JP3599880B2 - カンチレバーチップ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば走査型トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡に用いられるカンチレバーチップに関する。なお、本明細書中において、カンチレバーチップとは、カンチレバーとこのカンチレバーを支持する支持部とを含めた上位概念を示している。
【0002】
【従来の技術】
従来、試料を原子オーダーの分解能で観察するための装置として、走査型プローブ顕微鏡(SPM;Scanning Probe Microscope) が知られている。このようなSPMの一例として、ビニッヒ(Binnig)やローラー(Rohrer)等によって、走査型トンネル顕微鏡(STM;Scanning Tunneling Microscope)が発明された。しかし、このSTMでは、観察できる試料は導電性の試料に限られている。そこで、サーボ技術を始めとするSTMの要素技術を利用し、絶縁性の試料を原子オーダーの分解能で観察できる装置として原子間力顕微鏡(AFM;Atomic Force Microscope)が提案された(特開昭62−130302号公報参照)。
【0003】
AFM構造は、STMに類似しており、走査型プローブ顕微鏡の一つとして位置付けられる。このようなAFMは、鋭く尖った突起部(探針)を自由端に持つプローブ(カンチレバー)を備えている。この探針を試料に近づけると、探針先端の原子と試料表面の原子との間に働く相互作用力(原子間力)によりプローブの自由端が変位する。この自由端に生じる振動振幅の変化を電気的あるいは光学的に測定しながら、探針を試料表面に沿ってXY方向に走査することによって、試料の凹凸情報等を三次元的にとらえることができる。
【0004】
SPM測定用のカンチレバーチップは、アルブレヒト(Albrecht)等が半導体ICプロセスを応用して作製した二酸化シリコンカンチレバーチップを提案して以来(Thomas R.Albrecht Calvin F.Quate:Atomic resolution Imaging of a nonconductor by Atomic force Microscopy J.Appl.Phys,62(1987)2599参照)、マイクロメータ(μm)の精度で非常に再現性の良いものを作製できるようになった。しかも、バッチプロセスを用いることにより大量に作製することができるため、作製コストを低減させることが可能となった。従って、現在、半導体ICプロセスを応用して作製するカンチレバーチップが主流となっている。
【0005】
また、例えば、J.Vac.Sci.Technol.A8(4)3386 1990:T.Albrecht,S.Akamine,T.E.Caver and C.F.Quate に示されているように、二酸化シリコン膜の代わりに窒化シリコン膜を使用したカンチレバーチップが知られているが、このカンチレバーチップのカンチレバーの寸法は、長さ約50〜200μm、厚さ約0.5〜1μmであり、その形状は、中抜き三角形や長方形である。
【0006】
また、例えば、Appl.Phys.Lett.57(3)316 1990:S.Akamine,R.C.Barrett and C.F.Quate に示されているように、単結晶シリコンで形成した三角錐形状の探針が知られているが、この探針は、KOH水溶液等を用いた湿式異方性エッチングによって形成される。このような探針先端は、3本の稜線が一点で交わるように形成されているため、原理的には構造上安定した鋭く尖った探針を提供することが可能となる。
【0007】
また、例えば、T.Bayer 等によるU.S.Patent 5051379に示されているように、全体が単結晶シリコンで形成されたカンチレバーチップも知られている。
加えて、カンチレバー自体に、その変位を測定するための機能を付加した集積型AFMセンサが、M.Tortonese 等によって提案されている。なお、この集積型AFMセンサは、例えば「M.Tortonese,H.Yamada,R.C.Barrett and C.F.Quate: Transducers and Sensors’91:Atomic force microscopy using a piezoresistiv cantilever 」やPCT出願のWO92/12398に開示されており、歪み抵抗効果を利用した測定原理が適用されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のカンチレバーチップにおいて、カンチレバーを支持する支持部のうち、カンチレバーが装着されている側面(仮に、支持面という)の幅寸法は、カンチレバーの幅寸法よりも数十倍以上大きくなっている。更に、従来のカンチレバーチップにおいて、探針の高さ寸法と上記支持面の幅寸法との比は、約1/100となっているため、カンチレバーの長手軸方向に沿って観察すると、探針の高さ寸法が無視できる程度に略平坦状の外観を呈示している。
