DE68911621T2 - Verfahren zum Herstellen einer Einrichtung. - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Einrichtung.

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Einrichtung, wobei auf einer ebenen Oberfläche eines scheibenförrnigen Trägerkörpers eine Schicht aus einem lichtleitenden Material aufgetragen wird.
  • In der US Patentschrift US 4285714 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem eine Glasplatte mit beispielsweise einem Halbleiterkörper verbunden wird, und zwar durch eine elektrostatische Verbindung bei einer Temperatur über der Erweichungstemperatur des Glases. Das angelegte elektrische Potential beträgt etwa 1000 V bei einer Temperatur von 450ºC bis 800ºC. Beim Verbinden werden die zu verbindenden Teile unter Druck miteinander kontaktiert.
  • Die hohe Temperatur und die hohe elektrische Spannung machen dieses verfahren ungeeignet zum Herstellen einer Einrichtung, die vor der Verbindung bereits mit aktiven Halbleiterelementen versehen ist, die beim Verbinden beschädigt werden können. Das Verfahren eignet sich auch weniger dazu, eine optische Einrichtung zu schaffen, bei der es erwünscht ist, daß die Schicht aus lichtleitendem Material vollkommen flach und planparallel ist, was über der Erweichungstemperatur schwer eingehalten werden kann. Wenn in der optischen Einrichtung ein kristallinisches optisches Material oder Quarzglas verwendet wird, ist außerdem die Erweichungstemperatur zum Anwenden des bekannten Verfahrens zu hoch. Eine Quarzglasschicht kann zwar auch nach einem anderen Verfahren erhalten werden, beispielsweise durch chemische Ablagerung aus der Dampfphase, dabei ist es aber schwer, eine Schicht ausreichender optischer Qualität zu schaffen. Auf einem Siliziumträger könnte durch Oxydation eine Siliziumdioxidschicht aufwachsen, dabei ist es aber beschwerlich, eine Schicht ausreichender Dicke, beispielsweise mehr als 10 um, zu schaffen.
  • Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Einrichtung zu schaffen, bei dem eine große Auswahl erwünschter Träger angewandt werden kann, insbesondere ein Träger mit einer elektrischen oder elektronischen Einrichtung, beispielsweise einer Halbleiteranordnung. Die Erfindung hat u.a. zur Aufgabe, ein Verfahren zu schaffen, mit dem eine völlig planparallele Schicht aus einem lichtleitenden Material hoher Qualität auf einem Trägerkörper angebracht werden kann, und zwar unter Umständen, welche die Qualität des lichtleitenden Materials und der ggf. vorhandenen Halbleiterelemente in dem trägerkörper nicht beeinträchtigen.
  • Diese Aufgabe wird nach der Erfindung erfüllt durch ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art, wobei dieses Verfahren das Kennzeichen aufweist, daß ein Trägerkörper mit völlig glatten und ebenen Hauptflächen geschaffen wird, die sich völlig parallel zueinander erstrecken, wonach zum Erhalten einer Dauerverbindung eine ebene Hauptfläche eines scheibenförmigen Körpers aus dem lichtleitenden Material mit einer Hauptfläche eines Trägers kontaktiert wird, wonach der Lichtleitkörper bis zu einer Dicke geschliffen wird, die um mindestens 50 um größer ist als die erwünschte schlußendliche Schichtdicke, daß danach abwechselnd tribochemisch poliert und mechanisch poliert wird bis zu einer Dicke von etwa um 10 um größer als die erwünschte schlußendliche Schichtdicke und daß danach tribochemisch poliert wird, bis die erwünschte Schichtdicke des Lichfleitkörpers erreicht ist.
  • Zum Ebenen von insbesondere Halbleiterkörpern sind zwei Arten von Bearbeitungstechniken üblich.
  • Eine erste Technik ist rein mechanisch (Schleifen oder Polieren mit Körnern), wobei eine hohe Präzision in bezug auf die Flachheit, Glätte und Parallelität erreicht werden kann. Mit dieser Technik, die sich für Submikronpräzision eignet, lassen sich jedoch Oberflächenschäden und Kristallstörungen unterhalb der Oberfläche nicht vermeiden. Für einen Lichfleitkörper, in dem optische Weflenleiter gebildet werden sollen, sind diese Beschädigungen und Kristallstörungen unzulässig.
