JPH04343009A - 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、走査型プローブ顕微鏡
用カンチレバーチップに関し、より具体的には、レバー
部及びその自由端側に配設された探針部を具備するこの
種カンチレバーチップの構造と作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｂｉｎｎｉｎｇ　とＲｏｈｒｅｒらによ
り発明された走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ；Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ　）
におけるサーボ技術を始めとする要素技術を利用しなが
ら、ＳＴＭでは測定し難かった絶縁性の試料を原子オー
ダーの精度で観察することのできる顕微鏡として原子間
力顕微鏡（ＡＦＭ；Ａｔｏｍｉｃ　ＦｏｒｃｅＭｉｃｒ
ｓｃｏｐｅ）が提案されている（特開昭６２−１３０３
０２：ＩＢＭ、Ｇ．ビニッヒ：サンプル表面の像を形成
する方法及び装置）。

【０００３】ＡＦＭの構造はＳＴＭに類似しており、走
査型プローブ顕微鏡の一つとして位置づけられる。ＡＴ
Ｍでは、自由端に鋭い突起部分（探針部）を持つカンチ
レバーチップを、試料に対向且つ近接して配設してある
。この探針部の先端の原子と試料原子との間に働く相互
作用力により、変位するカンチレバーチップの動きを電
気的あるいは光学的にとらえて測定しつつ、試料をＸＹ
方向に走査し、カンチレバーチップの探針部との位置関
係を相対的に変化させることによって、試料の凹凸情報
などを三次元的にとらえることができる。

【０００４】走査型プローブ顕微鏡用のカンチレバーチ
ップは、Ｔ．　Ｒ．　Ａｌｂｒｅｃｈｔらが半導体ＩＣ
製造プロセスを応用して作製するＳｉＯ２　製のカンチ
レバーチップを提案して以来（Ｔｈｏｍａｓ　Ｒ．　Ａ
ｌｂｒｅｃｈｔ　Ｃａｌｖｉｎ　Ｆ．　Ｑｕａｔａ：　
　Ａｔｏｍｉｃ　ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｌｍａｇｉｎ
ｇｏｆ　ａ　ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｂｙ　Ａｔｏ
ｍｉｃ　ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ　Ｊ．　Ａ
ｐｐｌ．　Ｐｙｓ．　６２　（１９８７）　２５９９）
、μｍの高精度で非常に再現性良くものを作製すること
ができるようになった。また、バッチプロセスで作製す
ることにより、コスト的にも優れたものを作製できる。 従って、この半導体ＩＣ製造プロセスを応用して作製す
るカンチレバーチップが主流となっている。

【０００５】Ｓ．　Ａｋａｍｉｎｅ　　らは半導体ＩＣ
製造プロセスを応用して作る、４０ｎｍ以下のチップ先
端の鋭さをもつ探針部付きカンチレバーチップを提案し
ている（Ｓ．　Ａｋａｍｉｎｅ，　Ｒ．　Ｃ．　Ｂａｒ
ｒｅｔｔ，　ａｎｄ　Ｃ．　Ｆ．　Ｑｕａｔｅ：　　ｌ
ｍｐｒｏｖｅｄ　ａｔｏｍｉｃ　ｆｏｒｃｅ　ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ　ｉｍａｇｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｍｉｃｒｏ
ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒｓ　ｗｉｔｈ　ｓｈａｒｐ　ｔｉ
ｐｓ，　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．　５７　
（３），　１９９０　Ｐ．　３１６）。図７は、このタ
イプの走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを示
す斜視図、図８は、その縦断側面図である。このカンチ
レバーチップ１０は、シリコンウェハを出発材料として
作製され、構造は大まかに、窒化シリコンよりなるレバ
ー部分１１、シリコンよりなる探針部１２及びシリコン
よりなる支持部１３からなる。

【０００６】図９（ａ）〜（ｈ）にその作製方法を示す
。

【０００７】先ず、両面を研磨した面方位（１００）の
シリコンウェハ２１を使用し（図９（ａ））、この両面
に窒化シリコン膜２２、２３を形成する。そして、裏面
の窒化シリコン膜２３をフォトリソグラフィによりパタ
ーニングした後、残った窒化シリコン膜をマスクとして
、水酸化カリウム水溶液によりウエット異方性エッチン
グする。これにより、シリコンウェハ２１を薄くして、
メンブレイン２４を作製する（図９（ｂ））。