【0009】
従って、従来のカンチレバーチップを用いて試料表面のSPM測定を行う場合、試料表面が大きく凹状に窪んでいる測定箇所では、この試料表面に探針先端が接触する前に、支持部の上記支持面が試料表面に接触してしまうため、SPM測定が困難になってしまう場合がある。
【0010】
本発明は、このような課題を解決するためになされており、その目的は、試料の表面形状に影響されること無く所望の測定箇所に対して探針先端を円滑且つ確実に走査させることが可能なカンチレバーチップを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明のカンチレバーチップは、支持面およびこの支持面に対向した取付面を有する支持部と、この支持部の支持面に支持された片持ち梁と、この片持ち梁の自由端に設けられた探針とを備えており、前記支持部は、支持面と取付面と傾斜面で囲まれていて、前記支持面の横断面における幅寸法が前記取付面の横断面における幅寸法よりも縮小されている。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第1の実施の形態に係るカンチレバーチップについて、図1〜図3を参照して説明する。
図1(a)に示すように、本実施の形態のカンチレバーチップ2は、支持面4a及びこの支持面4aに対向した取付面4bを有する支持部4と、この支持部4の支持面4aに支持された片持ち梁即ちカンチレバー6と、このカンチレバー6の自由端に設けられた探針8とを備えており、試料18(図3(a)参照)の表面形状に影響されること無く所望の測定箇所に探針8を走査させることができるように、支持部4は、その支持面4aの幅寸法が取付面4bの幅寸法よりも縮小されている。
【0013】
支持部4は、シリコン材料によって形成されており、また、(100)面から成る支持面4a及び取付面4bと、(111)面から成る第1ないし第4の傾斜面10,12,14,16とによって形成されている。
【0014】
図1(b)に示すように、支持面4aの幅寸法W1は、SPM装置(図示しない)にカンチレバーチップ2を取り付けるための取付面4bの幅寸法W2よりも縮小しており、これら支持面4aと取付面4bとの間には、カンチレバー6の長手軸に沿って形成された第1及び第2の傾斜面10,12が露出している。
【0015】
図1(c)に示すように、支持面4aの長さ寸法L1は、取付面4bの長さ寸法L2よりも拡大しており、これら支持面4aと取付面4bとの間には、カンチレバー6の長手軸を横断するように形成された第3及び第4の傾斜面14,16が露出している。
【0016】
本実施の形態のカンチレバーチップ2によれば、試料表面18aに向かうに従って支持部4の幅寸法が減縮するように第1及び第2の傾斜面10,12が形成されている。このため、かかるカンチレバーチップ2を用いて例えば凹面形状の試料表面18a(図3(a)参照)に対するSPM測定を行う場合でも、凹面 (凹球面)形状の試料表面18aに支持面4aが接触すること無く、探針8先端のみを円滑且つ確実に試料表面18aに走査させることが可能となる。
【0017】
次に、このような本実施の形態のカンチレバーチップ2の作製方法について図2を参照して説明する。
まず、図2(a)に示すように、スタートウェハとして、面方位(100)のシリコン基板20の表面に酸化シリコン膜22を形成した後、この酸化シリコン膜22上に活性層となるべき面方位(100)のシリコン基板24を貼り合わせた貼り合わせSOI(Silicon On Insulator)基板を用意する(第1の作製プロセス)。
【0018】
次に、図2(b)に示すように、支持部4(図1参照)を形成する際にエッチングマスクとして用いる酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等のマスク26をシリコン基板20の裏面に形成すると共に、活性層(シリコン基板)24の一部に所定のエッチングを施して探針8を形成する(第2の作製プロセス)。
【0019】
続いて、図2(c)に示すように、活性層(シリコン基板)24の表面にフォトリソグラフィーとエッチングを施すことによって、矩形のカンチレバー6を形成する(第3の作製プロセス)。
