DE68903950T2

DE68903950T2 - Verfahren fuer die herstellung ultrafeiner siliziumspitzen fuer afm/stm-profilometrie.

Info

Publication number: DE68903950T2
Application number: DE8989115097T
Authority: DE
Inventors: Thomas Bayer; Johann Dr Dipl Phys Greschner; Dipl-Phys Dr Martin; Helga Weiss; Dipl-Phys Dr Wickramasinghe; Olaf Dr Dipl Phys Wolter
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1989-08-16
Filing date: 1989-08-16
Publication date: 1993-07-01
Anticipated expiration: 2009-08-17
Also published as: EP0413040B1; EP0413040A1; US5242541A; DE68903950D1; JPH0712052B2; JPH03104136A; US5382795A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur mikromechanischen Herstellung ultrafeiner Siliciumspitzen auf einer Siliciumbasis für die AFM/STM Profilometrie, beispielsweise von tiefen Gräben für die zukünftige Halbleitertechnologie.
Das Raster-Tunnelmikroskop (STM, nach englisch scanning tunneling microscope) hat die Entwicklung neuer Technologien für die Mikrocharakterisierung von Materialien stimuliert, welche auf der Verwendung einer sehr feinen Spitze basieren. Eine dieser Technologien umfaßt das Raster-Kraftmikroskop (AFM, nach englisch atomic force microscope), welches vor kurzem gezeigt hat, daß es möglich ist, Leiter und Nichtleiter abzutasten und abzubilden.
In der ursprünglichen Ausführungsform des AFM (Binnig G, Quate CF, Gerber Ch, (1986) Atomic Force Microscope, Phys. Rev. Lett. 56, 930 - 933 und EP-A-0 223 918) tastet ein Sensor, bestehend aus einem federähnlichen Balken, der an einem Ende starr befestigt ist und an seinem freien Ende eine dielektrische Spitze trägt, die Oberfläche eines Gegenstandes zeilenförmig ab. Die Kraft zwischen der Oberfläche des Gegenstandes und der Spitze bewirkt eine Ablenkung des Balkens, und diese Ablenkung kann mit höchster Genauigkeit, beispielsweise mit einer zweiten Spitze, welche Bestandteil eines STM's ist, gemessen werden. Eine laterale, räumliche Auflösung von 3 nm konnte am Anfang realisiert werden.
Eine andere Version des AFM umfaßt optische Detektion anstelle von STM Detektion. Bei dieser ist eine Wolframspitze am Ende eines Drahtes auf einem piezoelektrischen Aktuator befestigt. Der Aktuator versetzt die Spitze in Schwingungen mit der Resonanzfrequenz des Drahtes, welcher als Balken wirkt, und ein Laser-Heterodyn-Interferometer mißt die Amplitude der Wechselschwingung mit höchster Genauigkeit. Der Gradient der Kraft zwischen Spitze und Probe modifiziert die Nachgiebigkeit des Balkens, induziert dadurch eine Änderung der Schwingungsamplitude, die auf die Verschiebung der Resonanzfrequenz des Balkens zurückzuführen ist. Wenn die Charakteristik des Balkens bekannt ist, kann die Schwingungsamplitude als Funktion des Spitze-Proben-Abstands gemessen werden, und der Gradient der Kraft und damit die Kraft selbst abgeleitet werden (Duerig UT, Gimzewski JK, Pohl DW (1986) Experimental Observation of Forces Acting During Scanning Tunneling Microscopy, Phys. Rev. Lett. 57, 2403 - 2406; und Martin Y, Williams CC, Wickramasinghe HK, (1987) Atomic Force Microscope-Force Mapping and Profiling on a sub ioo-A Scale, J. Appl. Phys. 61(10), 4723 - 4729.
Im normalen Ablenkungsmechanismus des Balkens können Kräfte in der Größenordnung von 10&supmin;¹² N detektiert werden. Die Empfindlichkeit kann weiter gesteigert werden, indem die Probe, die abgetastet wird, in Schwingungen mit der Resonanzfrequenz fo des Balkens versetzt wird, wie von G. Binnig et al in Phys. Rev. Lett. 56 (1986), S. 930 - 933 beschrieben wurde.
