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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Staubschutzvorrichtung,
die angebracht wird, um das Anhaften von Fremdsubstanzen an einer Photomaske
zu verhindern, welche in einem Verfahren zur Herstellung von hochintegrierten
Schaltungen, wie LSIs und VLSIs, verwendet wird, und insbesondere
auf eine mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstete Photomaske, die eine
ausgezeichnete Lichtdurchlässigkeit
für Ultraviolettstrahlung
in einem Bereich kurzer Wellenlängen
und eine ausgezeichnete Lichtbeständigkeit aufweist, sowie auf
ein Belichtungsverfahren unter Verwendung der Photomaske.
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Eine
Abziehemulsionsschicht mit einer Struktur, bei der, wie in 3 dargestellt,
ein dünner organischer
Film, der aus Nitrozellulose, einem Fluorharz oder dergleichen gebildet
ist und eine Dicke von mehreren μm
hat, an einer Seite eines aus Metall hergestellten Rahmens oder
dergleichen angebracht wird, indem ein Haftmittel oder dergleichen
verwendet wird, ist als eine Staubschutzvorrichtung verwendet worden,
die auf Photomasken angebracht wird, welche bei der Herstellung
von integrierten Schaltungen von hoher Dichte wie LSIs und VLSIs
verwendet werden, mit der Absicht, das Anhaften von Fremdsubstanzen
wie etwa Staubteilchen zu verhindern. Die Abziehemulsionsschicht
wird mit der Photomaske verbunden und an dieser befestigt, nachdem
das Haftmittel auf eine Seite des Rahmens aufgetragen wurde. Die
Höhe des
Rahmens beträgt
im Allgemeinen ca. 3 bis 5 mm, und die Oberfläche des Abziehemulsionsschicht-Films
ist von der Musteroberfläche der
Photomaske um eine Entfernung beabstandet, die der Höhe des Rahmens
entspricht. Daher wird während
der Belichtung, wenn feine Staubteilchen an der Oberfläche des
Abziehemulsionsschicht-Films haften,
das Abbild dieser Staubteilchen weder auf einem Halbleiter-Wafer,
auf den ein Photolack aufgetragen ist, ausgebildet noch auf diesen übertragen.
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In
jüngster
Zeit ist jedoch eine starke Nachfrage für Lithographie-Technologien
aufgetreten, die die Bildung von integrierten Schaltungen ermöglichen,
indem eine schmalere Linienbreite verwendet wird, mit der Absicht,
die Integration von VLSIs zu verbessern, und ein Fortschritt bei
der Verwendung von Belichtungs-Lichtquellen, die kürzere Wellenlängen aufweisen,
wurde erreicht. Zum Beispiel bewegt sich der Trend für die Lichtquellen
für Lithographie-Stepper
in Richtung der Verwendung von ArF (193 nm)-Excimer-Lasern und F2-Lasern (157 nm), weg von der Verwendung
eines herkömmlichen g-line-Steppers
(436 nm)-, i-line-Steppers (365 nm)- und KrF-Excimer-Lasers (248 nm).
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Wenn
Belichtungs-Wellenlängen
kürzer
sind, insbesondere im Vakuum-Ultraviolettbereich
von weniger als 180 nm, bringt dies den Nachteil mit sich, dass
die Lichtdurchlässigkeit
von organischen Materialien wie etwa Nitrozellulose unzureichend
ist. Auch haben, da ein ArF-Excimer-Laser und ein F2-Laser hohe
Energie aufweisen, Abziehemulsionsschichten, die aus organischen
Materialien zusammengesetzt sind, den Nachteil, dass deren Film
denaturiert wird und ein Verlust des Films verursacht wird.