【0020】
この後、図2(d),(e)に示すように、熱拡散炉等(図示しない)を用いて、カンチレバー形状にパターニングされた活性層(シリコン基板)24の表面に酸化シリコン膜28を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチングを施すことによって、支持部4を形成する際のマスクをパターニングする(第4の作製プロセス)。このマスクパターンは、活性層24及び酸化シリコン膜28により成形される。なお、図2(e)は、図2(d)のe−e部分の断面を示す図である。
【0021】
続いて、図2(f)に示すように、第5の作製プロセスでパターニングされたマスクを介してシリコン基板20に湿式異方性エッチングを施して、カンチレバー6(図1参照)の長手軸に平行な支持部4(図1参照)を形成する。そして、このときシリコン基板20に露出形成された傾斜面(即ち、図1に示すような第1及び第2の傾斜面)10,12に酸化シリコン膜30を形成する(第5の作製プロセス)。なお、図2(f)は、図2(e)と同じ方向からカンチレバー6を観察した図である。
【0022】
次に、図2(g),(h)に示すように、マスク26を介してシリコン基板20に再度、湿式異方性エッチングを施して支持部4(図1参照)を形成した後、フッ化水素水溶液等(図示しない)によって酸化シリコン膜等のマスク22,26,28,30を除去する(第6の作製プロセス)。なお、図2(h)は、カンチレバー6をその長手方向から観察した図である。
【0023】
このような作製プロセスを経ることによって、図1に示すような本実施の形態のカンチレバーチップ2が作製されることになる。
なお、本実施例の作製方法では、矩形状のカンチレバー6を形成したが、第3の作製プロセス(図2(c)参照)において、三角形状のカンチレバー6を形成することも可能である。また、第6の作製プロセス(図2(g),(h)参照)において、カンチレバー6の裏面即ち探針8が設けられている面とは反対側の面上にSPM測定用の金属反射膜をコーティングしてもよい。
【0024】
このような作製方法によれば、湿式異方性エッチングを2回繰り返すだけで、試料表面18aに向かうに従って幅寸法が縮小するように第1及び第2の傾斜面10,12が形成された支持部4を容易且つ高精度に作製することができる。
【0025】
なお、本発明は、上記実施の形態の構成に限定されることはなく、新規事項を追加しない範囲で種々変更することが可能である。例えば、上記実施の形態では、貼り合わせシリコンウェハを用いてカンチレバーチップ2を作製したが、通常のシリコンウェハを用いて作製してもよい。
【0026】
また、カンチレバーチップ2の変形例として、例えば図3(b),(c)に示すように、支持部4の第3の傾斜面14を第4の傾斜面16と略平行に形成してもよく、この場合も上記実施の形態と同様の作用効果を奏する。
【0027】
更に、カンチレバーチップ2の変形例として、例えば図3(d)に示すように、支持部4の横断面が略6角形状となるように、第1及び第2の傾斜面10,12に連接して第5及び第6の傾斜面32,34を形成してもよく、この場合も上記実施の形態と同様の作用効果を奏する。
【0028】
次に、本発明の第2の実施の形態に係るカンチレバーチップについて、図4を参照して説明する。なお、本実施の説明に際し、第1の実施の形態と同一の構成には、同一符号を付して、その説明を省略する。また、本実施の形態のカンチレバーチップは、第1の実施の形態で説明した作製方法と同一の方法によって作製されているものとする。
【0029】
図4(a)には、図1に示された形状を有するカンチレバーチップ2が、10mm×10mmのシリコン製枠36の中に、約1.6mmの配列ピッチで並列形成された状態が示されている。なお、本実施の形態では、その一例として、4つのカンチレバーチップ2がシリコン製枠36にアレイ状に並列形成されている状態を示す。
【0030】
図4(a)に示すように、4つのカンチレバーチップ2は、夫々、シリコン製枠36に形成された4つの連結部38によって支持されている。
連結部38には、夫々、(111)面で構成された連結用傾斜面38aが形成されており、この連結用傾斜面38aと支持部4の第3の傾斜面14(図1参照)とによって、カンチレバーチップ切離用V字状溝40が構成されている。
【0031】
このような構成によれば、カンチレバーチップ2は、夫々、カンチレバーチップ切離用V字状溝40を介して支持されているため、カンチレバーチップ2を上方又は下方から押圧するだけで簡単にシリコン製枠36から切り離すことができる。