Die kritischste Komponente des AFM ist der federähnliche Balken. Da ein Maximum an Ablenkung für eine gegebene Kraft gefordert wird, sollte der Balken eine optimale Weichheit aufweisen. Deshalb sollte ein Balken mit der inhärenten hohen Empfindlichkeit eine minimale Federkonstante aufweisen. In der Praxis sollte, um Ortsveränderungen in der Größenordnung von < 0.1 nm zu detektieren, die Federkonstante C des Balkens in der Größenordnung von etwa 0.001 bis 1 N/m sein. Gleichzeitig ist ein steifer Balken mit einer hohen Eigenfrequenz erforderlich, um die Empfindlichkeit gegenüber Gebäudeschwingungen zu minimieren. Gewöhnlich sind Schwingungen aus der Umgebung, im wesentlichen Gebäudeschwingungen, in der Größenordnung von < 100 Hertz. Wenn der Balken so gewählt wird, daß er eine Eigenfrequenz fo ≥ 10 kHz aufweist, werden die Schwingungen aus der Umgebung auf einen zu vernachlässigenden Wert abgeschwächt.
Um beiden Anforderungen zu genügen, sind Dimensionen des Balkens erforderlich, die nur mit der Mikrofabrikationstechnologie erhalten werden können. Mikrofabrikationsverfahren sind gut bekannt, und werden zum Beispiel in den folgenden Veröffentlichungen diskutiert:
Petersen, KE, Dynamic Micromechanics on Silicon, Techniques and Devices, Vol. ED-25, No. 10, October 1978, S. 1241-1250;
Petersen, KE, Silicon as a Mechanical Material, Proc. of the IEEE, Vol. 70, No. 5, May 1982, S. 420 - 457; und
Jolly, RD, Muller, RS, Miniature Cantilever Beams Fabricated by Anisotropic Etching of Silicon, J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology, December 1980, S. 2750 - 2754.
Die Dimensionen eines SiO&sub2; Balkens, die kompatibel sind mit C = 0.034 N/m, und fo = 21.1 kHz sind beispielsweise: 1 = 250 um, w = 9 um, und t = 1.6 um. Ein Verfahren zur Herstellung von Balken mit diesen Dimensionen ist unter anderem beschrieben in J. Vac. Sci. Technol. A 6(2), Mar/Apr 1988, S. 271 - 274, durch Albrecht, TR und Quate, CF, Atomic Resolution with the Atomic Force Microscope on Conductors and Nonconductors. Aus dieser Veröffentlichung ist bekannt, auf mikromechanischem Wege Balken anzufertigen, an denen Spitzen befestigt sind:
1. durch Aufwachsen von Miniaturkonen auf das Ende des Mikrobalkens durch Aufdampfen von Material durch ein kleines Loch; oder, 2. durch Fixieren eines Diamantfragments auf den Balken mit einer kleinen Menge Klebstoff.
Keine dieser Vorveröffentlichungen beschreibt AFM/STM Sensoren mit Spitzen, die direkt auf dem Balken integriert sind.
In IEEE Transactions Magnetics, Vol. MAG-19, No. 3, May 1983, S. 507 - 511, VERTICAL SILICON MEMBRANES FOR SUPER-SCHOTTKY DIODES, NF Raley et. al. wird die Herstellung vertikaler Siliciummembranen in (110) Silicium für die Verwendung bei der Herstellung von Super-Schottky-Dioden beschrieben. In diesem Verfahren wird thermisches Oxid auf ein (110) Siliciumsubstrat aufgewachsen. Durch Verwendung eines Resists und Elektronenstrahlbelichtung wird eine Resistmaske hergestellt. Das Siliciumdioxid wird dann geätzt. Nach der Entfernung des Resists werden die Wafer in wässriger KOH Lösung anisotrop geätzt. Als Ergebnis werden (110) Siliciumwände, begrenzt durch langsam ätzende (111) Oberflächen, erhalten. Der Prozeß wird fortgesetzt mit Bordiffusion und Metallisierung. In der vorliegenden Erfindung werden Siliciumwafer anisotrop geätzt unter Verwendung kreisförmiger Masken oder Masken mit konvexen Ecken.
