographic masks |
| JP3324005B2 (ja) | 1993-03-29 | 2002-09-17 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトフォトマスク用基板及びその製造法 |
| KR100311704B1 (ko) * | 1993-08-17 | 2001-12-15 | 기타오카 다카시 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및그블랭크스의제조방법 |
| JP3484548B2 (ja) | 1994-03-16 | 2004-01-06 | 大日本印刷株式会社 | 上シフター型位相シフトフオトマスク用ブランクス及び上シフター型位相シフトフオトマスクとそれらの製造方法 |
| JP3467191B2 (ja) * | 1998-08-19 | 2003-11-17 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル製造用治具およびこれを用いたペリクルの製造方法 |
| JP2001083690A (ja) | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
| EP1227344A4 (en) * | 1999-11-05 | 2005-08-31 | Asahi Glass Co Ltd | ANTI-REFLECTION BASE FOR UV AND VACUUM UV AREAS |
| JP2001203145A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2001226872A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-21 | Fukushin Kogyo Kk | ポリエステル海島繊維のマイクロファイバー化方法及びシステム |
-
2001
- 2001-11-08 JP JP2001343673A patent/JP3711063B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-25 TW TW091125012A patent/TW552484B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-29 KR KR1020020066174A patent/KR100875948B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-06 US US10/288,936 patent/US6933082B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-07 DE DE60216882T patent/DE60216882T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-07 EP EP02257730A patent/EP1310827B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
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| EP1310827B1 (en) | 2006-12-20 |
| KR20030038382A (ko) | 2003-05-16 |
| DE60216882D1 (de) | 2007-02-01 |
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