【0032】
また、カンチレバーチップ切離用V字状溝40は、夫々、カンチレバー6から最も離間した位置に形成されているため、カンチレバーチップ2の切り離しの際に発生するシリコン破片等がカンチレバー6上に飛び散ることが少ない。この結果、シリコン破片等によってカンチレバー6や探針8(図1参照)が破損する危険性を減少させることが可能となる。
【0033】
更に、本実施の形態によれば、アレイ状に並列形成された個々のカンチレバーチップ2は、シリコン製枠36に所定の配列ピッチで相互に離間して作製されるため、作製時の不具合が他のカンチレバーチップ2に影響を及ぼすことがなく、カンチレバーチップ作製の歩留まりを向上させることができる。
【0034】
なお、上記実施の形態では、図1に示された形状を有するカンチレバーチップ2について説明したが、図4(b)に示すように、例えば図3(b),(c)に示された形状を有するカンチレバーチップ2をシリコン製枠36の中に並列形成しても、上記同様の作用効果を奏する。
【0035】
また、上述の図4(a),(b)では、アレイ状に並列形成されたカンチレバーチップ2の一例を示したが、更に、支持部4に改良を加えた例を以下に示す。図5は、図4と同様に、カンチレバーチップ2がシリコン製枠36の中にアレイ状に並列形成されている状態を示している。なお、図4と同様の構成には、同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【0036】
図5に示したカンチレバーチップ2は、カンチレバーチップ保持溝42の部分を除いて、図4に示したカンチレバーチップ2と同様の構成を有している。
このカンチレバーチップ保持溝42は、支持部4の両側面にフォトリソグラフィ及びエッチング処理を施すことによって形成された例えば矩形の溝である。
【0037】
ところで、カンチレバーチップ2をシリコン製枠36から切り離すには、通常、支持部4のエッジ部分をピンセット等で保持する。しかし、支持部4のエッジ部分をピンセット等で保持した場合、カンチレバーチップ2をシリコン製枠36から切り離すときに非常に不安定である。また、通常のカンチレバーチップには、ピンセット等によって安定した切り離し作業を行うための保持部分を有していない場合が多い。
【0038】
そこで、図5に示すように、カンチレバーチップ保持溝42を支持部4に形成すれば、ピンセット等によってカンチレバーチップ保持溝42を挟み込んで支持部4を保持することができるため、非常に安定した状態でカンチレバーチップ2を容易に切り離すことができる。また更に、カンチレバーチップ保持溝42とカンチレバーチップ切離用V字状溝40との組み合わせによって、更に効果的な切り離し作業が確保される。
【0039】
このカンチレバーチップ保持溝42の形成方法は、例えば、図2(a)ないし(h)の作製プロセスに以下の作製プロセスを加えることによって、容易に形成することができる。
【0040】
図2(f)の状態において、酸化シリコン膜30の一部分をフォトリソグラフィによって所望の形状に除去して、シリコン基板20を露出させる。次に、この露出したシリコン基板20にエッチングを施すことによって、凹部を形成する。この凹部がカンチレバーチップ保持溝42となる。なお、以下のプロセスは、図2の説明と同様である。
【0041】
また、次のような方法でもカンチレバーチップ保持溝42を形成することができる。
図2(c)の状態において、カンチレバーチップ2の長手方向に延びるマスク26の一部分をフォトリソグラフィによって所望の形状に除去して、シリコン基板20を露出させる。次に、この露出したシリコン基板20にエッチングを施すことによって、凹部を形成する。この凹部がカンチレバーチップ保持溝42となる。なお、以下のプロセスは、図2の説明と同様である。
【0042】
なお、上述の図4及び図5において、4つのカンチレバーチップ2が形成されたシリコン製枠36を示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、シリコン製枠36に形成するカンチレバーチップ2は、カンチレバーチップ2及びシリコン基板20の形状及び大きさに合わせた適当な数だけ作製することが可能である。
【0043】
次に、本発明の第3の実施の形態に係るカンチレバーチップについて、図6を参照して説明する。なお、本実施の説明に際し、上記実施の形態と同一の構成には、同一符号を付して、その説明を省略する。また、本実施の形態のカンチレバーチップは、第1の実施の形態で説明した作製方法を応用して作製されており、その支持部4の形状(カンチレバー6の長手方向から見た場合の形状)は、図1(b)に示されたカンチレバーチップ2の支持部4の形状(カンチレバー6の長手方向から見た場合の形状)と同一である。