【０００８】次に、ウェハ２１の裏面側に窒化シリコン
膜２５を再度堆積する。また、ウェハ２１の表面側にレ
ジスト２６をコーティングし、これをフォトリソグラフ
ィによりパターニングする（図９（ｃ））。続いて、レ
ジスト２６をマスクとしてメンブレン２４及び膜２５を
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で貫通させ、そして
、レジスト２６を除去する（図９（ｄ））。図９（ｅ）
は、この時のウェハを斜め上から見た様子である。

【０００９】次に、上記のＲＩＥでメンブレインを貫通
させた時に現れたシリコン面に、酸化により酸化膜２７
を形成する（図９（ｆ））。次に、ウェハ表面の窒化シ
リコン膜２２をプラズマエッチングで取り去った後、水
酸化カリウム水溶液でウエット異方性エッチングを行う
。エッチングはシリコン酸化膜２７と窒化シリコン膜２
５で停止する（図９（ｇ））。最後に、フッ酸でシリコ
ン酸化膜２７を除去することにより、図７図示のような
、四面体構造の探針部を有する走査型プローブ顕微鏡用
カンチレバーチップ１０を得る（図９（ｈ））。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のプロセスに
おいてはスタートウェハとして（１００）のシリコンウ
ェハを用いている。このため、図７に示す従来のカンチ
レバー部の自由端側に形成される四面体構造の探針部は
、（１１１）面１５とレバー部に接する面１６と図９（
ｅ）から（ｈ）で形成される探針部の側面１７、１８か
らなる。この形状を決定するのが、図９（ｂ）２４で示
すメンブレインの厚さのみであるため、複数個のカンチ
レバーチップをウェハ上に形成した時に作製される同一
ウェハ内では、探針部は同じものしか作れなかった。

【００１１】ところが走査型プローブ顕微鏡を使う立場
からすると、いろいろな形状のサンプルを測定するため
には、探針部形状を選んで使いたいという要望があった
。アスペクト比の異なる探針部を選んで使いたいと言う
のもその一つである。ここで言うアスペクト比とは例え
ば探針部の高さとカンチレバー部と接する面の代表的な
長さとの比である。

【００１２】従来、この要望に対しては、探針部の２つ
の側面（図７（ａ）１７、１８）は、フォトグラフィの
マスクの設計により、両者の交わる角度を任意に決定す
ることができた。しかし（１１１）面１５とカンチレバ
ー部に接する面１６とが交わる角度は常に５４．７４°
であった。

【００１３】本発明のカンチレバーチップはこの様な点
に鑑みてなされたものである。即ち、本発明は、１つの
支持部の両側に１つづつあるいはそれ以上のカンチレバ
ー部及び探針部を具備し、しかも各カンチレバー部自由
端側に作製される探針部がアスペクト比の異なる走査型
プローブ顕微鏡用カンチレバーを提供することを目的と
する。更に、本発明は、そのカンチレバーチップを使っ
て測定をするユーザーに、所望のアスペクト比を持つ探
針部を選択できるようにすることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップは、複
数のカンチレバー部と、上記各レバー部の自由端に配設
される探針部と、上記探針部と反対側で上記レバー部に
配設されるミラー部と、上記複数のレバー部の基端側を
支持する１つの支持部と、を具備し、上記探針部のアス
ペクト比が互いに異なることを特徴とする。

【００１５】また本発明の走査型プローブ顕微鏡用カン
チレバーチップの作製方法は、面方位が（１００）より
傾いているウェハをスタートウェハとして使用し、半導
体製造プロセスによりカンチレバーチップを作製するこ
とを特徴とする。望ましくは、エッチング停止層をもつ
ウェハをスタートウェハとして使用する。

【００１６】

【作用】上記本発明のカンチレバーチップにおいては、
１対以上のカンチレバー部及び探針部を一つのカンチレ
バーチップの上に持ち、且つ探針部はそれぞれのアスペ
クト比が異なっているため、所望のアスペクト比を持つ
探針部を選択使用できる。

【００１７】上記本発明の作製方法においては、アスペ
クト比が異なる探針部を複数有する上記カンチレバーチ
ップが提供可能となる。エッチング停止層をもつウェハ
をスタートウェハとして使用することにより、探針部及
びレバー部の長さを決定するエッチングを確実に所定の
位置で停止させることができ、探針部の及びレバー部の
長さの揃った複数のカンチレバーチップを同時に作製す
ることができる。