Auf den Enden der Mikrobalken müssen scharfe Spitzen gebildet werden zur Abtastung der Oberfläche eines Gegenstandes. Sollten die abzutastenden Strukturen eine makroskopische Tiefe haben, welche zum Beispiel 50 nm übersteigt, dann sind Form und Querschnitt der Spitze entscheidend für die Reproduktionsgenauigkeit der Struktur.
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von Spitzen anzugeben, die so geformt sind, daß sie das Abtasten dreidimensionaler Strukturen gestatten.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1.
Die Erfindung umfaßt auch Strukturen, die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurden.
Die Erfindung wird beschrieben anhand von Beispielen und den begleitenden Zeichnungen, in denen:
Fig. 1 die Form der tiefen Strukturen zeigt, die abgetastet werden;
Fig. 2 die Formen von vier Spitzen zeigt; und
Fig. 3 eine Prozeßfolge zeigt für die Herstellung der Spitzen gemäß der Erfindung.
Im Feld der Mikroprofilometrie wird das Abtasten dreidimensionaler Strukturen, wie Gräben, und Messungen der Linienbreite immer wichtiger. Die Genauigkeit der Linienbreiten-Messung und die Anforderungen an das Abtasten von Gräben werden im wesentlichen bestimmt durch den Neigungswinkel und die Tiefe der zu testenden Strukturen. In Fig. 1 werden zwei Typen von zu testenden Strukturen gezeigt, wobei Fig. 1a eine Struktur darstellt mit einer Breite w, einer Tiefe d und einem Neigungswinkel α < 90º (positiver Winkel); und Fig. 1b eine Struktur darstellt mit einer Breite w, einer Tiefe d und einem Neigungswinkel α > 90º (negativer Winkel).
Für eine hohe Auflösung (d. h. für eine maßstabsgetreue Reproduktion) müssen spezielle Anforderungen erfüllt werden im Hinblick auf das AFM Spitze/Gegenstand Strukturverhältnis. Wird angenommen, daß die Substratstruktur von Fig. 1b eine Breite w von etwa 1 um hat, dann ist offensichtlich, daß der Schaft der Spitze einen Durchmesser haben muß, der wesentlich unter 1 um liegt. Typische Strukturtiefen, zum Beispiel in einem Siliciumspeicherchip, sind einige um. Zum Abtasten dieser Strukturen muß die Spitze mindestens so lang sein wie die Strukturen tief sind. Ein Speicherkondensator zum Beispiel hat eine Breite von etwa 0.7 um und eine Tiefe von etwa 6 um mit der Konsequenz, daß die Länge der Spitze zum Abtasten von Gräben mit diesen Dimensionen ein Mehrfaches ihres Durchmessers ist.
Gleichzeitig sollte die Spitze eine hohe mechanische Stabilität haben, die durch das Material selbst, durch die geometrischen Dimensionen der Spitze, und insbesondere durch die Art der Befestigung innerhalb einer Haltevorrichtung beeinflußt werden kann. Das AFM, welches in der zuvor genannten Veröffentlichung von Y. Martin et al in Journal of Applied Physics beschrieben wurde, wird oft im dynamischen Modus verwendet, d. h. die Spitze unterliegt hochfrequenten Schwingungen (im kHz Bereich), welches auch einen hohen Stabilitätsgrad erfordert, denn ein mechanischer Kontakt zwischen der Spitze und dem Substrat würde die Spitze unweigerlich zerstören.
Gemäß der Erfindung wird eine Siliciumspitze vorgeschlagen, welche in geeigneter Weise monolithisch auf einem Siliciumträger befestigt ist. Für das Abtasten dreidimensionaler Strukturen sollte die Siliciumspitze ein hohes Breiten- zu Längenverhältnis haben, d. h. ein Längen- zu Durchmesserverhältnis, welches deutlich über 1 ist. Experimentelle Erfahrungen und theoretische Überlegungen haben gezeigt, daß es keine ideale Spitze für alle Anwendungsarten gibt. Wie bereits oben unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben, werden die Anforderungen, die für eine ideale Spitze im Hinblick auf