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Es
existiert ein Verfahren, um eine hohe Lichtdurchlässigkeit
in einem Bereich kürzerer
Wellenlängen
zu erhalten, bei dem eine Glas-Abziehemulsionsschicht verwendet
wird, die aus einem synthetischen Quarzglas ausgebildet ist, welches
zu einem dünnen
Film von 1 mm Dicke verarbeitet wurde, wie beschrieben in der Veröffentlichung
der Japanischen Offengelegten Patentanmeldung Nr. 2001-83690. Jedoch
ist innnerhalb der auf einer Photomaske ausgebildeten Quarzglas-Abziehemulsionsschicht
die übliche
Atmosphäre,
einschließlich
Oxygen, vorhanden, wodurch das Problem auftritt, dass das Oxygen
bei Lichtquellen von kürzerer
Wellenlänge,
insbesondere bei einem 157 nm-F2--Laser, Licht absorbiert;
daher müssen
Vorrichtungen dafür,
dass die Atmosphäre
in der Abziehemulsionsschicht durch inertes Gas, wie etwa Stickstoff,
der kein Licht absorbiert, ersetzt wird, eingesetzt werden. Auch
weisen die herkömmlichen
Verfahren das Problem auf, dass, da der Rahmen mit der Abziehemulsionsschicht
fest verbunden werden muss und der Rahmen mit der Photomaske fest
verbunden werden muss, indem ein Haftmittel verwendet wird, wiederholte
Belichtung eine Gasabgabe aus dem Haftmittel und die Zersetzung
des Haftmittels verursacht, mit dem Ergebnis, dass dadurch Fremdsubstanzen
an dem Muster der Photomaske anhaften, was Mängel verursacht. Das Problem,
welches das durch das Haftmittel verursachte Anhaften von Fremdsubstanzen
betrifft, wird schwerwiegender gemacht, wenn die Belichtungs-Wellenlänge kürzer ist.
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Als
Verfahren, bei denen keine Abziehemulsionsschicht verwendet wird,
gibt es Beschreibungen, die eine Photomaske mit einer Struktur betreffen,
in welcher eine dünne
Glasplatte nur auf die effektiven wirksamen Teile einer Photomaske
aufgelegt wird, indem ein durch Strahlung härtbares Haftmittel verwendet
wird, in der Veröffentlichung
der geprüften Japanischen
Patentanmeldung Nr. 561-54211, und auch Beschreibungen, die eine
Struktur betreffen, welche erhalten wird durch Auftragen eines Haftmittels
auf die gesamte Photomaske oder einen Teil derselben, sowie durch
Anbringen eines transparenten Substrats an der Photomaske mittels
des Haftmittels, in der Veröffentlichung
der Japanischen Offengelegten Patentanmeldung Nr. 555-121443. Wenn
jedoch ein Haftmittel in dem exponierten Bereich der Photomaske
vorhanden ist, verursacht wiederholte Belichtung eine Gasabgabe
aus dem Haftmittel und die Zersetzung des Haftmittels, was zu Problemen
wie den durch Fremdsubstanzen verursachten Mängeln einer Photomaske führt, sowie
teilweiser Färbung und
reduzierter Ultraviolett-Lichtdurchlässigkeit, verursacht durch
die Denaturierung des Haftmittels. Diese durch ein Haftmittel verursachten
Probleme werden schwerwiegender, wenn die Belichtungs-Wellenlänge kürzer ist,
was zu dem Nachteil führt,
dass diese Verfahren praktisch nicht verwendbar sind.
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In
einer anonymen Offenbarung (2244 Forschungs-Offenbarung, 1985, Nr.
259) wird eine wiederverwendbare Abziehemulsionsschicht beschrieben,
bei der eine von einem Rahmen getragene Abziehemulsionsschicht über einer
Photomaske positioniert werden und die Luft zwischen der Abziehemulsionsschicht
und der Photomaske entfernt werden kann, um die Abziehemulsionsschicht über der
Photomaske zu befestigen. Als Alternative können Abziehemulsionsschichten
an beiden Seiten einer Photomaske befestigt werden, unter Verwendung
der gegenseitigen magnetischen Anziehungskraft der Abziehemulsionsschichten
durch die Photomaske hindurch.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die vorstehend erwähnten Probleme
zu lösen.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Photomaske bereitzustellen,
die mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstet ist, die hohe Ultraviolett-Lichtdurchlässigkeit
und hohe Beständigkeit
gegenüber Ultraviolettstrahlung
besitzt, und die frei von der Notwendigkeit einer Substitution durch
inertes Gas ist, und auch ein Belichtungsverfahren bereitzustellen, das
diese Photomaske verwendet.