  • Ein zweites Verfahren zum Glätten einer Scheibe ist eine tribochemische oder mechanochemische Technik. Mit diesem Verfahren wird eine einwandfreie Oberfläche erhalten und es treten keine Kristallstörungen unterhalb der Oberfläche auf. Die geometrische Präzision ist bei dieser Technik jedoch relativ gering, es treten Abweichungen im Mikrometerbereich auf.
  • Die Erfindung schafft ein Verfahren, mit dem eine äußerst große geometrische Genauigkeit erhalten wird, insbesondere was die Ebenheit und Parallelität der Hauptflächen der Lichtleitschicht anbelangt (Submikrometerpräzision) und wobei die Oberfläche einwandfrei ist und Kristallstörungen in der Lichtleitschicht vermieden werden.
  • In einer geeigneten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Trägerkörper dadurch mit glatten, flachen und parallelen Hauptflächen versehen, daß der Trägerkörper vorübergehend mit einem Träger versehen wird, der äußerst flache und parallele Hauptflächen aufweist und dessen Dicke mindestens 1/8 der größten Abmessung des Trägerkörpers beträgt, wonach die freie Hauptfläche des Trägerkörpers mechanisch poliert wird bis zu einer Präzision von mindestens 0,5 um flach, wonach der Trägerkörper vom Träger entfernt wird und die polierte Hauptfläche einstweilig mit dem Träger verbunden wird, wonach die andere Hauptfläche des Trägerkörpers poliert wird bis eine Präzision von mindestens 0,5 um flach und eine Parallelität der Hauptflächen von mindestens 0,5 um erreicht ist. Der Träger ist vorzugsweise aus Quarzglas gebildet.
  • Die Verwendung des Trägers ausreichender Dicke ermöglicht es, daß die große geometrische Präzision der Ebenheit und der Parallelität der Haupffiächen des Trägerkörpers erzielbar ist. Die Mechanische Polltur mit losen Körnern ergibt eine große Maß- und Formgenauigkeit. Das Auftreten etwalger Kristallstörungen unterhalb der Oberfläche ist für die Wirkung als Trägerkörper nicht nachteilig, wenn es in der Scheibe ein Spannungsgleichgewicht gibt, was dadurch erzielt werden kann, daß die beiden Hauptflächen derselben Bearbeitung ausgesetzt werden, so daß eine Verziehung vermieden wird.
  • Nachdem der Lichtleitkörper bleibend mit dem Trägerkörper verbunden ist, wird der Lichtleitkörper dünn gemacht. Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine große geometrische Präzision erzielt. Diese große Präzision wird im wesentlichen durch mechanische Schleif- und Poliervorgänge erzielt. In einem tribochemischen Poliervorgang werden etwalge Kristallstörungen ausgebessert, ohne daß die Präzision nennenswert beeinträchtigt wird. Die Kombination dieser Techniken führt zu einer optimalen geometrischen Präzision und einer störungsfreien Oberfläche, wobei die schlußendliche Lichtleiterschicht eine äußerst gleichmäßige Dicke aufweist.
  • In einer besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist der Lichtleitkörper aus einem transparenten kristallinen Material, beispielsweise Lithiumniobat LiNbO&sub3;, Kaliumtitanatphosphat KTiOPO&sub4;, Gadoliniumgalliumgranat oder anderen synthetischen Granaten oder Granatzusammensetzungen gebildet.