ihren Durchmesser und ihre Gesamtlänge eingehalten werden werden müssen, im wesentlichen durch die Tiefe und den Neigungswinkel der Struktur, die abgetastet werden soll, bestimmt. Es werden vier verschiedene Grundtypen von Spitzenquerschnitten vorgeschlagen, mit denen in der Praxis vorkommende Strukturen am besten abgetastet werden können. Die Spitzenform von Fig. 2a ist die ideale Form für das Abtasten von Strukturen, die einen kleinen Neigungswinkel a, d. h. α < 45ºaufweisen (α sollte kleiner sein als der Winkel am Ende der Spitze). Spitzen dieses Typs haben den Vorteil, daß sie eine leichte Interpretation der Bildinformation durch die SFM-Methode gestatten, da physikalisch nur ein Abtastpunkt am äußersten Ende der Spitze vorhanden ist. Ihr Nachteil ist, daß sie nur für Strukturen mit einem sehr kleinen Neigungswinkel verwendet werden können.
Die Spitzenform von Fig. 2b ist die ideale für das Abtasten von Strukturen mit einem Neigungswinkel nahe 90º, was noch ein positiver Winkel ist. Für die tiefen Gräben des zuvor beschriebenen Speicherkondensators sind Neigungswinkel von etwa 87º erforderlich. Für das Abtasten dieser Strukturen ist die Spitze von Fig. 2b, welche einen idealen rechteckigen Querschnitt hat, die vorteilhafteste. Nachteilig ist, daß auf horizontalen Strukturoberflächen die Information nicht länger eindeutig verfügbar sein kann und deshalb dekodiert werden muß. Ihr Herstellungsverfahren, welches ein Anfangsschritt bei der Herstellung der Spitze von Fig. 2a ist und welches zum Gegenstand dieser Erfindung gehört, wird weiter unten beschrieben.
Die Spitzenform von Fig. 2c ist ideal für im wesentlichen vertikale Neigungswinkel oder solche mit einem leicht unterschnittenen Profil (siehe Fig. lb). Ihr Herstellungsverfahren gehört auch zum Gegenstand dieser Erfindung und wird weiter unten beschrieben. Der Vorteil der Spitzenform gemäß Fig. 2c gegenüber der Spitzenform gemäß Fig. 2b ist evident. Der Nachteil von 2c gegenüber 2b tritt nur zutage bei Strukturen, welche beide extrem schmal (< 0.5 um) und tief sind. Zum Abtasten eines schmalen Grabens muß der führende Durchmesser der Spitze kleiner als die Grabenbreite sein. Andererseits ist der Schaftdurchmesser der Spitze entscheidend für die Federkonstante. Experimentell wurde gefunden, daß die Spitzen eine Federkonstante > 2 N/m aufweisen sollten, um zu verhindern, daß sie an den Oberflächen ankleben. Wenn man die Spitzen 2b und 2c miteinander vergleicht, ist ersichtlich, daß bei gleichem führendem Durchmesser der Schaft von Spitze 2c dünner und damit elastischer ist. Die Federkonstante für einen rechteckigen Balken ist:
C ~ w x t³/l³
Um die gleiche minimale Steifheit zwischen den Spitzen 2b und 2c zu gewahrleisten, muß die Spitze 2c kürzer gemacht werden, was bedeutet, daß die maximale Strukturtiefe, die mit Spitze 2 c gemessen werden kann, kleiner ist als diejenige, die mit Spitze 2b gemessen werden kann. In einem praktischen Ausführungsbeispiel kann eine Spitze mit einer Länge von 3 um und einem Durchmesser von 0.2 um, welche eine Federkonstante C von 2.8 N/m und eine Eigenfrequenz fo von 32 MHz hat, für das Abtasten von Strukturen, die < 3 um tief und > 0.3 um breit sind, verwendet werden.
Die gleichen Betrachtungen werden durchgeführt im Hinblick auf die Spitze von Fig. 2d. Die Spitze 2d hat gegenüber der Spitze 2c Vorteile beim Abtasten horizontaler Oberflächen. Das Verfahren für die Herstellung der Spitze 2d ist in der Europäischen Patentanmeldung 89 115 099.7 (EP-A-0 413 041) beschrieben.