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Um
die obigen Probleme zu lösen
wird in der in einem ersten Aspekt beschriebenen Erfindung eine
Photomaske bereitgestellt, die mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüstet
ist, dadurch gekennzeichnet, dass diese eine Photomaske und ein
transparentes Substrat aufweist, das in direktem Flächenkontakt
mit einer Seite einer Oberfläche
der Photomaske steht, die mit einem Lichtabschattungsfilmmuster
versehen ist, so dass mindestens ein Bereich abgedeckt ist, der
eine Übertragung
eines Musters der Photomaske bewirkt, wobei das transparente Substrat
eine Dicke von 2 mm oder mehr aufweist und aus einem Material gebildet
ist, das Ultraviolettstrahlung durchlässt, und das transparente Substrat und
das Lichtabschattungsfilmmuster der Photomaske eng miteinander verbunden
sind, indem die zwischen dem transparenten Substrat und dem Lichtabschattungsfilmmuster
vorhandene Luft abgesaugt und entfernt wird.
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Als
das transparente Substra, das Ultraviolettstrahlung von kurzer Wellenlänge durchlässt, können ein
synthetisches Quarzsubstrat, weißer Einzelkristall-Saphir und
dergleichen verwendet werden. Als der Lichtabschattungsfilm können gewöhnliche Photomasken-Lichtabschattungsmaterialien
wie etwa Chrom, Chromoxide, Chromatnitride und dergleichen verwendet
werden. Die Entfernung der zwischen dem Lichtabschattungsfilmmuster
der Photomaske und dem transparenten Substrat vorhandenen Luft kann
erreicht werden, indem die Photomaske und das transparente Substrat,
die eng miteinander verbunden sind, in einer reinen Vakuumkammer, die
ein Vakuum von ca. 133 × 10–3 Pa
(1 × 10–3 Torr) gewährleisten
kann, in einem sauberen Raum plaziert werden und im Vakuum bei Raumtemperatur während mehrerer
Minuten bis zu mehrmals zehn Minuten abgesaugt wird. Um die Festigkeit
der Verbindung zwischen der Photomaske und dem transparenten Substrat
zu erhöhen,
kann eine Entgasung für beide
vorab durch Evakuation je nach Bedarf durchgeführt werden. Technologien für das Anlegen
der Photomaske an das dünne
transparente Substrat sind beispielhaft in der Veröffentlichung
der Japanischen Offengelegten Patentanmeldung Nr. H6-282006 veranschaulicht.
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Das
transparente Substrat dient dazu, zu verhindern, dass Staubteilchen
unmittelbar an der Photomaske anhaften, und zudem wird, selbst wenn feine
Staubteilchen an dem transparenten Substrat anhaften, das Abbild
dieser Staubteilchen auf einem Halbleiter-Wafer, auf den ein Photolack afgetragen wurde,
während
der Belichtung weder ausgebildet noch auf diesen übertragen,
aufgrund der Dicke des transparenten Substrats. Daher fungiert das
transparente Substrat als eine Staubschutzvorrichtung. Es ist nur
erforderlich, dass das transparente Substrat eine Dicke von 2 mm
oder mehr aufweist, was annähernd
der Höhe
eines gewöhnlichen
Abziehemulsionsschicht-Rahmens entspricht, da es lediglich erforderlich
ist, dass die Staubteilchen auf dem transparenten Substrat während der
Belichtung nicht übertragen
werden. Obwohl es nur erforderlich ist, dass das transparente Substrat
eine solche Größe aufweist,
dass es den Bereich abdeckt, der die Übertragung des Musters der
Photomaske bewirkt, weist das transparente Substrat vorzugsweise
die selbe Größe wie die
Photomaske auf, im Hinblick auf die Erleichterung der Handhabung.