  • In einer anderen geeigneten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist der Lichtleitkörper aus Quarzglas gebildet, das sich zum Herstellen einer optischen Einrichtung besonders eignet. Zu diesem Zweck lassen sich auch andere Glasarten verwenden, beispielsweise Glasaten, in denen durch Alkalimetallionenaustausch oder durch Ionenimplantierung mustermäßig Brechzahlgradienten angebracht werden können, damit Wellenleiter gebildet werden. Die Glasart soll derart gewählt werden, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient nicht allzu sehr abweicht von dem vom Trägermaterial. Geeignete Verfahren zum Herstellen einer optischen Einrichtung in einem Glasträger sind in der nicht vorveröffenflichten niederländischen Patentanmeldung NL 8701478 und in der Europäischen Patentanmeldung EP 225558 beschrieben.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren schafft die Möglichkeit, den Lichtleitkörper vor der Verbindung auf der Seite der zu verbindenden Hauptfläche mit optischen Elementen zu versehen, wonach die Hauptfläche geebnet wird.
  • In einer besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, wobei die optische Vorrichtung mit einer elektrischen oder elektronischen Anordnung verbunden wird, ist der Trägerkörper aus einem Material gebildet, das Halbleitereigenschaften aufweist. Dazu sind beispielsweise Si, Ge, GaAs und InP geeignet.
  • Der Trägerkörper wird vorzugsweise vor dem Verbinden wenigstens an der Seite der zu verbindenden Hauptfläche mit aktiven Halbleiterelementen versehen und die Hauptfläche wird geebnet.
  • Eine besonders starke Bindung zwischen dem Trägerkörper und dem Lichtleitkörper wird erhalten, wenn der Trägerkörper an der mit dem Lichfleitkörper zu verbindenden Hauptfläche mit einer Siliziumoxidschicht versehen ist.
  • In der nicht vorveröffenflichten niederländischen Patentanmeldung NL 8800953 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem auf eine mit dem erflndungsgemäßen Verfahren vergleichbare Weise eine dünne Halbleiterschicht auf einem Trägerkörper angebracht wird. Der Trägerkörper kann gewünschtenfalls aus Quarzglas hergestellt sein, ist aber nicht zugänglich zum Anbringen von Wellenleitern zum Herstellen einer optischen Einrichtung.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • Fig. 1 ad auf schematische Weise eine Anzahl Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • In Fig. 1a ist ein Träger 1 dargestellt, auf dem ein Trägerkörper 2 zur Weiterverarbeitung befestigt ist. Der Träger 1 besteht vorzugsweise aus Quarzglas. Dies ist in Ausführungsformen großer geometrischer Präzision erhältlich; die Hauptflächen sind äußerst genau parallel und vollkommen eben. Die Dicke des Trägers 1 beträgt mindestens 1/8 der größten Abmessung des Trägerkörpers 2; der Trägerkörper ist meistens als Zylinderscheibe gebildet. Durch die relativ große Dicke des Trägers wird die Form bei den Bearbeitungsschritten am Trägerkörper 2 sich nicht ändern.
  • Der Trägerkörper 2, nach dem Beispiel aus Silizium, wird vorzugsweise mit Hilfe eines Kittes mit dem Träger verbunden. Wenn in dem Träger Rilien 3 geringer Tiefe vorgesehen werden, wird beim Andrücken des Trägerkörpers gegen den Träger der Hauptteil des Kittes in die Rillen 3 aufgenommen werden. Der Kitt, der beispielsweise aus Bienenwachs mit einem Füllmittel (Al&sub2;O&sub3; oder CaCO&sub3;) bestehen kann, kann warm angebracht werden. Bei Abkühlung schrumpft der Kitt und zieht dabei den Trägerkörper fest gegen den Träger. Der Trägerkörper wird beim Abkühlen des Kittes nötigenfalls unter geringem Druck gehalten.
  • Der Trägerkörper kann auch auf andere Art und Weise mit dem Träger verbunden werden. In der oberen Fläche des Trägers kann beispielsweise ein ringförmige Rille vorgesehen werden, deren Durchmesser etwas kleiner ist als der Durchmesser des Trägerkörpers und deren senkrechter Querschnitt nur einige Mikrometer beträgt. Über einen inneren Kanal in dem Träger kann in der ringförmigen Rille ein Vakuum erzeugt werden.
  • Der Trägerkörper 2 kann aus einer handelsüblichen Halbleiterscheibe mit einer oder zwei polierten Hauptflächen bestehen. Die Ebenheit dieser Scheiben entspricht nicht den Anforderungen für Mikropräzision, was auch für die Parallelität der Hauptflächen gilt.