Ausführungsbeispiele:

Die Figuren 3a, b, c und d sind schematische Darstellungen des Herstellungsverfahrens für Spitzen gemäß der Erfindung. Das Ausgangsmaterial ist ein Siliciumwafer (1), der mit einer etwa 1 um dicken Siliciumdioxidschicht (2) beschichtet ist, wobei die Orientierung und die Dotierung des Siliciumwafers beliebig wählbar ist. Durch Standardlithographie wird die zukünftige Spitze maskiert (nicht gezeigt). Zu diesem Zweck wird eine etwa 3 um dicke Photoresistschicht auf die Siliciumdioxidschicht aufgetragen, und das gewünschte Maskenmuster wird in besagter Photoresistschicht definiert. Typischerweise wird eine kreisförmige Maske verwendet, deren Durchmesser ein vielfaches des zukünftigen Schaftdurchmessers der Spitze sein kann. Das Resistmuster wird in die Siliciumdioxidschicht (2) in einem ersten reaktiven Ionenätzschritt (RIE) unter Verwendung von beispielsweise CF&sub4; als Ätzgas übertragen. Die Prozeßparameter für diesen Ätzschritt sind:
- Planarer RIE Reaktor
- Fluß: 20 sccm CF&sub4;
- Druck: 10 ubar
- RF: 800 V
- Gleichstrom 520 V
- Ätzrate ~ 20 nm/Min. SiO&sub2;:
Dann wird die Siliciumdioxidmaske (2) in einem anisotropen Ätzschritt tief in das Silicium (1) übertragen (Fig. 3a).
Die Ätztiefe bestimmt im wesentlichen die Länge der zukünftigen Spitze (3). Die Prozeßparameter für diesen Ätzschritt sind:
- Fluß: 50 sccm Ar + 5 sccm Cl&sub2;
- Druck: 20 ubar
- RF: 600 V
- Gleichstrom: 150 V
- Ätzrate Si: ~ 67 nm/Min.
Die Seitenwände der Struktur (3) sind bedeckt mit, was unter der Bezeichnung Wiederabscheidungschicht (4) bekannt ist, einem Phänomen, welches für stark anisotrope RIE Prozesse typisch ist. Diese Seitenwandschicht muß vor der Fortsetzung des Prozesses entfernt werden. Dieser Schritt ist ein isotroper Naßätzschritt, welcher folgende Ätzlösung verwendet:
35.5 Vol% HNO&sub3;
21.5 Vol% CH&sub3;COOH
21.5 Vol% HF
21.5 Vol% H&sub2;O
FC 98 Netzmittel* (Warenzeichen Fluorad der 3 M Company) bei T = 20º C
Ätzrate Si ~ 2.5 um/Min.
Während dieses Ätzschritts wird die Seitenwand-Wiederabscheidungsschicht (4) entfernt. Diesem Schritt folgt das Dünnätzen des Siliciumschafts (3) in der gleichen Lösung (beispielsweise auf einen Enddurchmesser von etwa 0.2 um). Gleichzeitig, weil dieser Schritt ein isotroper Ätzschritt ist, wird die konisch geformte Basis (5) des Schafts (3) gebildet, was die mechanische Stabilität des Schafts mit der Spitze verbessert (Fig. 3b). In diesem Zusammenhang ist wesentlich, daß die Siliciumdioxidmaske (2) noch intakt ist, damit sichergestellt ist, daß die Spitze in dem beschriebenen Schritt weder gekürzt noch abgerundet wird.
Durch Tauchätzen in gepufferter Fluorwasserstoffsäure wird die Siliciumdioxidmaske (2) entfernt. Die resultierende Spitze (siehe Fig. 2b) hat einen rechteckigen Querschnitt.
Im nächsten Prozeßschritt wird die Spitze (7) in einem maskenlosen Argon Ionenätzschritt gespitzt unter Ausnutzung der Tatsache, daß die Ätzrate für die Kombination Argongas und Siliciumsubstrat winkelabhängig ist. Für Winkel von etwa 60º überschreitet die Ätzrate diejenige, die für senkrechtes Bombardement (0º) verfügbar ist, grobgesprochen um einen Faktor 3.
Die Prozeßparameter für das Spitzen der Spitze (Fig. 3c) sind:
- Fluß: 20 sccm Ar
- Druck: 3 ubar (wichtig)
- RF: 1000 V
- Gleichspannung: 630 V
Vertikale Siliciumätzrate: 4 nm/Min.
Wenn man, der Fig. 3b folgend und unter der Voraussetzung einer intakten Siliciumdioxidmaske (2), einen anisotropen Ätzschritt verwendet (z. B. eine 37.5 Gew% KOH Lösung), wird direkt unter der Maske (2) (Fig. 3d) ein negatives Profil (6) gebildet. Die endgültige Spitzenform (siehe Fig. 2c) wird nach der Entfernung der Oxidmaske mit gepufferter Fluorwasserstoffsäure erhalten.
Mit dem Verfahren gemäß der Erfindung können ultrafeine Spitzen mit großer mechanischer Stabilität hergestellt werden. Die Spitzen, welche ein hohes Breiten- zu Tiefenverhältnis (bis 1 : 20) haben, können zum Abtasten tiefer Gräben in einem AFM in der zukünftigen Halbleitertechnologie verwendet werden.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung ultrafeiner Siliciumspitzen für die AFM/STM Profilometrie, welches folgende Schritte umfaßt:

1. Bereitstellen eines Siliciumsubstrats (1) und Aufbringen einer Maskenschicht (2) auf demselben;

2. Herstellen eines kreisrunden Maskenmusters in besagter Schicht (2) durch Photolithographie und Ätzen;

3. Herstellen eines Schafts (3) für eine Spitze durch Übertragen des gemäß Schritt 2 hergestellten Maskenmusters durch reaktives Ionenätzen in das Siliciumsubstrat (1);

4. Dünnen des Schafts (3) und Ausbilden eines dickeren Basisteils (5) an besagtem Schaft durch isotropes Naßätzen; und

5. Entfernen der Maske (2) durch Ätzen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiter umfaßt:

Vor Schritt 5 (Anspruch 1) anisotropes Naßätzen durch die intakte Maske (2), wodurch ein negatives Profil (6) des Schafts (3) unmittelbar unter der besagten Maske (2) hergestellt wird, und anschließendes Entfernen besagter Maske (2).

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das rechteckige Schaftende, welches bei der Entfernung der Maske (2) erhalten wird, durch Fräsen mit Argonionen angespitzt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Siliciumdioxidschicht (2) auf das Siliciumsubstrat (1) in einer Dicke von etwa 1 um aufgebracht wird.

5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 4, bei dem eine etwa 3 um dicke Photoresistschicht auf die Siliciumdioxidschicht (2) aufgebracht wird, und das gewünschte Maskenmuster in besagter Photoresistschicht definiert wird.

6. Verfahren nach den Ansprüchen 1, 4 und 5, bei dem das Maskenmuster in der Photoresistschicht in die Siliciumdioxidschicht (2) übertragen wird durch Naßätzen oder reaktives Ionenätzen mit CF&sub4; als Ätzgas, und bei einem Druck von etwa 10 ubar.

7. Verfahren nach den Ansprüchen 1, 4 und 6, bei dem das Siliciumdioxidmaskenmuster (2) in das Siliciumsubstrat (1) in die gewünschte Tiefe durch anisotropes reaktives Ionenätzen übertragen wird mit Chlor/Argon als Ätzgas, und bei einem Druck von etwa 20 ubar.

8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem durch isotropes Naßätzen die abgeschiedene Schicht (4) von dem Schaft (3) entfernt und letzterer gleichzeitig dünner gemacht wird.

9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, bei dem das negative Profil (6) des Schafts (3) unmittelbar unterhalb der Maske (2) erzeugt wird durch anisotropes Naßätzen mit wässriger 37,5 Gew.%iger KOH bei etwa 60 ºC.

10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Maske (2) durch Ätzen mit 5 : 1 gepufferter Fluorwasserstoffsäure entfernt wird.

11. Mikromechanischer Sensor für die AFM/STM Profilometrie, welcher eine Siliciumbasis umfaßt, die einen Schaft mit einer Spitze trägt, deren Ende für die Wechselwirkung mit einer abzutastenden Probenoberfläche geformt ist,

dadurch gekennzeichnet, daß

besagte Basis und besagter Schaft mit Spitze und deren geformtem Ende ein integriertes Teil bilden, welches mikromechanisch aus einem Stück Material gefertigt ist.