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Gemäß eines
zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird eine Photomaske
bereitgestellt, die mit einer Staubschutzmaske ausgerüstet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass ein transparenter Film, der Ultraviolettstrahlung
durchlässt,
auf der gesamten Oberfläche
der Seite einer Oberfläche
der Photomaske, die mit einem Lichtabschattungsfilmmuster versehen
ist, gebildet ist, wobei der transparente Film und das transparente
Substrat zusammengehalten sind, indem die zwischen dem transparenten
Film und dem transparenten Substrat vorhandene Luft abgesaugt und
entfernt wird.
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Die
Form und Dichte des Lichtabschattungsfilmmusters der Photomaske
sind vielfältiger
Art, und es gibt Photomasken mit einem Lichtabschattungsmuster,
das eine kleine Fläche
aufweist. Der transparente Film in der vorliegenden Erfindung wird
ausgebildet, um den Einfluss der Stufe, der durch das Lichtabschattungsfilmmuster
verursacht wird, zu mildern, um dadurch die Abhängigkeit von einem Muster, wenn
dieser auf das transparente Substrat aufgelegt wird, zu eliminieren,
wodurch die Verbindungsfestigkeit zwischen dem transparenten Substrat
und der Photomaske weiter verbessert wird. Es ist erforderlich,
dass der auf der Photomaske gebildete transparente Film überdurchschnittliche
Eigenschaften aufweist, wie etwa hohe Ultraviolettstrahlungs-Lichtdurchlässigkeit
für die
Belichtungs-Wellenlänge,
sowie Lichtbeständigkeit;
und als Materialien, die für den
transparenten Film zu verwenden sind, werden Aluminiumoxid, Magnesiumoxid,
Magnesiumfluorid und dergleichen aufgeführt. Wenn zum Beispiel ein synthetisches
Quarzglas-Substrat als das Substrat für die Photomaske verwendet
wird, ist Silikonoxid mit einer Zusammensetzung, die sich derjenigen
des Quarzglassubstrats annähert,
als der transparente Film besonders zu bevorzugen. Ein Silikonoxidfilm kann
mittels eines Aufdampfungsverfahrens wie etwa eines Sprühverfahrens
mit Ar-Gas, und unter Verwendung eines SiO2-Auffängers, oder
mittels eines Glasbeschichtungs (Spin-On-Glass; SOG)-Verfahrens ausgebildet
werden. Als das vorstehende SOG können OCD Type-2, hergestellt
von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Aquglass 211S, hergestellt von Allied
Signal und dergleichen verwendet werden.
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Vorzugsweise
ist der transparente Film abgeflacht.
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Obwohl
auf einer Photomaske gebildete transparente Filme einen gewissen
Grad an Flachheit aufweisen, existieren in vielen transparenten
Filmen feine Unregelmäßigkeiten.
Wenn feine Unregelmäßigkeiten
des transparenten Films, welche aufgrund der Stufen des Lichtabschattungsfilmmusters erzeugt
werden, durch Polieren beseitigt werden und die zwischen dem transparenten
Film und dem transparenten Substrat vorhandene Luft abgesaugt und entfernt
wird, so ist der transparente Film mit der gesamten Oberfläche des
transparenten Substrats verbunden und an dieser angebracht. Was
ein Verfahren zum Abflachen des transparenten Films betrifft, so wird
der transparente Film poliert unter Verwendng einer Poliermaschine,
zum Beispiel mittels CMP (Chemisch-mechanisches Polieren) auf der Basis der
Technologien, die in der Veröffentlichung
der Japanischen Offengelegten Patentanmeldung Nr. H7-261369 beschrieben
sind, unter vorbestimmten Bedingungen.