【００１８】

【実施例】図１は、本発明に係る走査型プローブ顕微鏡
用カンチレバーチップを示す斜視図である。

【００１９】図１に示す本発明のカンチレバーチップ３
０は、カンチレバー部４１、５１、カンチレバーの自由
端に設けられる探針部４２、５１、カンチレバーの支持
部３７からなる。カンチレバー部の探針部とは反対側の
面は光を反射するようにミラー部となっている。

【００２０】また、図２は、本発明カンチレバーチップ
を長手方向に沿って中心で切った時の断面図である。本
発明のカンチレバーチップを従来のカンチレバーチップ
（図７及び図８と比べた時の差は、形状の上では、カン
チレバー部及び探針部が１つ支持部に対して２つ付いて
いる点と、２つの探針部の形状が互いに異なっている点
にある。

【００２１】各探針部を形成する面４３、５３は各カン
チレバー４１、５１に対して異なった角度を持っている
が、いずれも（１１１）面であり、角度上は両者は７０
．５２°をなしている。探針部４３は頂角が小さく且つ
アスペクト比の大きく、他方、探針部５２は逆に頂角が
大きく且つアスペクト比が小さい。

【００２２】このよう本発明カンチレバーチップにおい
ては、アスペクト比の異なった探針部を持つ複数のカン
チレバー部を同一のカンチレバーチップの中に具備して
おり、ユーザーは使用前に何れかを選んで使用できるよ
うになっている。

【００２３】また同様に面３９と３８もスタートウェハ
を基準を考えると（１１１）面であり、カンチレバー部
とそれぞれ異なった角度で交わっている。

【００２４】図５に図１図示の本発明のカンチレバーチ
ップの作製方法を示す。また図３、はウェハＷ内に形成
される複数のカンチレバーチップのパターンＰを示し、
図４は、図３のＩＶａ−Ｏ−ＩＶｂ線に沿った断面図で
ある。

【００２５】図５（ａ）のように、本発明のカンチレバ
ーチップはスタートウェハとして、３層に分かれている
ウェハ６０を用いる。表面の第１層６１は単結晶シリコ
ン層で、数μｍから数十μｍの厚さをもっている。第２
層６２は二酸化シリコンのエッチング停止層である。最
下層の第３層６３は単結晶シリコン層である。またウェ
ハの面方位は（１００）面から角度でθ傾いている。

【００２６】ウェハ６０の両面に窒化シリコン膜６４、
６５を堆積し（図５（ｂ））、フォトリソグラフィによ
り裏面の窒化シリコン膜６５を一部取り除く。そして、
残存する窒化シリコン膜をマスクとして水酸化カリウム
水溶液などを使い、異方制ウエットエッチングを行う。 ここで上記エッチング液が（１１１）方向に対しては（
１００）面などに比べエッチング速度が遅いことを利用
する。即ち、図中、このメンブレイン作製工程でできる
斜めの面７６、７７、７８、７９はシリコンの（１１１
）面である。

【００２７】本発明ではウェハ中にエッチング停止層で
ある酸化シリコン層６２があるので、ウェットエッチン
グはそこで停止する（図５（ｄ））。従って、図５（ｃ
）でできていた段差はなくなる。なお、斜めの面は６６
、６７は（１１１）面であり、それぞれがウェハ面から
の傾き角度が異なっているのは、スタートウェハとして
、（１００）面から角度でθ傾いているものを使用する
ためである。

【００２８】次に、バッファードフッ酸（フッ酸とフッ
化アンモンの混合液）により、露出した二酸化シリコン
層６２をエッチングする（図５（ｅ））。

【００２９】次に、窒化シリコン膜６８を堆積し直し、
図５（ｆ）のような状態にする。この時の窒化シリコン
膜６８は最終的にカンチレバー部となるので、レバー部
のバネ定数などレバー部の厚さに依存する機械的定数は
、膜６８の堆積時に決定される。

【００３０】図５（ｇ）及び図５（ｈ）はウェハ表面側
から行うフォトリソグラフィを行うことを示している。 ここで先ず、レジスト６９をコーティングし、且つパタ
ーニングする。そして、プラズマドライエッチングによ
り、窒化シリコン膜６４、シリコン層６１及び窒化シリ
コン膜６８よりなるメンブレインを表裏貫通させる。こ
の時のパターニングによりカンチレバーチップの厚さ以
外のカンチレバーチップ長さ、幅などの形状が決定され
る。