【0044】
図6(a)に示すように、本実施の形態のカンチレバーチップ2の支持部4は、カンチレバー6から所定距離だけ離間した部分が切り欠かれており、この切欠面4a′と取付面4bとの間の厚さt2は、カンチレバー6の支持面4aと取付面4bとの間の厚さt1よりも薄くなっている。
【0045】
本実施の形態において、支持面4aは、カンチレバー6の基端側を支持するに充分な面積を有していれば足りるため、その長手方向の長さは、支持部4全体の長さに比べて充分短くなっている。例えば、3.7mmの長さを有する支持部4に対して、支持面4aの長さは、数百μm以下である。
【0046】
このような構成によれば、図6(b)に示すように、かかるカンチレバーチップ2を用いて例えばカンチレバー6の長手軸方向に沿った曲率を有する凹面(凹球面)形状の試料表面18aに対するSPM測定を行う場合でも、凹面(凹球面)形状の試料表面18aに支持面4aを接触させること無く、探針8の先端のみを円滑且つ確実に試料表面18aに走査させることが可能となる。
【0047】
なお、本実施の形態のカンチレバーチップ2の変形例として、例えば図3(d)に示すような横断面略6角形状の支持部4を適用しても上記同様の作用効果を奏する。
【0048】
次に、本発明の第4の実施の形態に係るカンチレバーチップについて、図7を参照して説明する。なお、本実施の説明に際し、上記実施の形態と同一の構成には、同一符号を付して、その説明を省略する。また、本実施の形態のカンチレバーチップは、第1の実施の形態で説明した作製方法を応用して作製されており、その支持部4の形状(カンチレバー6の長手方向から見た場合の形状)は、図1(b)に示されたカンチレバーチップ2の支持部4の形状(カンチレバー6の長手方向から見た場合の形状)と同一である。
【0049】
本実施の形態のカンチレバーチップ2は、探針8と試料表面18a(図3(a)及び図6(b)参照)との間の相互作用力によって生じるカンチレバー6の歪みを検出することができるように構成されている。このため、カンチレバー6には、シリコン材料の歪み抵抗効果を利用した歪み抵抗層(図示しない)が形成されている。この歪み抵抗層は、例えばボロン等を注入して形成されており、この歪み抵抗層の抵抗値の変化を測定することによって、カンチレバー6の歪みが検出されるように構成されている。
【0050】
図7(a),(b)に示すように、本実施の形態のカンチレバーチップ2は、電極(図示しない)が設けられたセラミックス等の基板42を介してSPM装置(図示しない)に取り付けられるように構成されている。具体的には、支持部4の取付面4bが基板42に装着されていると共に、電極ワイヤ44を介してカンチレバーチップ2の電極(図示しない)と基板42の電極(図示しない)とが電気的に接続されている。
【0051】
このような構成において、カンチレバー6に歪みが生じると、歪み抵抗層の抵抗値が変化して、電極ワイヤ44を介して流れる電流値が変化する。このとき変化した電流値を計測することによって、カンチレバー6の歪み量が検出されることになる。
【0052】
なお、図7(a)には、図3(b),(c)に示された形状を有するカンチレバーチップ2が基板42に装着された状態が示されており、図7(b)には、図1に示された形状を有するカンチレバーチップ2が基板42に装着された状態が示されている。この場合、図7(a)に示された装着方法は、電極ワイヤ44のボンディングに際し、電極ワイヤ44の引き回し量が最短となり且つボンディング作業も容易である。
【0053】
このように本実施の形態によれば、カンチレバー6の変位測定を行うための光センサ等(図示しない)が不要となるため、例えばカンチレバー6の上方側を覆うような物質等が存在しても、その物質等の影響を受けることなくSPM測定を行うことが可能となる。
【0054】
また、図7(c)に示すように、基板42(図7(a),(b))の形状を細長く構成することによって(なお、図7(c)には、細長く形成した基板42は特に図示しない)、チューブ等の円筒形状部材46の奥方の内壁面46aに対するSPM測定が可能となる。しかも、本実施の形態のカンチレバーチップ2によれば、内壁面46aに向かうに従って支持部4の幅寸法が減縮するように第1及び第2の傾斜面10,12が形成されている。このため、かかるカンチレバーチップ2を用いて円筒形状の内壁面46aに対するSPM測定を行う場合でも、円筒形状の内壁面46aに支持面4aが接触すること無く、探針8先端のみを円滑且つ確実に内壁面46aに走査させることが可能となる。