  • Ein erster Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Erhalten eines Trägerkörpers 2 mit vollkommen glatten und ebenen Hauptflächen, die zugleich vollkommen parallel zueinander verlaufen. Der Trägerkörper 2 wird mit einer der Hauptflächen am Träger befestigt, beispielsweise auf die obenstehend angegebene Art und weise, wie in Fig. 1a dargestellt. Danach wird die andere Hauptfläche mechanisch poliert. Dieser mechanische Poliervorgang erfolgt beispielsweise mit Hilfe von α- Al&sub2;O&sub3;-Pulver in Wasser, auf einem aus Pech bestehenden Polierträger. Die Korngröße des α-Al&sub2;O&sub3;-Pulvers kann bei diesem Vorpoliergang 0,3 um betragen. Ein Nachpoliergang kann mit β-Al&sub2;O&sub3;-Pulver mit einer Korngröße von 0,05 um erfolgen. Es wird etwa 10 bis 25 um insgesamt poliert; die polierte Hauptfläche ist nun vollkommen parallel zur Trägerfläche.
  • Nach Entfernung des Trägerkörpers vom Träger wird die polierte Hauptfläche am Träger befestigt und es wird die andere Hauptfläche auf entsprechende Weise poliert. Nach diesem Vorgang ist ein Trägerkörper mit parallelen Hauptflächen erhalten worden; die Dickenabweichung beträgt weniger als 0,5 um über den gesamten Trägerkörper gesehen, der beispielsweise einen Durchmesser von 10 cm hat. Die Glätte ist derart, daß Abweichungen von dem Mittelwert kleiner sind als 5 nm, vorzugsweise kleiner als 0,5 nm.
  • Fig. 1b zeigt den Träger 1 mit dem damit verbundenen Trägerkörper 2, der mit einem Lichtleitkörper mit einer Dicke von beispielsweise 0,5 mm bei einem Durchmesser von 10 cm verbunden ist. Die Lichtleitscheibe 4 wird mit einer der Hauptflächen mit dem Trägerkörper fest verbunden. Die zu verbindenden Hauptflächen sollen dabei vollkommen rein und staubfrei sein. Die Verbindung der Hauptflächen erfolgt vorzugsweise durch Ansprengen. Dabei handelt es sich um eine Van der Waalssche Bindung, die durch Dipolkräfte der beiden Oberflächen hervorgerufen wird. Ein Beispiel ist in der Europäischen Patentanmeldung EP 209173 beschrieben worden.
  • Die Lichfleitscheibe 4 muß nun dünn gemacht werden, siehe Fig. 1c, und zwar bis zu einer geringen Dicke, die überall äußerst genau dieselbe sein soll. Unterhalb der schlußendlichen Oberfläche dürfen dabei keine Kristallstörungen auftreten. Angefangen dabei kann man mit einem mechanischen Schleilvorgang bis zu einer Dicke von beispielsweise 60 um. Dabei wird eine Oberfläche erhalten, die hohen geometrischen Präzisionsanforderungen entspricht. Der mechanische Schliff erfolgt zum Erhalten großer Genauigkeit mit beispielsweise Siliziumcarbidkörnern in einer wässrigen Lösung. In dieser Bearbeitungsstufe gibt es unterhalb der Oberfläche Beschädigungen. Die Schadentiefe ist abhängig von den verwendeten Körnern und kann etwa 25 um betragen.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird in einem tribochemischen Poliervorgang der Oberflächenschaden wegpoliert. Der tribochemische Poliervorgang erfolgt beispielsweise mit SiO&sub2;-Körnchen mit einer mittleren Korngröße von 30 nm in einer NaOH-Lösung mit einem pH-Wert zwischen 10 und 11. Der Polierdruck kann beispielsweise 300 bis 500 g/cm² betragen. Nachdem die Schadentiefe etwa wegpollert worden ist, ist eine Dicke von beispielsweise 30 um erreicht. Die Oberfläche ist nun schadenfrei, aber die geometrische Präzision ist dabei beeinträchtigt worden. Die Abweichung der Parallelität beträgt nun beispielsweise 1 um oder etwas mehr.