【００３１】次に、前工程で露出したシリコン面を酸化
して二酸化シリコン膜７０を形成する（図５（ｉ））。 この後、表面側の窒化シリコン膜６４をプラズマドライ
エッチングで除去し（図５（ｊ））、ウェットエッチン
グにより、異方性エッチングを行う。エッチングは底面
側の窒化シリコン膜４８と二酸化シリコン膜７０に達し
たところで、実質的に停止し、図５（ｋ）のような形状
になる。

【００３２】最後に、バッファードフッ酸により二酸化
シリコン層６２を取ることにより、図５（ｉ）に示すよ
うな本発明の走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチッ
プ３０ａ、３０ｂを得る。図では２つに分かれるように
描いてあるが、実際には一つのカンチレバーチップの両
側のカンチレバー部及び探針部の作製される様子を示し
ている。図３及び図４で示すように１枚のウェハから複
数個のカンチレバーチップを作製するのでカンチレバー
チップ３０ａ、３０ｂは隣あうカンチレバーチップの一
部づつを示している。

【００３３】一般的にはこの後、カンチレバーチップ面
での光の反射率を高め、変位測定系のＳ／Ｎ比を向上さ
せる目的で金などをレバー部の裏面にミラー部としてコ
ーティングするが、図では示していない。

【００３４】本発明において使用されるスタートウェハ
は、シリコンなどの単結晶ウェハが用いられる。

【００３５】Ｓ．Ａｋａｍｉｎｅ　は（１００）面のシ
リコンを用いて従来のカンチレバーを作製しているが、
本発明においては、シリコンならば面方位が（１００）
より角度でθ傾いているウェハをスタートウェハとして
使用する。 この角度θは図１の探針部面４３と５３とが先に説明し
たプロセスで作製される範囲であれば良く、（１１１）
面と（１００）面とが作る角度が５４．７４°であるこ
とから、３５．２６°（＝９０°−５４．７４°）以内
であれば理論上は可能であるが、探針部の機械強度の観
点より、３０°以内であることが望ましい。

【００３６】アスペクト比の異なる探針部を作る時、そ
の差を大きくしようとすると、角度でθの大きなウェハ
を使用することになる。このような時、本発明において
使用されるスタートウェハは、ウェハ内部にエッチング
停止層を持つものが好ましい。図６を用いてこれを説明
する。

【００３７】図６（ａ）、（ｂ）には、プロセス途中の
状態を、説明のための補助線Ｘ１〜Ｘ４を書き加えて、
示してある。図６（ａ）、（ｂ）いずれも、（１００）
面より角度θ傾いたウェハをスタートウェハとして用い
てある。図６（ａ）はエッチング停止層の無いウェハを
使用したもの、図６（ｂ）はエッチング停止層６２を持
ったウェハを使用したものである。

【００３８】図６（ａ）のようにエッチング停止層を持
たないウェハを使用した場合、作製されるメンブレイン
は、ｃ点の方がｈ点よりエッチングが進むため、ウェハ
の面より傾くことになる。従ってウェット異方性エッチ
ングのコントロールが従来例と比較しても更に難しくな
る。更にまた、このままプロセスを進めると、左側のカ
ンチレバーチップのカンチレバー部は位置ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅをトレースした形となり、右側はほぼ位置ｆ、ｇ
、ｈ、ｉ、ｊをトレースした形となる。このことはカン
チレバーチップを、位置ａ、ｂ間に形成される面を当て
つけてＡＦＭ装置に取り付けた時、現在多くのＡＦＭ装
置においてカンチレバーチップと試料との接触を回避す
るため、カンチレバーチップを傾けて取り付けているの
に対し、更にその角度を傾けなければならなくなり、問
題が生じる。

【００３９】一方、図６（ｂ）のようにエッチング停止
層６２を有するウェハをスタートウェハとして用いたと
きは、この問題を回避できる。即ち、ウェット異方性エ
ッチングによりメンブレインを作製しても、位置Ｃ、Ｅ
、Ｆ、Ｈ面でエッチングが停止するため、プロセスを進
めても、探針部の形状あるいはアスペクト比のみが変わ
る。カンチレバー部は従来の形状と同じく、カンチレバ
ー部の面とウェハの面とが平行なカンチレバーチップを
作製することができる。