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Gemäß eines
dritten Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein Belichtungsverfahren
bereitgestellt, das umfasst: Verwenden der mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüsteten
Photomaske nach einem der Ansprüche
1 bis 3, Entfernen des transparenten Substrats von der Photomaske,
um Belichtung in einer Belichtungsvorrichtung durchzuführen, Wiederaufsetzen
des transparenten Substrats auf die Photomaske, nachdem die Belichtung
beendet ist, und Herausnehmen der mit der Staubschutzvorrichtung
ausgerüsteten
Photomaske aus der Belichtungsvorrichtung.
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Die
mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstete Photomaske der vorliegenden
Erfindung kann zur Belichtung so wie sie ist, ausgerüstet mit
der Staubschutzvorrichtung, in derselben Weise verwendet werden,
wie wenn eine gewöhnliche
Abziehemulsionsschicht verwendet wird; jedoch kann die Staubschutzvorrichtung
mühelos
abgetrennt werden, indem die Photomaske wieder unter Vakuum plaziert wird.
Um den Einfluss von an der Photomaske anhaftenden Staubteilchen
zu präzisieren:
diese Staubteilchen haften üblicherweise
am meisten während
der Handhabung in der Atmosphäre
an. Bei der Belichtung, die im ultravioletten Bereich unter Vakuum durchgeführt wird,
muss die Durchlässigkeit
der Photomaske für
Ultraviolettstrahlung so weit als möglich verbessert werden, wodurch
die Effizienz der Verwendung von Belichtungslicht erhöht wird.
Eines der Ziele des Belichtungsverfahrens der vorliegenden Erfindung
ist es, die Effizienz der Verwendung von Belichtungslicht zu erhöhen, indem
das transparente Substrat von der mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüsteten Photomaske
abgenommen wird, in einer Belichtungsvorrichtung zur Durchführung von
Belichtung, wenn Belichtung mittels Lichtes wie etwa eines F2-Lasers durchgeführt wird, welches eine Wellenlänge im ultravioletten
Bereich aufweist. Nachdem die Belichtung beendet ist, wird das transparente Substrat
wieder auf die Photomaske aufgesetzt und an dieser befestigt, wenn
die Photomaske aus der Belichtungsvorrichtung herausgenommen wird
und die Umgebung um die Photomaske herum dann wieder der Atmosphäre entspricht.
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Ein
weiteres Ziel des Belichtungsverfahrens der vorliegenden Erfindung
liegt in dem Punkt, dass ein teures transparentes Substrat wiederholt
wiederverwendet werden kann. Es existiert eine Beschränkung auf
Materialien, die Ultraviolettstrahlung von kurzer Wellenlänge durchlassen,
und das transparente Substrat ist sehr teuer. In der vorliegenden
Erfindung kann jedoch ein solches transparentes Substrat viele Male
wiederverwendet werden, ein erneutes Polieren wird, falls erforderlich,
durchgeführt,
und die vorliegende Erfindung ist daher auch wirtschaftlich vorteilhaft.
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Das
transparente Substrat, das für
das Belichtungsverfahren der vorliegenden Erfindung zu verwenden
ist, ist nicht notwendgerweise transparent für Belichtungslicht, da es während der
Belichtung entfernt wird; jedoch wird Transparenz benötigt für das Licht,
das für
die Überprüfung verwendet
wird, die durchgeführt
wird, nachdem das transparente Substrat an der Photomaske befestigt
und an dieser angebracht ist.