  • Danach wird wieder ein mechanischer Bearbeitungsvorgang durchgeführt, nun aber wird poliert mit geringster Oberflächenbeschädigung. Die Schadentiefe beträgt dabei maximal 5 um. Dieser Feinpoliervorgang läßt sich mit Polierpulver CeO&sub2; mit einer Korngröße von 0,5 bis 1 um in wässriger Lösung durchführen. Als Basis kann ein "polishing chemotextile", beispielsweise bekannt unter dem Namen PAN-W benutzt werden; es wird poliert mit einem Druck von 100 bis 150 g/cm² und vorzugsweise rotierend mit einer doppel-exzentrischen Poliermaschine mit einer Rotationsdifferenz von 25%. Dieser Feinpoliervorgang, bei dem wieder eine sehr große geometrische Präzision erreicht wird, kann fortgesetzt werden, bis eine Dicke der Lichtleitscheibe von etwa 15 um erreicht worden ist.
  • Die letzte Polierphase erfolgt tribochemisch, auf entsprechende Weise wie oben beschrieben, nun bis zu einer Dicke der Lichtleitschicht von beispielsweise 10 um. Durch den geringen Materialabrieb wird die geometrische Präzision kaum beeinträchtigt.
  • Mit welchem Poliervorgang angefangen wird, ist im Grunde nicht wesentlich. Die mechanischen Bearbeitungsschritte sorgen für eine große geometrische Präzision; der letzte Poliervorgang ist tribochemisch, wobei ein Oberflächenschaden völlig weggenommen wird. Bei Verwendung harter Werkstoffe, wobei die Oberflächenbeschädigung gering ist, ist die Reihenfolge der Poliervorgänge von weniger Bedeutung und kann gewünschtenfalls der letzte Poliervorgang eine mechanische Bearbeitung sein.
  • Der Trägerkörper mit der dünnen Lichtleitscheibe wird nun vom Träger entfernt. Es ist nun ein Gebilde aus Elementen erhalten worden (siehe Fig. 1d) mit einem Lichtleitkörper, in dem optische Schaltungen hergestellt werden können. Der Übersicht halber sind die Dickenabmessungen nicht maßgerecht.
  • Die Dicke des Trägers beträgt maximal 1/8 des Durchmessers des Trägerkörpers. In der Praxis hat es sich gezeigt, daß ein Verhältnis 1/4 sehr günstig ist. Die einstweilige Befestigung des Trägerkörpers erfolgt vorzugsweise auf die angegebene Art und Weise, kann aber gewünschtenfalls auch sonstwie erfolgen.
  • Die Dauerbefestigung des Lichtleitkörpers am Trägerkörper kann abweichend von dem Obenstehenden auch mit dem vom Träger entfernten Trägerkörper erfolgen. Der Ansprengvorgang läßt sich dann einfacher mechanisieren. Die Kombination soll danach jedoch wieder mit dem Träger verbunden werden um die Lichtleitscheibe dünn zu machen. Die Präzision bei dem Neuanbringen der Kombination auf dem Träger soll dabei groß sein.
  • Durch das mechanische Polierverfahren hat der Trägerkörper eine sehr große geometrische Präzision. Gewünschtenfalls kann auch die durch dieses Polierverfahren auftretende Schadentiefe am Trägerkörper mit Hilfe einer tribochemischen Bearbeitung weggenommen werden.
  • Der Trägerkörper kann bereits mit aktiven elektronischen Bauteilen oder elektronischen Schaltungen, beispielsweise zur Lichtdetektion, versehen sein. Eine Hauptfläche kann derart geebnet sein, daß Ansprengen am Lichtleitkörper möglich ist. Gewünschtenfalls kann die zu verbindende Hauptfläche zur besseren Haftung mit dem Quarzglas mit einer Schicht thermischen SiO&sub2; bedeckt werden.