【００４０】このようなエッチング停止層を持ったウェ
ハとしては、酸素をインプラントして作製するＳＩＭＯ
Ｘ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｂｙ　ＩＭｐｌａｎｔｅｄ
　ＯＸｙａｅｎ）ウェハや、ニ酸化シリコン層を接合層
として２枚のシリコンウェハを貼り合わせた接合ウェハ
などが好ましく用いられる。両者とも単結晶シリコンで
二酸化シリコンをサンドイッチした構造になっているの
が特徴である。

【００４１】ＳＩＭＯＸウェハの場合は、通常、表面側
のシリコン層厚は１μｍ以下であり、本発明のスタート
ウェハとしては、そのままでは薄すぎるので、エピタキ
シャル成長法によりその上にシリコンを成長させ、厚く
したものが用いられる。

【００４２】接合ウェハの場合は、通常、表面側のシリ
コン層厚は１０μｍ以上であり、本発明のスタートウェ
ハとしては、そのままでは表面側のシリコン層厚が厚す
ぎるので、研磨して薄くしたものが用いられる。

【００４３】即ち、エッチング停止層は、スタートウェ
ハ中において、少なくとも半分より表面側に位置してい
ることが望ましく、エピタキシャル成長あるいは研磨し
た後の表面側シリコン層の厚さとしては、１から３０μ
ｍ程度が選ばれ、更には１から５μｍ程度が好ましく使
用される。

【００４４】カンチレバーチップを構成する材料として
は、半導体ＩＣ製造プロセスを用いて作製することから
、Ｓｉに代表される半導体材料あるいはそれより派生し
た化合物などを好ましく用いられる。また、それらの材
料にドーピングを施した材料も同様に好ましく使用され
る。

【００４５】本発明カンチレバーチップは、Ｓ．Ａｋａ
ｍｉｎｅ　により提案されている図７及び図８のカンチ
レバーチップに比べて、アスペクト比の異なった複数個
の探針部を持つカンチレバーチップを提供することがで
き、ユーザーは測定試料にあったアスペクト比の探針部
を持つカンチレバーを選んで使用することができる。

【００４６】エッチング停止層を持つウェハをスタート
ウェハとした時の副次的な効果として、作製する探針部
の長さを揃えることができるということが上げられる。 探針部の長さはＡＦＭ像のサンプル表面形状の再現性に
影響し、必要以上に長いと、探針部の軸方向に垂直な力
を受けたときに受けるモーメント力が大きくなり、ＡＦ
Ｍ像がサンプル表面形状を忠実に再現しなくなるという
問題が生じる。

【００４７】メンブレインの厚さは最終的な探針部の長
さになるが、エッチング停止層を持つウェハを用いない
場合は、図６（ａ）図示の如く、その厚さをコントロー
ルするのが難しく、ウェハごとに異なった長さの探針部
ができたり、同一ウェハ中でもエッチング速度のウェハ
面内分布により長さの異なった探針部ができることとな
る。

【００４８】これに対してエッチング停止層を使用する
場合、エッチング停止層上のシリコン層は初めに厚さが
決まっているので、少なくとも同一ウェハ内では探針部
の長さは一定のものを得ることができる。また、複数の
ウェハを用いても、メンブレインを形成するシリコン層
の形成方法に厚さコントロールが可能な方法を採用する
ことにより、長さの揃った探針部をもったカンチレバー
チップを提供することができる。

【００４９】以下、試作例により本発明のカンチレバー
チップの作製方法を説明する。

【００５０】＜試作例１＞図１及び図２に示す本発明の
カンチレバーチップを作製した。その作製方法は図５に
示す様である。

【００５１】スタートウェハとして面方位が（１００）
から１４°傾いたＳＩＭＯＸウェハ６０を用いた。表面
側のシリコン層６１はエピタキシャル成長により３μｍ
の厚さにした。

【００５２】ウェハ洗浄後、ＬＰ−ＣＶＤ装置により窒
化シリコン膜６４、６５を両面に堆積し（図５（ｂ））
、フォトリソグラフィにより裏面の窒化シリコン膜６５
を一部取り除いた後、窒化シリコン膜をマスクとしてエ
チレンジアミンピロカテコール水（ＥＰＷ）を使用して
異方性ウエットエッチングを行った。

【００５３】エッチング時間は特にコントロールせず、
予備実験により求めたエッチング速度より換算されたと
ころの所望のメンブレイン厚を得るに必要なエッチング
時間を越えてＥＰＷ中にウェハ６０を放置した。しかし
、ＳＩＭＯＸウェハ中の酸化シリコン層６２があるので
、ウェットエッチングはそこで停止していた。