【0055】なお、本実施の形態では、カンチレバー6の変位を測定するために、歪み抵抗効果を利用した歪み抵抗層をカンチレバー6に形成したが、これに限定されることはなく、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)や酸化亜鉛(ZnO)等の薄膜(図示しない)をカンチレバー6に形成し、薄膜の圧電効果を利用してカンチレバー6の変位を検出してもよい。
【0056】
【発明の効果】
本発明によれば、支持部の支持面の幅寸法が取付面の幅寸法よりも縮小されているため、試料の表面形状に影響されること無く所望の測定箇所に対して探針先端を円滑且つ確実に走査させることが可能なカンチレバーチップを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の第1の実施の形態のカンチレバーチップの斜視図、(b)は、同図(a)に示されたカンチレバーチップの正面図、(c)は、同図(a)に示されたカンチレバーチップの側面図。
【図2】(a)〜(h)は、本発明の第1の実施の形態に係るカンチレバーチップの作製プロセスを示す図。
【図3】(a)は、本発明の第1の実施の形態のカンチレバーチップを用いて試料表面に対するSPM測定を行っている状態を示す図、(b)は、第1の実施の形態の変形例に係るカンチレバーチップの斜視図、(c)は、同図(b)に示されたカンチレバーチップの側面図、(d)は、第1の実施の形態の他の変形例に係るカンチレバーチップの正面図。
【図4】(a)は、本発明の第2の実施の形態に係るカンチレバーチップがシリコン製枠に並列形成された状態を示す斜視図、(b)は、第2の実施の形態の変形例に係るカンチレバーチップがシリコン製枠に並列形成された状態を示す斜視図。
【図5】図4(a)に示された実施の形態の変形例に係るカンチレバーチップの構成を示す斜視図。
【図6】(a)は、本発明の第3の実施の形態に係るカンチレバーチップの側面図、 (b)は、本発明の第3の実施の形態のカンチレバーチップを用いて試料表面に対するSPM測定を行っている状態を示す図。
【図7】本発明の第4の実施の形態に係るカンチレバーチップを示す図であって、(a)は、図3(b),(c)に示された形状を有するカンチレバーチップが基板に装着された状態を示す側面図、(b)は、図1に示された形状を有するカンチレバーチップが基板に装着された状態を示す側面図、(c)は、チューブ等の円筒形状部材の奥方の内壁面に対するSPM測定を行っている状態を示す斜視図。
【符号の説明】
2…カンチレバーチップ、4…支持部、4a…支持面、4b…取付面、6…カンチレバー、8…探針、10…第1の傾斜面、12…第2の傾斜面、W1…支持面の幅寸法、W2…取付面の幅寸法。
Claims (8)
- 支持面およびこの支持面に対向した取付面を有する支持部と、この支持部の支持面に支持された片持ち梁と、この片持ち梁の自由端に設けられた探針とを備えており、前記支持部は、支持面と取付面と傾斜面で囲まれていて、前記支持面の横断面における幅寸法が前記取付面の横断面における幅寸法よりも縮小されていることを特徴とするカンチレバーチップ。
- 前記支持部は、前記片持ち梁側から離間するに従って、前記支持面と前記取付面との間の厚みが薄くなっていることを特徴とする請求項1に記載のカンチレバーチップ。
- 前記支持部は、片持ち梁から所定距離だけ離間した部分が切り欠かれており、この切欠面と前記取付面との間の厚さは前記横断面における前記支持面と前記取付面との間の厚さより薄くなっていることを特徴とする請求項1に記載のカンチレバーチップ。
- 前記支持部はシリコンよりなっていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のカンチレバーチップ。
- 取付面に保持溝が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のカンチレバーチップ。
- 前記片持ち梁には、前記深針と試料との間の相互作用力によって生じる前記片持ち梁の歪みを検出する歪みセンサーが形成されていることを特徴とする請求項1に記載のカンチレバーチップ。
- 前記歪みセンサーはシリコンの歪み抵抗効果を用いていることを特徴とする請求項6に記載のカンチレバーチップ。
- 前記歪みセンサーは、PZTもしくはZnO薄膜の圧電効果を用いていることを特徴とする請求項6に記載のカンチレバーチップ。
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