  • Der Lichfleitkörper kann bereits vor dem Ansprengen mit passiven oder aktiven Wellenieitern versehen sein. Nach dem Ansprengen kann die Einrichtung zur Verbesserung der Haftung gewünschtenfalls noch einige Zeit auf hoher Temperatur gehalten werden. Das Auftreten von Spannungen in der Lichtleitschicht läßt sich dadurch vermeiden, daß die optische Schicht dadurch zu kleineren Teilen aufgeteilt wird, daß zum Bilden von Inseln Bahnen geätzt werden.
  • Die Dicke der Lichtleitschicht kann beispielsweise 0,1 bis 100 um betragen und beträgt vorzugsweise 5 bis 15 um. Diese Schichtdicke ist zu groß um in einem Aufwachsverfahren Siliziumoxid zu erhalten, ist aber andererseits zu gering um die Schicht durch Auftragung einer Glasfolie unmittelbar mit der erwünschten Dicke zu schaffen.
  • Die Lichtleiterschicht kann gewünschtenfalls aus einem optisch aktiven Material hergestellt sein, beispielsweise aus kristallinem transparentem Material wie Lithiumniobat, Gadoliniumgalliumgranat und anderen synthetischen Granaten oder Granatzusammensetzungen, in denen Wellenleiterstrukturen vorgesehen werden können, sowohl vor als auch nach dem Ansprengen und Polieren.
  • Die erfindungsgemäß hergestellte optische Einrichtung läßt sich beispieisweise zum Koppeln eines Lichtleiters mit einem Halbleiter oder mit einem Sensor für Signalübertragungszwecke oder zwecks einer anderen Kombination optischer und elektronischer Einrichtungen verwenden.

Claims (9)

1. Verfahren zum Herstellen einer Einrichtung, wobei auf einer ebenen Oberfläche eines scheibenförmigen Trägerkörpers eine Schicht aus einem lichtleitenden Material aufgetragen wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper mit völlig glatten und ebenen Hauptflächen geschaffen wird, die sich völlig parallel zueinander erstrecken, wonach zum Erhalten einer Dauerverbindung eine ebene Hauptfläche eines scheibenförmigen Körpers aus dem lichtleitenden Material mit einer Hauptfläche eines Trägers kontaktiert wird, wonach der Lichtleitkörper bis zu einer Dicke geschliffen wird, die um mindestens 50 um größer ist als die erwünschte schlußendliche Schichtdicke, daß danach abwechselnd tribochemisch poliert und mechanisch poliert wird bis zu einer Dicke von etwa um 10 um größer als die erwünschte schlußendliche Schichtdicke und daß danach tribochemisch poliert wird, bis die erwünschte Schichtdicke des Lichtleitkörpers erreicht ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper dadurch mit glatten, flachen und parallelen Hauptflächen versehen wird, daß der Trägerkörper vorübergehend mit einem Träger versehen wird, der äußerst flache und parallele Hauptflächen aufweist und dessen Dicke mindestens 1/8 der größten Abmessung des Trägerkörpers beträgt, wonach die freie Hauptfläche des Trägerkörpers mechanisch poliert wird bis zu einer Präzision von mindestens 0,5 um flach, wonach der Trägerkörper vom Träger entfernt wird und die polierte Hauptfläche einstweilig mit dem Träger verbunden wird, wonach die andere Haupffläche des Trägerkörpers poliert wird bis eine Präzision von mindestens 0,5 um flach und eine Parallelität der Hauptflächen von mindestens 0,5 um erreicht ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus Quarzglas hergestellt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleitkörper aus einem transparenten kristallinen Material hergestellt ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daB der Lichtleitkörper aus Quarzglas hergestellt ist.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper vor dem Verbinden wenigstens an der Seite der zu verbindenden Hauptfläche mit optischen Elementen versehen und die Hauptfläche geebnet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper aus einem Material mit Halbleitereigenschaften hergestellt ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, däß der Trägerkörper vor dem Verbinden wenigstens an der Seite der zu verbindenden Hauptfläche mit aktiven Halbleiterelementen versehen und die Hauptfläche geebnet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper an der mit dem Lichtleitkörper zu verbindenden Hauptfläche mit einer Siliziumoxidschicht versehen wird.
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