【００５４】ついで、バッファードフッ酸（フッ酸とフ
ッ化アンモンの混合液）により、二酸化シリコン層６２
をエッチングした。

【００５５】次に、窒化シリコン膜６８をＬＰ−ＣＶＤ
により４００ｎｍ堆積し直した。そして、ウェハ表面に
厚膜レジスト６９をコーティングし、且つパターニング
した。続いて、ＣＢｒＦ３　ガスを用いたＲＩＥプラズ
マドライエッチングによりメンブレインを表裏貫通させ
た。

【００５６】次に、拡散炉に入れ、ＲＩＥ工程で露出し
たシリコン面に酸化膜７０を形成した。

【００５７】この後、表面側の窒化シリコン膜６４をプ
ラズマドライエッチングで除去した。また、ＥＰＷによ
りシリコン層６１の異方性ウエットエッチングを行った
。続いて、バッファードフッ酸により二酸化シリコン層
６２を除去した。最後に、真空蒸着によりクロムと金と
をレバー部の裏面にミラー部としてコーティングして、
本発明の走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーを得た。

【００５８】このように作製した本発明のカンチレバー
チップは、長さの揃った探針部がウェハ内の各レバー部
の先端に作製されていた。しかも、カンチレバーチップ
の両側にある探針部ではそのアスペクト比の異なるもの
がスタートウェハの面の傾きを反映して作製されていた
。

【００５９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、１
対以上のカンチレバー部及び探針部を一つのカンチレバ
ーチップの上に持ち、且つ探針部はそれぞれのアスペク
ト比が異なっている走査型プローブ顕微鏡用カンチレバ
ーチップを提供することができる。

【００６０】また、その際、エッチング停止層をもつウ
ェハをスタートウェハとして使用することにより、探針
部高さの揃った、安定した品質のカンチレバーチップを
提供することができる。

【００６１】また同時に、カンチレバーチップ作製プロ
セスのコントロールに余裕を与えることができるため、
作製を容易にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレ
バーチップを示す斜視図。

【図２】図１図示カンチレバーチップの縦断側面図。

【図３】ウェハ内に作製される複数のカンチレバーチッ
プのパターンを示す図。

【図４】図３のＩＶａ−Ｏ−ＩＶｂ線に沿った断面図。

【図５】図１図示のカンチレバーチップの作製方法を順
に示す図。

【図６】エッチング停止層を具備しないウェハと具備す
るウェハとにおける作製プロセス途中の状態の相違を示
す概略図。

【図７】従来の走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチ
ップを示す斜視図。

【図８】図７図示カンチレバーチップの縦断側面図。

【図９】図７図示カンチレバーチップの作製方法を順に
示す図。

【符号の説明】

３０…カンチレバーチップ、３７…支持部、４１、５１
…カンチレバー部、４２、５２…探針部、６０…ウェハ
、６１…シリコン層、６２…二酸化シリコン層、６３…
シリコン層。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　複数のカンチレバー部と、上記各レバ
   ー部の自由端に配設される探針部と、上記探針部と反対
   側で上記レバー部に配設されるミラー部と、上記複数の
   レバー部の基端側を支持する１つの支持部と、を具備し
   、上記探針部のアスペクト比が互いに異なる走査型プロ
   ーブ顕微鏡用カンチレバーチップ。
2. 【請求項２】　　上記探針部及び上記支持部は、半導体
   の単結晶あるいはそれを主体とした材料よりなる請求項
   １記載のカンチレバーチップ。
3. 【請求項３】　　上記材料がシリコンである請求項２記
   載のカンチレバーチップ。
4. 【請求項４】　　複数のカンチレバー部と、上記各レバ
   ー部の自由端に配設される探針部と、上記探針部と反対
   側で上記レバー部に配設されるミラー部と、上記複数の
   レバー部の基端側を支持する１つの支持部と、を具備し
   、上記探針部のアスペクト比が互いに異なる走査型プロ
   ーブ顕微鏡用カンチレバーチップの作製方法であって、
   面方位が（１００）より傾いているウェハをスタートウ
   ェハとして使用し、半導体製造プロセスによりカンチレ
   バーチップを作製する方法。
5. 【請求項５】　　上記面方位の傾きが３０°以内である
   請求項４記載の方法。
6. 【請求項６】　　上記スタートウェハ中の厚み方向の中
   央より表面側にエッチング停止層が配設される請求項４
   または５記載の方法。