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Die
mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstete Photomaske gemäß der vorliegenden
Erfindung weist eine hohe Lichtdurchlässigkeit auf, selbst wenn ein
ArF (193 nm)-Excimer-Laser
und ein F2-Laser (157 nm) verwendet werden,
deren Lichtquellen kurze Wellenlängen
aufweisen, die im Bereich von 150 bis 200 nm liegen, und sie ist
hoch beständig
gegenüber
Ultraviolettstrahlen, die den selben Wellenlängenbereich aufweisen, und
zudem erfordert die Photomaske der vorliegenden Erfindung im Gegensatz
zu einer herkömmlichen
Abziehemulsionsschicht keine Vorrichtungen zum Ersetzen der Atmosphäre in ihrem
Inneren durch inertes Gas wie etwa Stickstoff. Auch kann, da die
Staubschutzvorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Struktur hat, die sich von der Struktur einer herkömmlichen
Abziehemulsionsschicht unterscheidet, bei welcher ein Rahmen unter
Verwendung eines Haftmittels an einer Photomaske befestigt wird,
die Staubschutzvorrichtung mühelos
abgetrennt werden, indem die mit der Staubschutzvorrichtung ausgerüstete Photomaske
wieder unter Vakuum plaziert wird. Wenn das die Staubschutzvorrichtung
bildende transparente Substrat mit Staubteilchen und dergleichen
kontaminiert ist, ist es daher möglich,
das transparente Substrat auszutauschen und sowohl die Photomaske
als auch das transparente Substrat zu waschen, zur bequemen Wiederverwendung.
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Auch
hat das Belichtungsverfahren der vorliegenden Erfindng eine solche
Wirkung, dass der Effekt der Verwendung von Belichtungslicht erhöht wird,
und dadurch die Belichtungszeit verkürzt wird, wodurch die Produktivität erhöht wird,
und ein teures transparentes Substrat kann viele Male wiederverwendet
werden.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine skizzierte Schnittansicht einer mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüsteten Photomaske
in Beispiel 1;
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2 ist
eine skizzierte Schnittansicht einer mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüsteten Photomaske
in Beispiel 2;
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3 ist
eine skizzierte Ansicht, die eine herkömmliche, mit einer Abziehemulsionsschicht ausgerüstete Photomaske
darstellt.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNG
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Die
Ausführungen
der Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen anhand
der folgenden Beispiele erläutert.
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(Beispiel 1)
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1 ist
eine Schnittansicht, die ein Beispiel ener mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüsteten Photomaske
gemäß der vorlegenden
Erfindung darstellt. In 1 wurde eine Photomaske, bei
der ein Lichtabschattungsfilmmuster 2 mit einer zweischichtigen
Struktur, umfassend einen dünnen
Chromfilm mit einer Dicke von 80 nm und einen dünnen, wenig reflektierenden
Chromfilm mit einer Dicke von 40 nm, auf einem optisch polierten
synthetischen Quarzglas-Substrat mit einer quadratischen Fläche von 15,24
cm × 15,24
cm (6 Zoll × 6
Zoll) und mit einer Dicke von 0,64 cm (0,25 Zoll) ausgebildet worden
war, gewaschen und getrocknet und anschließend deren Oberfläche gereinigt.
Danach wurde ein synthetisches Quarzglas-Substrat 3, das
die selbe Größe wie die
Photomaske und eine Flachheit von 2 μm aufwies, optisch poliert,
gewaschen und getrocknet, und dieses wurde mit der Seite der Lichtabschattungsfilmmmuster-Oberfläche der
Photomaske ausgerichtet und über
die Photomaske gelegt, ohne dass ein Haftmittel oder dergleichen
verwendet wurde. Als Nächstes
wurden das Substrat und die Photomaske in übereinander liegendem Zustand
in einer Vakuumvorrichtung plaziert, mit anschließender Evakuation unter
einem Vakuum von 133 × 10–3 Pa
(1 × 10–3 Torr) während 10
Minuten, um beide Substrate fest miteinander zu verbinden. Diese
beiden in diesem Verfahren verwendeten Substrate hafteten in ausreichender Weise
aneinander und konnten als eine mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüstete
Photomaske bei Belichtung unter Verwendung eines ArF-Excimer-Lasers
verwendet werden.
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(Beispiel 2)
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2 stellt
ein Beispiel der vorliegenden Erfindung dar. Eine Photomaske, bei
der ein Lichtabschattungsfilmmuster 5 mit einer dreischichtigen Struktur,
umfassend einen in der Mitte liegenden dünnen Chromfilm mit einer Dicke
von 60 nm und dünne, wenig
reflektierende Chromfilme mit einer Dicke von 40 nm, die jeweils
auf der unteren bzw. oberen Seite des vorstehenden, in der Mitte
liegenden Films ausgebildet waren, auf einem optisch polierten synthetischen
Quarzglas-Substrat mit einer quadratischen Fläche von 15,24 cm × 15,24
cm (6 Zoll × 6
Zoll) und mit einer Dicke von 0,64 cm (0,25 Zoll) ausgebildet worden
war, wurde gewaschen. Aquglass 211S, welches ein im Handel erältliches
Beschichtungsglas (Spin-On-Glass; SOG) war, hergestellt von Allied
Signal, wurde mittels eines Aufschleuderverfahrens auf die gesamte
Oberfläche
des Lichtabschattungsfilmmusters aufgetragen und bei 300 °C in einer
Stickstoff-Atmosphäre während einer
Stunde gebrannt, um einen SOG-Film mit einer Dicke von ca. 800 nm als
die Dicke des nach dem Brennen erhaltenen Films zu erhalten. Als
Nchstes wurde das SOG mittels einer CMP-Vorrichtung SPP 600S, hergestellt von
Okamoto Machine Tool Works Ltd., poliert, um einen abgeflachten
SOG-Film 6 mit einer Dicke von ca. 600 nm zu bilden. Die
Polierbedingungen waren wie folgt: ILD1300, hergestellt von Rodel
Nitta Co., wurde als der Polierbrei verwendet, und IC1100, hergestellt von
Rodel Nitta Co., wurde als das Poliertuch verwendet, aufgetragene
Ladung: 50 g/cm2, Spindelgeschwindigkeit:
30 rpm und Tischgeschwindigkeit: 30 rpm. Als Nächstes wurde ein optisch poliertes
synthetisches Quarzglas-Substrat 7, das die selbe Größe wie die
Photomaske aufwies, über
die Photomaske auf der Seite der abgeflachten SOG-Film-Oberfläche gelegt
und dann in einer Vakuumvorrichtung plaziert, mit anschließender Evakuation
bei Raumtemperatur während
20 Minuten, um eine Photomaske zu erhalten, die mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstet war,
welche fest mit dem Glassubstrat verbunden war. Diese Photomaske
konnte bei Belichtung unter Verwendung eines KrF-Excimer-Lasers
verwendet werden.
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(Beispiel 3)
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Die
mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstete Photomaske, die in Beispiel
1 hergestellt wurde, wurde statisch in einer einen F2-Laser
verwendenden Belichtungsvorrichtung plaziert. Nachdem die Atmosphäre in der
Vorrichtung evakuiert worden war, um den Vakuum-Zustand zu erreichen,
wurde das transparente Substrat von der mit einer Staubschutzvorrichtung
ausgerüsteten
Photomaske in der Belichtungsvorrichtung abgenommen. Als Nächstes wurde
das Photomasken-Muster auf einen Photolack auf einem Halbleiter-Wafer übertragen,
mittels Belichtung unter Verwendung eines F2-Lasers.
Wenn die Photomaske aus der Belichtungsvorrichtung herausgenommen
wurde, nachdem die Belichtung beendet war, wurde der Druck in der
Vorrichtung wieder der Atmosphäre
angeglichen, nachdem das transparente Substrat wieder auf die Photomaske
aufgesetzt worden war und beide Substrate fest miteinander verbunden
waren, und dann wurde die Photomaske wieder aus der Belichtungsvorrichtung
herausgenommen, als eine mit einer Staubschutzvorrichtung ausgerüstete Photomaske.